DE1297652B

DE1297652B - Bildaufnahmeroehre mit einer Speicherplatte mit einer poroesen, Sekundaerelektronen emittierenden Schicht

Info

Publication number: DE1297652B
Application number: DEM77366A
Authority: DE
Inventors: Maeda Haruo
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1967-02-24
Filing date: 1968-02-23
Publication date: 1969-06-19
Also published as: NL6802530A; GB1174032A; FR1555164A; US3535574A

Description

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Die Erfindung betrifft eine Bildaufnahmeröhre mit zulegen. Dadurch wird eine weitere Verstärkung der einer Speicherplatte, die eine Sekundärelektronen - Sekundärölektronenemission ermöglicht; emittierende poröse Schicht auf einem metallischen Schließlich kauri die poröse Schicht vorteilhaft aus

Trägerfilm aufweist und die von der; Seite, dieses einzelnen Schichten photoleitfähigen Materials und Trägerfilms her durch einen Primärelektronen lie- 5 eines Materials mit einer hohen Sekundärelektronenfernden Hochgeschwindigkeits-Elektronenstrahl ab- emissionsrate aufgebaut sein. Die Erfahrung zeigt, tastbar ist. daß dabei die Sekundärelektronenemissionsverstär-

Derartige Anordnungen sind als Durchlaß-Sekun- kung beträchtlich erhöht wird, so daß man bei einer därelektronenvervielfacher für Emissionselektronen entsprechenden Ausrüstung eine Bildaufnahmeröhre bekannt. Die poröse Speicherschicht dient dabei io mit hoher photoelektrischer Empfindlichkeit erhält, lediglich als VervieJfaQhungssehieht für die durch- In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise vergelassenen Sekundärelektföngn. ujid soll jaus^r einem ; .' 'änschaulicht, und zwar zeigt

Material mit hoher Sekundäremission bestehen. Es Fig. 1 schematisch und im Schnitt den Aufbau

, werden dafür Alkalihalogenide, wie IiFj CsI,..KCI, einer erfindungsgemäßen Bildaufnahmeröhre mit NaCl, Metalloxyde, wie MgQ_1-AIaO₃, oder Fluoride, 15 Funktionserläuterung,

wie BaF₂ und MgF₂, verwendet. Derartige Mate- Fig. 2 in größerem Maßstab eine Ansicht der in

ralien erbringen zwar den gewünschten Sekundär- F i g. 1 gezeigten Speicherplatte, elektronenvervielfachungseffekt, ermöglichen jedoch Fig. 3a und 3b in größerem Maßstab den Auf-

keine Verwendung der bekannten Anordnung für bau einer TSEM-Speicherplatte für die erfindungseine Bildaufnahmeröhre, da eine Lichtempfindlich- 20 gemäße Bildaufnahmeröhre,

keit nicht gegeben ist. F i g. 4 teilweise im Schnitt eine perspektivische

Es sind aber auch bereits Bildaufnahmeröhren mit Ansicht der Vorrichtung nach F i g. 3 bei Elek-Speicherelektroden aus einer photoleitenden porösen tronenvervielfachung,

Schicht bekannt. Bei diesen bekannten Anordnungen F i g. 5 im Schnitt eine Ansicht einer photoleit-

handelt es sich um photoleitfähige Platten für als 25 fähigen TSEM-Speicherplatte mit einer aus zwei »Vidikon« bezeichnete Bildaufnahmeröhren. Auch verschiedenen Materialien bestehenden Mischschicht Verfahren zum Herstellen einer solchen photoleit- und

fähigen·''Platte sind bereits bekannt. Bei der bekann- Fig. 6 im Querschnitt eine'Ansicht einer porösen

ten photoleitfähigen Platte wird das Bildsignal da- TSEM-Speicherplatte nach einer anderen Ausfühdurch abgenommen, daß man den abtastenden Elek- 30 rungsform der Erfindung.

tronensirahl durch eine Öberflächenladung steuert, Fig. 1 zeigt eine Speieherplatte 1 mit photo-

die durch das auf die poröse Speicherplatte fallende empfindlicher Oberfläche. Diese besteht aus einer Licht erzeugt ist. . . erfindungsgemäßen photoleitfähigen Schicht geringer

Erfindüngsgemäß soll nun eine nach einem ganz Dichte. Ein Elektronenstrahlerzeuger 2 richtet einen neuartigen Prinzip arbeitende -Bildaufnahmeröhre 35 Elektronenstrahl einer Energie von einigen Kilovolt verfügbar gemacht werden. Dabei soll eine Verviel- auf die Speicherplatte 1, die ein hohes Auflösungsfachung der Hochgeschwindigkeitselektronen des ab- vermögen aufweist. Von der Vorderseite der Röhre tastenden Elektronenstrahls durch Sekundärelek- her wird auf die Speicherplatte" ein Bild geworfen, tronenemission beim Durchlauf durch eine poröse Die inneren Oberflächen sind mit einer durchsichtiphotoleitfähige Schicht erzielt werden, wobei zum 40 gen, leitfähigkeitsbehandelten Oberflächenschicht Steuern eine Veränderung der Leitfähigkeit der oder einer NESA-Schicht 3 beschichtet. Eine elekphotoleitfähigen Schicht in Abhängigkeit vom einf al- tromagnetische Linse 4 dient zum Fokussieren des lenden Licht benutzt wird. Elektronenstrahls 5 hoher Energie, der vom Elektro-

Dieses Ziel wird erfindungsgemäß dadurch er- nenstrahlerzeuger 2 ausgeht. Das Ganze ist in einen reicht, daß eine poröse Schicht verwendet wird, die 45 Glaskolben 6 eingeschlossen. Mit Hilfe einer optischen photoleitfähig ist und überdies zum Anheben der Linse 7 oder eines Linsensystems wird das auf-Sekundärelektronenemission und des Dunkelwider- zunehmende Bild auf der Speicherplatte 1 abgebildet. Standes der Alkalihalogenide oder Metalloxyde ent- Während des Normalbetriebs ist die Speicherplatte 1 hält. . geerdet, während der Elektronenstrahlerzeuger 2 auf

Dadurch wird eine Erhöhung der Sekundärelek- 50' ein hohes negatives Potential gebracht wird. Der enttronenemission erreicht, was zu einer angehobenen stehende Elektronenstrahl 5 hoher Energie prallt auf Ausgangsenergie und damit zu verbesserter Emp- die Speicherplatte 1 auf. An die NESA-Schicht 3 findlichkeit führt. Gleichzeitig ist die Feinzeichnung _ wird über einen Widerstand ein geeignetes Potential des Bildes verbessert, und man erhält bei der erfin- gelegt, das relativ zum Potential der Speicherplatte 1 dungsgemäßen Bildaufnahmeröhre auf Griirid des 55 positiv ist. Im folgenden soll iiün der Mechanismus beschriebenen Prinzips beim Rasterabtasten mit der empfindlichen photoelektrischen Konversion an einem Hochgeschwindigkeits-Elektronenstrahl eine der Speicherplatte 1 der Bildaufnahmeröhre erläutert hohe Bildauflösung. werden.

Gemäß einer Ausbildung der Erfindung kann die F i g. 2 zeigt, daß die Speicherplatte 1 aus einer

poröse Schicht auf einen Trägerfilm in Form eines 60 dünnen Metallschicht 8 und einer auf ihr abgelagerfeinen Metallgitters aufgebracht sein. Da der ab- ten porösen Schicht 9 besteht, die aus ziemlich feinen tastende Elektronenstrahl von der Seite des Träger- photoleitfähigen Teilchen besteht. Wird, wie das in films her auf die Speicherplatte auffällt, kann bei der Zeichnung gezeigt ist, von der Seite der Metalleiner derartigen Anordnung mit geringerer Elek- schicht 8 her ein hochenergetischer Elektronenstrahl tronenenergie gearbeitet werden, als sie bei einem 65 auf die Speicherplatte auffallen, so durchsetzt er die nicht durchbrochenen Trägerfilm erforderlich ist. Metallschicht und tritt in die poröse Isolationsschicht

Es ist weiter zweckmäßig, die poröse Schicht zum geringer Dichte ein, die beispielsweise durch Ablage-Teil in die Durchbrechungen des Metallgitters ein- rung von Isolatoren, wie KCL oder anderen Alkali-

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halogeniden od. dgl., auf der als Träger dienenden photoleitfähige TSEM-Speicherpiatte, bei der die

Metallschicht¹ hergestellt ist. ' ^y Verstärkung der Sekundärelefctroneneroission durch

In der Isolationsschicht wird der Elektronenstrahl Licht von außen gesteuert werden kann. Man benutzt

vielfach reflektiert und erzeugt in geometrischer Ver- dazu an Stelle des hier oben in seiner Funktion der vielfachung Sekundärelektronen. Diese werden in JS TSEM beschriebenen Isolatoirriaterials ein photoleit-

großer Zahl'nach ' rückwärts emittiert. Diese Er- fähiges Material mit hohem Dunkelwiderstand. Mit

scheinüng ist als Übe'rtragungs-Sekundärelektronen- einer derartigen.TSEM-SpeicherpiatteJkann die Vor-

vervielfäehung bekannt und wird im folgenden als richtung als Bildaufnahmeröhre verwendet werden.

TSEM bezeichnet (transmission secondary electron Die photoleitfähige poröse Schicht 9 besteht also

multiplication). ■ ,. ίο aus dnemphotoleitfähigem; Material mit hohem

Die erfinduhgsgemäße -neuartige Bildaufnahme- Dunkelwiderstand. . Die NESA-Schicht 3"* (SnO₂-röhre benutzt also als; photoleitfähiges Material ein Sehicht)_y die auf die innere. Oberfläche des Einfall-Material, daß diese- TSEM zeigt. Die Vervielfachung fensters aufgebracht ist, stellt, eiiiei Kollektorelektrode der Sekundärelektronen wird durch Licht von außen dar-und fängt übertragene Sekvmdärelektronen ein, gesteuert. Die TSEM beruht auf geometrischer Ver- 15 die aus dem VervielfachuEgsvargang stammen und vielfachung von Sekundärelektronen bei Einfall eines von der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht 9 Primärelektröns in die oben beschriebene poröse geringer. Dichte emittiert werden. Ein geeignetes Isolationsschicht geringer Dichte. Eine photoelek- positives Potential ist angelegt! "H - ; ■■■
trische Empfindlichkeit ist damit nicht verbunden, Ein aufzunehmendes Bild ifKwird auf die Ober- und der Effekt wurde auch noch nicht als photoelek- ao fläche· der photoleitfähigen Schicht 9 geringer Dichte irischer Umwandlungseffekt benutzt. Erfindungs- geworfen, und zwar über'die optische Linse? und gemäß wird also die Steüerwirkung des Lichtes von durch den Glaskolben^ sowie die transparente leitaußen mit der TSEM eines photoleitfähigen Körpers fähige NESA-Schicht3 hindurch.„: -;
kombiniert. Man benutzt dazu an Stelle des her- Die photoleitfähige Schicht geringer Dichte hat kömmlichen Isolationsmaterials geringer Dichte eine as eine Dicke von 20 bis 40 μϊ Wegen; ihrer geringen photoleitfähige poröse Schicht geringer Dichte, die Dichte dringt einfallendes,Licht in ihr Inneres ein, einen hohen Photoleitfähigkeitswiderstand aufweist und man erhält eine Photoleitfähigkeit, die der Menge und zugleich einen sehr kleinen Dunkelstrom. Mate- einfallenden Lichtes entspricht ■>.:'.
rialien dafür sind beispielsweise CdS, CdSe, Sb₂S₃ Richtet man den ■Hochgeschwindigkeits-Elektronenusw. Die TSEM eines gewöhnlichen porösen Isolators 30 strahl 5 durch die Metallschicht 8 auf die;photoleitschließt mehrere Effekte in sich: So wird zunächst fähige Schicht geringer Dichte, so werden dort, wo eine große Anzahl positiver Ladungen auf den der Elektronenstrahl auftrifft, auf: Grund der TSEM Isolatoroberflächen innerhalb der porösen Isolations- unter Vervielfachung Sekundätelektronen erzeugt, schicht auf der rechten Seite der in Fig. 2 links die am gegenüberliegenden: Kollektor in einen liegenden Metallschicht zurückgelassen, und zwar auf 35 Kollektorstrom umgesetzt werden. V : Grund der geometrischen Zunahme der Sekundär- Oben wurde schon beschrieben, daß die Verstärelektronen bei Auftreten der Vervielfachung dieser kung bei Photoleitfähigkeits-TSEM entsprechend Sekundärelektronen. Weiter erzeugen nun diese posi- dem elektrischen Widerstand der photoleitfähigen tiven Ladungen ein beschleunigendes elektrisches Schicht auf Grund der Wirkung der bei der Sekun-FeId und tragen so ihrerseits zur Erzeugung von 40 därelektronenemission zurückgelassenen positiven Sekundärelektronen bei. Werden die auf diese Weise Ladung absinkt. Auf diese Weise wird der Ausgangserzeugten Sekundärelektronen von der porösen strom der Sekundäreiektfonen umgekehrt propör-Isolationsschicht geringer Dichte nach rechts hin tional zur Lichtintensität des auf die Oberfläche der emittiert, so bleiben auf der Oberfläche dieser Schicht photoleitfähigen Schiebt geringer Dichte projezierten positive Ladungen zurück, die der Anzahl der emit- 45 Bildes. Wird also die photoleitfähige Schicht 9 getierten Sekundärelektronen entspricht. Diese Ladun- ringer Dichte, deren Photoleitfähigkeit dem durch gen behindern die Emission von Sekundärelektronen die NESA-Schicht 3 einfallenden Licht eines Bildes von der Oberfläche. Wird also an eine Kollektor- entspricht, durch den primären Elektronenstrahls elektrode (an die NESA-Schicht3) ein geeignetes abgetastet, was beispielsweise mit dem in Fig. 1 positives Potential gelegt, so daß die emittierten 50 gezeigten System durchgeführt werden kann, und ist Sekundärelektronen eingefangen werden, so wird das ein geeignetes positives Potential an die als Kollektor-Oberflächenpotential der Isolationsschicht geringer elektrode arbeitende NESA-Schicht 3 gelegt, so kann Dichte gleich dem Potential der Kollektorelektrode, der den vervielfachten Übertragungssekündärelek- und es werden von der Oberfläche so lange fort- tronen und damit der Intensität des Bildes entsprelaufend Elektronen emittiert, bis ein Gleichgewicht 55 chende Strom über den an der Kollektorelektrode eintritt. Das gilt zumindest für gute Isolationseigen- vorgesehenen Lastwiderstand fließen. Es ist also schäften der Schicht. Quantitativ ist die Sekundär- mögliph, über einen Kondensator ein Bildsignal abelektronenemission von der Spannung, der Strom- zunehmen.

dichte im primären Elektronenstrahl 5, der auf die . Aus der bisherigen Beschreibung ist klar geworden,

Metallschicht der Speicherplatte auffällt, dem Mate- 60 daß die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einer

rial, dem Aufbau und der Dicke der Schicht 9 ge- photoleitfähigen porösen Schicht geringer Dichte

ringer Dichte, dem Abstand zwischen der Kollektor- arbeitet, deren Leitfähigkeit einem einfallenden Bild

elektrode (NESA-Schicht 3) und der Sekundärelek- entspricht, und daß die photoleitfähige Schicht durch

tronen emittierenden Oberfläche und dem Potential einen Elektronenstrahl hoher Energie abgetastet wird,

der Speicherplatte und der Elektrode abhängig. Die 6g wobei der Effekt der Übertragungs-Sekundärelek-

Verstärkung in einer solchen TSEM-Speicherplatte tronenvervielfachung durch das einfallende Licht

erzeugt einen Verstärkungsfaktor von einigen zehn gesteuert ist. Die Vorrichtung weist nicht nur ein

bis zu einigen hundert. Ziel der Erfindung ist eine hohes Auflösungsvermögen auf, sondern wegen

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der Übertragungs-Selmndärelektronenvervielfachung Fig. 3a gezeigten Aufbau. Erfolgt das Vakuumauch eine hohe Ausgangsleistung. aufdampfen von der den Film tragenden Seite her,

Weiter kann eine Speicherplatte niedriger Dichte so erhält man die Ausführungsform nach Fig.3b. mit schwammähnlichem Aufbau mühelos beispiels- Fig.4 zeigt, wie die Elektronen in einer photoweise dadurch hergestellt werden, daß man in unter 5 leitfähigen TSEM-Schicht vervielfacht und unter Niederdruck stehendem inerten Gas mit Aufdampfung Einfluß eines auf die gitterförmige Speicherplatte von arbeitet. Der Druck soll dabei unter einigen Milli- links her auffallenden primären Elektronenstrahls 11 meter Hg liegen. in emittierte Sekundärelektronen 12 umgesetzt

Es soll nun eine andere Ausführungsform einer werden.

photoleitfähigen TSEM-Speicherplatte für Bildauf- io. In einer photoleitfähigen TSEM-Speicherplatte nahmeröhren beschrieben werden. eines solchen Aufbaus wird eine Auflösung von

Die Speicherplatte 1 kann beispielsweise aus einem einigen bis zu einigen zehn Linien pro Millimeter feinen Metallgitter 81 bestehen und aus einer darauf erreicht, wenn ein entsprechend feinmaschiges Metallabgelagerten schwammähnlichen porösen Schicht 9, gitter verwendet wird. Die Speicherplatte kann nicht die aus feinen Teilchen eines photoleitfähigen Mate- 15 nur für einfache Übertragungs-Sekundärelektronenrials. besteht Derartige Speicherplatten sind in den Vervielfachung (TSEM) benutzt werden, sondern Fig. 3a und 3b gezeigt. Bei der in Fig. 2 gezeigten auch für Bildaufnahmeröhren mit hoher Auflösung, photoleitfähigen TSEM-Speicherplatte besteht der Soll die Ausgangsempfindlichkeit einer derartigen

Träger der porösen Schicht geringer Dichte aus einer Bildaufnahmeröhre mit einer TSEM-Speicherplatte Metallschicht, beispielsweise einer dünnen Alumi- 20 angehoben werden, so wir der Vervielfachungseffekt niumschicht. Es muß deshalb ein Hochgeschwindig- der Übertragungselektronen in der photoleitfähigen keitselektronenstrahl von mindestens einigen Kilovolt porösen Schicht geringer Dichte zu einem Problem, benutzt werden, damit die Primärelektronen die als Zieht man die photoelektrische Empfindlichkeit nicht Träger dienende Metallschicht durchsetzen. in Betracht, so werden im allgemeinen KCL, andere

Vorzugsweise wird deshalb in den Ausführungs- 25 Alkalihalogenide oder als Isolatoren wirkende Meformen nach den Fig. 3a und 3b eine in Art eines talloxyde zum Herstellen der porösen Schicht für die feinen Metallgitters mit Löchern versehene Metall- Übertragungs-Sekundärelektronenvervielfachung beschicht als Trägerschicht an Stelle der Metallschicht nutzt, da die Sekundärelektronenemissionsrate δ verwendet. Es ist dann nicht nötig, den Primär- dieser Materialien etwa 5 bis 6 beträgt und damit elektronen eine so hohe Energie zu geben, daß sie 30 bemerkenswert hoch ist und weil sie gute Isolationseine ununterbrochene Metallschicht oder Träger- eigenschaften aufweisen. Andererseits kann die schicht durchsetzen können. Läßt man den Elek- TSEM-Speicherplatte aus den verschiedensten tronenstrahl 5 auf die photoleitfähige Schicht 9 ge- photoleitfähigen Materialien, wie CdS, bestehen, bei ringer Dichte durch das feine Metallgitter 81 auf- denen die Sekundärelektronenemissionsrate nicht so fallen, so werden auf Grund des TSEM-Effekts 35 hoch liegt, neben den Photoleitfähigkeitseigenschaf-Sekundärelektronen dort erzeugt, wo der Elektronen- ten aber ein Eigenwiderstand oder ein Dunkelwiderstrahl injiziert wird. Auf dem gegenüberliegenden stand vorhanden ist. Die Verstärkung bei der TSEM Kollektor werden diese Sekundärelektronen dann ist deshalb nicht ausreichend, wenn die TSEM-einen Kollektorstrom hervorrufen. Schicht nur aus solchen photoleitfähigen Materialien

Die erfindungsgemäße Bildaufnahmeröhre ist also 40 besteht. Der Sekundärelektronenvervielfachungsherkömmlichen Aufnahmeröhren darin vergleichbar, effekt muß deshalb verstärkt werden, und gleichzeitig daß als empfindliche Schicht eine photoleitfähige ist eine poröse TSEM-Schicht hoher Photoleitfähig-Schicht benutzt wird. Sie ist neuartig darin, daß zum keitsempfindlichkeit vorzusehen. Abtasten ein Elektronenstrahl von einigen 10 bis Dafür wird die schwammähnliche poröse Schicht

einigen 100 V als Primärelektronenstrahl für die Er- 45 unter Verwendung von Alkalihalogeniden, wie KCL, zeugung der Übertragungssekundärelektronen an der oder anderen Metalloxyden zusammen mit photoleitphotoleitfähigen TSEM-Speicherplatte benutzt wird. fähigen Materialien benutzt, um den Dunkelstrom Der Aufbau einer solchen Speicherplatte ist insbe- ebenso wie die Photoleitfähigkeit zu stärken und sondere in Art der Ausführungsformen von Fig. 3a gleichzeitig einen höheren Übertragungs-Sekundär- und 3 b möglich. Die Ausführungsformen nach diesen so elektronenvervielfachungsfaktor zu erzielen. Diese beiden Figuren ähneln einander. Die Gitterlöcher des beiden Materialien bilden eine Mischschicht in der Metallgitters 81 der Ausführungsform nach Fig. 3a porösen Schicht, wie das in Fig. 5 gezeigt ist. Dort sind jedoch nicht mit einem photoleitfähigen porösen ist wieder die als Träger dienende Metallschicht 8 Material niedriger Dichte gefüllt, was nach der Aus- zu erkennen, auf der die poröse Schicht aufgebracht führungsform von Fig. 3b der Fall ist. Das photo- 55 ist, die aus Metall, Halbleiter, einer Sorte Isolator leitfähige poröse und schwammartige Material ge- oder einer Kombination besteht. Schwarze Teilchen ringer Dichte wird in den Löchern des Metallgitters 92 sind Teilchen des die poröse Schicht bildenden durch eine dünne Collodionschicht festgelegt, die in photoleitfähigen Materials. Die Teilchen 93 sind einer Sauerstoffatmosphäre ausgebrannt werden kann. Alkalihalogenide, wie KCL, oder Metalloxyde oder Dafür kann beispielsweise Nitrozellulose verwendet 60 eine Mischung. Ein primärer Elektronenstrahl 11 werden. Man bringt diese auf eine Seite des Gitters wird durch eine hohe Beschleunigungsspannung geauf, lagert das photoleitfähige Material von einer der führt, so daß er die tragende Schicht durchsetzen beiden Seiten unter Inertgasatmosphäre, beispiels- kann und so zur Erzeugung von Übertragungs-Sekunweise unter Argon bei einem Druck von einigen därelektronen 12 führt. Die beschriebene schwammwenigen Millimeter Hg auf und brennt die Collodion- 65 ähnliche, poröse Schicht geringer Dichte, die aus schicht anschließend in Sauerstoff aus. Wird KCL einer Mischung von photoleitfähigem Material und auf dem Gitter von der Seite her abgelagert, das von Isolatoren, wie Alkalihalogeniden, besteht, kann keinen Collodionfilm aufweist, so erhält man den in durch gleichzeitige Vakuumablagerung dieser beiden

Bestandteile in einem Vakuum von höchstens einigen Millimeter Hg oder in einer Inertgasatmosphäre, beispielsweise unter Argon, vorgenommen werden. Soll die Wirksamkeit der TSEM noch erhöht werden, so müssen die Verhältniszahlen des photoleitfähigen Materials zum Isolator, die Ablagerungsgeschwindigkeit der beiden, die Verfahren zum Aufbau der porösen Schicht, die nach der Ablagerung erfolgende Wärmebehandlung usw. geeignet gewählt werden.

Fig. 6 zeigt eine poröse TSEM-Speicherplatte nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Hier besteht die poröse Schicht aus einzelnen übereinanderliegenden Schichten von photoleitenden Teilchen 92 und isolierenden Teilchen 93. Die Anordnung ist durch abwechselndes Ablagern der beiden Materialien in einer Gasatmosphäre niedrigen Drucks erhalten worden.

In einer derartigen Speicherplatte ist die poröse Schicht geringer Dichte durch Mischen photoleitfähigen Materials mit Materialien hergestellt, die eine hohe Sekundärelektronenemissionsrate aufweisen, wobei eine schichtweise Verteilung benutzt wurde. In einer solchen Vorrichtung ist die Sekundärelektronenemissionsverstärkung beträchtlich erhöht, und man erhält eine erfindungsgemäße Bildauf- »5 nahmeröhre mit hoher photoelektrischer Empfindlichkeit.

Selbstverständlich kann auch bei Mischung eines photoleitfähigen Materials mit einem Material hoher Sekundärelektronenemissionsrate und bei schichtweiser Verteilung ein Tragteil in Form eines Metallgitters an Stelle der undurchbrochenen dünnen Metallschicht verwendet werden.

Claims

Patentansprüche:

1. Bildaufnahmeröhre mit einer Speicherplatte, die eine Sekundärelektronen emittierende poröse Schicht auf einem metallischen Trägerfilm aufweist und die von der Seite dieses Trägerfilms her durch einen Primärelektronen liefernden Hochgeschwindigkeits-Elektronenstrahl abtastbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die poröse Schicht (9) photoleitfähig ist und zum Anheben der Sekundärelektronenemission und des Dunkelwiderstandes Alkalihalogenide oder Metalloxyde enthält.

2. Bildaufnahmeröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die poröse Schicht (9) auf einen Trägerfilm (8) in Form eines feinen Metallgitters (81) aufgebracht ist.

3. Bildaufnahmeröhre nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die poröse Schicht (9) zum Teil (91) in Durchbrechungen des Metallgitters (81) eingelegt ist (F i g. 3 b).

4. Bildaufnahmeröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die poröse Schicht (9) aus einzelnen Schichten photoleitfähigen Materials (92) und eines Materials (93) mit einer hohen Sekundärelektronenemissionsrate aufgebaut ist (Fig. 6).

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 909 525/276