DE1231671B - Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beimZonenschmelzen eines Halbleiterstabes - Google Patents
Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beimZonenschmelzen eines HalbleiterstabesInfo
- Publication number
- DE1231671B DE1231671B DES79197A DES0079197A DE1231671B DE 1231671 B DE1231671 B DE 1231671B DE S79197 A DES79197 A DE S79197A DE S0079197 A DES0079197 A DE S0079197A DE 1231671 B DE1231671 B DE 1231671B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rod
- diameter
- zone
- solidification front
- melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/08—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/022—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by means of tv-camera scanning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
BOId
BOIj
Deutsche Kl.: 12 c-2
Nummer: 1231671
Aktenzeichen: S 79197IV c/12 c
Anmeldetag: 27. April 1962
Auslegetag: 5. Januar 1967
Verfahren zum Konstanthalten der Breite der Schmelzzone beim tiegelfreien Zonenschmelzen von
festen Körpern in senkrechter Richtung sind bekannt, bei welchen die Heizung für die Schmelzzone durch
von einer Seitenkante dieser Zone und von einer Schlitzblende begrenzte Lichtstrahlen gesteuert wird,
die in photoelektrischen Empfängern Spannungen oder Ströme erzeugen.
Dabei kann jedoch der Wert des Durchmessers der Schmelzzone nur innerhalb relativ geringer Toleranzen
verändert werden, nicht aber eine derart weitgehende Beherrschung des Zonenschmelzvorganges
im Sinne der Zielsetzung nach der vorliegenden Erfindung erreicht werden, daß je nach den Erfordernissen
entweder auf einen konstanten Durchmesserwert oder auf einen zu verändernden Durchmesserwert gesteuert werden kann, wie es insbesondere an
der Übergangsstelle von dem an einem Ende des Stabes bei dessen abgestimmter Überführung in den
einkristallinen Zustand angeschmolzenen Keimkristall zum polykristallinen Stab der Fall ist, und
zwar besonders dann, wenn dieser Keimkristall mit Rücksicht auf seine möglichst einwandfreie Herstellung
im allgemeinen in seinem Querschnitt wesentlich kleiner ist als der polykristalline Stab, an welchem er
angeschmolzen ist, und der in den einkristallinen Zustand überzuführen ist.
Bekanntgeworden ist ferner beim Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes seine in festem Zustand befindlichen,
die Schmelzzone in der Längsrichtung des Stabes zwischen sich einschließenden Stablängenanteile
mit ihren Einspannstellen in der Richtung gegeneinander oder voneinander weg zu führen, um auf diese
Weise am Volumen der Schmelzzone entweder einen Vorgang im Sinne einer Stauchung und damit einer
Durchmesservergrößerung oder einen Vorgang im Sinne einer Streckung und damit im Sinne einer
Durchmesserverringerung herbeizuführen. In Verbindung mit einer solchen Streck-Stauch-Einrichtung
gab es aber noch keine solche Steuerung für diese, welche nach der erfindungsgemäßen Erkenntnis und
Zielsetzung mit einer genauen Erfassung des Durchmesserwertes am Übergang am Halbleiterstab mit
den Grenzflächen arbeitet, an welchen die schmelzflüssige Zone in den wiedererstarrten Stablängenanteil
übergeht. Die Zielsetzung der vorliegenden Erfindung bezieht sich dabei auf Zonenschmelzverfahren
unter Benutzung einer Schmelzzone, die über die Länge des Stabes zur Erzeugung eines einkristallinen
Körpers aus einem polykristallinen Stab oder zur Einbringung oder zur Vergleichsmäßigung der Dotierung
eines solchen Stabes hinweggeführt wird. Die Form Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers
der Erstarrungsfront der Schmelzzone beim
Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes
der Erstarrungsfront der Schmelzzone beim
Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Hans Stut, Lochham bei München
der schmelzflüssigen Zone, die sich ergibt, ist bekanntermaßen abhängig von dem Grad der Beheizung,
die die schmelzflüssige Zone eines solchen Halbleiterstabes durch eine Wärmequelle erfährt, wobei vorzugsweise
an eine elektrische Induktionsbeheizung gedacht ist.
Die Aufheizung der schmelzflüssigen Zone muß bekanntermaßen so gewählt werden, daß sich nur eine solche Höhe der schmelzflüssigen Zone und unter Berücksichtigung der Oberflächenspannung des schmelzflüssigen Materials nur eine solche Ausbauchung nach der Erstarrungsfront der schmelzflüssigen Zone zu ergibt, wenn z. B. die Beheizungsspule in der Achsrichtung des Stabes von unten nach oben geführt wird, daß eine ausreichende mechanische Stabilität dieser schmelzflüssigen Zone gewährleistet bleibt und außerdem der Stab an der Erstarrungsfront immer den erwünschten vorbestimmten Durchmesser erhält bzw. behält. Durch diesen letzteren Effekt wird nämlich erreicht, daß ein Halbleiterstab mit einer möglichst glatten Oberfläche gewonnen wird und dabei insbesondere auch gegebenenfalls eine Gleichmäßigkeit der elektrischen Dotierung des Halbleiterstabes mit den entsprechenden Stoffen gewährleistet bleibt.
