[go: up one dir, main page]

DE1200872B - Impulserzeuger - Google Patents

Impulserzeuger

Info

Publication number
DE1200872B
DE1200872B DEN24877A DEN0024877A DE1200872B DE 1200872 B DE1200872 B DE 1200872B DE N24877 A DEN24877 A DE N24877A DE N0024877 A DEN0024877 A DE N0024877A DE 1200872 B DE1200872 B DE 1200872B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
emitter
current
collector
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN24877A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Kanai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Publication of DE1200872B publication Critical patent/DE1200872B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/335Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with more than two electrodes and exhibiting avalanche effect
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/06Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
    • H03M1/08Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
Deutsche Kl.: 21 al-36/02
Nummer: 1200 872
Aktenzeichen: N 24877 VIII a/21 al
Anmeldetag: 25. April 1964
Auslegetag: 16. September 1965
Die Erfindung bezieht sich auf eine Impulserzeugerschaltung unter Verwendung eines Lawinentransistors.
Die Abb. la und 1 b geben das Schaltschema zur Erläuterung des Lawineneffekts eines Transistors und die entsprechenden Strom-Spannungs-Kennlinien wieder.
Es ist allgemein bekannt, daß bei der Schaltung eines Lawinentransistors zwischen den Klemmen 1 und 2 in A b b. 1 a Strom-Spannungs-Kennlinien ent- ίο stehen, wie sie in Abb. Ib dargestellt sind.
In A b b. 1 a sind bei einem pnp-Flächentransistor der Emitter!? einer p-leitenden Schicht mit der Basis B einer η-leitenden Schicht über einen Widerstand R1, der negative Pol einer Spannungsquelle V Impulserzeuger
Anmelder:
Nippon Telegraph and Telephone
Public Corporation, Tokio
Vertreter:
Dr. H. Hermelink, Patentanwalt,
München-Obermenzing, Kaskadenweg 17
Als Erfinder benannt:
Seiji Kanai, Takeo Tominaga, Tokio
Beanspruchte Priorität:
Japan vom 25. April 1963 (21 055)
mit dem Kollektor C einer p-leitenden Schicht über einen Widerstand R2 und der positive Pol der Spannungsquelle V mit der Basisklemme verbunden.
Da die Spannung in Sperrichtung eines gewöhnlichen pn-Übergangs wirkt, fließt nur ein schwacher Leckstrom Ico durch den Basiswiderstand R1 und bewirkt am Basis-Emitter-Ubergang eine schwache Vorspannung in Durchlaßrichtung. Infolgedessen fließt ein Emitterstrom Ie in die Basisschicht. Bei
diesem Emitterstrom fließt «/,, (wobei * der Strom- 25 niedriger Stromstärke ist eine ausreichende Reduverstärkungsfaktor zwischen Emitter und Kollektor zierung der Kollektorspannung erforderlich. Es ist ist) als Kollektorstrom /,, aus der Kollektorschicht überflüssig, darauf hinzuweisen, daß der Arbeitsund (1 — a) Ie in entgegengesetzter Richtung wie Ic0 punkt bei Unterbrechung oder Anlegen einer Sperraus der Basisschicht und verringert den Strom des spannung im Emitterkreis ebenfalls zum Zustand Emitters in Durchlaßrichtung. Solange * kleiner ist 30 mit niedriger Stromstärke zurückkehrt. Es ist beals 1, wird der Emitterstrom schwach gehalten. Bei kannt, daß der Übergang zum Zustand mit hoher Erhöhung der Kollektorspannung auf einen Spannungsbereich, in dem a infolge der lawinenartigen
Trägervervielfachung größer ist als 1, erfolgt eine
Umkehrung der Flußrichtung des Stroms (1—<x)Ie, 35 sich dies so vorstellen, daß im Bereich der lawineneine Verstärkung der Emittervorspannung in Durch- artigen Trägervervielfachung ein starkes elektrisches laßrichtung und infolge der positiven Rückkopplung Feld erzeugt und demgemäß eine Beschleunigung eine weitere Zunahme des Emitterstroms /„. Die des durch die Basis fließenden Trägerstroms herbei-Folge ist eine rasche Zunahme des Kollektor- geführt und die Laufzeit reduziert wird. Es ist bestroms In der nur durch den Gesamtwiderstand im 40 kannt, daß der Lawinentransistor die Eigenschaft Stromkreis begrenzt wird; außerdem muß die KoI- besitzt, Ein- und Ausschaltungsvorgänge mit höheren lektorspannung lediglich χ größer als 1 halten.
A b b. 1 b zeigt eine Strom-Spannungs-Kennlinie für die erwähnten Verhältnisse. Sie hat einen Bereich mit negativem Widerstand. Die Kollektorspannung Vc ist auf der Abszisse, der Kollektorstrom Ic auf der Ordinate aufgetragen. Der Arbeitspunkt, der sich zunächst an einer Stelle niedriger Stromstärke A befand, steigt über einen Scheitelpunkt C entlang der Belastungslinie an, bis er einen Zustand hoher Stromstärke B erreicht. Zur Rückführung dieses Arbeitszustandes auf den Ausgangszustand mit Stromstärke vom Zustand mit niedriger Stromstärke infolge des Lawineneffekts innerhalb eines sehr kurzen Zeitraumes vor sich geht. Physikalisch muß man
Geschwindigkeiten als ein gewöhnlicher Transistor von beispielsweise der gleichen Struktur und den gleichen Dimensionen vorzunehmen.
Hinsichtlich der Verwendbarkeit der heute allgemein bekannten Lawinentransistoren gibt es beispielsweise Schaltkreise oder Kippschaltungen, meistenteils unter Anwendung des negativen Widerstandsphänomens.
Trotz der Ausnutzung der hohen Ansprechgeschwindigkeit des Transistors ist der Anwendungsbereich im Vergleich zur allgemeinen Wirkungsweise
509 687/402
3 4
der Transistoren beschränkt. Bei Erzeugung einer impulsspannungserzeuger S wird zwischen dem KoI-Treppenspannnung wird z.B. jeder Kreis mittels lektorC und der Verbindungstelle des Widerstaneiner Kombination von Transistoren und Dioden des R1 und des Kondensators C0 angeschaltet, oder Elektronenröhren aufgebaut, aber es gab bisher Nunmehr wird beispielsweise eine Sägezahnspankeine Schaltung unter Verwendung eines Lawinen- 5 nung des Kipp-(Impuls-)Generators S zwischen den transistors. Klemmen 1 und 2, d h. zwischen .der Kollektor-Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Schal- elektrode C und der Basiselektrode B mittels des tung zur Erzeugung von Impulsen in jeder gewünsch- Widerstandes R0, wie in der Zeichnung dargestellt, ten Zahl bereitzustellen, die eine leichte Steuerung angelegt.
der Länge der Impulspausen durch Verwendung io Die Polung der angelegten (Impuls-)Spannung ereines Lawinentransistors ermöglicht. folgt in der Weise, daß der Pol 1 in dem dargestell-Die erfindungsgemäße Impulserzeugerschaltung ten Fall negativ und der Pol 2 positiv sind. In diesem unter Verwendung eines Lawinentransistors ist da- Zustand fließt der Strom bei Kippspannungsanstieg durch gekennzeichnet, daß Emitter und Basis eines verzweigt zum Widerstand R1 und Kondensator C0, einzigen Transistors, dessen Grenzschichtenberüh- 15 wobei der Strom I2 in die Emittergrenzschicht fließt, rungsspannung kleiner als die Lawinendurchbruchs- Bei richtiger Wahl des Kondensators C0 und gespannung für die Kollektorgrenzschicht ist, mittels nügend schneller Zunahme des Kippschwingimpulses eines Kondensators verbunden sind und daß am ist der vom Kondensator gebildete Blindwiderstand Kollektor eine zeitlich zunehmende Steuerspannung klein im Vergleich zum Wert des Widerstandes A1, liegt. 20 und der Anfangsstrom fließt hauptsächlich durch den
Es ist auch möglich, Emitter und Kollektor des Kondensator C0.
Transistors zu vertauschen. In diesem Falle muß na- Dies besagt, daß der Kondensator C0 in diesem türlich die Grenzschichtenberührungsspannung klei- ersten Übergangszustand bei Anlegen eines Kippner als die Lawinendurchbruchsspannung der Emit- Schwingimpulses wie eine Art Kurzschluß zwischen tergrenzschicht sein. 25 dem Emitter und der Basis wirkt und so äquivalent Zwischen Basis und Kollektor bzw. Emitter tre- zu dem in Abb. la wiedergegebenen Schaltbild ist. ten in diesem Falle kurzzeitige Stromimpulse auf, so- Die Kennlinien zwischen den Klemmen 1 und 2 lange die Steuerspannung ansteigt, während an den entsprechen vorübergehend den Strom-Spannungs-Klemmen des Kondensators gleichzeitig eine trep- Kennlinien eines Lawinentransistors gemäß A b b. 3. penförmige Spannung abgenommen werden kann. 30 Erreicht die Spannung zwischen den Klemmen 1 Die erzeugten Stromimpulse können bei weitem kür- und 2 einen Punkte, wo die positive Rückkopplung zer als bei den gewöhnlichen selbsterregten Tran- dank dem Lawineneffekt eintritt, so erfolgt eine sistoroszillatoren gemacht werden, da der Transistor rasche Zunahme des Stroms I1 bis zum Punkt B entdank des in den Emitterkreis (bzw. Kollektorkreis) lang der Lastlinie. Fast der gesamte Strom fließt eingefügten Kondensators selbsttätig vom leitenden 35 über den Widerstand und den Kondensator C0 in Zustand zum nichtleitenden Zustand kippt. den Emitter. In diesem" Falle muß der Kondensator Erfindungsgemäß wird eine Basisschaltung bereit- aber aufgeladen werden, und zwar in der Polung, gestellt, die modifiziert und wegen ihrer Einfachheit durch die der Emitteranschluß negativ gemacht in vielfacher Hinsicht angewandt werden kann, wo- wird. Da diese Aufladung den Emitter in Sperrichbei die am Kollektor (oder Emitter) angelegte 40 tung vorspannt, kann der Transistor nicht im Be-Steuerspannung nicht nur eine Sägezahnschwingung, triebszustand des Punktes B in A b b. 3 bleiben, versondern jede regelmäßige Schwingung (z. B. eine liert bald den leitenden Zustand und kehrt in den Rechteckschwingung) sein kann, und durch Aus- Sperrzustand zurück. Wenn der Emitter offen ist, wahl der Schwingungsform Anwendungsmöglich- verbleibt zwischen Basis und Kollektor nur eine keiten für eine Analog-Digital-Umformung gegeben 45 Vorspannung in Sperrichtung, und es erfolgt eine sind. Verschiebung des Arbeitspunktes nach C. Punkt C" A b b. 2 ist eine Prinzipschaltung einer Impulser- ist ein stabiler Punkt, der in der Hauptsache durch zeugerschaltung unter Verwendung eines erfindungs- den Schnittpunkt der Sperrspannungskennlinie b der gemäßen Transistors; Kollektorgrenzschicht und der durch den Gesamt-A b b. 3 gibt ein Strom-Spannungs-Kennlinien- 50 widerstand der Schaltung bei der erwähnten VorDiagramm dieser Impulserzeugerschaltung wieder; spannung bestimmten Belastungslinie festgelegt wird. Abb. 4 gibt Diagramme von Schwingungsformen Bei Beobachtung der Änderung der elektrischen des Impulserzeugers wieder; Stromstärke/, in Abhängigkeit von der Zeit wäh-A b b. 5 gibt eine andere Ausführungsform eines rend des geschilderten Vorganges stellt man fest, daß erfindungsgemäßen Impulserzeugers wieder; 55 ein sehr kurzer Impuls wie in A b b. 4 a erscheint. A b b. 6 zeigt Diagramme hiermit erzeugter Der leitende Zustand wird nur während der durch Pulsverläufe. die Zeitkonstante der Schaltung gegebenen Auflade-In A b b. 2 ist T beispielsweise ein pnp-Flächen- zeit aufrechterhalten. Sobald ein Stromimpuls er-, transistor mit Lawineneffekt, der bei der erfindungs- zeugt wird, zeigt sich zwischen den Klemmen des gemäßen Schaltung verwendet wird. C0 ist ein Kon- 60 Kondensators eine Ladespannung. Ist die Zeit, in densator, R1 ein mit der Basis verbundener Wider- der der Stromimpuls auftritt, tv so ist der Impulsstand, S ein _ Steuer-(ImpuIs-)Spannungsgenerator strom so kurz, daß gemäß Ab b. 4 eine Spannung V/ und R2 ein Widerstand zur Einstellung des Innen- mit treppenförmigem Verlauf zum Zeitpunkt F1 Widerstandes des Steuer-(Impuls-)Spannungsgenera- zwischen den Klemmen des Kondensators entsteht, tors S. 65 Das Ansteigen und Abnehmen des Stromimpulses P1 Der Kondensator C0 und der Widerstand R1 sind und das Ansteigen der treppenförmigen Spannung zwischen dem Emitter E und der Basis B des pnp- wird durch eine Zeitkonstante begrenzt, die durch Flächentransistors in Reihe angeordnet. Der Kipp- den Zeitbedarf der lawinenartigen Trägerverviel-
fachung im Arbeitspunkt, d. h. die Übergangszeit von Punkt A zu Punkt B oder umgekehrt, sowie die durch den Widerstand des Gesamtkreises und die Kondensatorkapazität gegeben ist.
Wie oben dargelegt, erfolgt der Kippvorgang infolge des Lawineneffekts sehr rasch. Man kann feststellen, daß die vorerwähnte Begrenzung fast ausschließlich durch die Zeitkonstante der Schaltung bestimmt wird. Mit einem Lawinentransistor kann demnach ein ausreichend starker Stromimpuls beispielsweise von den Widerstandsklemmen auf der Kollektorseite und gleichzeitig ein treppenförmiger Impuls an den Klemmen mit hoher Impedanz (F2) abgenommen werden.
Dies ist das Grundprinzip der Erfindung. Wird beispielsweise wie hier eine Sägezahnschwingung für die Kippspannung verwendet, so ist nach der obigen Darlegung eine Wiederholung dieses Ablaufs möglich. Nach der Erzeugung eines Stromimpulses P1 wird der Emitter im Sperrzustand gehalten, und daher bleibt der Strom Z1 bei Punkt C" in A b b. 3 in einem Zustand mit niedriger Stromstärke. Wenn nunmehr die an die Kollektorgrenzschicht in A b b. 2 angelegte Kippspannung mit der Zeit höher wird, wird die Spannung des Kollektors gegen die Basis stärken
Zur Erzielung einer kräftigen Sperrung kann an Stelle der vorerwähnten Kippspannung beim Betrieb eine konstante Spannung verwendet werden. Bei konstanter Vorspannung ist aber die Überlagerung mit der Steuerspannung erforderlich. Demgemäß nimmt die Spannung im Zwischenbereich zwischen dem Emitter E und dem Kollektor C ebenfalls ab.
In diesem Zustand kommen beide Sperrschichten zwischen Kollektor und Emitter in Berührung, so daß sich in der Basis eine gemeinsame Verarmungszone nahe dem Emitter und dem Kollektor bildet. Der Kollektorspannungsabfall löst daher unmittelbar einen Spannungsabfall in der Verarmungsschicht am Emitter aus.
Wenn sich daher beispielsweise in A b b. 4 die Kippspannung um den Betrag der Spannung VJ zur Zeit i2 im Verhältnis zur Spannung zur Zeit tv als der erste Impuls erzeugt wurde, erhöht hat, wird die Sperrung der Emittergrenzschicht aufgehoben, sie wird erneut in einen leitenden Zustand übergeführt und erzeugt zur Zeit t.2 gemäß den A b b. 4 a und 4 b einen Impuls F2, und außerdem wird zwischen den beiden Kondensatoranschlüssen eine zweite stufenförmige Spannung F., erzeugt.
Eine zusätzliche Erläuterung dieser Vorgänge wird an Hand der Kennlinien in Abb. 3 gegeben. In A b b. 4 a entspricht der Strom nach Erzeugung des Impulses P1 dem Punkt C in A b b. 3. Infolge der Vorspannung des Emitters in Sperrichtung erreicht aber bei ansteigender Kippspannung der Strom den Punkt D auf der Kennlinie b. An diesem Punkt tritt ein Lawinendurchbruch ein, und die Kennlinie müßte sich zur Kurve α verlagern. Die Lastlinie trifft aber nicht mehr auf den Punkt A, und es erfolgt ein rascher Stromanstieg bis zum Punkt E. Gleichzeitig wird der Kondensator C0 in A b b. 2 aufgeladen, dann wird eine Abschaltung durch die sich aufbauende Sperrspannung erzeugt, und der Strom kehrt in die Nähe von Punkt D zurück.
Auf diese Weise ist die Erzeugung eines dritten und vierten und weiterer Impulse möglich. Die treppenförmige Kondensatorspannung erreicht einen dem Scheitelwert der Kippspannung entsprechenden Wert. Bei Beendigung des Anstiegs der Kippspannung erfolgt aber keine weitere Erzeugung von Impulsen mehr.
Anzahl und Zeitabstände der hier erzeugten Impulse werden durch die Form der Steuerspannung, die Anstiegszeit, die Steuerspannungsamplitude, den Basis- sowie Kreiswiderstand und die Kondensatorkapazität bestimmt.
ίο Die vorstehende Darlegung hat sich auf einen pnp-Flächentransistor beschränkt. Sie gilt selbstverständlich auch für einen npn-Transistor mit umgekehrter Leitfähigkeit oder auch für den Fall der Vertauschung von Emitter und Kollektor. Man kann außerdem den Basiswiderstand R1 nur als Widerstand der die Basis des Transistors bildenden Halbleiterschicht ansehen oder einen äußeren, an den Transistor angeschlossenen Widerstand verwenden. Durch Veränderung des äußeren Widerstandes ist demnach eine Veränderung der Impulskennlinien möglich.
A b b. 5 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung;
A b b. 6 a ist ein Diagramm des Verlaufes der Stromimpulse;
Abb. 6b ist ein Diagramm des Verlaufes der Klemmenspannung am Kondensator.
Ein pnp-Flächentransistor T1 ist hier an der Emitterseite mit einem Sägezahngenerator und auf der Kollektorseite mit einem Kondensator C0 verbunden. Zwischen den Klemmen 1 und 2 wird eine sägezahnförmige Kippspannung angelegt. Wenn beispielsweise eine Spannung mit einem Scheitelwert von 92 V mit der Länge von 10 //see eines Sägezahnimpulses und einer Pulsfrequenz von 90 Hz angelegt wird, so erzeugt der Strom / ständig Impulse, wie sie in A b b. 6 a wiedergegeben sind. Gleichzeitig zeigt die Spannung F2 einen treppenförmigen Verlauf — wie in Abb. 6b wiedergegeben— bei hohem Innenwiderstand.
Die Widerstände Rv und Rs in A b b. 5 entsprechen R2 bzw. R1 in A b b. 2.
Bei der" Schaltung in Abb. 5 können bei entsprechender Änderung von Rs, Rv, C0, des Scheitelwertes und der Dauer des Steuerimpulses, Breite, Zeitabstände, Zahl und Scheitelwert der Stromimpulse sowie Anzahl, Anstiegszeit, Spannung und Intervalle der treppenförmigen Impulse geändert werden.
Wie oben dargelegt, besteht ein erfindungsgemäßes Merkmal darin, daß bei Anlegen einer Kippspannung an einen Lawinentransistor ein oder mehrere Nadelimpulse und treppenförmige Impulse erzeugt werden können. Die Grundschaltung zur Erzeugung von Impulsen unter Verwendung eines einzigen Transistors wurde vorstehend beschrieben. Es sind aber auch Anwendungen mit Hilfe einer zweckmäßigen Kombination einer Vielzahl derartiger Grundschaltungen möglich.
Die erfindungsgemäßen Impulsschaltungen sind beispielsweise zur Erzeugung einer treppenförmigen Spannung oder für Impulsmodulationsschaltungen verwendbar; außerdem sind sie zur Umsetzung einer Spannung in einen Digitalcode nutzbar.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Impulserzeugerschaltung unter Verwendung eines Lawinentransistors, dadurch gekenn-
zeichnet, daß Emitter und Basis eines einzigen Transistors, dessen Grenzschichtenberührungsspannung kleiner als die Lawinendurchbruchsspannung für die Kollektorgrenzschicht ist, mittels eines Kondensators verbunden sind und daß am Kollektor eine zeitlich zunehmende Steuerspannung liegt.
2. Impulserzeugerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Emitter und Kollektor vertauscht sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Electronic Technology«, Oktober 1961, S. 348 bis 356.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 687/402 9.65 © Bundesdruckerei Berlin
DEN24877A 1963-04-25 1964-04-25 Impulserzeuger Pending DE1200872B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2105563 1963-04-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1200872B true DE1200872B (de) 1965-09-16

Family

ID=12044209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN24877A Pending DE1200872B (de) 1963-04-25 1964-04-25 Impulserzeuger

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3315097A (de)
CH (1) CH420261A (de)
DE (1) DE1200872B (de)
GB (1) GB1058708A (de)
NL (1) NL6404112A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1292082A (en) * 1969-09-17 1972-10-11 Matsushita Electric Industrial Co Ltd High-speed pulse delaying circuit

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL224962A (de) * 1958-02-15
US3173020A (en) * 1960-06-23 1965-03-09 Robert B Seeds Devices for producing voltage pulses
US3150271A (en) * 1960-10-06 1964-09-22 Gen Dynamics Corp Transistor pump circuit with time constant multiplier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
CH420261A (de) 1966-09-15
NL6404112A (de) 1964-10-26
GB1058708A (en) 1967-02-15
US3315097A (en) 1967-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1136371B (de) Elektronische Speicherschaltung
DE2514462B2 (de) Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines Spannungspegels
DE2529124B2 (de) Lichtbetaetigte halbleiter-schaltvorrichtung
DE3237141C1 (de) Steuervorrichtung für einen Schalttransistor
DE2037023C3 (de) Seriell arbeitende, digitale Speicheranordnung
DE1076175B (de) Bistabiler Schalter mit einem Transistor, der einen flachen Koerper aus halbleitendem Material mit einer oder mehreren sperr-freien und sperrenden Elektroden aufweist
DE1512544A1 (de) Laufzeit-Impulsgenerator
DE1925827C3 (de) Schaltungsanordnung zur Formung von Impulsen extrem hoher Flankensteilheit
DE1763492B2 (de) Regeleinrichtung zur Regelung des einer Last von einer Gleichstromquelle zugeführten mittleren Stroms
DE2606304A1 (de) Treiberschaltung zur steuerung der leitfaehigkeit eines halbleiterbauelements
DE1200872B (de) Impulserzeuger
DE1240551B (de) Impulsgenerator zur Erzeugung extrem steilflankiger Impulse mit Speicherschaltdioden
DE2149038C2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Betrieb des Halbleiterbauelements
DE1021022B (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen mit einer Doppelbasisdiode
DE1029872B (de) Fremdgesteuerte Transistorkippschaltung mit kurzer Abfallzeit
DE2415629C3 (de) Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhängigen Blockieren eines Stromzweiges
DE1220888B (de) Saegezahnspannungsoszillator mit Photowiderstand
DE1227937B (de) Schaltungsanordnung zur Realisierung logischer Funktionen
DE1131269B (de) Bistabile Kippschaltung
DE2539233C3 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung impulsförmiger Schaltspannungen
DE1039564B (de) Bistabile Transistor-Schaltung mit Transistoren, welche die Eigenschaften gittergesteuerter Gasentladungsroehren aufweisen
DE2953403C2 (de) Hochleistungs-Schalter unter Verwendung eines torgesteuerten Diodenschalters
DE1035695B (de) Kippschaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen mit sehr steil ansteigenden Vorderflanken
DE2004229A1 (de) Impulsgenerator
AT213961B (de) Elektrische Gedächtnisschaltung mit mindestens einem tiefgeätzten Transistor