DE1202335B - Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven Impedanzen - Google Patents
Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven ImpedanzenInfo
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- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 88
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
H03k
Deutsche KL: 21 al - 37/60
Nummer: 1202335
Aktenzeichen: C 30209IX c/21 al
Anmeldetag: 15. Juni 1963
Auslegetag: 7. Oktober 1965
Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven Impedanzen
Anmelder:
Compagnie des Machines Bull, Paris
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Prinz, Dr. rer. nat. G. Hauser
und Dipl.-Ing. G. Leiser, Patentanwälte, München-Pasing, Ernsbergerstr. 19
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 18. Juni 1962 (901 069)
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven Impedanzen, die in
η Gruppen von je m Impedanzen unterteilt sind, bei welcher jede der beiden Klemmen jeder Impedanz
mit einer Diode in ankommender Richtung und mit 5 einer Diode in abgehender Richtung verbunden ist.
Derartige Anordnungen eignen sich insbesondere als Wählanordnungen für Magnetkernspeichermatrizen.
Bekanntlich erweisen sich die zugehörigen Organe, wie Schalter, Stromgeneratoren und logische io
Schaltungen, als die teuersten und umfangreichsten Bestandteile der Speicher.
Aus Ersparnisgründen hat man versucht, einen Speicherblock aus mehreren quadratischen Matrizen
zu bilden, die in ihrer Gesamtheit einer rechteckigen 15 ebenen Matrix äquivalent sind. Diese Ausführung ist
hinsichtlich der Verminderung der Zahl der zugehörigen Organe günstig, jedoch noch nicht ausreichend.
Andererseits können der Preis und der Raumbedarf so
der Matrix selbst dadurch wesentlich verringert
werden, daß nur eine einzige Wicklung für die Erregung einer Reihe von Kernen (beispielsweise einer
Spalte) beim Schreiben und beim Lesen vorgesehen
wird, jedoch wird dadurch nicht das Problem der 35
wahlweisen Steuerung der zahlreichen Wicklungen
einer Speichermatrix vereinfacht, von denen jede als
eine induktive Impedanz angesehen werden kann.
Insbesondere besteht dann das Problem, daß die ausgewählte Wicklung nacheinander von entgegengesetzt 30 Schalter, die im allgemeinen als elektronische Schalgerichteten Stromimpulsen durchflossen werden muß. ter ausgeführt und daher aufwendig sind, sondern
der Matrix selbst dadurch wesentlich verringert
werden, daß nur eine einzige Wicklung für die Erregung einer Reihe von Kernen (beispielsweise einer
Spalte) beim Schreiben und beim Lesen vorgesehen
wird, jedoch wird dadurch nicht das Problem der 35
wahlweisen Steuerung der zahlreichen Wicklungen
einer Speichermatrix vereinfacht, von denen jede als
eine induktive Impedanz angesehen werden kann.
Insbesondere besteht dann das Problem, daß die ausgewählte Wicklung nacheinander von entgegengesetzt 30 Schalter, die im allgemeinen als elektronische Schalgerichteten Stromimpulsen durchflossen werden muß. ter ausgeführt und daher aufwendig sind, sondern
Bei einer bekannten Anordnung der eingangs angegebenen Art sind die N Impedanzen in η Spalten
und m Zeilen angeordnet, wobei die Zuordnung der
Begriffe »Zeile« und »Spalte« rein willlkürlich ist. 35
Für jede Spalte sind zwei Spaltenleitungen und für
jede Zeile zwei Zeilenleitungen vorgesehen, und jede
Impedanz ist über ein Diodenpaar in ankommender
Richtung mit den beiden zugehörigen Spaltenleitungen und in abgehender Richtung mit den beiden 40 leitungen jeweils über eine Diode in ankommender zugehörigen Zeilenleitungen verbunden. Jede Spalten- Richtung und über eine Diode in abgehender Richleitung ist über einen eigenen Schalter mit der einen rung verbunden sind. Zwischen den beiden Leitungen Klemme einer Stromquelle verbunden, und jede jedes Paares von Zeilenleitungen und Spaltenleitun-Zeilenleitung ist über einen eigenen Schalter mit der gen liegt ein Schalter. Die eine Klemme jedes Schalanderen Klemme der Stromquelle verbunden. In 45 ters der Spaltenleitungen ist über eine eigene Diode dieser Matrix wird durch entsprechende Auswahl der und einen gemeinsamen Schalter mit Masse verbun-Schalterpaare in den Zeilen und Spalten entschieden, den, während die andere Klemme über eine entgegenweiche Impedanz auszuwählen ist, die Stromrichtung gesetzt gepolte eigene Diode an eine gemeinsame ergibt sich dagegen durch das Betätigen des einen Stromquelle angeschlossen ist. In gleicher Weise ist oder anderen Schalters im Schalterpaar von Zeile und 50 die eine Klemme jedes Schalters der Zeilenleitungen Spalte. Diese bekannte Lösung erfordert also nicht über eine in der ersten Richtung gepolte eigene Dinur eine große Zahl von Schaltern, nämlich 2 (n+m) ode und einen gemeinsamen Schalter mit Masse ver-
und m Zeilen angeordnet, wobei die Zuordnung der
Begriffe »Zeile« und »Spalte« rein willlkürlich ist. 35
Für jede Spalte sind zwei Spaltenleitungen und für
jede Zeile zwei Zeilenleitungen vorgesehen, und jede
Impedanz ist über ein Diodenpaar in ankommender
Richtung mit den beiden zugehörigen Spaltenleitungen und in abgehender Richtung mit den beiden 40 leitungen jeweils über eine Diode in ankommender zugehörigen Zeilenleitungen verbunden. Jede Spalten- Richtung und über eine Diode in abgehender Richleitung ist über einen eigenen Schalter mit der einen rung verbunden sind. Zwischen den beiden Leitungen Klemme einer Stromquelle verbunden, und jede jedes Paares von Zeilenleitungen und Spaltenleitun-Zeilenleitung ist über einen eigenen Schalter mit der gen liegt ein Schalter. Die eine Klemme jedes Schalanderen Klemme der Stromquelle verbunden. In 45 ters der Spaltenleitungen ist über eine eigene Diode dieser Matrix wird durch entsprechende Auswahl der und einen gemeinsamen Schalter mit Masse verbun-Schalterpaare in den Zeilen und Spalten entschieden, den, während die andere Klemme über eine entgegenweiche Impedanz auszuwählen ist, die Stromrichtung gesetzt gepolte eigene Diode an eine gemeinsame ergibt sich dagegen durch das Betätigen des einen Stromquelle angeschlossen ist. In gleicher Weise ist oder anderen Schalters im Schalterpaar von Zeile und 50 die eine Klemme jedes Schalters der Zeilenleitungen Spalte. Diese bekannte Lösung erfordert also nicht über eine in der ersten Richtung gepolte eigene Dinur eine große Zahl von Schaltern, nämlich 2 (n+m) ode und einen gemeinsamen Schalter mit Masse ver-
auch eine getrennte Steuerung der Schalter für jede der beiden Stromrichtungen, also für das Schreiben
und das Lesen im Fall eines Magnetkernspeichers.
Bei einem älteren Vorschlag sind ebenfalls η Paare Spaltenleitungen und m Paare Zeilenleitungen vorgesehen,
wobei aber die eine Klemme jeder Impedanz mit den beiden Zeilenleitungen und die andere
Klemme jeder Impedanz mit den beiden Spalten-
3 4
bunden, während die andere Klemme über eine ent- sind. Die räumliche Aufteilung dieser JV Spalten ist
gegengesetzt gepolte eigene Diode an eine gemein- beliebig; sie können beispielsweise zu η Matrizen mit
same Stromquelle angeschlossen ist. Bei dieser An- je m Spalten gehören.
Ordnung brauchen zur Auswahl einer Impedanz nur Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den
ein Schalter der Spaltenleitungen und ein Schalter 5 Zeichnungen dargestellt. Darin zeigt
der Zeilenleitungen geschlossen zu werden, während F i g. 1 das Schaltbild einer vereinfachten Ausfüh-
die Wahl der Stromrichtung dadurch erfolgt, daß ent- rung zur Erläuterung des der Erfindung zugrunde
weder der gemeinsame Schalter der Zeilenleitungen liegenden Gedankens,
oder der gemeinsame Schalter der Spaltenleitungen F i g. 2 eine nach der Erfindung ausgeführte Angeöffnet
wird. Die Zahl der Schalter ist in diesem io Ordnung und
Fall auf die Mindestzahl von n+m herabgesetzt, da- Fig. 3 und 4 Transistorschalter die bei der Anfür
werden aber 2 (n+m) zusätzliche Dioden be- Ordnung von F i g. 2 verwendbar sind,
nötigt, von denen jeweils zwei in dem ausgewählten Das in der Zeichnung dargestellte Ausführungs-Stromkreis liegen, wodurch zusätzliche Spannungs- beispiel bezieht sich auf den Fall einer Magnetkernabfälle hervorgerufen werden. 15 speichermatrix, deren Magnetkerne in Zeilen und in
nötigt, von denen jeweils zwei in dem ausgewählten Das in der Zeichnung dargestellte Ausführungs-Stromkreis liegen, wodurch zusätzliche Spannungs- beispiel bezieht sich auf den Fall einer Magnetkernabfälle hervorgerufen werden. 15 speichermatrix, deren Magnetkerne in Zeilen und in
Aufgabe der Erfindung ist demgegenüber die Spalten angeordnet sind, wobei alle Kerne einer
Schaffung einer Anordnung der eingangs angegebenen Spalte jeweils eine gemeinsame Erregungswicklung
Art, die mit der Mindestzahl von Schaltern ohne zu- tragen, welche die auszuwählende Impedanz dat-
sätzliche Dioden auskommt. stellt.
Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, ao F i g. 1 zeigt zum besseren Verständnis der Wir-
daß ein erster Transformator vorgesehen ist, dessen kungsweise eine vereinfachte Anordnung, bei welcher
Primärwicklung an einen ersten Impulsgenerator an- nur eine einzige Gruppe von Spalten vorhanden ist.
geschlossen ist und der η Sekundärwicklungen trägt, Die Zeichnung zeigt mehrere dieser Spalten mit Ma-
daß ein zweiter Transformator vorgesehen ist, dessen gnetkernen 10. Entsprechend einer häufigen Verwen-
Primärwicklung an einen zweiten Impulsgenerator 25 dung von ebenen Matrizen kann jede Kernspalte der
angeschlossen ist und der m Sekundärwicklungen Speicherung eines Schriftzeichens, eines Buchstabens,
trägt, daß die beiden Klemmen aller Impedanzen einer Ziffer oder eines anderen verschlüsselten Sym-
einer Gruppe jeweils über ein Diodenpaar ankom- bols zugeordnet werden. Eine Spalte kann beispiels-
mender Richtung gemeinsam mit den beiden Klem- weise acht Kerne enthalten, wenn acht Codierungs-
men der gleichen Sekundärwicklung des ersten Trans- 30 stellen für die zu speichernden Zeichen vorgesehen
formators und jeweils über ein weiteres Diodenpaar sind.
abgehender Richtung mit den beiden Klemmen von Die Kerne 10 jeder Spalte sind magnetisch mit
je einer anderen Sekundärwicklung des zweiten einer Wicklung oder Leitung El, El... gekoppelt.
Transformators verbunden sind, daß jeder Sekundär- Jede Wicklung ist als ein einfacher Leiter dargestellt,
wicklung des ersten Transformators einer von 35 doch kann sie offensichtlich aus mehreren Wick-
n Gruppenschaltem derart zugeordnet ist, daß er im lungen mit jeweils mehreren Windungen bestehen,
geschlossenen Zustand eine Klemme der zugehörigen wobei jede dieser Wicklungen auf einem besonderen
Sekundärwicklung mit einer gemeinsamen Leitung Kern gebildet ist.
verbindet, daß jeder Sekundärwicklung des zweiten Zum Einschreiben eines Zeichens in einer Kern-Transformators
einer von m Rangschaltern derart zu- 4° spalte muß durch die entsprechende Spaltenwicklung
geordnet ist, daß er im geschlossenen Zustand eine ein Strom vorgegebener Größe beispielsweise in der
Klemme der zugehörigen Wicklung mit der gemein- Richtung des Pfeiles 11 geschickt werden. Wenn
samen Leitung verbindet, und daß die beiden Im- unter Berücksichtigung der Windungszahl jeder
pulsgeneratoren so ausgeführt sind, daß die von Wicklung ein Strom +/ zum Ummagnetisieren eines
ihnen an den Sekundärwicklungen der beiden Trans- 45 Kerns erforderlich ist, muß der Strom in der ausgeformatoren
erzeugten Impulse an den mit den züge- wählten Spaltenwicklung den Wert+2//3 haben,
hörigen Schaltern verbundenen Klemmen entgegen- Die Matrix enthält ferner acht Zeilenwicklungen, die
gesetzte Polarität haben. zur Vereinfachung der Zeichnung nicht dargestellt
Bei der erfindungsgemäßen Anordnung werden sind. Damit die Binärzahl 1 in den Kern einer vor-
n-\-m Schalter benötigt; dies entspricht der theore- 50 gegebenen Kodierungsstelle eingeschrieben wird, muß
tisch möglichen Mindestzahl. Dieser Einsparung an die entsprechende Zeilenwicklung einen Strom
elektronischen Schaltern gegenüber fällt der Mehr- +2//3 führen. Es ist ferner eine nicht dargestellte
aufwand an zusätzlichen Sekundärwicklungen auf den Vormagnetisierungswicklung vorhanden, die durch
Transformatoren nicht ins Gewicht. Zur Auswahl sämtliche Kerne der Matrix geht und dauernd einen
einer Impedanz sind lediglich ein Gruppenschalter 55 Strom der Stärke —7/3 führt. Schließlich sind noch
und ein Rangschalter zu schließen; die Stromrichtung Lesewicklungen vorhanden, deren Darstellung jedoch
ist dann automatisch durch den jeweils ausgelösten zum Verständnis der Erfindung nicht erforderlich ist.
Impulsgenerator bestimmt. In dem ausgewählten Jede Spalten wicklung El, El... ist über zwei
Stromkreis liegen hintereinander jeweils nur die Im- Dioden Dl-I, D1-4; D 2-1, D 2-4;... mit den Klem-
pedanz und zwei Dioden, so daß zusätzliche Span- 60 den 13, 14 der Sekundärwicklung SE eines Transfor-
nungsabfälle vermieden sind. mators TE verbunden. Der Transformator wird von
Wie zuvor erwähnt, kann jede Impedanz einer Er- dem Stromgenerator GE gespeist. Jede Spaltenwickregungswicklung
mit einer Anzahl von Speicher- lung El, El... ist ferner über zwei Dioden D1-2,
kernen entsprechen, beispielsweise einer ganzen D1-3; D 2-2, D 2-3; ... mit den Klemmen einer beSpalte
einer Speichermatrix, deren Zeilenzahl gleich 65 sonderen Sekundärwicklung verbunden, also beider
Zahl der Kerne auf einer solchen Erregungs- spielsweise mit der Wicklung 5Ll, SL2 ... Wenn die
wicklung ist. Es sind dann insgesamt JV Spalten vor- Gruppe acht Spaltenwicklungen El bis £8 enthält,
handen, die in η Gruppen von je m Spalten unterteilt sind also acht Sekundärwicklungen 5Ll bis 5L8 vor-
handen, die alle auf den Kern eines Transformators TL gewickelt sind. Dieser Transformator enthält eine
einzige Primärwicklung PL, welche von einem Stromgenerator GL gespeist sein kann.
Es ist zu erkennen, daß die acht Spaltenwicklungen in acht geschlossenen Maschen liegen, die einen gemeinsamen
Zweig enthalten, nämlich die Sekundärwicklung SE. Andererseits liegt jede Wicklung noch
in einer geschlossenen Masche, die von den anderen getrennt ist und die zugehörige Sekundärwicklung SL
enthält.
Schließlich sind acht SchalterIRl bis IR8 vorgesehen,
die in der angegebenen Weise angeschlossen sind, wobei nur die Schalter IRl und IR2 dargestellt
sind.
Diese Anordnung arbeitet in folgender Weise: Es sei angenommen, daß die erste Kernspalte
durch die wahlweise Erregung der Spaltenwicklung El ausgewählt werden soll. Der SchalterIRl wird
dann geschlossen. Im Verlauf eines Speicherzyklus werden die Generatoren GL und GE während aufeinanderfolgender
Lese- und Schreibphasen in Betrieb gesetzt.
Es soll zunächst die Schreibphase untersucht werden. Wenn der Generator GE in Betrieb gesetzt
wird, erscheint an den Klemmen 13, 14 der Sekundärwicklung SE ein Spannungsimpuls. Dieser Impuls
hat eine solche Polarität, daß die Klemme 13 gegen die Klemme 14 positiv ist. Der zur Auswahl der
Spalte erforderliche Teilstrom fließt dann in Richtung des Pfeiles 11 von der Klemme 13 über die Diode
Dl-I, die Wicklung El, die Diode D1-3 und den
geschlossenen SchalterIRl zurück zu der Klemme
14. Hierbei fließt nur ein vernachlässigbar kleiner Strom über die Diode D1-4, da an dieser eine Spannung
in der Richtung ihres sehr hohen Sperrwiderstandes liegt. Andererseits liegt die Sekundärwicklung
5Ll parallel zu der Wicklung El. Obgleich die Dioden
D1-2 und D1-3 in der Durchlaßrichtung beaufschlagt
sind, fließt jedoch nur ein sehr geringer Störstrom über diese Sekundärwicklung. Jede Lesesekundärwicklung,
beispielsweise die WicklungSLl, besitzt nämlich eine größere Impedanz als die Wicklung
El, da ihre Windungszahl und ihr Kernvolumen größer als die entsprechenden, einer Kernspalte zugehörigen
Werte sind.
Hinsichtlich der nicht ausgewählten Spaltenwicklungen ist leicht zu erkennen, daß über diese nur vernachlässigbar
kleine Ströme fließen können. Nahezu die gesamte vom Schreibwählimpuls hervorgerufene
Potentialdifferenz erscheint nämlich an den Klemmen der in der Sperrichtung beaufschlagten Dioden
DlA..., weil die SchalterIR2 bis IR8 offen sind.
Es soll nun die Lesephase betrachtet werden, in deren Verlauf der Generator GL in Tätigkeit tritt, so
daß ein Spannungsimpuls an den Klemmen jeder der acht Sekundärwicklungen SL1 bis SL 8 erscheint.
Dieser Impuls hat eine solche Polarität, daß beispielsweise bei der Sekundärwicklung 5Ll die Klemme 15
positiv gegen die Klemme 16 ist. Der zur Auswahl der Spalte erforderliche Strom fließt dann in Richtung
des Pfeiles 12 von der Klemme 15 über den Schalter IR1, die Diode D1-4, die Wicklung El und
die Diode D1-2 zur Klemme 16. Über die Diode D1-3 geht nur ein vernachlässigbar kleiner Strom,
weil an dieser Diode in der Richtung des Sperrwiderstandes eine Spannung liegt, die gleich dem Spannungsabfall
an den Klemmen der Diode D1-4 ist, also einige Zehntel Volt beträgt. Aus den gleichen
Gründen wie zuvor ist der über die Sekundärwicklung SE abgezweigte Strom zu gering, um störend in
Erscheinung zu treten.
Ebenso sind die Ströme, welche über die nicht ausgewählten Wicklungen fließen können, vernachlässigbar
klein. In jeder der einzelnen Maschen liegt nämlich stets eine Diode, beispielsweise die Diode D 2-3,
welche in der Sperrichtung beaufschlagt ist, und in
ίο jeder über die Sekundärwicklung SE geschlossenen
Masche ist gleichfalls eine in der gleichen Richtung beaufschlagte Diode, beispielsweise die Diode D 2-4.
Wenn die Polarität der an den Sekundärwicklungen
SE bzw. 5Ll bis 5L8 erscheinenden Impulse umgekehrt
wäre, müßten die Schalter natürlich in anderer Weise angeschlossen werden. In diesem Fall müßte
beispielsweise der SchalterIRl so angeschlossen sein,
daß er direkt die Klemmen 13 und 16 und nicht mehr, wie in F i g. 1 dargestellt, direkt die Klemmen
14 und 15 verbindet.
Fig. 2 zeigt die vollständige Anordnung mit
N Spalten, die in η Gruppen von je m Spalten unterteilt
sind. Bei dem dort gezeigten Beispiel gilt rt=m=8, also N=64. Natürlich sind sowohl für m
als auch für η andere Werte möglich; insbesondere kann m von η verschieden sein.
Da nun acht Gruppen von Spaltenwicklungen vorhanden sind, ist der Schreibtransformator TE mit
acht Sekundärwicklungen SEI bis SE8 ausgestattet,
von denen jede einer Spaltengruppe zugeordnet ist. Ferner sind nun zusätzlich acht Gruppenschalter IG 1
bis /G 8 vorgesehen. Wenn ein Gruppenschalter, beispielsweise der Schalter/Gl geschlossen ist, verbindet
er eine der Klemmen einer zugeordneten Schreib-Sekundärwicklung mit einer gemeinsamen Leitung 21,
an die auch die acht RangschalterIR1 bis IR8 angeschlossen
sind.
Zur Vereinfachung der Zeichnung sind in der ersten Gruppe nur die Wicklung El mit den vier zugehörigen
Dioden D1-1 bis D1-4 und die Wicklung
£8 mit den vier zugehörigen Dioden D 8-1 bis D 8-4 und in der achten Gruppe nur die Wicklung £57 mit
den Dioden D 57-1 bis D 57-4 und die Wicklung £64 mit den Dioden D 64-1 bis D 64-4 dargestellt.
Wenn man beispielsweise die achte Gruppe betrachtet, ist die obere Klemme der Schreibsekundärwicklung
SE 8 mit acht Dioden D 57-1, D 58-1... D 64-1 verbunden. In gleicher Weise ist die untere
Klemme der Sekundärwicklung SE 8 mit acht Dioden D 57-4, D 58-4 ... D 64-4 verbunden.
Jede der Lesesekundärwicklungen SL1 bis SL 8 ist
acht Spaltenwicklungen des gleichen Ranges in den acht Spaltengruppen zugeordnet. Beispielsweise ist
die Lesesekundärwicklung 5Ll den Wicklungen des Ranges 1, also El, E9, E17, E25, E33, E41, E49
und £57 zugeordnet. Es ist zu erkennen, daß die für diese Sekundärwicklung dargestellten Verbindungen
über die Dioden mit der gleichen Nummer, also D1-2, D 57-2 einerseits und D1-3, D 57-3 andererseits
ausgeführt sind.
Die Arbeitsweise der Anordnung von F i g. 2 ist der bereits zuvor unter Bezugnahme auf die Anordnung
von F i g. 1 im einzelnen erläuterten Arbeitsweise gleich. Zur Auswahl einer der 64 Spalten der
Matrix braucht man nun lediglich einen Gruppenschalter und einen Rangschalter zu schließen.
Es sei angenommen, daß die Spalten wicklung £57 ausgewählt werden soll. Dann werden die Schalter
/G8 und IRl geschlossen. Während der Lesephase
findet der an den Klemmen der Sekundärwicklung SLl erscheinende Impuls einen Stromkreis über den
Schalter IR1, die gemeinsame Leitung 21, den Schalter/G
8, die Diode D 57-4, die Wicklung £57, die Diode D 57-2 und die Leitung 23. Während der
Schreibphase findet der an den Klemmen der Sekundärwicklung SE 8 erscheinende Impuls einen
Stromkreis über die Diode D 57-1, die Wicklung E57 in der entgegengesetzten Richtung wie zuvor,
die Diode D 57-3, die Leitung 22, den Schalter IRl, die gemeinsame Leitung 21 und den Schalter/G
8.
In Fi g. 3 und 4 sind mögliche Ausführungsformen für die Gruppenschalter bzw. die Rangschalter dargestellt.
Der in F i g. 3 gezeigte Gruppenschalter enthält im wesentlichen einen pnp-Transistor 31,
dessen Restkollektorstrom über einen Widerstand 32 fließen kann. Eine Und-Schaltung 33 mit drei Dioden
wird durch den Basiswiderstand 34 vervollständigt. Diese Und-Schaltung dient zur Entschlüsselung der
Gruppenadresse, welche von einer Anzahl von Kippschaltungen geliefert wird, wie dies in der Technik
bekannt ist und daher nicht näher erläutert zu werden braucht. Es genügt der folgende Hinweis: Wenn die
den Eingängen der Und-Schaltung zugeführte Adresse nicht die für den betreffenden Schalter vorgesehene
Adresse ist, fließt über wenigstens eine der Dioden ein Strom, der ausreicht, die Basis des Transistors
positiver als den Emitter zu machen, so daß der Transistor einem offenen Schalter gleichwertig
ist. Wenn dagegen die zugeführte Adresse der für den Schalter vorgesehenen Adresse entspricht, sind die
drei Eingangsklemmen negativ, so daß die drei Dioden gesperrt sind und der vom Widerstand 34 bestimmte
Basisstrom ausreicht, um den Transistor 31 in die Sättigung zu bringen. In diesem Zustand ist der
Innenwiderstand des Transistors sehr gering, so daß er als ein geschlossener Schalter angesehen werden
kann. Der Kollektor ist mit einer Klemme 24 verbunden, die auch in F i g. 2 zu finden ist und zu der
ersten Gruppe gehört.
Der in Fig. 4 dargestellte Rangschalter besitzt
einen analogen Aufbau, mit dem Unterschied, daß der Transistor 41 ein npn-Transistor ist, daß die Dioden
der Und-Schaltung entgegengesetzt gepolt sind und daß der Basiswiderstand und der Kollektorwiderstand
an eine Gleichspannungsquelle von +10 V anstatt — 10 V angeschlossen sind. Der Kollektor des
Transistors ist mit einer Klemme 25 verbunden, die auch in Fig.2 dargestellt ist und zu dem Schalter
IRl gehört.
Mit der beschriebenen Anordnung läßt sich ohne weiteres eine Zugriffszeit von 2 MikroSekunden sowohl
beim Schreiben als auch beim Lesen erreichen. Für die Schalter können Transistoren mittlerer
Leistung verwendet werden, da jeder von ihnen nur einen Strom von etwa 60 mA steuert. Jede zu einem
Speicherkern gehörende Wicklung besteht aus fünf Windungen, damit ein Magnetfeld erhalten wird, das
0,3 Amperewindungen entspricht. Jeder der beiden Transformatoren kann aus einem Hochfrequenz-Ferritringkern
mit einem Querschnitt von 21 mm2 und einem mittleren Umfang von 56 mm Länge gebildet
werden.
Claims (3)
1. Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven Impedanzen, die in η Gruppen von je m Impedanzen
unterteilt sind, bei welcher jede der beiden Klemmen jeder Impedanz mit einer Diode
in ankommender Richtung und mit einer Diode in
ίο abgehender Richtung verbunden ist, dadurch
gekennzeichnet, daß ein erster Transformator (TE) vorgesehen ist, dessen Primärwicklung
an einen ersten Impulsgenerator (GE) angeschlossen ist und der η Sekundärwicklungen (SEI
...SES) trägt, daß ein zweiter Transformator (TL) vorgesehen ist, dessen Primärwicklung an
einen zweiten Impulsgenerator (GL) angeschlossen ist und der m Sekundärwicklungen (5Ll...
SLS) trägt, daß die beiden Klemmen aller Impe-
danzen (z.B. El...ES) einer Gruppe jeweils
über ein Diodenpaar ankommender Richtung (z.B. Dl-I, D1-4, ... D8-1, D8-4) gemeinsam
mit den beiden Klemmen der gleichen Sekundärwicklung (z.B. SEI) des ersten Transformators
(TE) und jeweils über ein Diodenpaar abgehender Richtung (z.B. D1-2,D1-3; ... D8-2,D8-3) mit
den beiden Klemmen von je einer anderen Sekundärwicklung (SLl... SL8) des zweiten Transformators
verbunden sind, daß jeder Sekundärwick-
lung (SEI SE8) des ersten Transformators
(TE) einer von η Gruppenschaltern (7Gl...
/G 8) derart zugeordnet ist, daß er im geschlossenen Zustand eine Klemme der zugehörigen Sekundärwicklung
mit einer gemeinsamen Leitung
(21) verbindet, daß jeder Sekundärwicklung (SLl ... SL 8) des zweiten Transformators (TL) einer
von m Rangschaltern (IRl... IRS) derart zugeordnet ist, daß er im geschlossenen Zustand eine
Klemme der zugehörigen Wicklung mit der ge-
meinsamen Leitung (21) verbindet und daß die beiden Impulsgeneratoren (GE, GL) so ausgeführt
sind, daß die von ihnen an den Sekundärwicklungen der beiden Transformatoren erzeugten Impulse
an den mit den zugehörigen Schaltern verbun-
denen Klemmen entgegengesetzte Polarität haben.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jeder Schalter einen Transistor (31, 41) enthält, dessen Emitter mit der gemeinsamen
Leitung (21) verbunden ist, dessen Kollek-
tor mit der entsprechenden Klemme der zugehörigen Sekundärwicklung verbunden ist und dessen
Basisstrom durch eine zur Adressenentschlüsselung dienende logische Schaltung (33) gesteuert
ist.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (31) der
Gruppenschalter (IGl...IGS) den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie die Transistoren
(41) der Rangschalter (IRl... IRS) haben.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Elektronische Rechenanlagen«, August I960, Heft 3, S. 131 bis 135.
»Elektronische Rechenanlagen«, August I960, Heft 3, S. 131 bis 135.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR901069A FR1333841A (fr) | 1962-06-18 | 1962-06-18 | Système de sélection pour mémoire à tores magnétiques |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1202335B true DE1202335B (de) | 1965-10-07 |
Family
ID=8781243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEC30209A Pending DE1202335B (de) | 1962-06-18 | 1963-06-15 | Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven Impedanzen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3425044A (de) |
| DE (1) | DE1202335B (de) |
| FR (1) | FR1333841A (de) |
| GB (1) | GB1027081A (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2845594A1 (de) * | 1977-10-19 | 1979-04-26 | Hitachi Ltd | Transformatorkopplungs-impulsstrom- treiberschaltung |
| DE3117005A1 (de) * | 1980-04-29 | 1982-02-25 | ITALTEL Società Italiana Telecomunicazioni S.p.A., 20149 Milano | "decodierschaltung fuer einen kernspeicher" |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3693176A (en) * | 1970-04-06 | 1972-09-19 | Electronic Memories & Magnetic | Read and write systems for 2 1/2d core memory |
| US4047164A (en) * | 1975-09-08 | 1977-09-06 | Electronic Memories & Magnetics Corporation | Read and write drive system for a 21/2D coincident current magnetic core memory |
| JPS5234661A (en) * | 1976-09-27 | 1977-03-16 | Hitachi Ltd | Selection matrix circuit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL112152C (de) * | 1955-06-16 | |||
| BE555508A (de) * | 1956-03-06 | |||
| US3222658A (en) * | 1962-08-27 | 1965-12-07 | Ibm | Matrix switching system |
-
1962
- 1962-06-18 FR FR901069A patent/FR1333841A/fr not_active Expired
-
1963
- 1963-05-09 GB GB18471/63A patent/GB1027081A/en not_active Expired
- 1963-06-12 US US287428A patent/US3425044A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-06-15 DE DEC30209A patent/DE1202335B/de active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2845594A1 (de) * | 1977-10-19 | 1979-04-26 | Hitachi Ltd | Transformatorkopplungs-impulsstrom- treiberschaltung |
| DE3117005A1 (de) * | 1980-04-29 | 1982-02-25 | ITALTEL Società Italiana Telecomunicazioni S.p.A., 20149 Milano | "decodierschaltung fuer einen kernspeicher" |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3425044A (en) | 1969-01-28 |
| FR1333841A (fr) | 1963-08-02 |
| GB1027081A (en) | 1966-04-20 |
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