Die Aufheizung der schmelzflüssigen Zone muß bekanntermaßen so gewählt werden, daß sich nur eine solche Höhe der schmelzflüssigen Zone und unter Berücksichtigung der Oberflächenspannung des schmelzflüssigen Materials nur eine solche Ausbauchung nach der Erstarrungsfront der schmelzflüssigen Zone zu ergibt, wenn z. B. die Beheizungsspule in der Achsrichtung des Stabes von unten nach oben geführt wird, daß eine ausreichende mechanische Stabilität dieser schmelzflüssigen Zone gewährleistet bleibt und außerdem der Stab an der Erstarrungsfront immer den erwünschten vorbestimmten Durchmesser erhält bzw. behält. Durch diesen letzteren Effekt wird nämlich erreicht, daß ein Halbleiterstab mit einer möglichst glatten Oberfläche gewonnen wird und dabei insbesondere auch gegebenenfalls eine Gleichmäßigkeit der elektrischen Dotierung des Halbleiterstabes mit den entsprechenden Stoffen gewährleistet bleibt.
Aus diesen dargelegten Gründen ist es also erwünscht, den jeweiligen Wert des Durchmessers des
Stabes an der schmelzflüssigen Zone möglichst genau zu erfassen, und zwar vorzugsweise denjenigen
Durchmesser, der sich an der Phasengrenze fest— flüssig der schmelzflüssigen Zone an der Erstarrungsfront der schmelzflüssigen Zone jeweils ergibt bzw.
der an dieser Stelle vorhanden ist.
Diese hierdurch vorgezeichnete Aufgabe läßt sich mit einer Vorrichtung zur Steuerung des Durchmes-
609 750/282
sers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beim Zonenschmelzen
eines Halbleiterstabes bei optischer Überwachung der Erstarrungsfront mittels eines
photoelektrischen Empfängers lösen, indem erfindungsgemäß der photoelektrische Empfänger aus
einer Fernsehkamera (4) besteht, in welcher das Bild der Umgebung der Erstarrungsfront mit einem Elektronenstrahl
zeilenweise abgetastet wird, und wenn zwischen der Fernsehkamera und einer an sich bekannten
Einrichtung, die zur Durchmessersollwertregelung eine Streck-Stauch-Bewegung der Stabenden
hervorruft, ein Regelkreis geschaltet ist, über den die Streck-Stauch-Bewegung abhängig von dem Ergebnis
der Abtastung herbeigeführt wird.
Hierbei wird Nutzen aus der physikalischen Erscheinung an der Phasengrenze flüssig—fest zwischen
der Schmelzzone und dem wiedererstarrten Stabteil gezogen, nach welcher ein Abtaststrahl, der entweder
in der Querrichtung bzw. senkrecht zur Achse des Stabes unmittelbar über den Stab oder über ein von
diesem erzeugtes bzw. geschaffenes Abbild hinweggeführt wird und außerdem dabei in der Achsrichtung
des Stabes eine Verlagerung erfährt, beim Übergang von dem festen Körper auf die schmelzflüssige
Zone bzw. deren entsprechende Abbildteile eine sprunghafte Änderung in der Strahlungsintensität des
Halbleiterstabes registriert.
Als photoelektrischer Empfänger wird vorzugsweise eine Fernsehkamera mit einem Vielfachphotozellensystem
für die Erfassung des Bildes des Halbleiterstabes in der Umgebung und einschließlich der
Phasengrenze fest—flüssig benutzt, wie sie auch z. B.
unter der Bezeichnung »Vidikon« bekanntgeworden ist.
Der Abtaststrahl wird dabei jeweils in der Querrichtung bzw. also senkrecht zur Achse des Stabes
über dessen Abbild hinweggeführt. Durch die Zeitdauer, welche der Strahl braucht, um in Richtung der
Dicke über das Abbild des Halbleiterstabes an dem Photozellensystem hinweggeführt zu werden, läßt sich
jeweils der Wert des Durchmessers dadurch erfassen, daß die Impulse, welche in der genannten Zeitdauer
von einer Spannungsquelle konstanter Frequenz geliefert werden, gezählt werden.
Von den zeilenmäßigen Abtastvorgängen, insbesondere des Abbildes des Stabes am Photozellensystem,
wird für die Weiterverarbeitung nur derjenige Abtastvorgang benutzt, der sich dann ergibt, wenn
der Abtaststrahl die Phasengrenze fest—flüssig des
Abbildes des Halbleiterstabes überschreitet bzw. gerade überschritten hat. Hierdurch ist dann ein eindeutiges
Maß für den tatsächlich interessierenden Durchmesser an dem durch Zonenschmelzverfahren
zu behandelnden Halbleiterstab gewonnen. Grundsätzlich wird somit nach der Erfindung die Umgebung
der Phasengrenze abgebildet und der Abtaststrahl der Fernsehkamera an dem erfaßten Abbild
über den der Phasengrenze fest—flüssig benachbarten
Teil und über die Phasengrenze selbst hinweggeführt. Hierbei wird offenbar mit der Annäherung des
Abtaststrahles im Abbild des festen Teiles des Stabes an dasjenige der Erstarrungsfront der schmelzflüssigen
Zone die Strahlungsintensität des Halbleiterkörpers immer mehr ansteigen, bis schließlich, wie
bereits angegeben, auf Grund der angegebenen physikalischen Erkenntnis und Erscheinung beim Übergang
über die Phasengrenze fest—flüssig ein plötzliches
Absinken der Intensität der Strahlung des Halbleiterstabes an dessen Abbild registriert wird,
was insbesondere der ersteren Zeile entspricht, in welcher der Abtaststrahl über die schmelzflüssige
Zone benachbart der Erstarrungsfront hinweggeführt wird. Nach dem Überschreiten der Erstarrungsfront
wird in der Fernsehkamera die Strahlungsintensität zum Abbild über den weiteren Bereich, der in dem
Abbild der schmelzflüssigen Zone abgetastet wird, praktisch mit etwa gleichbleibendem Wert erfaßt
ίο werden. Allerdings wird jetzt entsprechend der bekannten
Raum- bzw. Oberflächenform der schmelz-
o flüssigen Zone jeweils ein anderer Durchmesserwert
erfaßt werden, der aber für das erfindungsgemäße Verfahren nicht mehr interessant ist und auch nicht
mehr verarbeitet wird. Der beim Übergang vom festen Stab in dessen schmelzflüssige Zone an deren
Erstarrungsfront gemessene Strahlungsintensitätswert schaltet nunmehr in der Meßeinrichtung eine Zähleinrichtung
ein, welche die Impulse zählt, welche von
so einer Spannungsquelle konstanter Frequenz in diesen Zeitraum der Abtastung des Durchmessers des Abbildes
des Stabes geliefert werden.
Das mit einer solchen im Vorstehenden geschilderten Einrichtung dem allgemeinen Grundgedanken
nach gewonnene Ergebnis der Messung des Durchmessers wird also weiterhin dazu ausgenutzt, daß
eine selbsttätige Steuerung des Zonenschmelzen entsprechend einem vorbestimmten Programm oder
einem vorgegebenen Sollwert nach im Wege eines Regelungsvorganges über die Länge des Stabes hinweg
stattfindet. Hierzu kann der mit der Meßeinrichtung erfaßte Wert in einer Koinzidenzschaltung
mit einem entsprechenden Sollwert oder mit entsprechenden Programmwerten verglichen werden
und der sich dabei ergebende Vergleichswert bzw. die Regelabweichung als Steuerwert benutzt werden,
der in der Regeleinrichtung dann die entsprechende Steuerung insbesondere der Vorrichtung für den
Streck-Stauch-Vorgang des Halbleiterstabes steuert, indem bekanntermaßen, wenn der messungsmäßig
erfaßte Durchmesser eine Abweichung nach oben von einem Sollwert zeigt, ein Streckvorgang an dem
Stab hervorgerufen wird, während wenn eine Abweichung des erfaßten Durchmessers vom Sollwert
nach unten vorliegt, ein entsprechender Stauchvorgang an dem Halbleiterstab an der schmelzflüssigen
Zone dadurch erzeugt wird, daß die Einspannstellen der Enden des Halbleiterstabes entsprechend relativ
zueinander verstellt werden.
Der gemessene Wert kann aber außerdem als ein reiner Anzeigewert für einen Bedienenden gemeldet
werden.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispieles und entsprechender
Schaubilder wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
In F i g. 1 bezeichnet 1 den Halbleiterstab, der nach dem Zonenschmelzverfahren behandelt werden
soll. An diesem ist nach der Darstellung mittels der Heizspule 2 die schmelzflüssige Zone 3 erzeugt worden.
Es ist dabei angenommen, daß die Heizspule für die Durchführung des Zonenschmelzvorganges an
dem Halbleiterstab in der Pfeilrichtung von unten nach oben über den Halbleiterstab hinweggeführt
wird. Die Erstarrungsfront 3 b der schmelzflüssigen Zone liegt daher an der unteren Grenze 3 c der
schmelzflüssigen Zone 3. Mittels der Fernsehkamera 4 wird ein Abbild der Übergangsstelle von
der schmelzflüssigen Zone 3 zum unteren entfernten Teil 1 d des Halbleiterstabes 1 an dem Photozellensystem
dieser Kamera 4 übernommen. In der Kamera wird dann in geläufiger Weise dieses am Vielfachphotozellensystem
bestehende Abbild mittels eines Elektronenstrahles abgetastet, wodurch dann am Ausgang der Kamera den Bildpunkten entsprechende
Signale erzeugt werden. Diese Signalwerte werden über den Verstärker 5 einem Spitzenwertmeßgleichrichter
6 zugeführt. Dieser besteht aus dem Eingangskondensator 7, dem Quergleichrichter 8, dem in der
Längsleitung liegenden Gleichrichter 9 und dem Ausgangskondensator 10. Der von diesem Spitzenwertmeßgleichrichter
gelieferte Ausgangswert wird mit Hilfe der Einrichtung 11, bestehend aus dem Kondensator
12 und dem Querwiderstand 13 differenziert und der von 11 an den Klemmen von 13 gelieferte
Wert einem Verstärker 14 zugeführt. Der vom Verstärker 14 gelieferte Ausgangswert wird über eine
Amplitudenbegrenzereinrichtung 15 der Auslöseeinrichtung 16 zugeführt, durch welche das bereits in
der allgemeinen Beschreibung angegebene Zeitmeßwerk in Gang gesetzt wird. Zur Steuerung dieser Zeitmeßeinrichtung
dient weiterhin ein Zeitsteuerwerk 17. Dieses Zeitsteuerwerk 17 sorgt für die Einleitung
des jeweiligen Abtastvorganges in der Fernsehkamera 4, ferner für die Vorbereitung der Zähleinrichtung
18 und der Auslöseeinrichtung 16. Das Zählwerk 18 wird in dem Sinne vorbereitet, daß es
jeweils für jede erfaßte Zeile die Breite des Stabes bzw. dessen Durchmesser dadurch mißt, daß es die
entsprechenden Impulse zählt, welche im Zeitraum der Länge dieser am Abbild des Halbleiterstabes in
der Kamera 4 von der Spannungsquelle konstanter Frequenz 21 über die Torschaltung 20 an 18 geliefert
werden, sobald die Ausgangsspannung des Verstärkers 5 über den Amplitudenbegrenzer 19 das
Tor 20 öffnet. Die Auslöseeinrichtung 16 wird von der Zeitsteuereinrichtung 17 aus in der Weise vorbereitet,
daß sie die Weitergabe der erfindungsgemäß bei der Abtastung des Abbildes in der Kamera erfaßten
kritischen Zeile von 18 über das Übertragungsnetzwerk 32 an das Gedächtnissystem 33 freigeben
kann. Das Zeitsteuerwerk 17 ist außerdem über den Widerstand 34 an den Ausgang der Spitzenmeßgleichrichtereinrichtung
6 angeschlossen, damit der Kondensator 10 vor Beginn jeder neuen Abbild-Abtastung
in der Kamera entsprechend entladen wird. Eine solche Weitergabe der Zeitimpulse von 18
über die Auslöseeinrichtung 16 kann jedoch erst dann erfolgen, wenn diese Auslöseeinrichtung 16
kein Zeichen mehr über den Ausgang der Begrenzereinrichtung 15 erhält. Der Ausgangswert, den das
Gedächtnissystem 33 liefert, wird dann mittels eines Durchmesseranzeigewerkes 22 erfaßt. Er kann aber
auch gemäß der Wirkungslinie 23 an eine Soll-Ist-Vergleichseinrichtung
24 einer Regeleinrichtung weitergegeben werden. Der Sollwert bzw. Programmwert an die Einrichtung 24 wird von den Einrichtungen 25
bzw. 26 geliefert und der in 24 gebildete Vergleichswert bzw. die Regelabweichung über einen Verstärker
27 gemäß der Wirkungslinie 28 dem Streck-Stauch-Werk 29, welches der Einfachheit halber nur
durch einen Doppelpfeil angedeutet ist, für die relative Verstellung der Einspannstellen der Enden des
Halbleiterstabes 1 zugeleitet.
Zur näheren Erläuterung der Funktion der einzelnen Glieder der Anordnung nach F i g. 1 wird nunmehr
noch auf die weiteren Schaubilder nach den F i g. 2 bis 7 Bezug genommen.
An dem Abbild, welches von der Übergangsstelle fest—flüssig an die Erstarrungsfront 3 c des HaIbleiterstabes
in der Kamera an dem Vielfach-Photozellensystem erzeugt ist, besteht ein Unterschied in
der Strahlungsintensität am festen Teil des Stabes in der Zone 1 d und in der schmelzflüssigen Zone in dem
Bereich 3 b, welchen die F i g. 2 veranschaulicht. In
ίο dieser F i g. 2 ist über dem Weg s als Abszisse in der
Ordinatenrichtung die Strahlungsintensität/ aufgetragen. Der Bereich α nach F i g. 2 bezeichnet einen
am Halbleiterstab 1 der Phasengrenze 3 c benachbarten Zonenteil von IiZ des noch festen Stabes, der
Bereich b einen der Phasengrenze 3 c benachbarten Bereich im Teil 3 b der bereits schmelzflüssigen
Zone 3. In der Strahlungsintensität des beheizten Stabes besteht nun an der Übergangsstelle zwischen
den Zonen α und b nach F i g. 2 bzw. den Bereichen
zo Id und 3 b an 1 ein plötzlicher Übergang bzw. ein
Sprung, der ebenso bei der Abtastung des Abbildes in der Kamera erfaßbar ist und gemäß der Erfindung
erfaßt wird.
In dem Schaubild nach Fi g. 3 sind über der Zeit t
die praktisch rechteckförmigen Ausgangsspannungsimpulse 30 der Kamera 4 aufgetragen, welche bei der
Abtastung des Abbildes des Halbleiterstabes entstehen. Jede näher an der Phasengrenze 3 c liegende
abgetastete Zeile erfaßt einen höheren Temperaturwert des Stabes, und deshalb wachsen sinngemäß
auch gemäß F i g. 3 die Amplituden der Spannungsimpulse, welche am Ausgang der Fernsehkamera 4
geliefert werden. Sobald aber nun diejenige Zeile erzeugt wird bei der Abtastung des Abbildes des HaIbleiterstabes,
welche die erste im Abbild der schmelzflüssigen Zone anteilig oder vollständig liegende
Zeile ist, macht sich der Sprung in der Strahlungsintensität des Halbleiterstabes 1, wie er an Hand der
F i g. 2 erläutert worden ist, nunmehr bemerkbar, indem, da die Strahlungsintensität sprunghaft absinkt,
nunmehr auch der auf Grund der Abtastung dieser Zeile erzeugte Spannungsimpulse 31 einen niedrigeren
Amplitudenwert besitzt als der unmittelbar vorausgehende der Impulse 30. Die dem Impuls 31
nachfolgenden Spannungsimpulse behalten praktisch die gleiche Höhe, weil die Strahlungsintensität der
nachfolgenden schmelzflüssigen Zone praktisch als konstant angenommen werden kann. Diese Impulse
werden aber auch, wie bereits angedeutet, für die Zwecke der Erfindung nicht mehr nutzbar gemacht.
Sobald nun dieser in seiner Amplitude niedrigere Ausgangsimpuls 31 am Ausgang der Fernsehkamera
4 geliefert wird, führt er über das genannte weitere System aus den Komponenten 5, 6, 11, 14
und 15 zur Freigabe der Auslöseschaltung 16, wonach dann der vom Zähler 18 gezählte Wert über 32
in das Gedächtnissystem 33 übertragen wird.
Während also die Fig. 3 diejenigen Spannungsimpulse in ihrer zeitlichen Folge bzw. ihrem zeit-
liehen Abstand und in ihrer Amplitude wiedergibt, die am Ausgang der Fernsehkamera auftreten, veranschaulicht
das Schaubild nachFig.4 den Spannungsverlauf am Ausgangskondensator 10 der Spitzenwert-Meßgleichrichtereinrichtung.
Die Spitzenwert-Meßgleichrichtereinrichtung ist in ihren Schaltungselementen so aufgebaut, daß sie eine kleine Ladezeitkonstante
und eine große Entladezeitkonstante besitzt, d. h. wirkungsmäßig, daß der Aufladungsvor-
gang des Kondensators 10 sehr schnell vor sich geht, dagegen seine Entladung nur relativ langsam erfolgt.
Der Spannungsverlauf nach Fig. 4 ist demzufolge ein treppenförmig ansteigender entsprechend der zunehmenden
Temperatur im festen Teil der Zone Id des Halbleiterstabes, bis die erste Zeile erzeugt wird,
die den Durchmesser der flüssigen Zone am Übergang 3c enthält bzw. diesem unmittelbar nachfolgt.
Sobald diese Zeile erzeugt wird, tritt keine Spannungserhöhung nach Fig. 4 auf, d.h., die Span- ίο
nungskurve verläuft dann weiterhin horizontal bzw. entsprechend der großen Entladezeitkonstante ganz
schwach absinkend. Werden die stufenförmigen Anstiege mittels der Reihenschaltung 12, 13 differenziert,
so ergeben sich auf diese Weise nach Verstärkung durch 15 und amplitudenmäßiger Begrenzung
die Spannungsimpulse nach F i g. 5, welche wieder über der Zeit aufgetragen sind.
In der F i g. 5 ist der letzte Spannungsimpuls 35 nur gestrichelt eingetragen. Er wäre der erste Spannungsimpuls,
der bei der Abtastung der ersten Zeile in der flüssigen Zone zur Entstehung gelangen würde.
Er kann aber nicht erscheinen, da der entsprechende Stufenanstieg, der nach F i g. 4 bei dem Zeitwert 35'
liegen müßte, an der Spannungskurve nach F i g. 4 gar nicht mehr vorhanden ist und infolgedessen eine
entsprechende Differenzierung zu diesem Zeitpunkt zu keinem Spannungsimpuls führen kann. Der Ausfall
dieses Impulses 35 nach F i g. 5 wird in der Schaltung nach F i g. 1 dazu ausgenutzt, die Auslöseschaltung
16 so zu steuern, daß sie in dem Übergangsnetzwerk 32 den Durchlauf der von 18 gezählten
Impulse zum Gedächtnissystem 33 zuläßt.
