[go: up one dir, main page]

DE1295194B - Verfahren zur Herstellung von Tantal- und/oder Niobmetall durch Reduktion von Tantal- und/oder Niobpentachlorid mit Wasserstoff - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Tantal- und/oder Niobmetall durch Reduktion von Tantal- und/oder Niobpentachlorid mit Wasserstoff

Info

Publication number
DE1295194B
DE1295194B DEC28480A DEC0028480A DE1295194B DE 1295194 B DE1295194 B DE 1295194B DE C28480 A DEC28480 A DE C28480A DE C0028480 A DEC0028480 A DE C0028480A DE 1295194 B DE1295194 B DE 1295194B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tantalum
niobium
hydrogen
plasma jet
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DEC28480A
Other languages
English (en)
Inventor
Beguin
Dr Claude
Dr Klaus
Scheller
Schuett
Dr Walter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Novartis AG
Original Assignee
Ciba Geigy AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ciba Geigy AG filed Critical Ciba Geigy AG
Publication of DE1295194B publication Critical patent/DE1295194B/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00Obtaining refractory metals
    • C22B34/20Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • C22B34/24Obtaining niobium or tantalum
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B4/00Electrothermal treatment of ores or metallurgical products for obtaining metals or alloys
    • C22B4/005Electrothermal treatment of ores or metallurgical products for obtaining metals or alloys using plasma jets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/14Deposition of only one other metal element
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Description

1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel- menge pro Zeiteinheit verhältnismäßig große Chlorid-
lung von Tantal- und/oder Niobmetall durch Reduk- mengen in einem kontinuierlichen Verfahren redution von Tantal- und/oder Niobpentachlorid mit ziert.
Wasserstoff. Das Vorhandensein eines in feindispergierter Form
In der Physik der Gasentladungen versteht man 5 vorliegenden kondensierten festen Stoffes hat verunter einem Plasma ein teilweise oder vollständig schiedene Vorteile: Das im Gasstrom entstehende ionisiertes Gas. Besitzt das Plasma als Ganzes eine Metall kann mindestens teilweise auf den Partikeln gerichtete Geschwindigkeit, so spricht man von einer des feindispergierten Stoffes aufwachsen. Besteht der Plasmaströmung oder vom Plasmastrahl. Einen sol- dispergierte Stoff aus Tantal oder Niobpulver, so chen Plasmastrahl kann man z.B. erzeugen, indem io werden diese Teilchen durch Aufwachsen des gleichen man ein Gas durch einen elektischen Lichtbogen Metalls vergrößert, und man erhält praktisch reines bläst. Es lassen sich in dieser Weise Temperaturen Tantal oder Niob. Wenn Teilchen einer anderen von 20 000° C und mehr erreichen. Die Geschwin- Substanz verwendet werden, so erhalten diese einen digkeit kann einige Meter pro Sekunde bis zu mehr- Überzug aus Tantal oder Niob,
fächer Schallgeschwindigkeit betragen. 15 Durch das Vorhandensein des festen Stoffes wird
Die Durchführung von chemischen Umsetzungen die heiße Zone, in welcher die Reduktion und die
in einem Plasmastrahl ist bekannt. Es sind nach die- Kondensation stattfinden, verlängert,
sem Verfahren thermische Zersetzungen, Halogenie- Der beim vorliegenden Verfahren verwendete kon-
rungen und Umwandlungen von Metallen oder Me- densierte Stoff kann in dieser Form dem Plasmastrahl
talloiden in ihre Nitride sowie Reduktionen mit Koh- 20 zugegeben, oder es kann ein Stoff zugeführt werden,
lenstoff durchgeführt worden (vgl. unter anderem der dann unter den Bedingungen des Plasmastrahls in
»The Plasma Jet«, Scientific American, 197, 1957, den kondensierten, feindispergierten Zustand über-
Nr. 2, S. 80 ff.). geht, wie nachfolgend erläutert. Der feindisperse
Es ist ferner bekannt, daß der Gasstrom aus einem Stoff liegt in Form von feinen, diskreten Partikeln inerten Gas oder aus einem reaktiven Gas bestehen 25 vor, die einen mittleren Durchmesser von weniger als kann. Verwendet man beispielsweise Argon, so er- 500 μ aufweisen. Als feindisperse Stoffe eignen sich hält man einen Plasmastrahl, der nur als Hitzequelle Oxyde, Carbide, Nitride oder namentlich Metalle dient; verwendet man dagegen Stickstoff oder Sauer- bzw. Metalloide. Als Oxyde kommen Tantaloxyd, stoff, so erhält man nicht nur ein Hochtemperaturgas, Uranoxyd, Quarz und Aluminiumoxyd in Betracht, sondern bei geeigneten Bedingungen auch ein zu 30 als Carbide Borcarbid und Siliciumcarbid, als Nitrid chemischen Umsetzungen befähigtes Gas. Bei Ver- Aluminiumnitrid und als Metalle bzw. Metalloide wendung einer Kohle- oder Graphitanode kann man eignen sich Tantal, Niob, Vanadium, Wolfram, Titan, im Plasmastrahl Reaktionen mit Kohlenstoff durch- Molybdän, Nickel, Eisen, Uran, Platin, Bor, Kohlenführen, stoff oder Silicium. Stoffe, die wie Tantalpentoxyd
Erfindungsgemäß ist das Verfahren der eingangs 35 oder Quarz durch Wasserstoff reduzierbar sind, aber beschriebenen Art dadurch gekennzeichnet, daß man nicht reduziert werden sollen, werden so in den das Chlorid oder die Chloridgemische in ein an sich Plasmastrahl eingeführt, daß sie keine Zeit mehr bekanntes Wasserstoffplasma einführt und die Reduk- haben, merklich mit dem Wasserstoff zu reagieren, tion in Gegenwart eines kondensierten, im Wasser- Die Kontaktzeit des feindispersen Stoffes im Plasmastoffstrahl dispergierten Stoffes mit einer Korngröße 40 strahl beträgt je nach Wahl der Bedingungen 10~2 von weniger als 500 μ, vorzugsweise eines pulver- bis 10~4 Sekunden.
förmigen Schwermetalls, eines Schwermetallcarbids Die Herstellung des Plasmastrahls erfolgt unter
oder -oxyds, durchführt und daß die Kontaktzeit des Verwendung eines stromstarken elektrischen Bogens
dispergierten Stoffes 10~2 bis 10~4 Sekunden beträgt. in einem sogenannten Plasmagenerator, der nach an
Der Ausdruck »kondensierter Stoff« soll besagen, 45 sich bekanntem Prinzip gebaut ist und eine mit Was-
daß es sich um einen Stoff handelt, dessen Dampf- ser gekühlte, durchbohrte Kupferanode und eine ge-
druck so tief liegt, daß keine nennenswerte Verdamp- kühlte Wolframkathode aufweist,
fung eintritt. Der Wasserstoff wird senkrecht zur Achse des
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen Plasmastrahls zugeführt, wobei die Zufuhrgeschwin-
sich Niob und Tantal in sehr wirtschaftlicher Weise 50 digkeit in weiten Grenzen variieren kann. Hinter der
herstellen. Das auf diese Weise hergestellte Tantal gekühlten Anode wird zu Beginn des Plasmastrahls
bzw. Niob kann in der Kondensatortechnik Verwen- der feindisperse Stoff zugefügt, in etwas weiterer Ent-
dung finden. Die nach dem erfindungsgemäßen Ver- fernung von der Anode das zu reduzierende Chlorid,
fahren hergestellten Metalle sind auch günstige Korn- Man speist es zweckmäßig mit Hilfe eines Zuleitungs-
ponenten zum Legieren mit anderen Legierungs- 55 rohres aus Quarz in den Plasmastrahl ein. Ge-
partnern. wünschtenfalls kann das Niob- oder Tantalchlorid
Gegenüber den bisherigen Reduktionsverfahren mit Hilfe eines Wasserstoff- oder vorzugsweise eines dieser Metalle, beispielsweise dem Elektrolyse- oder Argonstroms transportiert werden. In der Regel er-Thermitverf ahren oder der Gasphasenreduktion mit folgt die Reduktion im Plasmastrahl bei Atmosphären-Wasserstoff bei niedriger Temperatur, gegebenenfalls 60 druck, gewünschtenfalls kann auch bei Unterdruck nach dem Wirbelbettverfahren, besteht der große gearbeitet werden. Wird der Stoff, der die feindisperse Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens darin, daß Phase darstellt, schon in kondensierter, d. h. in der die Metalle in sehr reiner Form erhalten werden und zum Aufwachsen für das Reinstmetall beabsichtigten daß kein Aufwachsen der abgeschiedenen Metalle Form zugeführt, beispielsweise als Metallpulver, so an den Wänden des Reduktionsgefäßes erfolgt, son- 65 wird er zweckmäßig durch einen Strom von Argondern daß die Metalle in pulverförmiger oder körniger gas eingetragen. Wenn der die disperse Phase dar-Form abgesetzt werden. Außerdem werden infolge stellende Stoff aber erst in situ aus einer Verbindung der hohen Temperatur und Wasserstoffdurchfluß- in die als Trägermaterial vorgesehene Form übergeht,
so kann er ohne Verwendung eines Hilfsgases dem Plasmastrahl zugegeben werden. Die Stellen, wo das Chlorid und der die feindisperse Phase bildende Stoff in den Plasmastrahl eingeführt werden, sind von Fall zu Fall an Hand geeigneter Vorversuche abzuklären. In der Regel wird der die feindisperse Phase bildende Stoff unmittelbar nach der Anode eingeblasen und daran anschließend, in kurzem Abstand, das Chlorid. Eine bevorzugte Ausführungsform besteht darin, Chlorid und feindisperser Stoff zusammen als Gemisch in Nähe des Anodenausgangs dem Plasmastrahl zuzugeben. Mit fortschreitendem Abstand von der Anode nimmt die Temperatur ab. Die Zugabestelle von feindispersem Stoff und Chlorid hat so zu erfolgen, daß eine Reaktionstemperatur von 2000 bis 5000° C vorhanden ist. Die dem Plasmastrahl zuzuführenden Mengen Chlorid und dispersem Stoff hängen von der Größe, Temperatur und Geschwindigkeit des Plasmastrahls ab.
ao Beispiel 1
Herstellung von Tantal
Der Plasmagenerator wurde unter folgenden Bedingungen betrieben:
Strom 215 Ampere
Bogenspannung 104 Volt
Gesamtleistung 22,4 kW
H2-Durchflußmenge 74 NL/Min.
Der leuchtende Plasmastrahl (Balmerlinien) hatte eine mittlere Geschwindigkeit am Anodenausgang von etwa 1500 m/Sek., eine Länge von 2 bis 3 cm und am Anodenausgang eine mittlere Temperatur von etwa 3300° C. In 1 cm Abstand von der Anode wurden etwa 12 g Tantalpulver (Durchmesser < 42 μ) pro Minute mit Hilfe eines Argonstroms in die Flamme geführt. Die Tantalteilchen bildeten einen leuchtenden Strahl von 10 bis 15 cm Länge. Ungefähr im gleichen Abstand von der Anode wurde durch eine geheizte Quarzdüse ein Gemisch von dampfförmigen TaCl5 und Argon ebenfalls in den Plasmastrahl eingeblasen. Die Menge TaCl5 betrug etwa 25 g/Min. Am Ende der Reaktion konnte man durch Siebanalyse feststellen, daß ein Teil des gebildeten Tantals auf dem eingebrachten Metall aufgewachsen war.
Mittlere Geschwindigkeit
am Anodenausgang 850 m/Sek.
Mittlere Temperatur am Anodenausgang 3500° C
Kontaktzeit der Ta-Teilchen 10~2 bis
10 -3 Sekunden
Pulverkorn <C 60 μ
Die Untersuchung des gebildeten Pulvers ergibt, daß die Tantalteilchen etwa 2,5 % niedergeschlagenes Nb enthalten.
Beispiel 3
Aufwachsen von Nb auf UO2
Es wird wie im Beispiel 2 verfahren mit dem Unterschied, daß ein Gemisch von UO2 und NbCl5 im Gewichtsverhältnis von 1: 2 zugegeben wird. Die Bedingungen lauten wie folgt:
Strom 220 Ampere
Bogenspannung 107 V
Gesamtleistung 23,5KW
H2-Durchflußmenge 74 NL/Min.
Mittlere Geschwindigkeit
am Anodenausgang 1600 m/Sek.
Mittlere Temperatur am Anodenausgang 3400° C
Kontaktzeit der UO2-Teilchen etwa 10 ~3 Sekunden
Pulverkorn < 100 μ
50
Beispiel 2
Aufwachsen von Nb auf Ta
Es wird in den im Beispiel 1 beschriebenen Plasmastrahl ein pulverförmiges Gemisch von 1 Gewichtsteil Tantal und 1 Gewichtsteil NbCl5 eingeblasen, und zwar unmittelbar nach dem Anodenausgang. Die Bedingungen lauten wie folgt:
Strom 180 Ampere
Bogenspannung 94 V
Gesamtleistung 16,9 kW
H2-Durchflußmenge 39 NL/Min.
60 Die Untersuchung des gebildeten Pulvers ergibt, daß die UO2-Teilchen etwa 5°/o niedergeschlagenes Nb enthalten.
Beispiel 4
Aufwachsen von Nb auf UC2
Als disperser Stoff dient UC2 und als Chlorid NbCl5. Das Gewichtsverhältnis des Gemisches von UC2 zu NbCl5 beträgt 1: 2. Man reduziert unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 3 angegeben, wobei man UC2-Teilchen erhält, auf welchen sich etwa 3 % Nb niedergeschlagen hat.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Tantal- und/ oder Niobmetall durch Reduktion von Tantal- und/oder Niobpentachlorid mit Wasserstoff, dadurch gekennzeichnet, daß man das Chlorid oder die Chloridgemische in ein an sich bekanntes Wasserstoffplasma einführt und die Reduktion in Gegenwart eines kondensierten, im Wasserstoffstrahl dispergierten Stoffes mit einer Korngröße von weniger als 500 μ, vorzugsweise eines pulverförmigen Schwermetalls, eines Schwermetallcarbids oder -oxyds, durchführt, und daß die Kontaktzeit des dispergierten Stoffes 10~2 bis 10~4 Sekunden beträgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionstemperatur 2000 bis 5000° C beträgt.
DEC28480A 1961-11-23 1962-11-22 Verfahren zur Herstellung von Tantal- und/oder Niobmetall durch Reduktion von Tantal- und/oder Niobpentachlorid mit Wasserstoff Withdrawn DE1295194B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1366561A CH417118A (de) 1961-11-23 1961-11-23 Verfahren zur Herstellung von Tantal oder Niob durch Reduktion von Tantal- oder Niobpentachlorid im Wasserstoff-Plasmastrahl

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1295194B true DE1295194B (de) 1969-05-14

Family

ID=4394302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEC28480A Withdrawn DE1295194B (de) 1961-11-23 1962-11-22 Verfahren zur Herstellung von Tantal- und/oder Niobmetall durch Reduktion von Tantal- und/oder Niobpentachlorid mit Wasserstoff

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3211548A (de)
CH (1) CH417118A (de)
DE (1) DE1295194B (de)
GB (1) GB1013340A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT378539B (de) * 1983-08-18 1985-08-26 Voest Alpine Ag Verfahren zur herstellung von metallen oder metallegierungen sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3442690A (en) * 1964-05-13 1969-05-06 Minnesota Mining & Mfg Coating solid particles with refractory metals
CH457868A (de) * 1965-06-25 1968-06-15 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von feinteiligem, nicht pyrophorem Molybdän, Wolfram und Rhenium
CH458753A (de) * 1965-06-25 1968-06-30 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von feinteiligen, nicht pyrophoren Metallen der Gruppen IVa, Va und VIa und der Actiniumreihe des Periodensystems
AU415625B2 (en) * 1965-11-02 1971-07-27 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Production of metals from their halides
US3366090A (en) * 1966-04-07 1968-01-30 Air Force Usa Glow discharge vapor deposition apparatus
US3533756A (en) * 1966-11-15 1970-10-13 Hercules Inc Solids arc reactor method
US3906892A (en) * 1971-04-27 1975-09-23 Cit Alcatel Plasma deposition of thin layers of substrated or the like
US3810637A (en) * 1972-01-14 1974-05-14 Mecanique Ind Int Shaft packing
US3814447A (en) * 1972-11-02 1974-06-04 Ramsey Corp Sealing element for use in internal combustion engines
FR2236963B1 (de) * 1973-07-13 1977-02-18 Cit Alcatel
US3974245A (en) * 1973-12-17 1976-08-10 Gte Sylvania Incorporated Process for producing free flowing powder and product
DE2516747A1 (de) * 1975-04-16 1976-10-28 Battelle Institut E V Verfahren zur herstellung von duktilen und eigenstabilen supraleitenden werkstoffen
US4356029A (en) * 1981-12-23 1982-10-26 Westinghouse Electric Corp. Titanium product collection in a plasma reactor
JPS58171502A (ja) * 1982-04-02 1983-10-08 Toyota Motor Corp セラミック―金属複合微粉末体の製造方法
US4410358A (en) * 1982-12-13 1983-10-18 Thermo Electron Corporation Plasma recovery of tin from smelter dust
US5222547A (en) * 1990-07-19 1993-06-29 Axel Johnson Metals, Inc. Intermediate pressure electron beam furnace
US5100463A (en) * 1990-07-19 1992-03-31 Axel Johnson Metals, Inc. Method of operating an electron beam furnace
US5749937A (en) * 1995-03-14 1998-05-12 Lockheed Idaho Technologies Company Fast quench reactor and method
US6821500B2 (en) 1995-03-14 2004-11-23 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Thermal synthesis apparatus and process
US7576296B2 (en) * 1995-03-14 2009-08-18 Battelle Energy Alliance, Llc Thermal synthesis apparatus
WO2001046067A1 (en) * 1999-12-21 2001-06-28 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Hydrogen and elemental carbon production from natural gas and other hydrocarbons
US7354561B2 (en) * 2004-11-17 2008-04-08 Battelle Energy Alliance, Llc Chemical reactor and method for chemically converting a first material into a second material
US7399335B2 (en) * 2005-03-22 2008-07-15 H.C. Starck Inc. Method of preparing primary refractory metal
US8591821B2 (en) * 2009-04-23 2013-11-26 Battelle Energy Alliance, Llc Combustion flame-plasma hybrid reactor systems, and chemical reactant sources
US9322081B2 (en) 2011-07-05 2016-04-26 Orchard Material Technology, Llc Retrieval of high value refractory metals from alloys and mixtures

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2761776A (en) * 1956-03-29 1956-09-04 Bichowsky Foord Von Process for the manufacture of particulate metallic niobium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT378539B (de) * 1983-08-18 1985-08-26 Voest Alpine Ag Verfahren zur herstellung von metallen oder metallegierungen sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
US3211548A (en) 1965-10-12
CH417118A (de) 1966-07-15
GB1013340A (en) 1965-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1295194B (de) Verfahren zur Herstellung von Tantal- und/oder Niobmetall durch Reduktion von Tantal- und/oder Niobpentachlorid mit Wasserstoff
DE69323825T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Silber Pulver durch Aerosol Zersetzung
DE69936859T2 (de) Verfahren zur herstellung hochreinen tantals für zerstäubungstargets
DE3877343T2 (de) Vorrichtung zur herstellung von metallpulver.
DE2655920B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Wasserstoffperoxid
DE3024697A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung legierter oder unlegierter reaktiver metalle
DE19847012A1 (de) Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69122978T2 (de) Reaktives Spritzverfahren
DE1533058C3 (de) Verfahren zur Herstellung von feinteiligen, nicht pyrophoren Metallen der IV., V. und VI. Gruppe und der Actiniumreihe des periodischen Systems durch Reduktion deren Halogenide im Wasserstoff-Plasmastrahl
DE1533073B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallpulver
DE112018004357T5 (de) Verfahren zur Herstellung von pulverisiertem Verbundkarbid aus Wolfram und Titan
DE2125018A1 (de) Verfahren zur Steuerung der Korngröße «md gegebenenfalls der Kornform von aus Schwermetallhalogeniden herstellbaren Metall-, Metallcarbide Metallborid- und Metallnitridpulvein
EP0839920B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Pulvervormaterial für feinkörniges Hartmetall
DE1051512B (de) Verfahren zur Herstellung von Titan
DE3339490C2 (de) Verfahren zur plasmachemischen Gewinnung eines feindispersen Pulvers
DE1583912B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Metallpulvern
EP0467169A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Formaldehyd
DE69111485T2 (de) Verfahren zum Beschichten von Pulver und Verfahren zur Herstellung von Metallkörpern mit diesem Pulver.
DE4414135C2 (de) Herstellung von ultrafeinem Compositpulver für Sinterhartmetalle
DE1072815B (de) Verfahren zur Herstellung von Metal&#39;len und anderen chemischen Elementen metallischen Charakters von hohem Reinheitsgrad
DE1282867B (de) Verfahren zur Herstellung von Ferrophosphorpulver
DE2115999B2 (de) Verwendung eines wolframpulvers fuer sinterhartmetall hoher biegefestigkeit und haerte
DE1251295B (de) Verfahren zur Herstellung von femteiligem Urandioxyd bestimmter Teilchengroße
DE1111835B (de) Verfahren zur Herstellung von reinem Niob, Tantal, Wolfram, Vanadin oder Rhenium
CH498046A (de) Verfahren zur Herstellung von feinteiligen, nicht pyrophoren Nitriden der Elemente Zirkon, Hafnium, Niob und Tantal

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee