DE1202770B - Vorrichtung zum Herstellen von Staeben aus hochreinem Silicium - Google Patents
Vorrichtung zum Herstellen von Staeben aus hochreinem SiliciumInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
COIb
Deutsche KL: 12 i-33/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1202770
S 66637 IV a/12 i
14. Januar 1960
14. Oktober 1965
S 66637 IV a/12 i
14. Januar 1960
14. Oktober 1965
Das Hauptpatent 1102117 betrifft ein Verfahren
zum Herstellen von Silicium für Halbleiteranordnungen, bei dem eine Siliciumverbindung in Gasform
thermisch unter Bildung von freiem Silicium zersetzt und das aus der Gasphase anfallende Silicium auf
einen erhitzten Silicium-Trägerkörper abgeschieden wird und welches dadurch gekennzeichnet ist, daß
ein langgestreckter Draht oder fadenförmiger Trägerkörper aus Silicium mit einem Reinheitsgrad, der
mindestens dem Reinheitsgrad des zu gewinnenden Siliciums entspricht, verwendet wird, der Trägerkörper
zunächst vorgewärmt und anschließend zur Durchführung des Abscheidevorganges durch direkten
Stromdurchgang weiter erhitzt und auf Reaktionstemperatur gehalten wird.
Die bei jenem Verfahren als Träger zu verwendenden Drähte oder dünnen Siliciumstäbe sind bei
Zimmertemperatur starr. Bei erhöhter Temperatur werden sie jedoch duktil. Es empfiehlt sich deshalb,
die Träger im Abscheidungsgefäß entweder vertikal ao anzuordnen oder sie bei horizontaler Anordnung
elektromagnetisch zu stützen, so daß die Träger, wenn die Behandlungstemperatur die Duktilitätsgrenze
überschritten hat, sich nicht auf Grund ihres Eigengewichtes verbiegen können. Die durch eine
solche Verbiegung hervorgerufenen Spannungen könnten nämlich ein angestrebtes einkristallines
Wachstum stören. Ferner führt die Abscheidung auf verbogenen Trägern zu krummen Siliciumstäben, die
ihrerseits durch Zonenschmelzen erst wieder geradegerichtet werden müssen und einen erhöhten Arbeitsaufwand
bedeuten.
Nun hat es sich gezeigt, daß sich der zwischen zwei Elektroden eingespannte Träger infolge der mit
der Wärmebehandlung verbundenen Ausdehnung sehr leicht verbiegt, selbst wenn der Träger bei
Raumtemperatur vollkommen gestreckt eingespannt war und die besagten, eine Verbiegung des Trägers
durch sein Eigengewicht verhindernden Maßnahmen getroffen wurden. Dies ist darauf zurückzuführen,
daß die Elektroden die Ausdehnung des Trägers nicht ausgleichen können. Anderseits ist jedoch ein
fester Sitz des Trägers in den Elektroden erforderlich, damit der zur Beheizung erforderliche Strom
ohne Störungen dem Träger zugeführt werden kann. Man hat deshalb Elektroden versucht, welche eine
konische Bohrung zur Aufnahme der angespitzten Enden des Trägers aufwiesen, aber auch hierdurch
konnte die genannte Störung nicht behoben werden. Außerdem trat häufig folgender Nachteil auf:
Im Interesse einer sehr sauberen Oberfläche des Trägers ist es nämlich erwünscht, den Träger vor
Vorrichtung zum Herstellen von Stäben aus
hochreinem Silicium
hochreinem Silicium
Zusatz zum Patent: 1102 117
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Dr. Josef Grabmaier, Vaterstetten
Beginn des Abscheidungsvorganges bei einer oberhalb der Abscheidungstemperatur von etwa 1100° C
liegenden Temperatur bei etwa 1250° C längere Zeit im Wasserstoffstrom zu glühen. Wird dann die Temperatur
des Trägers auf die Abscheidungstemperatur abgesenkt, so löst sich der gute Kontakt mit den
konisch angebohrten Elektroden, so daß die Stromzufuhr hierdurch unterbrochen wird.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Herstellen von Stäben aus hochreinem Silicium,
das auf einen durch Stromdurchgang erhitzten, mittels der die Stromzuführung bewirkenden Elektroden
an beiden Enden gehalterten dünnen, stabförmigen Trägerkörper aus hochreinem Silicium aus einem den
Träger umgebenden, eine flüchtige Siliciumverbindung enthaltenden hochreinen Reaktionsgas infolge
thermischer Zersetzung und/oder Reduktion niedergeschlagen und zur Ankristallisation an den Träger
gebracht wird, nach Patent 1102117. Die Erfindung
ist dadurch gekennzeichnet, daß die den Träger halternden Elektroden aus hochreiner Kohle bestehen,
die zwecks Aufnahme der verjüngten, insbesondere konisch oder zylindrisch zugespitzten Enden des Trägers
koaxiale Bohrungen mit konstantem Querschnitt aufweisen, deren Querschnitt kleiner ist als der Querschnitt
des nicht verjüngten Teiles des stabförmigen Trägers, und die nach dem Einspannen des Trägers
so weit voneinander entfernt sind, daß der Träger ohne Durchbiegung in den Bohrungen festgehalten
ist.
Da die Elektroden aus reiner Kohle, entsprechend dieser Lehre, bei der Verwendung zylindrischer Trä-
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ger eine zylindrische, die zylindrisch oder konisch zugespitzten Enden des stabförmigen Trägers aufnehmende
Bohrung aufweisen, können die Enden des Stabes bei Erwärmung auf die jeweilige Behandlungstemperatur tiefer in die Bohrungen hineinschlüpfen,
ohne daß sie dabei einen großen mechanischen Widerstand erfahren, wodurch ein Durchbiegen des
Trägers verhindert wird. Das verwendete Elektrodenmaterial ist nämlich hinreichend nachgiebig. Anderseits
können bei Abkühlung auf eine niedrigere Behandlungstemperatur sich die Enden des Trägers in
der zylindrischen Bohrung wieder zurückziehen, wobei die Bohrung sich infolge der elastischen Eigenschaften
des Elektrodenmaterials wieder etwas einengt, so daß der gute Kontakt erhalten bleibt. Die
elastischen Eigenschaften der Elektrode werden nicht gestört, wenn diese mit einem Überzug aus hochreinem
Silicium versehen ist, der durch geeignetes Erhitzen der Elektrode in einem hochreines Silicium
aus einem eine Siliciumverbindung enthaltenden Gas hergestellt sein kann. Hierdurch kann das Abdampfen
von Verunreinigungen aus der Elektrode wirksam verhindert werden.
Es empfiehlt sich, die Kohleelektroden als Einsatz in Metallelektroden anzuordnen, wodurch ihre
mechanische Stabilität erhöht wird. Als Elektrodenmaterial für die Metallelektroden kommt in erster
Linie Kupfer oder Silber in Betracht, welches mit einem gasdichten, chemisch resistenten Metallüberzug
versehen sein kann. Um ein Verdampfen des Überzuges, beispielsweise aus Platin oder Gold, zu
verhindern, empfiehlt es sich, die betreffenden Metallteile während des Abscheidevorganges und des Vorglühvorganges
zu kühlen. Um das Einspannen der stabförmigen Träger zu erleichtern, empfiehlt es sich,
eine der Kohleelektroden in der sie halternden Metallelektrode verschiebbar einzubauen, was z. B.
durch Anwendung einer Molybdänfeder geschehen kann, welche die Kohleelektrode gegen die Metallelektrode
drückt und dadurch guten elektrischen Kontakt sichert.
In der Zeichnung ist eine Anordnung gemäß der Erfindung beispielsweise dargestellt. Das vorzugsweise
aus Quarz bestehende Abscheidungsgefäß 1 weist zwei leitende Durchführungen 2, 3 auf, an deren
Enden die einander zugekehrten Metallelektroden 4 und 5 befestigt sind. In den Metallelektroden befinden
sich Kohleelektroden 6,7, wobei die obere Kohleelektrode gegen die siehalternde Metallelektrode verschiebbar
angeordnet sein kann. Zum Festhalten der Einstellung der oberen Kohleelektrode 6 dient eine
Feder 8 aus Molybdän. Das Reaktionsgas betritt die Anordnung an der Stelle 9 und verläßt sie nach dem
Abscheidevorgang an der Stelle 10. Zur Beheizung des Trägers 13 dient die Stromquelle 11, der ein
Widerstand 12 zur Stabilisierung des Stromkreises vorgeschaltet ist.
Wesentlich ist bei einer Anordnung gemäß der Erfindung, daß die die verjüngten Endstücke des Trägers
aufnehmenden Bohrungen in den Kohleelektroden sich wenigstens bis zu der Tiefe, bis zu der ein
Eindringen der Enden des Trägers zu erwarten ist, nicht verjüngen, sondern der Querschnitt der Bohrung
unverändert bleibt. Diese Vorrichtung kann auch dann mit Vorteil angewendet werden, wenn der
Träger bzw. dessen Enden nicht einen runden, sondern einen dreieckigen oder viereckigen Querschnitt
aufweisen.
Claims (5)
1. Vorrichtung zum Herstellen von Stäben aus hochreinem Silicium, das auf einen durch Stromdurchgang
erhitzten, mittels der als Stromzuführungen wirkenden Elektroden an beiden Enden
gehalterten dünnen, stabförmigen Trägerkörper aus hochreinem Silicium aus einem den Träger
umgebenden, eine flüchtige Siliciumverbindung enthaltenden hochreinen Reaktionsgas infolge
thermischer Zersetzung und/oder Reduktion niedergeschlagen und zur Auskristallisation an
den Träger gebracht wird, nach Patent 1102117, dadurch gekennzeichnet, daß die den
Träger halternden Elektroden aus hochreiner Kohle bestehen, die zwecks Aufnahme der verjüngten,
insbesondere konisch oder zylindrisch zugespitzten Enden des Trägers koaxiale zylindrische
Bohrungen aufweisen, deren Querschnitt kleiner ist als der Querschnitt des nicht verjüngten
Teiles des stabförmigen Trägers, und daß die Elektroden nach dem Einspannen des Trägers so
weit voneinander entfernt sind, daß der Träger ohne Durchbiegung in den Bohrungen festgehalten
ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kohleelektroden mit einem Überzug aus hochreinem Silicium versehen sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kohleelektroden
als Einsatz in Metallelektroden, vorzugsweise aus vergoldetem oder platiniertem Kupfer oder Silber,
angebracht sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine der Kohleelektroden in
der sie halternden Metallelektrode verschiebbar eingebaut ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kohleelektrode
in der Metallelektrode federnd eingebaut ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 717/380 10.65 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES66637A DE1202770B (de) | 1958-06-26 | 1960-01-14 | Vorrichtung zum Herstellen von Staeben aus hochreinem Silicium |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES58726A DE1202769B (de) | 1958-06-26 | 1958-06-26 | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium |
| DES66637A DE1202770B (de) | 1958-06-26 | 1960-01-14 | Vorrichtung zum Herstellen von Staeben aus hochreinem Silicium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1202770B true DE1202770B (de) | 1965-10-14 |
Family
ID=25995542
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|---|---|---|---|
| DES66637A Pending DE1202770B (de) | 1958-06-26 | 1960-01-14 | Vorrichtung zum Herstellen von Staeben aus hochreinem Silicium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1202770B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3165508A4 (de) * | 2014-07-04 | 2017-11-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Siliciumkerndraht zur herstellung eines polykristallinen siliciumstabs und vorrichtung zur herstellung eines polykristallinen siliciumstabs |
-
1960
- 1960-01-14 DE DES66637A patent/DE1202770B/de active Pending
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