Die Fig. 6 erhält ein Schaubild, in welchem über der Zeit die Spannungsimpulse aufgetragen sind,
welche am Ausgang der Begrenzereinrichtung 19 bzw. vor dem Tor 20 auftreten. Die Breite dieser
Spannungsimpulse ist jeweils proportional dem Durchmesser des Stabes in der entsprechenden Abtastzeile
am Abbild in der Fernsehkamera.
Das Schaubild nach F i g. 7 zeigt die entsprechend der Frequenz der Spannungsquelle 21 zusammengedrängt
erscheinenden Impulse, deren zeitliche Ausdehnung dem Durchmesserwert des Stabes an der
Phasengrenze fest—flüssig bzw. am Anfang der schmelzflüssigen Zone entspricht und damit ein Maß
für den Durchmesser des Stabes ist, den die Gedächtniseinrichtung an die Durchmesser-Anzeigeeinrichtung
22 weitergibt oder an die Soll- und Istwertvergleichseinrichtung 24 nach F i g. 1.
Claims (7)
1. Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beim Zonenschmelzen
eines Halbleiterstabes bei optischer Überwachung der Erstarrungsfront mittels eines
photoelektrischen Empfängers, dadurch gekennzeichnet, daß der photoelektrische Empfänger aus einer Fernsehkamera (4) besteht,
in welcher das Bild der Umgebung der Erstarrungsfront mit einem Elektronenstrahl zeilenweise
abgetastet wird und daß zwischen der Fernsehkamera und einer an sich bekannten Einrichtung,
die zur Durchmessersollwertregelung eine Streck-Stauch-Bewegung der Stabenden hervorruft,
ein Regelkreis geschaltet ist, über den die Streck-Stauch-Bewegung abhängig von dem Ergebnis
der Abtastung herbeigeführt wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Torschaltung (20), eine Quelle
konstanter Impulsfolgefrequenzen (21), ein Zählwerk (18) und eine mit einem Verstärker (27)
verbundene Programm- und Soll-Ist-Wertvergleichseinrichtung
(24 bis 26) in solcher Anordnung, daß beim Überstreichen des Elektronenstrahles über den Rand des Stabes auf der Abbildung
die Torschaltung (20) betätigt und eine dem Durchmesser des Stabes in der jeweiligen
Zeile entsprechende Anzahl von Impulsen der Impulsquelle (21) in das Zählwerk (18) eingegeben
und von diesem an die Soll-Ist-Wertvergleichseinrichtung
weitergegeben wird, welche den Stromwert in die Regeleinrichtung gibt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Schaltelemente, bestehend aus
einem Spitzenwertmeßgleichrichter (6 bis 10), einer Differenzierungseinrichtung (11 bis 13),
einem Verstärker (14), einem Amplitudenbegrenzer (15), einem Auslöser (16), einem Übertragungsnetzwerk
(32) und einem Speicher (33) angeordnet sind, über die selbsttätig durch die plötzliche Änderung der Strahlungsintensität beim
Überschreiten der Erstarrungsfront durch den Abtaststrahl während des Abtastens der Umgebung
der in der Kamera abgebildeten Erstarrungsfront ein Auslöseimpuls erzeugt wird, der
den im Zählwerk (18) bei dessen rhythmischem Zählvorgang am Ende jeder Zeile enthaltenen,
dem Durchmesser der Erstarrungsfront entsprechenden Zählwert zur Übertragung in den Speicher
(33) freigibt, und daß nach dem Vergleich dieses Wertes mit dem programmierten Sollwert
und der Verstärkung der sich ergebenden Abweichung die auf die Stabenden wirkende Streck-Stauch-Bewegungsvorrichtung
betätigt wird.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Anzeigeeinrichtung angeordnet ist, welche gleichzeitig den Durchmesserwert angibt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher (33) die Anzeigeeinrichtung
speist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitzenwert-Meßgleichrichtereinrichtung
in ihren Schaltungselementen derart bemessen ist, daß sich für den Ausgangskondensator
ein schneller Aufladungsvorgang, jedoch nur ein langsamer Entladungsvorgang ergibt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Ausgangskondensator
zu Beginn jedes neuen Zeilenabtastvorganges des Abbildes entlädt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1094238;
österreichische Patentschrift Nr. 194 444.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1094238;
österreichische Patentschrift Nr. 194 444.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 750/282 12.66 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE631568D BE631568A (de) | 1962-04-27 | ||
| DES79197A DE1231671B (de) | 1962-04-27 | 1962-04-27 | Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beimZonenschmelzen eines Halbleiterstabes |
| CH154063A CH411803A (de) | 1962-04-27 | 1963-02-07 | Verfahren zur Messung des Durchmessers der schmelzflüssigen Zone beim Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes und Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| US277665A US3243509A (en) | 1962-04-27 | 1963-04-26 | Apparatus for measuring the molten zone diameter in zone-melting processes |
| FR932891A FR1356016A (fr) | 1962-04-27 | 1963-04-26 | Dispositif pour mesurer dans le procédé de fusion par zone de barreaux semiconducteurs la section ou le diamètre de la zone en fusion |
| GB16847/63A GB986943A (en) | 1962-04-27 | 1963-04-29 | Improvements in or relating to apparatus for determining the width of semi-conductormaterial in a zone-by-zone melting process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES79197A DE1231671B (de) | 1962-04-27 | 1962-04-27 | Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beimZonenschmelzen eines Halbleiterstabes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1231671B true DE1231671B (de) | 1967-01-05 |
Family
ID=7508016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES79197A Withdrawn DE1231671B (de) | 1962-04-27 | 1962-04-27 | Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beimZonenschmelzen eines Halbleiterstabes |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3243509A (de) |
| BE (1) | BE631568A (de) |
| CH (1) | CH411803A (de) |
| DE (1) | DE1231671B (de) |
| GB (1) | GB986943A (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1266724B (de) * | 1962-05-16 | 1968-04-25 | Tavkoezlesi Ki | Vorrichtung zur Beobachtung der Schmelze bei der Herstellung von Halbleiterkristallen |
| DE2332968A1 (de) * | 1973-06-28 | 1975-01-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegellosen zonenschmelzen eines halbleiterstabes |
| DE2529329A1 (de) * | 1975-07-01 | 1977-01-13 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum tiegellosen zonenschmelzen |
| EP0319858A3 (de) * | 1987-12-05 | 1991-04-10 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Verfahren zur Kontrolle einer Schmelzzone |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3321575A (en) * | 1964-02-11 | 1967-05-23 | Jolew Corp | Television inspection apparatus adapted for measurement and comparison purposes |
| DE2012438B2 (de) * | 1969-03-17 | 1976-09-30 | Daido Seiko KX., Nagoya, Aichi (Japan) | Verfahren zur steuerung des schmelzvorgangs in einem stahl herstellenden lichtbogenofens |
| US3621130A (en) * | 1969-11-21 | 1971-11-16 | Nasa | System for quantizing graphic displays |
| DE2222852A1 (de) * | 1971-05-11 | 1973-12-13 | Image Analysing Computers Ltd | Feldbeleuchtung fuer die bildanalyse |
| DD110182A5 (de) * | 1972-09-28 | 1974-12-12 | ||
| DE2250721C3 (de) * | 1972-10-16 | 1978-05-18 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes mit einer die Schmelzzone überwachenden Fernsehkamera |
| US4080172A (en) * | 1975-12-29 | 1978-03-21 | Monsanto Company | Zone refiner automatic control |
| US4135204A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-16 | Chesebrough-Pond's Inc. | Automatic glass blowing apparatus and method |
| DE2731250C2 (de) * | 1977-07-11 | 1986-04-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Regelung des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes |
| US4272781A (en) * | 1978-09-08 | 1981-06-09 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Nondestructive examining apparatus |
| DE2923240A1 (de) * | 1979-06-08 | 1980-12-18 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Messverfahren und messanordnung fuer den durchmesser von einkristallen beim tiegelziehen |
| US4297893A (en) * | 1980-02-27 | 1981-11-03 | Johns-Manville Corporation | Method and apparatus for measuring flow characteristics of moving fluid stream |
| US4344146A (en) * | 1980-05-08 | 1982-08-10 | Chesebrough-Pond's Inc. | Video inspection system |
| US4445185A (en) * | 1980-05-08 | 1984-04-24 | Chesebrough-Pond's Inc. | Video inspection system |
| US4866230A (en) * | 1987-04-27 | 1989-09-12 | Shin-Etu Handotai Company, Limited | Method of and apparatus for controlling floating zone of semiconductor rod |
| JPS63269003A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 晶出界面位置検出装置 |
| JPS63307186A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 晶出結晶径制御装置 |
| US6064429A (en) * | 1997-08-18 | 2000-05-16 | Mcdonnell Douglas Corporation | Foreign object video detection and alert system and method |
| US7171033B2 (en) * | 2001-03-28 | 2007-01-30 | The Boeing Company | System and method for identifying defects in a composite structure |
| US6871684B2 (en) | 2002-08-13 | 2005-03-29 | The Boeing Company | System for identifying defects in a composite structure |
| US7424902B2 (en) * | 2004-11-24 | 2008-09-16 | The Boeing Company | In-process vision detection of flaw and FOD characteristics |
| US20060108048A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | The Boeing Company | In-process vision detection of flaws and fod by back field illumination |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT194444B (de) * | 1953-02-26 | 1958-01-10 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung |
| DE1094238B (de) * | 1959-03-09 | 1960-12-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Konstanthalten der Breite der Schmelzzone beim tiegelfreien Zonenschmelzen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2674915A (en) * | 1950-01-07 | 1954-04-13 | Gen Electric | Noncontacting width gauge |
| DE1092576B (de) * | 1957-11-15 | 1960-11-10 | Siemens Ag | Stromzufuehrung fuer die bewegliche Heizspule einer tiegelfreien Zonenziehvorrichtung im Innern eines Gefaesses |
| US3021386A (en) * | 1960-03-30 | 1962-02-13 | Gen Electric | Boiler port viewing system |
-
0
- BE BE631568D patent/BE631568A/xx unknown
-
1962
- 1962-04-27 DE DES79197A patent/DE1231671B/de not_active Withdrawn
-
1963
- 1963-02-07 CH CH154063A patent/CH411803A/de unknown
- 1963-04-26 US US277665A patent/US3243509A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-04-29 GB GB16847/63A patent/GB986943A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT194444B (de) * | 1953-02-26 | 1958-01-10 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung |
| DE1094238B (de) * | 1959-03-09 | 1960-12-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Konstanthalten der Breite der Schmelzzone beim tiegelfreien Zonenschmelzen |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1266724B (de) * | 1962-05-16 | 1968-04-25 | Tavkoezlesi Ki | Vorrichtung zur Beobachtung der Schmelze bei der Herstellung von Halbleiterkristallen |
| DE2332968A1 (de) * | 1973-06-28 | 1975-01-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegellosen zonenschmelzen eines halbleiterstabes |
| DE2529329A1 (de) * | 1975-07-01 | 1977-01-13 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum tiegellosen zonenschmelzen |
| EP0319858A3 (de) * | 1987-12-05 | 1991-04-10 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Verfahren zur Kontrolle einer Schmelzzone |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE631568A (de) | |
| US3243509A (en) | 1966-03-29 |
| GB986943A (en) | 1965-03-24 |
| CH411803A (de) | 1966-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1231671B (de) | Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der Schmelzzone beimZonenschmelzen eines Halbleiterstabes | |
| DE2431702A1 (de) | Schweissvorrichtung mit drahtzufuehrung und bogenregelung | |
| DE2503970A1 (de) | Kurzschlussbogenschweissen mit konstanten tropfen | |
| DD147279A5 (de) | Verfahren und vorrichtung zur glasposten-volumen-und formmessung | |
| DE69027720T2 (de) | Vorrichtung zur Ionenimplantation | |
| DE3151384A1 (de) | Verfahren zum messen der breite, insbesondere des kopfes, von selbstleuchtendem walzgut und verfahren zum schopfen des kopfes von selbstleuchtendem walzgut | |
| DE2853927B2 (de) | Fernsehempfänger mit einer Horizontal-Synchronschaltung | |
| DE3025268C2 (de) | Strahlungsdetektionseinrichtung | |
| DE2153695A1 (de) | Verfahren und einrichtung zur regelung des strahlstroms bei technischen ladungstraegerstrahlgeraeten | |
| DE2851256A1 (de) | Automatisches metallschmelzenoberflaechen-fuellstands-regelungssystem fuer stranggiessmaschinen | |
| DE2921639A1 (de) | Automatische daempfungsschaltung | |
| DE2016579B2 (de) | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Darstellung eines Signals auf dem Bildschirm einer Kathodenstrahl-Oszillographenröhre | |
| DE2224143A1 (de) | Regelungseinrichtung zur automatischen Farbdeckung bei Farbfernsehkameras | |
| DE2421824A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur feststellung der mittelamplitude von impulsen bei der teilchenuntersuchung | |
| DE2639787A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur regelung der luntendicke in einer karde | |
| CH637324A5 (de) | Verfahren und einrichtung zum aussortieren von tabletten nach ihrer herstellung in einer tablettiermaschine. | |
| DE3702914A1 (de) | Verfahren zur herstellung von roentgenaufnahmen | |
| EP0839220A1 (de) | Verfahren zum abtasten eines fadens und fadenabzugssensor | |
| DE2332968C3 (de) | Vorrichtung zur Steuerung des durchmessers eines Halbleiterstabes | |
| DE2526294B2 (de) | Überwachungseinrichtung einer Bestrahlungsanlage für ionisierende Strahlung mit einem Haupt- und einem Kontrollmonitor | |
| DE3240175A1 (de) | Adaptives analog/digital-konvertersystem | |
| CH631845A5 (de) | Vorrichtung zur pegelregelung in am-pm-empfaengern. | |
| DE1942887C3 (de) | Vorrichtung zur automatischen Syn chromsation eines lmpulsfbrmigen Aus gangssignals einer Triggerschaltung mit einem an dieser anliegenden zeitabhan gigen Eingangssignal | |
| DE2529329C3 (de) | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen | |
| DE1285216B (de) | Vorrichtung zum Sortieren von Massenguetern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E771 | Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |