DE1035695B

DE1035695B - Kippschaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen mit sehr steil ansteigenden Vorderflanken

Info

Publication number: DE1035695B
Application number: DEN12393A
Authority: DE
Inventors: Eric Wolfendale
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1955-06-27
Filing date: 1956-06-23
Publication date: 1958-08-07
Also published as: FR1167935A; JPS359373B1; GB809115A; BE549038A; US3049677A; GB809116A

Description

DEUTSCHES

Die Erfindung bezieht sich auf eine Kippschaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen mit sehr steil ansteigenden Vorderflanken mittels eines Grenzschichttransistors mit Emitter-, Basis- und Kollektorelektroden, welche Kippschaltung monostabil, bistabil oder astabil 5 sein kann.

Aus Untersuchungen an Grenzschichttransistoren ergibt es sich, daß deren Kollektorstrom-Kollektorspannungskennlinien unter bestimmten Bedingungen Spannungsumkehrpunkte aufweisen, bei denen der Kollektorstrom schnell zunehmen kann. Diese Erscheinung wird in der Kollektorstrom-Kollektorspannungs-(I_C-F_c)-Kennlinie nach Fig. 1 der Zeichnung zum Ausdruck gebracht.

Von diesen Spannungen bezeichnet Vz die bekannte Kollektor-Basis-Umkehrspannung, bei welcher der bei ausgeschaltetem Emitter (J _e = 0) zwischen den Kollektor- und Basiselektroden fließende Strom schnell zunimmt. Diese Spannung wurde längere Zeit als »Zener«-Spannung bezeichnet und die Umkehrung der Kennlinie dem sogenannten »Zener<?-Effekt zugeschrieben.

Die Umkehrspannung Vb ist die sogenannte »Lawinen*- Spannung. Sowohl für Vz als auch für Vb ist der Emitterstrom gleich Null. (L _e = 0). Die F^-Kennlinie ergibt sich dadurch, daß jedes Elektron oder jedes Loch, das in das Erschöpfungsgebiet zwischen der Basis und dem Kollektor hineindringt durch das in diesem Gebiet wirksame elektrische Feld beschleunigt wird, eventuell gegen einen Kern stößt und ein aus einem Elektron und einem Loch bestehendes Paar erzeugen kann, welche Paare ebenfalls beschleunigt werden und weitere aus Elektronen und Löchern bestehende Paare erzeugen können. Auf diese Weise tritt eine Vervielfachung der Ladungsträger um einen

Kippschaltungsanordnung

zur Erzeugung von Impulsen mit sehr

steil ansteigenden Vorderflanken

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dipl.-Ing. K. Lengner, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 27. Juni und 5. Juli 1955

Eric Wolfendale,

Smallfield, Horley, Surrey (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden

Wenn α dem Wert 1 nahekommt, nähert sich

α =

1—α

Faktor M — —

lmi

dem Werte Unendlich, wie im Diagramm der Fig. 2 der Zeichnung angegeben. Da bekanntlich I₀ gleich (cc' + 1) /_co ist, nähert sich I₀ gemeinsam mit α' dem Werte Unendlich, und die Umkehrspannung V_x tritt auf, wenn α den Wert 1 erreicht.

Es ist bereits vorgeschlagen worden, einen Grenzschichttransistor im Gebiet zwischen den V_x- und Vb- oder Fz-Kennlinien zu verwenden, wo infolge der Vervielfachung der Ladungsträger in der Erschöpfungszone die

auf, wobei F_c die wirkliche Kollektorspannung und η 4° Stromverstärkung α des Transistors den Wert 1 übereine Konstante bezeichnen, die z. B. im Falle eines schreitet und der Transistor, aus diesem Standpunkt bepnp-Grenzschichttransistors und bei der üblichen Strom- trachtet, sich ähnlich wie ein Spitzenkontakttransistor dichte etwa gleich 3 ist. verhält. Wenn man unter diesen Bedingungen eine Impe-

In jedem Transistor hat entweder Vz oder Vb den danz ausreichenden Wertes zwischen der Basis und dem niedrigeren Wert, je nach dem Widerstand des Basis- 45 Emitter eines Grenzschichttransistors schaltet und eine materials. Daher tritt in der Praxis nur die Umkehr- Vorspannung gleich Vb oder Vz in der Sperrichtung spannung mit dem niedrigeren Werte auf, während die zwischen dem Kollektor und dem Emitter über eine Stromvervielfachung um den Faktor M in allen Fällen Belastungsimpedanz anlegt, erzeugt der infolge dieser auftritt. Spannung entstandene Basisstrom eine Vorwärtsvor-

Eine dritte Umkehrspannung V_x tritt bei geöffnetem 50 spannung über der Basis-Emitterimpedanz, welche

Basiskreis (Basisstrom I_b = 0) auf, weil der Emitterstrom im Erschöpfungsgebiet um den Faktor M vervielfacht wird, so daß α mit zunehmender Kollektorspannung zunimmt.

Spannung eine etwaige, ursprüngliche Rückwärtsvorspannung schließlich überwindet, so daß ein Emitterstrom zu fließen anfängt. Da der Emitter-Kollektor-StromT Multiplikationsfaktor α im betreffenden Gebiet 1. übeiy

»09 580/219

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schreitet unddadieBasis-Emitter-Impedanzinfolgedessen Es hat sich ergeben, daß die Zunahme des Kollektoreine regenerative Wirkung hat, nimmt dieser Emitter- stroms längs der Vp- und FjF-Kennlinien sich bedeutend strom zu, bis die Kollektor-Emitter-Spannung auf den schneller vollzieht als längs irgendeiner bekannten Um-Wert der Umkehrspannung V_x des Transistors gesunken kehrkennlinie und daß das zwischen der Kollektor- und ist, wobei α wieder kleiner als 1 oder gleich 1 wird. 5 der Basiselektrode vorherrschende Feld den Kollektor-

Bei dynamischer Wirkung kann infolge Anhäufung von strom nicht mehr beeinflußt, sobald die Spannung V_P erLadungsträgern im Transistor ein größerer Spannungs- reicht wird und der Kollektorstrom schroff anzusteigen abfall über der im Kollektorkreis eingeschalteten Belastung anfängt, wobei der Kollektorstrom und die Kollektorerzielt werden; dies läßt sich mittels eines Kondensators spannung des Transistors sich praktisch auf eine Weise durchführen, der zwischen dem Kollektor und dem Emitter i° ändern, die sich mit der Änderung des Anodenstroms und des Transistors angebracht ist. Man braucht jedoch einen der Anodenspannung einer Gasentladungsröhre vergroßen Kondensator von einigen Tausend pF zum Er- gleichen läßt, nachdem diese Röhre gezündet hat.
zielen eines Spannungsabfalles bis zu nahezu der Kollektor- Da die statische FjF-Kennlinie sich bei hoher Strom-Emitter-Spannung 0; dieser Kondensator beschränkt intensität bis zu niedrigen Spannungswerten erstreckt also die Betriebsfrequenz, z. B. die Wiederholungs- *5 und da infolge einer Raumladung oder einer Anhäufung frequenz der von der Schaltung erzeugten Impulse. von Ladungsträgern die dynamische FV-Kennlinie sich

Außerdem ist der unvermeidliche, den Kollektor-Basis- praktisch sogar bis zu Spannungswerten Null erstreckt, Diodenteil eines Grenzschichttransistors durchfließende kann ein Transistor mit weniger Gefahr einer Vernichtung Ableitungsstrom (Ze₀) und die Vb- oder Fz-Umkehr- infolge Überlastung oder übermäßiger Verluste auf der spannung von der Temperatur abhängig. Die F₂-Um- ao erwähnten Kennlinie betrieben werden,
kehrspannung ist auch von der Temperatur abhängig, da Die Fjy-Durchschlagskennlinie entspricht einer konder Emitter-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor α der stauten Basis-Emitter-Vorspannung und es hat sich gebekannten Grenzschichttransistoren von der Temperatur zeigt, daß, wenn eine Impedanz in den Basis-Emitter-Kreis abhängt. Die Durchschlagskennlinie mit negativem eingefügt wird und einen bestimmten Wert überschreitet, Widerstand, auf welcher eine Grenzschichttransistor- 25 der zunehmende, zwischen der Kollektor- und der Basisschaltung zwischen der Vb- oder Vz- und F^-Umkehr- elektrode fließende Strom eine Vorwärtsvorspannung Spannungen betrieben werden kann, hängt noch mehr von liefern kann, welche die etwaige Rückwärtsvorspannung der Temperatur ab, da die Form und die Lage dieser überwindet, so daß die Fnr-Durchschlagskennlinie bei Kennlinie von dem Verstärkungsfaktor α des Kollektor- einem niedrigeren Wert des Kollektorstroms anfängt Basis-Ableitungsstromes (Jc₀) und von dem Wert der 30 und/oder sich weiter oder schneller bis zu dem Gebiet Impedanz zwischen der Basis und dem Emitter abhängt. kleiner Kollektor-Emitter-Spannung erstreckt. In diesem Das endgültige Ergebnis des Zusatzes einer zwischen der Falle tritt der Durchschlag längs einer Kennlinie höheren Emitter- und der Basiselektrode verbundenen Impedanz negativen Widerstands auf, welche Kennlinie einen Satz ist somit auch im Idealfall einer von der Temperatur von F^-Kurven schneidet, die alle von derselben Vpunabhängigen Impedanz eine kombinierte, sich aus ver- 35 Kurve ausgehen, jedoch bei verschiedenen Kollektorschiedenen Ursachen ergebende Temperaturabhängigkeit. stromwerten die je einer gesonderten Basis-Emitter-Vor-

Die Erfindung bezweckt, die Wirkung einer Schaltungs- spannung entsprechen.

anordnung der vorerwähnten Art praktisch unabhängig Der wesentliche Zweck der Erfindung ist der, die vor-

von der Temperatur zu machen und zu verbessern. stehend geschilderten Durchstich- und Durchschlags-

Der Erfindung liegt die Tatsache zugrunde, daß, wenn 40 kennlinien zu benutzen, um mittels eines Grenzschichtdie Basisschicht des Transistors eine verhältnismäßig ge- transistors Spannungsänderungen mit einer sehr steil anringe Dicke und/oder eine verhältnismäßig geringe Leit- steigenden Vorderflanke zu erzeugen, ohne daß der Tranfähigkeit besitzt, was z. B. bei Hochfrequenztransistoren sistor vernichtet oder beschädigt wird,
der Fall ist, eine zusätzliche Umkehrung bei einer Bei einer Kippschaltungsanordnung zur Erzeugung Spannung zwischen V_x und Vb oder Vz (je nachdem 45 von Impulsen mit einer sehr steil ansteigenden Vorderweiche den niedrigeren Wert aufweist) auftritt, wenn flanke mittels eines Grenzschichttransistors wird dies erder Emitterbasiskreis des Transistors geschlossen ist und reicht, wenn sie gemäß der Erfindung die Reihenschaltung das Feld zwischen der Basis- und der Kollektorelektrode einer Kollektor-Belastungsimpedanz und der parallel gedie plötzliche Zunahme des Kollektorstroms bei der schalteten Kollektor-Basis- und Kollektor-Emitter-Strekdritten, niedrigsten Umkehrspannung V_x verhütet. 5° ken des Transistors enthält, wobei der Kreis der Basis-Weder eine Impedanz, noch eine Rückwärtsvorspannung elektrode des Transistors Strom führt und unmittelbar zwischen der Basis und dem Emitter sind erforderlich, zur Emitterelektrode zurückgeführt wird und zwischen um das Auftreten dieser zusätzlichen Umkehrung zu der Kollektorelektrode und den Basis- und Emittersichern. Es wird angenommen, daß die Kollektor- elektroden eine Rückwärtsspannung angelegt ist, die erschöpfungszone sich über die Basis bis zu dem Emitter 55 höher ist als der Wert, bei dem die Zunahme des Kollekerstreckt und daß eine sogenannte »Durchstichumkeh- torstromes des Transistors größer als die seines Emitterrung« (punch-through) auftritt. Man hat festgestellt, daß, stromes wird (α>1), welche Spannung jedoch niedriger wenn diese vierte Umkehrspannung oder Durchstich- ist als die Umkehrspannung des Transistors bei offenem spannung Vp wesentlich größer ist als V_x, der Verviel- Emitterkreis (I_e = 0), und wobei die Basisschicht des fachungsfaktor M erheblich größer als 1 ist, und der 60 Transistors eine so geringe Dicke und/oder geringe Leit-Kollektorstrom I₀ sehr schroff bis zu einem Gebiet sehr fähigkeit hat, daß das Anlegen der Rückwärtsspannung hoher Stromintensität zunimmt und die Umkehrkenn- über die Kollektor-Basis- und Kollektor-Emitter-Strecken linien Vp der Fig. 3 der Zeichnung mit einer bisher un- eine Stromleitung einleitet, die aufrechterhalten wird, bis bekannten Durchschlagskennlinie Vw fortgesetzt wird, die Kollektor-Emitter-Spannung auf einen Wert geauf welcher der Kollektor-Emitter- und -Basis-Weg des 65 sunken ist, der erheblich niedriger ist als der kennzeich-Transistors einen erheblichen negativen Widerstand auf- nende Umkehrwert (V_x) bei Basisstrom Null,
weist. Diese statische Durchschlagskennlinie erstreckt Der wesentliche Vorteil einer solchen Kippschaltungssich bis zu einem Spannungswert, der niedriger ist als anordnung besteht in der bisher unbekannten Geschwinder der Umkehrspannung V_x mit offenem Basiskreis digkeit der Zunahme des Kollektorstroms und in der (Jb = 0). 70 Tatsache, daß die Umkehrspannung Vp durch die innere

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Feldkonfiguration zwischen der Kollektor- und der Die Kapazität C, die nur aus der Innenkapazität oder

Emitterelektrode des Transistors bedingt wird, so daß aus dieser Kapazität samt einer äußeren Kapazität beer nahezu unabhängig von der inneren und von der um- stehen kann, wird bis auf E_c geladen, bis ein Durchstich gebenden Temperatur und von anderen Betriebsver- bei einer kritischen Spannung gleich Vp auftritt. Der

hältnissen ist. Die erwähnte Spannung kann jedoch S Kollektorstrom nimmt dann bis in das Gebiet Vw zu,

Änderungen infolge der Wirkung von Korpuskular- wie an Hand der Fig. 3 beschrieben, wobei der erhöhte

Strahlungen unterliegen. Strom dem Kondensator entnommen wird. Die Kapazi-

Gegebenenfalls erzielbare weitere Vorteile bestehen tat C entlädt sich somit schnell durch den Transistor,

darin, daß die Schaltung mit einer nahezu unmittelbaren während die Spannung V₀ am Transistor bis zu einer V_x

oder sogar mit einer inneren Verbindung zwischen der io wesentlich unterschreitenden Spannung oder bis zu

Basis- und der Emitterelektrode und/oder ohne nennens- praktisch Null herabsinkt. Diese Entladung sperrt den

werte Außenkapazität zwischen der Kollektor- und der Transistor, worauf die Spannung V₀ über dem Transistor

Emitterelektrode betrieben werden kann. Da die wieder zunimmt und der Arbeitszyklus sich wiederholt.

Spannungszunahme sich außerordentlich schnell voll- Die Schaltungsanordnung nach Fig. 4 kann unter

zieht, genügt eine erheblich kleinere Anhäufung von 15 anderem als Grundlage für Impulserzeugungs- oder

Ladungsträgern, um eine Verringerung der Kollektor- impulsformende Schaltungen, für dynamisch bistabilen

Emitter- und Kollektor-Basis-Spannung bis zu praktisch Schaltungen und für Impulsgeneratorkippschaltungen

Null zu erreichen. In der Praxis ist die Kapazität der verwendet werden, und es können Kippimpulse dem

äußeren Leitungen oder eine andere Kapazität gleicher Kollektor zugeführt werden.

Größe wie die innere Kollektor-Emitter-Kapazität des 20 Fig. 7 zeigt beispielsweise eine impulsformende Schal-Transistors, z. B. ein Kondensator von 15 pF genügend, tung, in der negative Eingangsimpulse mit einer verhältum die Verringerung der Kollektor-Emitter- und Kollek- nismäßig langsam ansteigenden Vorderflanke dem Eintor-Basis-Spannung bis zu einem Wert zu erreichen, der gangspunkt P zugeführt werden können, der mittels erheblich niedriger ist als der der niedrigsten Umkehr- eines Kondensators C₀ mit dem Kollektor gekoppelt ist, spannung V_x. 25 während die Ausgangsimpulse mit einer steil ansteigenden

Es kann jedoch vorteilhaft sein, eine Basis-Emitter- Vorderflanke einer Ausgangsklemme O entnommen wer-

impedanz und/oder eine Spannungsquelle zum Liefern den können, die mit dem Kollektor verbunden ist. Die

einer Rückwärts-Basis-Emitter-Vorspannung anzuwen- näherungsweise erzielte Wellenform der erwähnten Aus-

den, z. B. zur Steuerung auf der Basis mit Kippwirkung gangsimpulse ist bei der Ausgangsklemme angedeutet;

und/oder zur Basissynchronisierung der Schaltung. 30 der untere Teil entspricht den ursprünglichen Steuer-

An Hand der Fig. 4 bis 10 der Zeichnung werden nach- impulsen und der obere Teil zeigt die regenerierten Im-

stehend beispielsweise Ausführungsformen der Erfindung pulse, die eine verringerte Anstiegszeit haben. In dieser

näher erläutert. Schaltung ist das Potential E_c unterhalb der Durch-

Nach Fig. 4 enthält die Schaltungsanordnung einen stichspannung Vp gewählt, aber die Summe der Speise-

pnp-Transistor oder einen gleichwertigen Zweipol, in dem 35 spannung E_c und der Eingangsimpulsspannung über-

die konstante Basisvorspannung Null durch eine un- schreitet Vp.

mittelbare Verbindung zwischen der Basis und dem Fig. 8 zeigt eine weitere impulsformende Schaltung, die Emitter aufrechterhalten wird. Die Emitter-Kollektor- sich zur Steuerung mittels positiver Eingangsimpulse Strecke des Transistors oder des gleichwertigen Zweipols eignet. In dieser Schaltung werden die Eingangsimpulse in Reihe mit einer Belastung R_c ist mit einer Kollektor- 4° einer Eingangsklemme P zugeführt, die durch den Konspeisequelle mit einem Potential E_c verbunden. densator C_c mit dem Emitter gekoppelt ist, während die

Bei der Schaltungsanordnung nach Fig. 5 wird eine Ausgangsimpulse der annähernd angegebenen Form dem

anfängliche Basisvorspannung Null durch eine Verbin- Kollektor oder der Ausgangsklemme O entnommen

dung zwischen der Basis und dem Emitter aufrecht- werden. In dieser Schaltung ist der Emitter über einen

erhalten, welche Verbindung einen Widerstand Rb ent- 45 Gleichrichter D geerdet, wobei die konstante Vorspannung

hält, der eine regenerative Wirkung ausübt. kurzzeitig durch die Eingangsimpulse unterbrochen wird,

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 6 ist der nach die über dem Gleichrichter in Rückwärtsrichtung zuge-

Fig. 5 ähnlich, mit dem Unterschied, daß eine Vorspan- führt werden. Der Gleichrichter D ermöglicht also eine

nungsquelle E_b zum Liefern einer anfänglichen Rück- Steuerung am Emitter statt der in der Schaltung nach

wärtsvorspannung statt der anfänglichen Vorspannung 50 Fig. 7 verwendeten Steuerung am Kollektor. Anderer-

NuIl vorgesehen ist. seits kann die Schaltung nach Fig. 8 abgeändert werden,

In diesen Schaltungsanordnungen erzeugt der Tran- um eine Zweipolschaltung zu erhalten, die ohne Anwen-

sistor bei einem gewissen kritischen Wert der Speise- dung einer Impedanz im Basis-Emitter-Kreis am Emitter

spannung — E_c in an sich bekannter Weise Kipp- gesteuert werden kann,

schwingungen. 55 Es ist nur erforderlich, den Gleichrichter D aus dem

Die am Kollektor auftretende Spannung hat die Emitter-Basis-Kreis zu entfernen (so daß wieder eine

Form eines Sägezahns, und der Emitterstrom ist impuls- unmittelbare Verbindung nach Fig. 4 und 7 entsteht)

förmig. und ihn in die Verbindung zwischen diesem Kreis und

Eine verwendete Transistortype war ein experimen- Erde einzufügen.

teller Grenzschichttransistor für hohe Frequenzen mit 60 Fig. 9 zeigt eine weitere Ausführungsform der Schaleiner Sperrfrequenz von 8 MHz; die Dauer der ansteigen- tung nach Fig. 8, wobei eine Rückwärts-Basisspannung den Vorderflanke am Kollektor ergab sich als kleiner als + £& über einen Widerstand Rb der Basiselektrode zu-0,009 μβεΰ. Die Dauer des Emitterstromimpulses wurde geführt wird, wie dies in der Schaltung nach Fig. 6 der auf 0,004 μββο bei einer Amplitude von etwa 50 mA ab- Fall ist, während die Ausgangsimpulse dem Kollektor geschätzt. Die gemessene Schwingungsperiode war etwa 65 über einen Sperrkondensator C₀ entnommen werden, der 0,1 ,«see, und die Amplitude der Schwingung war etwa mit der Ausgangsklemme O verbunden ist.
gleich der Speisespannung —E_c. Fig. 10 zeigt einen Kippimpulsgenerator mit einer

Die Wirkungsgeschwindigkeit war mindestens zehnmal Schaltung nach Fig. 8 und einer Verzögerungsleitung, die

besser als die mit demselben Transistor in üblichen Reaktanzen Ll bis L 4 und Cl bis CZ enthält. Diese

Schaltungsanordnungen erzielbare Geschwindigkeit. 7° Verzögerungsleitung wird in S an ihrem entfernten Ende

kurzgeschlossen, um Impulse zu reflektieren und umzukehren, die ihr von dem Kollektor über einen Sperrkondensator C₀ zugeführt werden. Ein positiver Eingangsoder Anfangsimpuls am Emitter verursacht einen Durchschlag. Die positive Flanke des vom Kollektor herrührenden Impulses durchläuft die Verzögerungsleitung, wird am Kurzschluß S umgekehrt und kehrt zurück, um die Schaltung umzukippen, bis Durchschlag eintritt usw. Die Schaltung kann in eine dynamisch bistabile Schaltung umgewandelt werden, in dem ein Sperrdurchlaß vorgesehen wird, der die Impulsselbsterzeugung aufhören läßt.

In einer Abart der Schaltung nach Fig. 10 kann der Kurzschluß 5 durch einen Endwiderstand ersetzt werden, dessen Verbindungspunkt mit der Reaktanz L 4 kapazitativ mit dem Emitter rückgekoppelt ist.

Ähnlich wie im Falle der Fig. 8 kann der Gleichrichter D außerhalb der Emitter-Basis-Verbindung angebracht werden, so daß eine Zweipolschaltung entsteht.

Die Schaltungen der Fig. 7, 8 und 10 können auch mit einem Basiswiderstand R_b und/oder mit einer Quelle rückwärts gerichteter Anfangsvorspannung E_b gemäß den Schaltungen der Fig. 5, 6 und 9 versehen werden.

Die Transistoren, bei denen die neue F^-Durchschlagkennlinie festgestellt und die in den vorstehend geschilderten Schaltungen verwendet wurden, waren Germanium-Grenzschichttransistoren des pnp-Typs für hohe Frequenzen mit einer Basisdicke von einigen Mikrons, vorzugsweise zwischen 4 und 8 μ, und einem spezifischen Widerstand des Basismaterials zwischen 0,5 und 10 Ohm · cm, vorzugsweise zwischen 0,6 und 1 Ohm · cm.

Die Innenkapazität des Kollektors eines geeigneten Typs solcher Transistoren betrug etwa 15 pF bei einem Spannungsunterschied von 3 V zwischen Kollektor und Basis.

Claims

35 Patentansprüche

1. Kippschaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen mit einer sehr steil ansteigenden Vorderflanke mittels eines Grenzschichttransistors mit Emitter-, Basis- und Kollektorelektroden, dadurch gekennzeichnet, daß sie die Reihenschaltung einer Kollektor-Belastungsimpedanz und der parallel geschalteten Kollektor-Basis- und Kollektor-Emitter-Strecken des Transistors enthält, wobei der Kreis der Basiselektrode des Transistors Strom führt und unmittelbar zur Emitterelektrode zurückgeführt wird, und daß zwischen der Kollektorelektrode undden Basis- und Emitterelektroden eine Rückwärtsspannung angelegt ist, die höher ist als der Wert, bei dem die Zunahme des Kollektorstromes des Transistors größer als die seines Emitterstromes wird (α>1), welche Spannung jedoch niedriger ist als die Umkehrspannung des Transistors bei offenem Emitterkreis (I „ = 0), und daß die Basisschicht des Transistors eine so geringe Dicke und/oder geringe Leitfähigkeit hat, daß das Anlegen der Rückwärtsspannung über die Kollektor-Basis- und Kollektor-Emitter-Strecken eine Stromleitung einleitet, die aufrechterhalten wird, bis die Kollektor-Emitter-Spannung auf einen Wert gesunken ist, der erheblich niedriger ist als der kennzeichnende Umkehrwert (V_x) bei Basisstrom Null.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Basis-Emitter-Kreis des betreffenden Transistors durch eine unmittelbare Gleichspannungsverbindung gebildet wird.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß weitere Vorspannungsmittel zwischen der Emitterelektrode und dem Basiskreis angebracht sind, welche die Basiselektrode in der Sperrichtung vorspannen.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,2 oder 3 für gesteuerte Kippwirkung, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsmittel eine Gleichspannungsquelle und darüber hinaus Steuermittel enthalten, um Impulse gleicher Polarität auf die Spannung der Gleichspannungsquelle zu überlagern.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuermittel eine mit der Emitterelektrode des Transistors gekoppelte Quelle von Steuerimpulsen gleicher Polarität wie die Gleichspannungsquelle und einen Gleichrichter enthalten, welcher zwischen der Emitterelektrode und dem Basiskreis in der in bezug auf die Steuerimpulse nicht leitenden Richtung angeschlossen ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen