[go: up one dir, main page]

DE1108956B - Dauerspeicher mit in Reihen von je ?-gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen - Google Patents

Dauerspeicher mit in Reihen von je ?-gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen

Info

Publication number
DE1108956B
DE1108956B DEN15258A DEN0015258A DE1108956B DE 1108956 B DE1108956 B DE 1108956B DE N15258 A DEN15258 A DE N15258A DE N0015258 A DEN0015258 A DE N0015258A DE 1108956 B DE1108956 B DE 1108956B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
code
wire
wires
matrix
row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN15258A
Other languages
English (en)
Inventor
Hermann Karl Maria Grosser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1108956B publication Critical patent/DE1108956B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/02Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using magnetic or inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/74Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
    • H03K17/76Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

In vielen Gebieten der Technik liegt ein Bedürfnis an einem Dauerspeicher zum Behalten einer großen Anzahl (10 000 oder mehr) von Kodegruppen von je einer bestimmten Anzahl von Kodeelementen und an einer Erzeugung nach Wunsch von einer beliebigen Kodegruppe dieser Anzahl vor. Unter einem Dauerspeicher wird hier ein Informationsspeicher verstanden, dessen Inhalt nur durch Eingreifen von außen her geändert werden kann. Ist dieses Eingreifen leicht durchführbar, so ist auch von einem Halbdauerspeicher die Rede. Bei einem Dauerspeicher darf beim Erzeugen einer beliebigen Kodegruppe auch sogar kein zeitweiliger Verlust an im Speicher aufgenommener Information stattfinden, was in der englischen Fachsprache mit »non-destructive reading« bezeichnet wird. An den Speicher wird weiter die Anforderung gestellt, daß eine beliebige der im Speicher aufgenommenen Kodegruppe innerhalb sehr kurzer Zeit (von der Größenordnung von einigen ,«see) produziert werden kann.
Informationsspeicher dieser Art sind unter anderem zur Steuerung selbsttätiger Fernmeldezentralen, zur festen Programmierung elektronischer Rechenmaschinen, zur Steuerung von Eisenbahnsignalisierungssystemen, zur Steuerung von Übersetzungsmaschinen usw. anwendbar.
Der Dauerspeicher, auf den die Erfindung sich bezieht, dient für die Speicherung von Kodegruppen aus je m zweiwertigen Kodeelementen, von denen jede beliebige parallel produzierbar ist in Form von vorhandenen oder nicht vorhandenen Impulsen in m Signaldrähten Sp (p = 1,2, ..., m), mit Festlegung jeder Kodegruppe durch einen Kodedraht Ax (x= 1,2, ...,α), der entsprechend einer der Kodegruppen durch eine Reihe von m Ringkernen eines Materials mit rechteckiger magnetischer Hystereseschleife geflochten ist, während der p-te Signaldraht durch den p-ten Ring der Reihe läuft. Ein solcher Dauerspeicher ist im Artikel von J. M. Wier, »A highspeed permanent storage device«, in der Zeitschrift »I. R. E. Transactions«, Vol. E. C. 4, März 1955, Nr. 1, S. 16 bis 20, beschrieben. Das durch die Erfindung gelöste Problem besteht in der Vermeidung der Schwierigkeiten, denen man bei der Herstellung sehr großer Dauerspeicher begegnet. Diese können nicht ohne weiteres durch Anordnung einer großen Zahl von Reihen in einer Matrix hergestellt werden, weil einerseits dann die Steuerung zu kompliziert wird und andererseits die Störimpulse das eigentliche Signal überschatten. Gemäß der Erfindung hat der Speicher b, c beflochtene Reihen von je m Ringkernen, die in c Matrizen von je b Reihen und m Spalten geordnet
von je /w-gruppierten, magnetisch bistabilen
Kernen
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 28. Juni 1957
Hermann Karl Maria Grosser, Hilversum
(Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
sind, während durch sämtliche Ringkerne der z-ten Matrix ein diese Matrix kennzeichnender Draht C3 (z = 1,2, ... c) läuft und die numerisch einander entsprechenden Kodedrähte in Reihe geschaltet sind, so daß der Kodedraht Ax entsprechend der Kodegruppe mit der Adresse (x, y, z) durch die j/-te Reihe der z-ten Matrix geflochten ist, daß die Drähte B, die durch sich numerisch entsprechende Reihen der Matrizen geflochten sind, in Reihe geschaltet sind, so daß der Draht By (y = 1,2, ..., b) durch sämtliche Ringkerne der j-ten Reihe jeder Matrix läuft, und daß numerisch entsprechende Signaldrähte in Reihe geschaltet sind, so daß der Signaldraht Sp (p — 1,2, .. .m) durch sämtliche Ringkerne der p-ten Spalte jeder Matrix läuft, wodurch eine Erregung der Drähte Ax und By mit Stromimpulsen der Größe 1J2I (i — minimale Umklappstromstärke der Ringkerne) im Zustand, in dem sämtliche Ringkerne sich in der Lage 0 befinden, zur Folge hat, daß in der j>-ten Reihe jeder Matrix die dem Kodedraht Ax entsprechende Kodegruppe aktiviert wird, wonach eine Erregung des Drahtes Cz mit einem Stromimpuls der Größe -i zur Folge hat, daß sämtliche Ringkerne der j-ten Reihe der z-ten Matrix in die Lage 0 zurückspringen, insoweit sie sich nicht schon in dieser Lage befanden und die Signaldrähte Sv (p = 1,2, ..., m) die Kodegruppe mit der Adresse (x, y, z) liefern.
Eine Versammlung heißt auf einer anderen Versammlung abgebildet, wenn jedem Element der ersten
109 617/233
Versammlung ein Element der zweiten Versammlung zugeordnet ist. Das dem Element der ersten Versammlung zugeordnete Element der zweiten Versammlung heißt das Bild jenes Elementes der ersten Versammlung, das selbst das Urbild des betreffenden Elementes der zweiten Versammlung heißt. Die Abbildung heißt 1,1-deutig, wenn jedes Element der zweiten Versammlung nur ein einziges Urbild in der ersten Versammlung hat, d. h. wenn auch die zweite Versammlung auf der ersten abgebildet ist.
Unter einem Kode wird hier eine 1,1-deutige Abbildung der Versammlung einer Anzahl Informationen auf einer Versammlung endlicher Gruppierungen einer endlichen Anzahl verschiedener Zeichen verstanden. Diese Gruppierungen nennt man Kodegruppen. Übersichtshalber werden die Zeichen einer Kodegruppe nebeneinandergeschrieben, wobei die Reihenfolge der Zeichen in der Kodegruppe bedeutungsvoll ist. Jede Kodegruppe hat somit eine Anzahl Zeichenstellen, an denen sich je ein Zeichen befinden kann. Enthält der Kode ρ verschiedene Zeichen, so nennt man ihr p-valent, insbesondere bi-valent für ρ = 2, trivalent für ρ = 3 usw. Wenn alle Kodegruppen eine gleiche Anzahl Zeichenstellen enthalten, heißt der Kode systematisch. Zwei Kode heißen äquivalent, wenn ihre Kodegruppen derart 1,1-deutig aufeinander abzubilden sind, daß die entsprechenden Kodegruppen durch Anwendung einer Kombination der nachfolgenden Operationen ineinander übergehen:
1. Eine 1,1-deutigeAbbildungderZeicheneinesKode auf denen des anderen Kodes;
2. eine 1,1-deutige Abbildung der Zeichenstellen der Kodegruppen eines Kodes auf den Zeichenstellen der Kodegruppen des anderen Kodes.
35
Die erste Operation erfordert, daß die beiden Kodes eine gleiche Anzahl von Zeichen enthalten sollen. Die zweite Operation erfordert, daß beide Kodes systematisch sein sollen und eine gleiche Anzahl von Zeichenstellen pro Kodegruppe enthalten. Insbesondere ist eine Kode äquivalent mit sich selber.
Der im beschriebenen Beispiel gebrauchte Kode ist systematisch und bivalent. Die Zeichen, die auch Kodeelemente genannt werden können, können z. B. 0 und 1 sein und elektrisch durch keinen Impuls bzw. einen Impuls dargestellt werden.
An Hand der Zeichnung wird ein Beispiel der Erfindung näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Matrix mit zwölf Reihen von je sieben Kernen sowie die durch sie gezogenen A-, B- und C-Drähte;
Fig. 2 zeigt ein Beispiel der Steuerung der ^-Drähte;
Fig. 3 zeigt ein Beispiel einer Transistorausführung der in Fig. 2 dargestellten Steuerung;
Fig. 4 zeigt ein Schaltbild des ganzen Speichers;
Fig. 5 zeigt ein Beispiel einer für die Steuerung gebrauchten Torschaltung.
Fig. 1 zeigt die fünfte Matrix eines Speichers nach der Erfindung, in welcher Matrix hundertzweiundneunzig Kodegruppen von je sieben Kodeelementen gespeichert werden können. Die Matrix enthält zwölf (waagerecht dargestellte) Reihen von je sieben ringförmigen Kernen aus einem Material mit einer wenigstens annähernd rechtwinkligen Magnetisierungskurve und mit zwei stabilen, magnetischen Zuständen, die durch die Ziffern 0 und 1 unterschieden werden. Jeder ringförmige Kern ist in der Figur durch einen starken, unter 45° verlaufenden Strich angedeutet.
Durch die Reihen sind sechzehn ^-Drähte geflochten, von denen in der Figur nur der Draht A 9 angegeben ist. Jede Reihe entspricht auf diese Weise sechzehn Kodegruppen. Der Draht Ax ist entsprechend der Kodegruppe (x, y, z) durch die y-Xt Reihe des ~-ten Matrix geflochten. Ist die der Adresse (9, 6, 5) zugeordnete Kodegruppe z. B. (1101011), so verläuft der Draht A 9 durch den ersten, zweiten, vierten, sechsten und siebenten Kern der sechsten Reihe der fünften Matrix, aber nicht durch den dritten und fünften Kern dieser Reihe. Weiter verläuft durch alle Kerne jeder Reihe ein jB-Draht (durch die erste Reihe der Draht B1, durch die zweite Reihe der Draht B2 usw.). Schließlich verläuft durch alle Kerne aller Reihen jeder Matrix ein C-Draht (durch die erste Matrix der Draht C1, durch die zweite Matrix der Draht C2 usw.). Die C-Drähte sind derart durch alle Kerne der Matrizen geflochten, daß ein hinreichend starker Stromimpuls durch einen C-Draht alle Kerne der betreffenden Matrix von dem Zustand 0 in den Zustand 1 führen kann, unabhängig von dem Anfangszustand der Kerne dieser Matrix.
Schließlich ist durch alle ersten Kerne jeder Reihen ein Ablesedraht S1 gezogen, durch alle zweiten Kerne aller Reihen ein Ablesedraht S2 usw.
Es wird hier vorausgesetzt, daß ein Stromimpuls durch einen A-, B-, C- oder 5-Draht positiv ist, wenn die Ringkerne, durch welche der Draht verläuft, bei hinreichender Stärke dieses Stromimpulses, von dem Zustand 0 in den Zustand 1 übergeführt werden können. Weiter wird der in einen S-Draht induzierte Impuls als positiv betrachtet, wenn dieser Impuls dadurch erzeugt wird, daß ein Kern, durch den dieser S-Draht verläuft, von dem Zustand 1 in den Zustand 0 übergeht.
Die in die ^-Drähte induzierten Impulse sind meistens für direkte Benutzung zu klein; daher sind diese Drähte mit den Eingangsklemmen von (in der Zeichnung nicht dargestellten) Verstärkern verbunden. In den Eingängen dieser Verstärker sind vorzugsweise Tore angeordnet, die durch die Steuerung des Speichers geöffnet und geschlossen werden können, so daß alle unerwünschten Impulse in den ^-Drähten zurückgehalten werden können. Die Verstärker können auch derart ausgebildet sein, daß sie die positiven Impulse verstärken, aber die negativen Impulse zurückhalten.
Die in Fig. 1 dargestellte Matrix kann an sich bereits als Speicher für hundertzweiundneunzig Kodegruppen dienen. Vorausgesetzt z. B., daß man die Kodegruppe (9, 8) zu produzieren wünscht, d. h. die Kodegruppe, welche der Weise entspricht, auf die der Draht A9 durch die achte Reihe geflochten ist (da der Speicher in diesem Falle nur eine einzige Matrix hat, erübrigt sich die Koordinate z), so fängt man an, alle Ringkerne in den Zustand 0 zu führen, soweit diese sich nicht bereits in diesem Zustand befanden. Dies kann dadurch erfolgen, daß ein hinreichend starker, negativer Stromimpuls durch den C-Dfaht geführt wird. Die infolgedessen in den sieben 5-Drähten auftretenden Impulse werden von den dann geschlossenen Toren in den Eingängen der mit den ^-Drähten verbundenen Verstärker zurückgehalten. Darauf führt man einen so starken, positiven Stromimpuls durch den Draht A9, daß die zwölf Kodegruppen (9, 1), (9, 2), ..., (9, 12) in den zwölf Reihen geschrieben werden. Insbesondere werden dadurch der erste, zweite, vierte, fünfte und siebente Kern der achten Reihe in den Zustand 1 geführt, und der dritte und sechste Kern dieser Reihe bleiben in dem Zustand 0. Die auf diese Weise in den sieben S-Drähten auf-
tretenden Impulse werden auch von den noch stets Ringkerne aller Reihen aller Matrizen in den Zustand 0 geschlossenen Tore in den Eingängen der Verstärker zu führen, sofern sie sich nicht bereits in diesem Zuzurückgehalten. Darauf wird ein so starker, negativer stand befanden. Dies kann unter anderem dadurch Stromimpuls durch den Draht B8 geführt, daß der erfolgen, daß negative Stromimpulse durch die zwölf erste, zweite, vierte, fünfte und siebente Kern der 5 5-Drähte, daß negative Stromimpulse durch die achten Reihe wieder in den Zustand 0 zurückspringen, neunzig C-Drähte, daß negative Stromimpulse durch während gleichzeitig die Tore in den Eingängen der die sieben ^-Drähte geführt werden oder daß ein Verstärker geöffnet werden. Dadurch treten in den negativer Stromimpuls durch einen besonderen, in der Drähten S1, S2, St, S5, S7 positive Impulse auf, die in Zeichnung nicht angegebenen Rückstelldraht R geden Verstärkern verstärkt werden. Diese parallel io führt wird, welcher Rückstelldraht durch alle Ringgebildete Gruppe von Impulsen bildet die der Adresse kerne aller Reihen aller Matrizen verläuft. Darauf (9, 8) zugeordnete Kodegruppe, aus diesem Grunde führt man Stromimpulse mit der Amplitude i durch die werden diese Impulse Ableseimpulse genannt. Drähte A9 und B10, wobei ζ einen so hohen Wert hat,
Fig. 2 zeigt ein Beispiel der Weise, auf welche die daß ein Stromimpuls hinreichender Dauer mit der Stromimpulse durch die y4-Drähte geführt werden 15 Amplitude i durch einen durch einen Ringkern verkönnen. Die sechzehn Α-Drähte sind durch die Zahlen- laufenden Draht diesen Kern mit Gewißheit von dem kombinationen A1 = (1, 1), A2(1, 2) A3 = j = (1,3), Zustand 0 in den Zustand 1 überführt, während ein ,.,, A19 = (4, 4) bezeichnet. Die vier ^-Drähte (z, 1), Stromimpuls mit der Amplitude i dies mit Gewißheit (/, 2), (/, 3), (i, 4) sind links mit der Ausgangsklemme nicht vollführt. Infolgedessen wird in jeder zehnten eines Tores A (ζ = 1, 2, 3, 4) verbunden und auch die 20 Reihe jeder Matrix die neunte Kodegruppe geschrieben, vier ^[-Drähte (1,/), (2,j), (3,j), (4,y) rechts mit der Insgesamt werden somit neunzig Kodegruppen im Eingangsklemme eines Tores Qi U= 1, 2, 3, 4) ver- Speicher geschrieben. Die durch diese vorbereitenden bunden. Die vier Eingangsklemmen der vier Tore Pi Stromimpulse in die S-Drähte induzierten Spannungssind mit der Plusklemme B -f- einer Gleichstromquelle impulse werden von den noch geschlossenen Tore in verbunden, und die vier Ausgangsklemmen der vier 25 den Eingängen der mit den S-Drähten verbundenen Tore Q3- sind mit der Minusklemme dieser Stromquelle Verstärker zurückgehalten. Schließlich führt man einen verbunden. Alle ^-Drähte enthalten einen Gleichrichter negativen Stromimpuls mit der Amplitude i durch den mit einer von B+ nach B— verlaufenden Durchlaß- Draht C48 und öffnet gleichzeitig die Tore in den Einrichtung. Es läßt sich leicht feststellen, daß, wenn die gangen der mit den ^-Drähten verbundenen VerTore Pi und Qj geöffnet und alle weiteren Tore ge- 30 stärker. Infolgedessen springen alle Kerne der zehnten schlossen sind, nur der Draht (z,y) Strom führt. Die Reihe der 48. Matrix wieder in den Zustand 0 zurück, Gleichrichter in den ^-Drähten sperren nämlich alle sofern sie sich noch nicht in dem Zustand 0 befanden, weiteren Stromwege von P« nach Qj. und die Kodeelemente der der Adresse (9, 10, 48)
Die Tore Pt und Qj können irgendeine bekannte zugeordneten Kodegruppe erscheinen in den sieben Bauart haben. Fig. 3 zeigt eine Transistorausführungs- 35 S-Drähten als Impulse oder als Fehlen der Impulse, form der Tore Pi und Qj. Der Draht (/,/) ist mit dem Diese Impulse werden in mit den S'-Drähten verKollektor des Transistors Pi und mit dem Emitter des bundenen Verstärkern verstärkt.
Transistors Qj verbunden. Der Emitter des Tran- Zur Steuerung der sechzehn ^-Drähte sind acht sistors Pi ist geerdet, und der Kollektor des Tran- Transistoren (16 = 4 · 4) und sechzehn Dioden ersistors Qj ist, gegebenenfalls über einen Widerstand r, 4° forderlich; zur Steuerung der zwölf 5-Drähte sind mit der Minusklemme B— einer Stromquelle ver- sieben Transistoren (12 = 3-4) und zwölf Dioden bunden, deren Plusklemme geerdet ist. Die Basis- erforderlich; zur Steuerung der neunzig C-Drähte sind elektroden der Transistoren Pi und Qj sind mit Steuer- neunzehn Transistoren (90 = 9-10) und neunzig klemmen i bzw. j verbunden. Normalerweise haben Dioden erforderlich. Insgesamt enthält der Speicher diese Elektroden solche Spannungen, daß die Tran- 45 somit vierunddreißig Transistoren und hundertachtsistoren keinen Strom führen. Indem negative Impulse zehn Dioden.
den Steuerklemmen / und j zugeführt werden, werden Wenn der Speicher nicht in Matrizen unterteilt wäre,
die Transistoren Pj und g/leitend, und der Draht (z, 7) hätte der Speicher tausendachzig Reihen und somit
führt somit einen Stromimpuls. eine gleiche Anzahl von 5-Drähten. Zur Steuerung
Die Steuerung der 5-Drähte kann auf ähnliche 50 desselben wären Sechsundsechzig Transistoren
Weise stattfinden. (1080 = 30 · 36) und tausendachzig Dioden notwendig.
Fig. 4 zeigt das Schaltbild eines Speichers mit Es zeigt sich somit, daß die Unterteilung des Speichers neunzig Matrizen der in Fig. 1 dargestellten Art; in Matrizen eine wesentliche Ersparnis an Transistoren dieser Speicher kann somit 90 · 192 = 17 280 Kode- und Dioden zur Steuerung ermöglicht,
gruppen enthalten. Die mit gleichen Indizes versehenen 55 Überdies kann man den Matrizen nicht eine A-, B- und S-Drähte dieses Speichers sind in Reihe unbeschränkt große Anzahl von Reihen erteilen, da geschaltet, so daß der Speicher sechzehn ^-Drähte, beim Produzieren einer Kodegruppe durch einen zwölf 5-Drähte, neunzig C-Drähte und sieben Stromimpuls in einem C-Draht Störimpulse, soge-S-Drähte besitzt. Der Draht Ax verläuft dabei durch nannte Parasitärimpulse, in den S-Drähten induziert alle Reihen aller Matrizen und ist entsprechend der 60 werden, welche von den Kernen aller sich nicht auf die Kodegruppe (x, y, z) durch die j-te Reihe des z-ten betreffende Kodegruppe beziehenden Reihe der Matrix Feldes geflochten. Der Draht By verläuft durch alle stammen. Die zulässige Anzahl von Reihen pro Feld Ringkerne der _y-ten Reihe jeder Matrix. Der Draht C2 hängt von der mehr oder weniger guten Rechtverläuft durch alle Ringkerne aller Reihen der z-ten winkligkeit der Kerne ab; sie geht im allgemeinen nicht Matrix. Der Draht Sv verläuft durch alle /?-ten Ring- 65 weit über zwölf hinaus,
kerne aller Reihen aller Matrizen. Es ist weiter erwünscht, die Stromimpulse durch die
Es wird angenommen, daß man die Kodegruppe (9, C-Drähte, welche die Ableseimpulse in den ^-Drähten
10, 48) zu produzieren wünscht. Man fängt an, alle liefern müssen, mit hinreichend steilen Vorderflanken
zu erzeugen, um möglichst starke Ableseimpulse in den S-Drähten zu erzielen.
Schließlich zeigt Fig. 5 eine verbesserte Ausführungsform eines Tores Pt (vgl. Fig. 2). Die Tore Qj können auf ähnliche Weise ausgebildet sein.
Das Tor Pi enthält einen Ferritringkern 1, einen Transistor 7, einen Transformator 14 und einen Transistor 13. Der Ferritringkern 1 enthält eine erste Eingangswicklung 2, von der ein Ende mit einer ersten Eingangsklemme / und das andere Ende mit Erde verbunden ist, sowie eine zweite Eingangswicklung 4, von der ein Ende mit einer Eingangsklemme 3 und das andere Ende ebenfalls mit Erde verbunden ist. Weiter enthält der Ferritringkern eine Ausgangswicklung 5, die einerseits mit einer positiven Spannungsquelle V+ 1S und andererseits mit der Basis des Transistors 7 verbunden ist. Schließlich hat der Ferritringkern noch eine Rückkopplungswicklung 6, die einerseits mit dem Kollektor des Transistors 7 und andererseits mit einem Ende der Primärwicklung 8 des Transformators 14 verbunden ist. Das andere Ende dieser Primärwicklung ist gegebenenfalls über einen Widerstand 10 mit einer positiven Spannungsquelle B + verbunden.
Ein Ende der Sekundärwicklung 9 des Transformators 14 ist geerdet, und das andere Ende ist über die Parallelschaltung eines Widerstandes 11 und eines Kondensators 12 mit der Basis des Transistors 13 verbunden. Der Emitter dieses Transistors ist geerdet, und der Kollektor ist mit den Drähten (z, 1), (z, 2), (i, 3) und (/, 4) verbunden.
Die ersten Eingangswicklungen und die Steuerklemmen i und j sind gesondert, d. h., jedes Tor Pi bzw. Qj hat eine eigene erste Eingangswicklung 2 und seine eigene Steuerklemme i bzw. j. Die Eingangsklemme 3 ist jedoch nicht gesondert, z. B. dadurch, daß alle zweiten Eingangswicklungen 4 aller Ferritringkerne 1 aller Tore Pt und Q] in Reihe geschaltet sind. Sie können jedoch auch gegebenenfalls gruppenweise parallel geschaltet sein.
Die Wickelrichtungen der verschiedenen Wicklungen 2, 4, 5 und 6 des Ferritringkernes 1 sind nicht beliebig. Es wird angenommen, daß die den Klemmen i und 3 zuzuführenden Stromimpulse einen positiven Sinn haben, was im übrigen beliebig gewählt werden kann. Auch die Wickelrichtung der Wicklung 2 kann beliebig gewählt werden. Der Zustand, in den der Ferritringkern infolge eines hinreichend großen, positiven Stromimpulses durch die Wicklung 2 gelangt, wird der Zustand 1 genannt. Der Wickelsinn der Wicklung 4 muß dann derart sein, daß ein hinreichend großer, positiver Stromimpuls durch diese Wicklung den Ferritringkern von dem Zustand 1 in den Zustand 0 überspringen läßt. Der Wicklungssinn der Ausgangswicklung 5 muß derart sein, daß der Übergang des Ferritringkernes von dem Zustand 1 in den Zustand0 die Basis des Transistors? negativ macht. Der Wickelsinn der Rückkopplungswicklung 6 muß derart sein, daß der darin beim Leitendwerden des Transistors 7 auftretende Stromimpuls den Übergang des Ferritringkernes von dem Zustand 1 in den Zustand 0 beschleunigt.
Die Einrichtung wirkt wie folgt. Es wird vorausgesetzt, daß man durch den Draht (i,j) einen Stromimpuls zu führen wünscht. Man führt dann positive Stromimpulse zu den Steuerklemmen i und./, wodurch die Ferritringkerne 1 der Tore Pi und Q :in den Zustand 1 geführt werden. Darauf führt man einen positiven Stromimpuls nach der Eingangsklemme 3, wodurch diese Ferritringkerne wieder in den Zustand 0 zurückgeführt werden. Der infolgedessen in die Ausgangswicklung 5 induzierte Spannungsimpuls macht die Basis des Transistors 7 hinreichend negativ, um einen Stromimpuls über dessen Kollektor zu erzeugen. Dieser Stromimpuls wird durch die Rückkopplungswicklung 6 geführt, wodurch ein Impuls mit einer sehr steilen Vorderflanke entsteht. Dieser Impuls wird durch den Transformator 14 und die Parallelschaltung 11,12, der Basis des Transistors 13 zugeführt, der infolgedessen kurzzeitig leitend wird. In demselben Augenblick ist auch der Transistor 13 des Tores Qj kurzzeitig leitend, wodurch ein Impuls mit steilen Flanken durch den Draht (i,j) geführt wird.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Dauerspeicher für die Speicherung von Kodegruppen aus je m zweiwertigen Kodeelementen, von denen jede beliebige parallel produzierbar ist in Form von vorhandenen oder nicht vorhandenen Impulsen in m Signaldrähten Sp(p — 1,2, ..., m), mit Festlegung jeder Kodegruppe durch einen Kodedraht Ax (x = 1, 2, ..., a), der entsprechend einer der Kodegruppen durch eine Reihe von m Ringkernen eines Materials mit rechteckiger magnetischen Hystereseschleife geflochten ist, während der />-ten Signaldraht durch den p-Xtn Ring der Reihe läuft, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher bc beflochtene Reihen von je m Ringkernen hat, die in c Matrizen von je b Reihen und m Spalten geordnet sind, während durch sämtliche Ringkerne der z-ten Matrix ein diese Matrix kennzeichnender Draht Cz (z, = 1, 2, .. .,c) läuft und die numerisch einander entsprechenden Kodedrähte in Reihe geschaltet sind, so daß der Kodedraht Ax entsprechend der Kodegruppe mit der Adresse (x, y, z) durch die j-te Reihe der z-ten Matrix geflochten ist, daß die Drähte jB, die durch sich numerisch entsprechende Reihen der Matrizen geflochten sind, in Reihe geschaltet sind, so daß der Draht By{y—\,2,...,b) durch sämtliche Ringkerne der j;-ten Reihe jeder Matrix läuft, und daß sich numerisch entsprechende Signaldrähte in Reihe geschaltet sind, so daß der Signaldraht Sp (p = 1, 2, ..., m) durch sämtliche Ringe der j?-ten Spalte jeder Matrix läuft, wodurch eine Erregung der Drähte Ax und By mit Stromimpulsen der Größe x/2 i (i = minimale Umklappstromstärke der Ringkerne) im Zustand, in dem sämtliche Ringe sich in der Lage 0 befinden, zur Folge hat, daß in der j-ten Reihe jeder Matrix die dem Kodedraht Ax entsprechende Kodegruppen aktiviert werden, wonach eine Erregung des Drahtes Cz mit einem Stromimpuls der Größe — ι zur Folge hat, daß sämtliche Ringkerne der j-ten Reihe der z-ten Matrix in die LageO zurückspringen, insoweit sie sich nicht schon in dieser Lage befanden, und die Signaldrähte Sp (p = 1,2, ...,m) die Kodegruppe mit der Adresse (x, y, z) liefern.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 109 617/233 6.61
DEN15258A 1957-06-28 1958-06-24 Dauerspeicher mit in Reihen von je ?-gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen Pending DE1108956B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL218542 1957-06-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1108956B true DE1108956B (de) 1961-06-15

Family

ID=19750918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN15258A Pending DE1108956B (de) 1957-06-28 1958-06-24 Dauerspeicher mit in Reihen von je ?-gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US2968029A (de)
JP (1) JPS3513412B1 (de)
BE (1) BE568955A (de)
CH (1) CH368524A (de)
DE (1) DE1108956B (de)
FR (1) FR1215598A (de)
GB (1) GB841449A (de)
NL (2) NL96801C (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL244502A (de) * 1959-10-20
NL286926A (de) * 1962-12-18
DE1181276B (de) * 1963-05-02 1964-11-12 Zuse K G Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen
US3419855A (en) * 1964-12-24 1968-12-31 Gen Motors Corp Coincident current wired core memory for computers
US3488641A (en) * 1965-08-24 1970-01-06 Gen Motors Corp Coincident current read only memory using linear magnetic elements
US3518638A (en) * 1966-01-11 1970-06-30 Us Navy Magnetic core memory matrix wiring rearrangement

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2733861A (en) * 1952-08-01 1956-02-07 Universal sw
US2691152A (en) * 1953-01-13 1954-10-05 Rca Corp Magnetic switching system

Also Published As

Publication number Publication date
NL218542A (de)
BE568955A (de)
GB841449A (en) 1960-07-13
CH368524A (de) 1963-04-15
NL96801C (de)
JPS3513412B1 (de) 1960-09-15
FR1215598A (fr) 1960-04-19
US2968029A (en) 1961-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE969779C (de) Magnetische Speichereinrichtung
DE1239731B (de) Magnetisches Speicherelement
DE1038315B (de) Anordnung zur Steuerung von Magnetkernspeichern mit in mehreren Ebenen in Form von Matrizen angeordneten Speicherkernen
DE1044461B (de) Schaltungsanordnung zum Aufruf von Magnetkernspeichern
DE1058284B (de) Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix
DE1283572B (de) Schaltungsanordnung zur Anschaltung einer von mehreren Informationsquellen an einen gemeinsamen Anschlusspunkt
DE2059598A1 (de) Halbleiterspeicher zur Speicherung einer voreingegebenen,nichtloeschbaren Grundinformation
DE1108956B (de) Dauerspeicher mit in Reihen von je ?-gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen
DE1086463B (de) Matrix-Speicherschaltung
DE1449806C3 (de) Matrixspeicher
DE1039567B (de) Aus bistabilen Magnetkernen bestehende Schaltmatrix
DE1040596B (de) Magnetkernschalter mit Magnetkernen geringer Remanenz zum Betreiben von Magnetkernspeichern
DE1574656C3 (de) Speicheranordnung mit einer Anzahl von Matrixfeldern
DE1193550B (de) Binaeres Speicherelement mit zwei Transfluxoren
DE1229589B (de) Schaltungsanordnung zur selektiven Betaetigung von stromerregten Vorrichtungen
DE1173542B (de) Schaltungsanordnung zum Bestimmen des freien oder besetzten Zustandes der Verbindungen eines Schaltnetzwerkes fuer Fernmelde-, insbesondere Fernsprech-vermittlungsanlagen
DE1299035B (de) Schaltung zum Einschreiben in einen Matrixspeicher oder zum Ablesen aus einem Matrixspeicher
DE1202335B (de) Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven Impedanzen
DE1181276B (de) Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen
DE1127398B (de) Magnetkernschalter
AT205264B (de) Dauerspeicher mit in Reihen von je m gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen
DE1222981B (de) Einrichtung zur Steuerung mehrerer Schreib- bzw. Leseorgane eines magnetischen Speichers
DE1285000B (de) Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen
DE1908422B2 (de) Prüfschaltung mit dreidimensionaler räumlicher Matrix aus Ringkernen mit rechteckiger Hysteresisschleife für elektrische Kreise
DE1186107B (de) Magnetspeicher mit mindestens einer Platte aus einem magnetisierbaren Material