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DE1204750B - Einrichtung zur Steuerung von Hochleistungstransistoren - Google Patents

Einrichtung zur Steuerung von Hochleistungstransistoren

Info

Publication number
DE1204750B
DE1204750B DES61503A DES0061503A DE1204750B DE 1204750 B DE1204750 B DE 1204750B DE S61503 A DES61503 A DE S61503A DE S0061503 A DES0061503 A DE S0061503A DE 1204750 B DE1204750 B DE 1204750B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control
transistor
current
transistors
transducer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES61503A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Rudolf Weppler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES61503A priority Critical patent/DE1204750B/de
Publication of DE1204750B publication Critical patent/DE1204750B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

  • Einrichtung zur Steuerung von Hochleistungstransistoren In der letzten Zeit sind Transistoren auf Germanium- und Siliziumgrundlage bekanntgeworden, die es gestatten, erhebliche Verbraucherleistungen zu steuern. Hierfür sind jedoch auch auf der Steuerseite des Transistors beträchtliche Ströme erforderlich, die in der Größenordnung von mehreren Ampere liegen können. Bei der üblichen Speisung von Transistoren aus einem Gleichstromverstärker mußte man bisher zu diesem Zweck mehrere Transistoren in Kaskade schalten, was einen beträchtlichen Aufwand verursacht.
  • Es wurde daher bereits vorgeschlagen, die Transistoren an ein Wechselspannungsnetz zu legen, wodurch es möglich ist, durch eine Rückkopplung aus dem Arbeitskreis des Transistors die erforderlichen hohen Steuerströme zu erzeugen. Der Anschluß von Transistoren an Wechselspannungsnetze ist jedoch nicht in allen Fällen möglich oder vorteilhaft. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, auch für gleichstromgespeiste Hochleistungstransistoren einfache Mittel zur Erzeugung des Steuerstromes zu schaffen, ohne daß die Anwendung von Transistorkaskaden erforderlich wird.
  • Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch einen stromsteuernden Reihentransduktor zur Lieferung des Steuerstromes gelöst. Ein stromsteuemder Reihentransduktor hat bekanntlich die Eigenschaft, daß seine Ausgangswechselspannung Rechteckform aufweist, wobei die Amplitude dieser Rechteckspannung vom Steursignal abhängig ist. Bei symmetrischem Aufbau des Transduktorarbeitskreises haben diese Rechteckwellen gleiche Länge. Sie können entweder unmittelbar oder nach Gleichrichtung zur Steuerung des Transistors verwendet werden.
  • Versieht man die beiden Transduktordrosseln mit verschieden großer Vormagnetisierung oder wählt man den Arbeitswiderstand des Transduktors für die beiden Halbwellen verschieden groß, so haben die Rechteckwellen verschiedene Länge, wobei das Verhältnis beliebig eingestellt werden kann. Auf diese Weise ist es möglich, mit einem unsymmetrisch aufgebauten Reihentransduktor auch Schalttransistoren zu steuern.
  • Nähere Einzelheiten der Erfindung sollen im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden, die in der Zeichnung schematisch dargestellt sind.
  • F i g. 1 zeigt ein grundsätzlich einfaches Schaltbild zur Steuerung eines Transistors gemäß der Erfindung. Der Reihentransduktor besteht aus zwei Drosseln 1 und 2, die Arbeitswicklungen 3, 4 und Steuerwicklungen 5, 6 tragen. Die Steuerwicklungen sind in en-tgegengesetztem Sinne in Reihe geschaltet und können mit einem durch ein Potentiometer 7 oder auf be#-liebige andere Weise einstellbaren Steuerstrom gespeist werden. Zur Unterdrückung von induzierten Oberwellen ist in bekannter Weise in den Steuerkreis eine Glättungsdrossel 8 eingeschaltet.
  • Die Rechteckwellen der Ausgangsspannung werden mit Hilfe eines #Gleichrichtersatzes 9 in eine Gleichspannung umgewandelt, die durch die Steuerstrecke des Transistors 10 den erforderlichen Steuerstrom treibt. Der Transistor 10 liegt in Reihe mit einem Verbraucherwiderstand 11 an der Speisespannung, die an den Klemmen 12 und 13 zugeführt wird.
  • Eine Abwandlung der Einrichtung nach F! g. 1 ist in F i g. 2 schematisch dargestellt. Die Schaltung enthält einen Transformator 14, der an Stelle des Gleichrichtersatzes 9 in die Schaltung nach F i g. 1 einzusetzen ist. Die Sekundärwicklung des Transformators 14 ist mit einer Mittelanzapfung versehen, so daß die beiden Rechteckwellen der Ausgangsspannung abwechselnd die Transistoren 15 und 16 steuern. Im Verbraucher 11 fließt Gleichstrom. Um ein sicheres Sperren der Transistoren auch beim Steuerstrom Null zu erreichen, ist es vorteilhaft, eine Vorspannung anzuwenden, die in der F i g. 2 schematisch durch eine Batterie 17 angedeutet ist. In Reihe zu dieser Vorspannung kann eine kleine Glättungsdrossel 18 liegen, um eine schnelle Umsteuerung der Transistoren zu erzielen.
  • F i g. 3, die ebenfalls eine Abwandlung der F i g. 1 darstellt, bezieht sich auf die Steuerung des Transistors 10 als Schalttransistor. An Stelle des Gleichrichtersatzes 9 tritt eine Reihenschaltung eines veränderbaren Widerstandes 19 und einer Diode 20. Auf diese Weise wird es möglich, für die beiden Halb--wellen der Trailsduktorausgangsspannung verschiedene Arbeitswiderstände vorzugeben, so daß die Halbwellen verschiedene Länge aufweisen. Man kann also den Zeitpunkt, zu dem in einer Halbwelle der Schalttransistor 10 geöffnet wird, in einem weiten Bereich durch Ändern des Widerstandes 19 verschieben. Die Vormagnetisierung des Transduktors wird auf einen festen Wert derart eingestellt, daß der Ausgangsstrom zur völligen Öffnung des Transistors ausreicht.
  • Statt einer unsymmetrischen Bemessung des Arbeitskreises des Transduktors kann man auch eine unsymmetrische Vormagnetisierung anwenden. Zu diesem Zweck wird der Vormagnetisierungskreis des Transduktors in zwei einzelne Kreise aufgespalten, wie dies in F i g. 4 angedeutet ist. Die beiden Steuerwicklungen 5 und 6 werden getrennt voneinander mit verschieden großem Vormagnetisierungsstrom beschickt, wobei in Reihe mit jeder Steuerwicklung eine Glättungsdrossel 8 bzw. 8' vorgesehen ist. Der Widerstand 19 in Reihe mit der Diode 20 muß in diesem Fall nicht veränderbar sein.
  • F i g. 5 zeigt die Kurvenform der Transduktorausgangsspannung in Zeile b und dementsprechend die Kurvenform der Verbraucherspannung am Widerstand 11 in Zeile a.
  • Zur Verwirklichung der Erfindung bestehen noch andere Möglichkeiten, beispielsweise hinsichtlich der Ausbildung des Gleichrichtersatzes für den Steuerstrom der Transistoren. Auch beim Schalttransistorbetrieb kann durch geeignete Abwandlung der Schaltung eine Ausnutzung beider Halbwellen erzielt werden.
  • Die Vorteile der Erfindung liegen vor allem darin, daß zwischen dem Steuerkreis und dem Ausgangskreis der gesamten Einrichtung eine galvanische Trennung vorgenommen wird, #so daß Strom- und Spannungsrückführungen auf einfachste Weise erzielbar sind. Dies ist vor allem in der Regelungstechnik wichtig. Ferner hat auch der Reihentransduktor selbst eine gewisse Leistungsverstärkung und darüber hinaus eine verhältnismäßig geringe Zeitkonstante.
  • Von besonderer Bedeutung ist bei der Anwendung der Erfindung die Möglichkeit, die Amplitude des Steuersignals so zu wählen, daß der Transistor gerade voll geöffnet ist. Bei den vorgeschlagenen Schaltungen für wechselstromgespeiste Transistoren mit Rückkopplung ist es nicht zu vermeiden, daß das Steuersignal des Transistors als Teil einer Wechselspannungshalbwelle zumindest zeitweise einen übermäßig hohen Wert aufweist, wenn im Bereich des Nulldurchganges der Netzwechselspannung noch eine genügende Öffnung des Transistors erzielt werden soll. Beim Erfindungsgegenstand wird dagegen kein überschüssiger Steuerstrom erzeugt und damit auch die thermische Belastung des Transistors wesentlich verringert. Die Erfindung kann daher auch bei wechselstromgespeisten Transistoren Vorteile bringen.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Einrichtung zur Steuerung von Hochleistungstransistoren, in einen über Gleichrichter aus dem Wechselstromnetz gespeisten Gleichstromverbraucherkreis, gek ennz ei chnet durch einen stromsteuernden Rechentransduktor, dessen rechteckförmiger Arbeitsstrom als Steuerstrom des Transistors dient.
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitsstrom des Transduktors nach Gleichrichtung über die Steuerstrecke des Transistors geführt wird. 3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbwellen des Transduktorarbeitsstromes abwechselnd zwei Transistoren in Gegentaktschaltung steuern. 4. Einrichtung nach Anspruch 1 für Schalttransistoren, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrische Aufbau des Transduktors einstellbar unsymmetrisch ist und daß eine der beiden Halbwellen des Arbeitsstromes zur Steuerung des Transistors dient. 5. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in den Steuerkreis des Transduktors eine VorspannungsquelIe eingeschaltet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1085 967; ETZ-A 79, 1958, S. 495; Elektronik, 1958, S. 371.
DES61503A 1959-01-23 1959-01-23 Einrichtung zur Steuerung von Hochleistungstransistoren Pending DE1204750B (de)

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DE1204750B true DE1204750B (de) 1965-11-11

Family

ID=7494908

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DE (1) DE1204750B (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1085967B (de) 1957-12-12 1960-07-28 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Zuenden und zur Helligkeitssteuerung von einer Leuchtstofflampe oder mehreren parallelgeschalteten Leuchtstofflampen

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1085967B (de) 1957-12-12 1960-07-28 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Zuenden und zur Helligkeitssteuerung von einer Leuchtstofflampe oder mehreren parallelgeschalteten Leuchtstofflampen

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