DE1416564C - Schaltungsanordnung zur Kompensation der Kollektor-Leckströme in einer Transistorschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungs- z. B. bei zehn Vergleichsstufen die letzte Bezugsanordnung zur Kompensation der Kollektor-Leck- spannung 2»-mal kleiner als die erste ist. Unter diesen ströme in einer Transistorschaltung, die einer Be- Umständen könnte eine verhältnismäßig geringe lastung einen Gleichstrom vorgegebenen Wertes und Änderung des Leckstroms in einem der Transistoren, beliebiger Polarität zuführt und bei der der Gleich- 5 mittels dessen die größte Bezugsspannung erzeugt strom aus einer von zwei Quellen gleicher Spannung, oder nicht erzeugt wird, leicht einen die kleinste Beaber entgegengesetzter Polarität über den Emitter- zugsspannung überschreitenden Fehler hervorrufen. Kollektor-Kreis eines zweier Transistoren entgegen- In diesem Beispiel ist es somit notwendig, den sich gesetzten Leitfähigkeitstyps geführt wird, indem der mit der Temperatur stark ändernden Einfluß der Basis-Emitter-Übergang des einen (oder, je nach io Leckströme der Transistoren zu beseitigen.
Polarität, des anderen) dieser Transistoren in Vor- Dies geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß der wärtsrichtung und Sättigung betrieben wird, Vorzugs- die Belastung durchfließende und dem Unterschied weise bei der Erzeugung einer Bezugsspannung im der Kollektor-Leckströme entsprechende Differenz-Eingangswiderstandsnetzwerk eines digitalen Gleich- strom dadurch kompensiert wird, daß die Basisspannungsmessers. 15 Emitter-Übergänge beider Transistoren gleichzeitig

Solche Schaltungsanordnungen sind bekannt, z. B. bis zur Sättigung in Vorwärtsrichtung betrieben aus AIEE Transactions, Teil I, 1955, S. 120 und 121, werden, so daß der starke Einfluß der Temperatur Fig. 27. Mit einer solchen bekannten Schaltungs- und/oder der untereinander verschiedenen Parameter anordnung kann man selbstverständlich auch, als der zwei Transistoren auf ihre unterschiedlichen Restdritte Möglichkeit neben den beiden Stromrichtungen, ao ströme in dieser Nulleinstellung ausgeschaltet ist.
den Strom durch die Belastung annähernd auf Null Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher einstellen, indem die Basis-Emitter-Übergänge beider erläutert, die das Schaltbild eines Ausführungs- ^- Transistoren in der Rückwärtsrichtung polarisiert beispiels der Schaltungsanordnung nach der Er- Ci werden. Die Belastung wird dann jedoch noch von findung zeigt.

den Kollektor- oder Emitter-Leckströmen der beiden »5 Die Figur der Zeichnung zeigt ein aus miteinander Transistoren durchflossen. Diese Ströme haben zwar verbundenen Widerständen 2, 3 und 4 bestehendes entgegengesetzte Richtungen, jedoch, insbesondere Netzwerk 1, dem an bestimmten Punkten bestimmte bei schwankenden Betriebstemperaturen, kann der Ströme durch Transistorschaltungen nach der ErFall eintreten, daß sie einander nicht genau aufheben, findung zugeführt werden können. Die Figur zeigt so daß der resultierende Strom durch die Belastung 30 auch eine solche Transistorschaltung, deren Ausgang nicht genau gleich Null ist. ^ mit einem Anschluß I des Netzwerkes 1 verbunden

Es ist weiterhin bekannt, den Temperaturgang von ist. Auch die anderen Anschlüsse II... n-\ und η des

Transistorverstärkern durch Kunstschaltungen mit Netzwerkes sind mit solchen Transistorschaltungen

weiteren temperaturabhängigen Transistorstufen zu verbunden, die jedoch nicht dargestellt sind. Das

kompensieren, so z. B. aus der Zeitschrift »Proceedings 35 Netzwerk 1 liefert somit zwischen dem Anschluß I

of the IRE«, 1954, Heft 4, S. 661 ff. Schaltungen zur und Erde eine Vergleichsspannung, die gleich der

Kompensation eines Temperaturganges sind außer- Summe der Bezugsspannungen über den verschiede-

dem bekannt, z. B. aus den deutschen Auslege- nen Widerständen 4 ist. Über zwei weitere Wider-

schriften 1067 476 und 1022 639 sowie aus der Be- stände 4' wird diese Bezugsspannung mit einer den

Schreibung des deutschen Gebrauchsmusters 1811887. 40 linken Klemmen des Netzwerkes zugeführten Ein-

Einige dieser bekannten Schaltungen sind zwar gangsspannung verglichen, und zwar durch einen an

relativ einfach, gestatten jedoch nicht die Lösung der die rechten Klemmen dieses Netzwerkes anzu-

der vorliegenden Erfindung zugrunde liegenden Auf- schließenden Nullanzeiger.

gäbe, nämlich durch jeweils ein bestimmtes Signal Die dargestellte Transistorschaltung soll somit Γ

einen von drei möglichen und wählbaren Zuständen 45 durch zwei mögliche Zustände imstande sein, einen

einzustellen. _t Strom bestimmten Wertes und umkehrbarer Richtung

Für bestimmte Zwecke soll durch eine Belastung, von Quellen 5 und 6 gleicher Spannungen, jedoch z.B. einen Widerstand, ein Strom mit genau be- entgegengesetzter Polaritäten, über die Emitterstimmtem Wert geschickt, die Richtung dieses Stroms Kollektor-Kreise zweier Transistoren 7 und 8 entumgekehrt und der Strom auch genau auf Null ein- 50 gegengesetzter Leitfähigkeitstypen an den Anschluß I gestellt werden können. Diese Aufgabe tritt z. B. auf und an die durch das Netzwerk 1 gebildete Belastung bei einem Digital-Voltmeter für Gleichspannungen zu liefern. Dies erfolgt dadurch, daß der.Basisunbekannter Polarität, einem Analog-Digital-Wandler Emitter-Übergang des einen oder des anderen der oder einer stufenweise schaltbaren Anzeigevorrich- Transistoren 7 und 8 in Vorwärtsrichtung betrieben tung, wobei der über einem bekannten Widerstand 55 wird. Außer dem Netzwerk 1 enthält die Belastung durch einen Strom genau bekannten Wertes erzeugte der Transistorschaltung mit ihr in Reihe geSpannungsabfall als positive oder negative Bezugs- schaltete Kollektorwiderstände 11 bzw. 12 und Spannung dient und die mit der zu messenden Span- zu diesen ReihenkombinationeiT'parallelgeschaltete nung zu vergleichende Spannung schrittweise, durch Widerstände 9 bzw. 10. Die Spannungsquellen 5 Addieren der vorhandenen oder nicht vorhandenen 60 und 6 sind in die entsprechenden Emitterkreise der¹* : Spannungen einer Reihe solcher Bezugsspannungen Transistoren 7 und 8 eingeschaltet und einseitig geaufgebaut wird. Diese Bezugsspannungen werden erdet, und die Basiselektroden dieser Transistoren durch untereinander gleiche Bezugsströme erzeugt, sind über Ableitwiderstände 13 bzw. 14 an Quellen die den verschiedenen Stufen eines leiterfÖrmigen 15 bzw. 16 entgegengesetzter Spannungen an-Widerstandsrietzwerkes zugeführt werden. Die be- 65 geschlossen. Die Spannung jeder dieser letztgenannten treffenden Werte der aufeinanderfolgenden, auf diese Quellen überschreitet die Vorwärtsspanriung der ent-Weise erzeugten Bezugsspannungen haben ein be- sprechenden Emitterspannungsquelle 5 bzw. .6, so daß stimmtes gegenseitiges Verhältnis, z.B. 1:2, so daß die Transistoren 7 und 8 normalerweise beide ge-

sperrt wären. Die Basiselektroden der Transistoren 7 und 8 sind jedoch noch über- einen Widerstand 17 bzw. 18 und über eine damit in Reihe und in Vorwärtsrichtung geschaltete Diode 19 bzw. 20 mit den Ausgangsklemmen einer bistabilen Kippschaltung 21 gekoppelt. Diese nicht näher dargestellte Kippschaltung enthält z. B. zwei Transistoren des pnp-Typs wie der Transistor 8, und die Basis des Transistors? ist unmittelbar über den Widerstand 17 und die Diode 19 mit einer Ausgangsklemme dieser Kipp- ίο schaltung verbunden. Ist diese Ausgangsklemme durch die bistabile Kippschaltung geerdet, so ist der Transistor 7 leitend, da seine Basis über den Widerstand 17 und die Diode 19 geerdet ist. Der Widerstand 17 bedingt somit den durch den Basis-Emitter-Kreis des Transistors 7 fließenden Strom. Dieser wird derart gewählt, daß der Transistor im Sättigungszustand arbeitet und daß seine Emitter-Kollektor-Spannung auf einen Wert von einigen Millivolt abfällt. Bei Verwendung symmetrischer Transistoren ist ao der Basisstrom annähernd gleich dem Kollektorstrom, der seinerseits durch die Widerstände 9 und 11 be-

j stimmt wird. Ein Teil dieses Kollektorstroms fließt über den Widerstand 11 durch das Netzwerk 1 und erzeugt somit eine bestimmte Spannung über diesem »5 Netzwerk. Da der Transistor 8 gleichen Leitfähigkeitstyps ist wie die Transistoren oder andere Verstärkerelemente der Kippschaltung 21, muß seine Basiselektrode über eine Umkehrschaltung mit dem zweiten Ausgang der bistabilen Kippschaltung gekoppelt werden. Diese Umkehrschaltung enthält, wie dargestellt ist, einen Transistor 22 des npn-Typs, dessen Emitter geerdet und dessen Basiselektrode über einen Widerstand 23 mit dem zweiten Ausgang der bistabilen Kippschaltung 21 verbunden ist. Diese Basiselektrode ist außerdem über einen Widerstand 24 mit der Plusklemme einer Quelle 26 positiver Spannung verbunden, und der Kollektor des Transistors 22 ist über einen Belastungswiderstand 25 ebenfalls mit dieser Plusklemme verbunden. Die Basiselektrode des pnp-Transistors 8 ist über, den Widerstand 18 und die Diode 20 an den Kollektor des Transistors 22 angeschlossen.

J Ist die rechte Ausgangsklemme der bistabilen Kippschaltung 21 über das entsprechende Verstärkerelement geerdet, so ist der Transistor 22 leitend, da seine Basiselektrode durch den durch die Widerstände 23 und 24 gebildeten Spannungsteiler in Vorwärtsrichtung polarisiert ist. Unter diesen Umständen ..,'. ist die Basiselektrode des Transistors 8 über den Widerstand 18, die Diode 20 und den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 22 geerdet, so daß dieser Transistor leitend ist. .

In einem dritten möglichen Zustand soll der jedem der Anschlüsse I bis η zugeführte Strom auf den Wert Null einstellbar sein. .Dies könnte durch Unterbrechung der beiden Basiskreise mit dem Widerstand 17 bzw. 18 und der Diode 19 bzw. 20 bewerkstelligt werden. In diesem Fall würde jedoch noch ein verhältnismäßig hoher Leckstrom der durch das Netzwerk 1 und die Widerstände 9 bis 12 gebildeten Belastung zugeführt werden, und zwar ein Strom, der gleich dem Unterschied zwischen den Kollektor-Leckströmen der Transistoren. 7 und 8 ist. Bekanntlich sind diese Leckströme stark temperaturabhängig und weisen, bei Transistoren gleichen Typs und um so mehr bei Transistoren entgegengesetzter Typen, verhältnismäßig große Unterschiede von Transistor zu Transistor auf. Das Netzwerk 1 gehört z. B. einem binären System an, so daß der bei einem dem Anschluß I zugeführten, bestimmten Strom über diesem Netzwerk erzeugte Spannungsäbfall das Zweifache der Spannung beträgt, die bei dem gleichen, bestimmten, jedoch dem Anschluß II, zugeführteri Strom erzeugt wird, und das 2"-!-fache der Spannung, die bei dem gleichen bestimmten, jedoch der Verbindung π zugeführten Strom erzeugt wird. Wenn beide Transistoren 7 und 8 gleichzeitig gesperrt wären, sollte somit o'er Unterschied zwischen ihren Leckströmen einen dem Anschluß I zugeführten Strom bilden, der über dem Netzwerk 1 eine Spannung kleiner als J"'-»-mal der Spannung erzeugt, welche über diesem Netzwerk erzeugt wird, wenn nur einer der Transistoren leitend ist, sonst könnte dieser Unterschied zwischen den Leckströmen der Transistoren 7 und 8 einen Fehler im letzten Glied des numerischen Ausdrucks der zu messenden Spannung hervorrufen. Um einen solchen kleinen Unterschied zwischen den Kollektor-Leckströmen der Transistoren? und 8 zu erzielen, könnten die Transistoren selbstverständlich selektiert und/oder ihre Temperatur stabilisiert werden. Bei einer zweckmäßigen Ausführung der Erfindung wird dies bedeutend leichter dadurch erreicht, daß zur Einstellung des Stroms durch die Belastung auf Null, als dritte Möglichkeit, die Basis-Emitter-Übergänge beider Transistoren 7 und 8 dadurch gleichzeitig in Vorwärtsrichtung betrieben werden, daß ihre Basiselektroden miteinander verbunden sind. Dies erfolgt mittels eines dritten Transistors 27, z. B. des npn-Typs, dessen Kollektor über einen Widerstand 28 mit der Basiselektrode des Transistors 8 verbunden ist, während seine Emitterelektrode direkt an die Basiselektrode des npn-Transistors 7 angeschlossen ist. Die Basiselektrode des Transistors 27 ist über einen Widerstand 29 mit einer Ausgangsklemme einer bistabilen Kippschaltung 30 verbunden. Diese bistabile Kippschaltung 30 enthält z.B. auch zwei Transistoren des pnp-Typs, so daß jede der Ausgangsklemmen entweder negativ oder über einen Transistor geerdet ist. Im ersteren Fall ist der Transistor 27 gesperrt, und der Kreis zwischen den Basiselektroden der Transistoren 7 und 8 ist unterbrochen. Im ,zweiten Fall sind diese Basiselektroden über den Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors 27 und den damit in Reihe geschalteten Widerstand 28 miteinander verbunden. Infolgedessen werden den Basiselektroden der beiden Transistoren 7 und 8 praktisch gleiche Basisströme zugeführt, und diese zwei Transistoren werden beide in die Sättigung getrieben, d. h., ihre Emitter-Kollektor-Spannungen werden sehr gering, so daß der Basisstrom jedes Transistors annähernd gleich seinem Kollektorstrom ist und die Spannungsabfälle über den Widerständen 9 und 10 oder 11 und 12 einander praktisch gleich sind. Der dem Anschluß I zugeführte Strom ist dabei mit verhältnismäßig großer Genauigkeit gleich Null. Die bistabile Kippschaltung 21 kann als Polaritätsselektor benutzt werden und kann die verschiedenen Transistorschaltungen für die Zufuhr eines bestimmten Stroms an alle verschiedenen Anschlüsse I, II, /i-I und η über entsprechende, nicht dargestellte Dioden und Widerstände steuern, wie durch Pfeile angedeutet. Die bistabile Kippschaltung 30 bestimmt jedoch den 0- oder 1-Wert der Spannung, die über dem Netzwerk 1 durch den Strom erzeugt wird, der dem Anschluß I zugeführt wird. Eine solche bistabile

Claims (1)

1. 5 6

   Kippschaltung wird somit den 0- oder 1-Wert der widerstände 17 und 18 und die Dioden 19 und Spannung bestimmen, die über dem Netzwerk 1 durch 20 gesteuert werden können. Der Basisstrom beiden Strom erzeugt wird, der jedem der anderen An- der Transistoren fließt von der Plusklemme der Schlüsse II... /J-I und π zugeführt wird. Spannungsquelle 6 über den Emitter-Basis-Übergang

   Der in dem Emitter-Kollektor-Kreis jedes der 5 des Transistors 8 und durch den Widerstand 28, den

   Transistoren 7 und 8 wirksame Widerstand, d. h. der Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 27 und den

   Widerstand der Parallelschaltung des Widerstands9 Basis-Emitter-Übergang des Transistors? nach der

   und des Widerstands 11 in Reihe mit dem Widerstand Minusklemme der Spannungsquelle 5, und sein Wert

   zwischen dem Anschluß I und Erde, z. B. was den wird praktisch nur durch die Größe der Spannungen

   Transistor 7 anbetrifft, und die Spannung der Span- »o der Quellen 5 und 6 und durch den Wert des Wider-

   nungSquellen 5 und 6, wodurch der eine oder der stands 28 bestimmt, welcher Wert in bezug auf den

   andere oder beide Transistoren 7 und 8 in Vorwärts- Kollektor-Emitter-Gleichstromwiderstand des leiten-

   richtung betrieben wird (werden), werden Vorzugs- den Transistors 27 groß ist. Die Basisströme der

   weise derart gewählt, daß jeder in Vorwärtsrichtung Transistoren 7 und 8 sind somit praktisch einander

   betriebene Transistor in einem Sättigungsbereich ar- 15 gleich. Außerdem sind beide Transistoren 7 und 8

   beitct, in dem seine Kollektor-Basis-Spannung sehr dabei gesättigt, so daß die Spannungsabfälle über

   gering ist, aber in der Sperrichtung wirksam bleibt. ihren Emitter-Kollektor-Strecken sehr gering sind,

   Wie bereits gesagt, wird nur ein Teil des Emitter- z. B. von der Größenordnung 3 bis 8 mV, während Kollektor-Stroms eines der Transistoren 7 und 8 dem ihre Kollektorströme annähernd gleich den Basis-Anschluß I zugeführt, da ein verhältnismäßig großer *o strömen und somit einander gleich sind.
   Teil dieses Stroms über den Parallelwiderstand 9 oder . · .

   10 nach Erde abfließt. Infolgedessen wird, wenn nur Patentansprüche:
   einer der Transistoren 7 und 8 leitend ist. der Einfluß des Leckstroms durch den nichtleitenden Tran- 1. Schaltungsanordnung zur Kompensation der sistor im gleichen Verhältnis verringert. *5 Kollektor-Leckströme in einer Transistorschal-

   Zwischen dem Anschluß I und Erde hat das Netz- * tung, die einer Belastung einen Gleichstrom vorwerk einen Eigenwiderstand, der von dem Eigen- gegebenen Wertes und beliebiger Polarität zuführt widerstand jeder der Transistorschaltungen abhängig und bei der der Gleichstrom aus einer von zwei ist, wodurch dieses Netzwerk über die Anschlüsse I, Quellen gleicher Spannung, aber entgegen-II... n-I, π gespeist wird. Um den Einfluß der Wider- 30 gesetzter Polarität über den Emitter-Kollektorstände der dieses Netzwerk speisenden Transistor- Kreis eines zweier Transistoren entgegengesetzten schaltungen auf den Widerstand dieses Netzwerkes Leitfähigkeitstyps geführt wird, indem der Basisauf ein Minimum zu reduzieren, werden diese Tran- Emitter-Übergang des einen (oder, je nach PoIasistorschaltungen über Widerstände, z. B. die Wider- rität, des anderen) dieser Transistoren in Vorstände 11 und 12, mit dem entsprechenden Anschluß, 35 wärtsrichtung und Sättigung betrieben wird, vorz. B. mit dem Anschluß I, gekoppelt. Unter diesen zugsweise bei der Erzeugung einer Bezugsspan-Umständen wird der Widerstand des Netzwerkes 1, nung im Eingangswiderstandsnetzwerk eines digiz. B. zwischen dem Anschluß I und Erde, durch einen talen Gleichspannungsmessers, dadurch geparallelgelegten Widerstand gedämpft, der gleich der kennzeichnet, daß der die Belastung Parallelschaltung der Widerstände 11 und 12 ist, 40 (2 bis 4) durchfließende und dem Unterschied wenn die beiden Transistoren 7 und 8 leitend sind. der Kollektor-Leckströme entsprechende Diffe- und der gleich der Parallelschaltung des Widerstands renzstrom dadurch kompensiert wird, daß die

   11 oder 12 und der in Reihe geschalteten Wider- Basis-Emitter-Übergänge beider Transistoren (7 stände 12 und 10 oder 11 und 9 ist, wenn lediglich und 8) gleichzeitig bis zur Sättigung in Vorwärtsder Transistor 7 oder 8 leitend ist. Da die Wider- 45 richtung betrieben werden, so daß der starke stände 9 und 10 einige Male kleiner als die Wider- Einfluß der Temperatur und/oder der untereinstände 11 und 12 gewählt werden, ist diese Dämpfung ander verschiedenen Parameter der zwei Tranpraktisch unveränderlich. sistoren auf ihre unterschiedlichen Restströme in

   In einer praktischen Ausführungsform, die einen dieser Nulleinstellung ausgeschaltet ist.
   Teil eines Digital-Voltmeters bildet, hatten die Wider- so 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, stände des Netzwerkes 1 die nachfolgenden Werte: dadurch gekennzeichnet, daß der im Emitter-Widerstände 2 .. 10 Ohm Kollektor-Kreis jedes Transistors (7, 8) wirksame Widerstandes 20Ohm Widerstand, die Spannung der Spannungsquellen

   Widerstände 4 10 Ohm ?'*>?* ^d? ^S5°^' $*"% ^- ^d" *™ ^"

   Widerstände 4' 10 kOhm 55 der andere oder die bdden Transistoren in Vor-

   . wartsnchtung betneben wird (werden), derart ge-

   Der Widerstand zwischen jedem der Anschlüsse wählt sind, daß jeder auf diese Weise betriebene

   des Netzwerkes 1 und Erde war somit gleich Transistor in einem Sättigungsgebiet wirksam ist,

   20/3 Ohm. in dem seine Kollektor-Basis-Spannung sehr ge-

   Dabei waren die Widerstände 9 und 10 von je 60 ring ist, jedoch in Sperrichtung wirksam bleibt.

   2 kOhm und die Widerstände 11 und 12 von je 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1

   12 kOhm. > oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nur ein Teil

   Es sei noch bemerkt, daß, wenn der Transistor 27 des Emitter-Kollektor-Stroms eines leitenden

   und die beiden Transistoren 7 und 8 leitend sind, der Transistors der Belastung (2 bis 4) zugeführt wird, Kollektorstrom jedes dieser Transistoren unabhängig 65 so daß der Einfluß des Leckstroms durch einen

   ist vom Zustand der bistabilen Kippschaltung 21 nichtleitenden Transistor im gleichen Verhältnis

   oder einer anderen Steuervorrichtung, durch die die verringert wird.

   Transistoren 7 und 8 über die Strombegrenzungs- 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3.

   dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende Teil des Emitter-Kollektor-Stroms des leitenden Transistors über einen Entkopplungswiderstand (11, 12) der Belastung (2 bis 4) zugeführt wird, so daß der parallel zur Belastung wirksame Widerstand sich nur wenig ändert, je nachdem nur einer der Transistoren leitend ist oder beide Transistoren leitend sind.

   5. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Belastung zwischen den Kollektorelektroden beider Transistoren und einem Punkt konstanten Potentials eingeschaltet ist, während die Emitterelektroden dieser Transistoren mit Vorwärtsspannungsquellen verbunden sind und ihre Basiselektroden über Ableitwiderstände an Rückwärtsspannungsquellen höherer Spannung als die der erwähnten Vorwärtsspannungsquellen und entgegengesetzter Polaritäten angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die eine oder die ao andere dieser Basiselektroden über einen entsprechenden Strombegrenzungswiderstand mit dem erwähnten Punkt konstanten Potentials verbunden ist.

   6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Emitter-Übergänge beider Transistoren (7 und 8) dadurch gleichzeitig in Vorwärtsrichtung betrieben werden, daß ihre Basiselektroden miteinander verbunden sind.

   7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektroden beider Transistoren (7, 8) dadurch miteinander verbunden werden, daß ein Vorwärtsstrom der Basiselektrode eines dritten Transistors (27) zugeführt wird, dessen Emitter-Kollektor-Kreis zwischen den Basiselektroden der beiden erstgenannten Transistoren (7, 8) eingeschaltet ist, und daß der Emitter des dritten Transistors (27) mit der Basiselektrode des erstgenannten Transistors (7) des gleichen Leitfähigkeitstyps verbunden ist.

   8. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 5, 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit dem Basisstrombegrenzungswiderstand (17, 18) jedes der beiden erstgenannten Transistoren (7, 8) eine Diode (19, 20) in Vorwärtsrichtung geschaltet ist.

   Hierzu 1 Blatt Zeichnungen ΛΛΟ /OO Π 1 Π