DE1290972B

DE1290972B - Shift register with four-layer diodes

Info

Publication number: DE1290972B
Application number: DE1965S0097029
Authority: DE
Inventors: Jaeger Hannes
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1965-05-10
Filing date: 1965-05-10
Publication date: 1969-03-20

Description

Schieberegister enthalten im allgemeinen bistabile Stufen, die mit jeweils zwei Röhren oder Transistoren bestückt werden können. Das bistabile Verhalten wird dadurch erzielt, daß man die Steuerelektrode des einen Verstärkerelements einer Stufe über ein Rückkopplungsglied mit der Ausgangselektrode des anderen verbindet. Neben den bekannten Steuerelementen, wie Röhren und Transistoren, hat in letzter Zeit ein weiteres Bauelement, die Vierschichtdiode, an Bedeutung gewonnen. Sie stellt einen elektronischen Schalter dar, der nur von der an seinen Klemmen liegenden Spannung, also nicht über eine dritte Elektrode, gesteuert wird. Dieser Zweipol besitzt ähnlich wie ein Schalter zwei stabile Zustände. Aus einem sehr hohen Sperrwiderstand und einem sehr geringen Durchlaßwiderstand resultiert ein besonders gutes Schaltverhalten. Besonders vorteilhaft läßt er sich in Schaltungen verwenden, in denen zur Erzielung der gleichen Wirkung bisher Röhren oder Transistoren benutzt wurden. Verwendet man in einem Schieberegister an Stelle von Röhren oder Transistoren Vierschichtdioden, so gewinnt man dadurch eine beträchtliche Ersparnis an Bauteilen.Shift registers generally contain bistable stages that start with two tubes or transistors can be fitted at a time. The bistable behavior is achieved by having the control electrode of an amplifier element one Stage connects via a feedback element to the output electrode of the other. In addition to the familiar controls, such as tubes and transistors, last Another component, the four-layer diode, gained in importance. She poses an electronic switch that only depends on the voltage applied to its terminals, not controlled by a third electrode. This bipolar has similar like a switch, two stable states. From a very high blocking resistance and a very low forward resistance results in a particularly good switching behavior. It can be used particularly advantageously in circuits in which to achieve tubes or transistors have previously been used to achieve the same effect. If you use in a shift register instead of tubes or transistors four-layer diodes, in this way one gains a considerable saving in components.

Die beiden wichtigsten Betriebsparameter von Vierschichtdioden sind die Kippspannung und der Haltestrom. Als Kippspannung UK bezeichnet man diejenige Spannung, die notwendig ist, um eine gesperrte Vierschichtdiode in den leitenden Zustand zu steuern. Mit dem Haltestrom IH wird der Strom bezeichnet, der benötigt wird, um eine leitende Vierschichtdiode im leitenden Zustand zu halten. Wird der Haltestrom unterschritten, dann kippt die Vier-Schichtdiode in ihren gesperrten Zustand zurück. Diese beiden für den Betrieb einer Schaltung mit Vierschichtdioden wichtigen Betriebsparameter sind nun sehr starken Exemplarstreuungen unterworfen. Die Toleranz der Kippschaltung einer Vierschichtdiode kann ± ... 2011/0, die des Haltestromes sogar ±40 ...8011/o betragen. Durch diese von Exemplar zu Exemplar sehr verschiedenen Betriebswerte wird der praktische Einsatz von Vierschichtdioden z. B. an Stelle von Transistoren und Röhren in bistabilen Kippstufen für Register und Zählschaltungen sehr behindert.The two most important operating parameters of four-layer diodes are the breakover voltage and the holding current. The breakover voltage UK is the voltage that is necessary to switch a blocked four-layer diode into the conductive state. The holding current IH is the current required to keep a conductive four-layer diode in the conductive state. If the holding current is not reached, the four-layer diode flips back into its blocked state. These two operating parameters, which are important for the operation of a circuit with four-layer diodes, are now subject to very large sample variations. The tolerance of the trigger circuit of a four-layer diode can be ± ... 2011/0, that of the holding current even ± 40 ... 8011 / o. Due to these operating values, which vary greatly from copy to copy, the practical use of four-layer diodes z. B. in place of transistors and tubes in bistable flip-flops for registers and counting circuits is very difficult.

Sollen solche Vierschichtdioden in aus mehreren , Stufen bestehenden Schaltungen verwendet werden, so kommt der Steuerschaltung, über die die einzelnen Stufen angesteuert werden, besondere Bedeutung zu, wenn die sich aus der Verwendung von Vierschichtdioden ergebenden Vorteile voll ausgenutzt und ; gleichzeitig die Nachteile, die durch die großen Exemplarstreuungen von Vierschichtdioden eine Verwendung bisher erschwert haben, sicher vermieden werden sollen.Should such four-layer diodes consist of several stages Circuits are used, so comes the control circuit through which the individual Levels are controlled, of particular importance when resulting from use of four-layer diodes resulting advantages fully exploited and; at the same time the Disadvantages due to the large sample variations of four-layer diodes a use have hitherto made it difficult to safely avoid.

Für eine elektronische Zähl- und Schieberegisterschaltung ist bereits eine Steuerschaltung bekannt, die aus einer monostabilen Kippschaltung besteht, über die eine Spannungsquelle getastet wird. Diese Steuerschaltung schafft bei Auftreten eines Zählimpulses einen Kurzschluß für die Spannungsquelle. Die dadurch bedingte zusätzliche Belastung sowie der durch die Verwendung von drei Transistoren bedingte schaltungsmäßige Aufwand werden als Nachteil angesehen.For an electronic counting and shift register circuit is already a control circuit is known, which consists of a monostable multivibrator, via which a voltage source is keyed. This control circuit creates when it occurs of a counting pulse a short circuit for the voltage source. The resulting additional load as well as that caused by the use of three transistors circuit complexity is seen as a disadvantage.

Durch die Erfindung, die sich ebenfalls auf eine Steuerschaltung für ein Schieberegister bezieht, dessen einzelne Stufen aus jeweils einer Vierschichtdiode aufgebaut sind, werden diese Nachteile vermieden. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschaltung einen über seine Steuerelektrode und jeweils eine Diode und einen Kondensator sowohl mit einem Eingang für Taktimpulse als auch mit einem Eingang für Löschimpulse verbundenen Transistor enthält, der nur bei erregtem Eingang in den Sperrzustand steuerbar ist.By the invention, which also relates to a control circuit for a shift register, whose individual stages each consist of a four-layer diode are constructed, these disadvantages are avoided. The invention is characterized in that that the control circuit has one via its control electrode and one diode each and a capacitor with both an input for clock pulses and a Contains transistor connected to the input for extinguishing pulses, which only works when the input is energized is controllable in the locked state.

Einzelheiten der Erfindung sowie die Funktion einer erfindungsgemäß aufgebauten Schaltungsanordnung werden an Hand der F i g. 1 bis 3 erläutert. Dabei zeigt F i g. 1 ein aus Vierschichtdioden aufgebautes Schieberegister mit einer erfindungsgemäßen Anordnung zur Ansteuerung; F i g. 2 stellt eine vorteilhafte Erweiterung der Schaltung zur Ansteuerung der bistabilen Stufen des Schieberegisters dar; F i g. 3 zeigt einen dekadischen Ringzähler mit Vierschichtdioden und mit einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Ansteuerung der einzelnen bistabilen Stufen.Details of the invention and the function of an inventive constructed circuit arrangement are based on the F i g. 1 to 3 explained. Included shows Fig. 1 a shift register constructed from four-layer diodes with a shift register according to the invention Arrangement for control; F i g. 2 represents an advantageous extension of the circuit for controlling the bistable stages of the shift register; F i g. 3 shows one Decadic ring counter with four-layer diodes and with a circuit arrangement according to the invention to control the individual bistable stages.

Das in der F i g. 1 dargestellte Schieberegister besteht aus vier bistabilen Stufen, die jeweils eine Vierschichtdiode 4D1, 4D2, 4D3, 4D4 enthalten. Selbstverständlich ist es möglich, das Schieberegister durch Anfügen weiterer Stufen, die genauso aufgebaut sind, zu vergrößern. Die Kopplung zwischen den einzelnen Stufen erfolgt über Koppelkondensatoren CK1, CK2, CK3. Die Betriebsspannung - UB ist in jedem Fall kleiner als die Kippspannung UK der Vierschichtdioden. Die Ansteuerung der aus den Vierschichtdioden bestehenden bistabilen Stufen des Schieberegisters geschieht über die Steuerschaltung S. Diese besteht erfindungsgemäß aus einer monostabilen Kippschaltung, die im Normalfall, d. h. bei Anliegen der Betriebsspannung - UB, sich in der Lage befindet, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Transistor TS leitend ist.The in FIG. The shift register shown in FIG. 1 consists of four bistable stages, each of which contains a four-layer diode 4D1, 4D2, 4D3, 4D4. It is of course possible to enlarge the shift register by adding further stages that are constructed in the same way. The coupling between the individual stages takes place via coupling capacitors CK1, CK2, CK3. The operating voltage - UB is in any case smaller than the breakover voltage UK of the four-layer diodes. The control of the bistable stages of the shift register consisting of the four-layer diodes takes place via the control circuit S. According to the invention, this consists of a monostable multivibrator, which in the normal case, ie when the operating voltage - UB is applied, is in the position, which is characterized in that the Transistor TS is conductive.

Die Wirkungsweise der Schaltung ist im einzelnen wie folgt: Nach dem Anlegen der Betriebsspannung - UB sind alle Vierschichtdioden 4D1... 4D4 gesperrt. Der Transistor TS der Steuerschaltung S wird über die Widerstände R 7 und R 8 in den leitenden Zustand gesteuert. Eine am Eingang ES des Schieberegisters eintreffende Information in Form eines Rechteckimpulses bestimmter Dauer wird über den Kondensator C 1 differenziert. Die positiv differenzierte Impulsflanke findet dabei eine Eingangsimpedanz vor, die im wesentlichen durch den Sperrwiderstand der normalen Diode D 11 und den Widerstand der nichtleitenden Vierschichtdiode 4D1 bestimmt ist. Durch diese positive Impulsflanke wird das an der Vierschichtdiode 4D 1 herrschende Potential so weit angehoben, daß der Betrag der Kippspannung UK dieser Vierschichtdiode überschritten wird. Die Vierschichtdiode 4D 1 der ersten Stufe kippt dadurch in den leitenden Zustand.- Der nächstfolgende Taktimpuls, der über den Takteingang ET zur Steuerschaltung S gelangt, dort über den Kondensator CT differenziert wird, sperrt über die Diode D7 den Transistor TS kurzzeitig. Dadurch wird der Haltestrom IH der leitenden Vierschichtdiode 4D1 der ersten Stufe unterschritten, so daß diese Vierschichtdiode4D1 in den gesperrten Zustand zurückkippt. Während des gesperrten Zustandes von TS erniedrigt sich außerdem das Potential an 4D1 auf den Wert Null, während am Ausgang der Stufe ein Potentialsprung von Null nach - U3; erfolgt. Dieser Potentialsprung wird über den Koppelkondensator CK1 differenziert und gelangt über die Diode D 22 an die Vierschichtdiode 4D2 der zweiten Stufe, wo er das herrschende Potential der Betriebsspannung - U,3 auf den Betrag der Kippspannung UK erhöht. Am Ende des Taktimpulses wird der Transistor TS in der Steuerschaltung wieder sehr rasch leitend. Das führt zusammen mit der Potentialerhöhung von - U,3 auf UK an der Vierschichtdiode der zweiten Stufe dazu, daß diese Vierschichtdiode 4D2 in den leitenden Zustand kippt. Damit ist die über den Eingang ES zur Vierschichtdiode4D1 der ersten Stufe gegebene Information um eine Stelle nach rechts gewandert. In entsprechender Weise wird die Information durch jeden Taktimpuls am Eingang ET nach rechts weitergegeben.The individual operation of the circuit is as follows: After applying the operating voltage - UB , all four-layer diodes 4D1 ... 4D4 are blocked. The transistor TS of the control circuit S is switched to the conductive state via the resistors R 7 and R 8. Information arriving at the input ES of the shift register in the form of a rectangular pulse of a certain duration is differentiated via the capacitor C 1. The positively differentiated pulse edge has an input impedance which is essentially determined by the blocking resistance of the normal diode D 11 and the resistance of the non-conductive four-layer diode 4D1. As a result of this positive pulse edge, the potential prevailing at the four-layer diode 4D 1 is raised to such an extent that the magnitude of the breakover voltage UK of this four-layer diode is exceeded. The four-layer diode 4D 1 of the first stage switches to the conductive state. The next clock pulse, which reaches the control circuit S via the clock input ET and is differentiated there via the capacitor CT, blocks the transistor TS briefly via the diode D7. As a result, the holding current IH of the conductive four-layer diode 4D1 of the first stage is undershot, so that this four-layer diode 4D1 flips back into the blocked state. During the blocked state of TS, the potential at 4D1 also decreases to the value zero, while at the output of the stage there is a potential jump from zero to - U3; he follows. This potential jump is differentiated via the coupling capacitor CK1 and reaches the four-layer diode 4D2 of the second stage via the diode D 22, where it increases the prevailing potential of the operating voltage - U, 3 to the amount of the breakover voltage UK. At the end of the clock pulse, the transistor TS in the control circuit becomes conductive again very quickly. Together with the increase in potential from - U, 3 to UK at the four-layer diode of the second stage, this leads to the fact that this four-layer diode 4D2 switches to the conductive state. The information given via the input ES to the four-layer diode 4D1 of the first stage has thus moved one place to the right. In a corresponding manner, the information is passed on to the right by each clock pulse at the input ET.

Es ist ein besonderer Vorteil der hier angegebenen Schaltung, daß eine eingegebene Information an beliebiger Stelle stehenbleibt, wenn die Taktimpulse am Takteingang ET ausbleiben. Weiterhin ist es vorteilhaft, daß die Geschwindigkeit, mit der eine Information durch das Schieberegister geschoben wird, durch die Änderung der Taktfrequenz beliebig variiert werden kann.It is a particular advantage of the circuit specified here that the information entered remains at any point if the clock pulses at the clock input ET are absent. Furthermore, it is advantageous that the speed at which information is shifted through the shift register can be varied as desired by changing the clock frequency.

Soll das Register gelöscht werden, so muß dafür gesorgt werden, daß der Schiebetakt so lange andauert, bis die Spannungserhöhung an einem Koppelkondensator CK1... CK3, die durch das Zurückkippen der vorhergehenden Vierschichtdiode erreicht wird, über einen Widerstand R 21... R 41 abgeklungen ist. Das wird durch geeignete Dimensionierung des Kondensators C, erreicht, über den der Löschimpuls differenziert und über die Diode D 6 dem Transistor TS zugeführt wird und diesen in den gesperrten Zustand steuert.If the register is to be cleared, it must be ensured that the shift clock lasts until the voltage increase on a coupling capacitor CK1 ... CK3, which is achieved by the tilting back of the previous four-layer diode, via a resistor R 21 ... R 41 has subsided. This is achieved by suitably dimensioning the capacitor C, via which the erase pulse is differentiated and is fed to the transistor TS via the diode D 6 and controls it into the blocked state.

Die Dioden D 12, D 22, D 23 ... D 43 dienen zum Entkoppeln des Einganges von den Ausgängen der bistabilen Elemente in den einzelnen Stufen. Eine Rückwirkung einer Vierschichtdiode auf die Vier- . Schichtdiode der vorhergehenden Stufe, die durch das Leitendwerden der Vierschichtdiode hervorgerufen werden kann und die in Form eines positiven Impulses an die vorhergehende Vierschichtdiode gelangen könnte und dort durch Erniedrigung des herrschenden Potentials den Haltestrom, der zur Erhaltung des leitenden Zustandes notwendig ist, unterbinden könnte, wird durch die Dioden D 12, D 24, D 34 und D 43 verhindert. Rückwirkungen in Form negativer Impulse werden durch geeignete Dimensionierungen von R 12 ... R 33 und R 21... R41 vermieden, wodurch gleichzeitig auch die Richtung der Verschiebung bestimmt wird.The diodes D 12, D 22, D 23 ... D 43 are used to decouple the input from the outputs of the bistable elements in the individual stages. A reaction of a four-layer diode on the four. Layer diode of the previous stage, which can be caused by the four-layer diode becoming conductive and which could reach the previous four-layer diode in the form of a positive pulse and there, by lowering the prevailing potential, could prevent the holding current that is necessary to maintain the conductive state prevented by the diodes D 12, D 24, D 34 and D 43. Reactions in the form of negative pulses are avoided by suitable dimensioning of R 12 ... R 33 and R 21 ... R41 , whereby the direction of the shift is also determined at the same time.

Um den Transistor TS im Ruhezustand stets an der übersteuerungsgrenze zu halten, gleichgültig, ob sich keine oder alle Vierschichtdioden im leitenden Zustand befinden, ist eine Diode D 5 vorgesehen, die zwischen dem Kollektor von TS und dem aufgeteilten Basiswiderstand R 7, R 8 liegt.To keep the transistor TS in the idle state always at the overdrive limit to hold, regardless of whether none or all four-layer diodes are in the conductive State, a diode D 5 is provided between the collector of TS and the divided base resistance R 7, R 8.

In der Steuerschaltung nach F i g. 1 wird das Zurückkippen einer Vierschichtdiode vom leitenden in den gesperrten Zustand jeweils dadurch erreicht, daß über den gesperrten Transistor TS der Haltestrom für die im leitenden Zustand befindliche Vierschichtdiode unterschritten wird. Das Zurückkippen einer Vierschichtdiode vom leitenden in den gesperrten Zustand kann aber nicht nur durch Unterschreiten des Haltestromes erreicht werden, sondern auch dadurch, daß die für den leitenden Zustand charakteristische Spannung umgepolt wird. Eine absolut sichere Methode, eine im leitenden Zustand befindliche Vierschichtdiode in den gesperrten Zustand zurückzusteuern, wird also darin bestehen, sowohl den Haltestrom zu unterschreiten als auch die Spannung an der leitenden Vierschichtdiode umzupolen. Eine Ansteuerschaltung, die eine Umsteuerung nach diesen beiden Kriterien ermöglicht, zeigt die F i g. 2. Während die Steuerung der bistabilen Stufen über den Haltestrom weiterhin in bereits beschriebener Weise über den Transistor TS, der jeweils durch Taktimpulse kurzzeitig gesperrt wird, erfolgt, ist zur Steuerung der Vierschichtdiode mittels Sperrpotential erfindungsgemäß in den Kollektorkreis des Transistors TS eine Induktivität L eingeschaltet. Dadurch tritt im Augenblick des Sperrens des Transistors TS eine negative Spannungserhöhung über den Betrag von - U,; hinaus am Kollektor von TS auf. Begrenzt wird diese Spannungserhöhung durch eine Diode D 8 und den Widerstand R 6 auf einen für TS zulässigen Wert. Durch die Umpolung der Spannung wird der Vorgang des Sperrens der Vierschichtdioden wesentlich beschleunigt und die Sicherheit des Umschaltens erhöht.In the control circuit according to FIG. 1, the tilting back of a four-layer diode from the conductive to the blocked state is achieved in that the holding current for the four-layer diode in the conductive state is undershot via the blocked transistor TS. The tilting back of a four-layer diode from the conductive to the blocked state can not only be achieved by falling below the holding current, but also by reversing the polarity of the voltage characteristic of the conductive state. An absolutely safe method of switching a conductive four-layer diode back to the blocked state will consist in both falling below the holding current and reversing the polarity of the voltage on the conductive four-layer diode. A control circuit which enables reversal according to these two criteria is shown in FIG. 2. While the control of the bistable stages via the holding current continues in the manner already described via the transistor TS, which is briefly blocked by clock pulses, an inductance L is switched on in the collector circuit of the transistor TS according to the invention to control the four-layer diode by means of blocking potential. As a result, at the moment when the transistor TS is turned off, there is a negative voltage increase over the amount of - U,; out at the TS collector. This voltage increase is limited by a diode D 8 and the resistor R 6 to a value permissible for TS. By reversing the polarity of the voltage, the process of blocking the four-layer diodes is significantly accelerated and the safety of switching is increased.

Gemäß einer Anordnung nach der F i g. 2 ist es nunmehr möglich, die großen Toleranzen in den Betriebswerten für Vierschichtdioden vollkommen auszugleichen. Der Einfluß der Toleranzen der Kippspannung wird einmal durch schnelle Schaltflanken des Transistors TS unschädlich gemacht, zum anderen wird durch Einschalten der Induktivität L in den Kollektorkreis des Transistors TS im Moment der Umsteuerung die Spannung an den Vierschichtdioden in Sperrichtung gepolt. Andererseits wird beim Sperren des Transistors TS der Betrag des Haltestromes durch den kleinen Kollektorsperrstrom des Transistors etwa um einen Faktor 10-2 unterschritten. Dadurch können auch Vierschichtdioden mit sehr kleinem Haltestrom wieder sicher in den gesperrten Zustand gesteuert werden.According to an arrangement according to FIG. 2 it is now possible to use the to completely compensate for large tolerances in the operating values for four-layer diodes. The influence of the tolerances of the breakover voltage is once through fast switching edges of the transistor TS is rendered harmless, on the other hand by switching on the inductance L in the collector circuit of the transistor TS at the moment of reversing the voltage polarized on the four-layer diodes in the reverse direction. On the other hand, when locking of the transistor TS is the amount of the holding current through the small collector reverse current of the transistor by a factor of 10-2. This also allows four-layer diodes can be safely controlled to the locked state again with a very low holding current.

Durch eine erfindungsgemäße Anordnung können nun alle bekannten Vorteile von Vierschichtdioden voll ausgenutzt werden. So ist es möglich, ein Schieberegister, das aus bistabilen Stufen aufgebaut ist, die jeweils pro Stufe aus einer Vierschichtdiode bestehen, auch als Serien-Parallel-Umsetzer bzw. Parallel-Serien-Umsetzer zu verwenden. In der F i g. 1 ist das dadurch angedeutet, daß neben einem Eingang ES für Serienbetrieb weitere Eingänge EP1 ... EP4 für Parallelbetrieb vorgesehen sind. Ebenso sind auf der Ausgangsseite Ausgänge für Parallelbetrieb AP1 ... AP4 und ein Ausgang für Serienbetrieb AS vorhanden. Beim Betrieb der Schaltung nach F i g. 1 als Parallel-Serien-Umsetzer treffen alle Informationen an den Eingängen EP 1 ... EP4 gleichzeitig ein. Die Ausgabe der Informationen in Serie erfolgt dann durch Taktimpulse in der bereits geschilderten Weise.By means of an arrangement according to the invention, all the known advantages of four-layer diodes can now be fully exploited. It is thus possible to use a shift register made up of bistable stages, each of which consists of a four-layer diode per stage, as a series-parallel converter or parallel-series converter. In FIG. 1 this is indicated by the fact that, in addition to an input ES for series operation, further inputs EP1 ... EP4 are provided for parallel operation. There are also outputs for parallel operation AP1 ... AP4 and an output for series operation AS on the output side. When operating the circuit according to FIG. 1 as a parallel-to-serial converter, all information arrives at the inputs EP 1 ... EP4 at the same time. The information is then output in series by means of clock pulses in the manner already described.

Die Erfindung ist jedoch nicht nur auf Schieberegister beschränkt, sondern kann selbstverständlich auch auf andere Zählschaltungen ausgedehnt werden. So ist in der F i g. 3 beispielsweise ein dekadischer Ringzähler dargestellt, der aus bistabilen Stufen besteht, die jeweils eine Vierschichtdiode enthalten. Dabei erfolgt die Ansteuerung der einzelnen bistabilen Stufen über eine erfindungsgemäß aufgebaute Ansteuerschaltung S, an deren einen Eingang EZ nunmehr an Stelle von Taktimpulsen Zählimpulse und an deren anderen Eingang ER an Stelle von Löschimpulsen nunmehr Rückstellimpulse gelangen. Über einen Eingang V wird die Vierschichtdiode 4D 0 durch einen Vorbereitungsimpuls, der über den Kondensator CO differenziert wird, zum Kippen gebracht. über den Eingang EZ gelangen Zählimpulse zum Transistor TS, wodurch dieser kurzzeitig vom leitenden in den gesperrten Zustand gesteuert wird. In bereits beschriebener Weise wird dadurch der leitende Zustand der Vierscnichtdioden jeweils um eine Stelle nach rechts geschoben. Beim zehnten Zählimpuls, durch den die Vierschichtdiode 4D10 in den leitenden Zustand gesteuert wird, erfolgt über einen Ausgang ü ein übertrag auf den Zähleingang EZ einer nicht dargestellten nächstfolgenden Dekade. Beim elften Zählimpuls wird über den Kondensator C1 die Vierschichtdiode der ersten Stufe 4D1 erneut angesteuert, und der Vorgang wiederholt sich. Ein neuer Zählvorgang wird dadurch eingeleitet, daß ein Rückstellimpuls über den Eingang ER zur Ansteuerschaltung S gelangt. Der Kondensator CR ist dabei so dimensioniert, daß der Sperrzustand des Transistors TS, d. h. der Schiebetakt, so lange andauert, bis die Spannungserhöhung über einen Koppelkondensator CK1, CK2 ... CK9, hervorgerufen durch das Zurückkippen der vorhergehenden Vierschichtdiode, über einen Widerstand R 21, R 31 ... R 101 abgeklungen ist. Ein neuer Zählvorgang beginnt dann wieder mit einem Vorbereitungsimpuls, der über den Eingang V und den Kondensator CO die Vierschichtdiode 4D 0 in den leitenden Zustand steuert.However, the invention is not limited to shift registers, but can of course also be extended to other counting circuits. Thus in FIG. 3, for example, a decadic ring counter is shown, which consists of bistable stages, each containing a four-layer diode. The control of the individual bistable stages takes place via a control circuit S constructed according to the invention, at whose one input EZ now counting pulses instead of clock pulses and at the other input ER now reset pulses instead of erasing pulses. The four-layer diode 4D 0 is caused to tilt via an input V by a preparation pulse which is differentiated via the capacitor CO. Counting pulses are sent to the transistor TS via the EZ input, which briefly switches it from the conductive state to the blocked state. In the manner already described, the conductive state of the four-non-diodes is thereby shifted one place to the right. At the tenth counting pulse, by which the four-layer diode 4D10 is switched to the conductive state, a transfer to the counting input EZ of a subsequent decade (not shown) takes place via an output ü. At the eleventh counting pulse, the four-layer diode of the first stage 4D1 is activated again via the capacitor C1, and the process is repeated. A new counting process is initiated by a reset pulse reaching the control circuit S via the input ER. The capacitor CR is dimensioned so that the blocking state of the transistor TS, i.e. the shift clock, lasts until the voltage increase via a coupling capacitor CK1, CK2 ... CK9, caused by the tilting back of the previous four-layer diode, via a resistor R21 , R 31 ... R 101 has subsided. A new counting process then begins again with a preparation pulse which controls the four-layer diode 4D 0 into the conductive state via the input V and the capacitor CO.

Claims

Claims: 1. Circuit arrangement for the control of a plurality of stages coupled via RC elements, each with a four-layer diode existing electronic shift register device, characterized in that the control circuit (S) has one via its control electrode and one diode (D 6, D 7) and one Capacitor (CL, CT) both with an input for clock pulses (ET) and with an input for erase pulses (EL) connected transistor (TS), which can only be controlled in the blocked state when the input (ET, EL) is energized.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that an inductance (L) is arranged in the collector lead of the transistor (TS) is over which when reversing the transistor (TS) by a clock or erase pulse a polarity reversed potential compared to the normal operating voltage (- U $) is available.

3. Circuit arrangement according to claim 1 and 2, characterized in that that the control circuit (S) for controlling a parallel-to-series or series-to-parallel converter working shift register device is used.

4. Circuit arrangement according to Claim 1 and 2, characterized in that the control circuit (S) for controlling a shift register device operating as a ring counter can be used.