DE1289119B - Counter-coupled transistor broadband amplifier - Google Patents
Counter-coupled transistor broadband amplifierInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen über mehrere Stufen gegengekoppelten Transistor-Breitbandverstärker mit einem Gegenkopplungsnetzwerk, dessen Eingang mit dem Emitterkreis der Endstufe verbunden ist.The invention relates to a counter-coupled over several stages Transistor broadband amplifier with a negative feedback network, the input of which is connected to the emitter circuit of the output stage.
Bei Breitbandverstärkern, die über mehrere Stufen stark gegengekoppelt sind, besteht allgemein das Problem, die Stabilität der Gegenkopplung zu gewährleisten und somit die Frequenz, bei der die Summe aller zusätzlichen Phasendrehungen gegenüber dem mittleren Übertragungsbereich in der Gegenkopplungsschleife 180° erreicht und bei der die Schleifenverstärkung kleiner als 1 sein muß, so weit außerhalb des Übertragungsbereiches des Breitbandverstärkers zu legen, daß die Schleifenverstärkung am oberen Ende des Übertragungsbereiches noch hinreichend groß ist. Es müssen also unter anderem die Transistoren weitaus höhere Grenzfrequenzen als die Frequenz an der oberen Grenze des Übertragungsbandes aufweisen.With broadband amplifiers that have strong negative feedback over several stages are, there is generally the problem of ensuring the stability of the negative feedback and thus the frequency at which the sum of all additional phase rotations is compared reaches the middle transmission range in the negative feedback loop and in which the loop gain must be less than 1, so far outside the transmission range of the broadband amplifier to put that the loop gain at the upper end of the Transmission range is still sufficiently large. So, among other things, the Transistors have much higher cutoff frequencies than the frequency at the upper limit of the transfer belt.
Da es jedoch Schwierigkeiten bereitet, Transistoren herzustellen, die einerseits große Ausgangsleistungen abzugeben vermögen und andererseits eine hohe Grenzfrequenz und eine kleine Rückwirkungskapazität aufweisen, ergibt sich bei Leitungsverstärkern der Trägerfrequenztechnik das spezielle Problem, mit Endtransistoren hoher Verlustleistung, aber vergleichsweise geringer Grenzfrequenz die sehr hohen Anforderungen an die Klirrdämpfung des Ausgangssignals durch eine stabile Gegenkopplung zu erreichen.However, since it is difficult to manufacture transistors, which on the one hand are able to deliver great output power and on the other hand a have high cut-off frequency and a small reaction capacity, results with line amplifiers of the carrier frequency technology the special problem with output transistors high power dissipation, but comparatively low cut-off frequency the very high Requirements for the distortion attenuation of the output signal through stable negative feedback to reach.
Bei einem bekannten Transistorverstärker (deutsche Auslegeschrift 1160 013) wird, von einem Emitterwiderstand des Endtransistors (bzw. mehrerer Endtransistoren) ausgehend, über mehrere Stufen gegengekoppelt, wobei beim Emitterwiderstand eine der Ausgangsspannung proportionale Spannung aus dem Ausgangsübertrager zugeführt wird, derart, daß eine Strom-Spannungs-Gegenkopplung der Endstufe hervorgerufen wird. Bei dieser Schaltungsanordnung besteht der Nachteil, daß die Spannungsgegenkopplung innerhalb der Endstufe bei meist großer Aussteuerung und geringer Verstärkung nur wenig zur Linearisierung der Ausgangsspannung beitragen kann; schließlich ist diese Schaltungsanordnung auf die Verstärkung vergleichsweiser schmaler Frequenzbänder beschränkt (angegebener Frequenzbereich: 12 bis 556 kHz).In a known transistor amplifier (German Auslegeschrift 1160 013), starting from an emitter resistance of the output transistor (or several output transistors), negative feedback is provided via several stages, with a voltage proportional to the output voltage being supplied from the output transformer at the emitter resistance, in such a way that a current Voltage negative feedback of the output stage is caused. This circuit arrangement has the disadvantage that the negative voltage feedback within the output stage, with mostly high modulation and low amplification, can only contribute little to the linearization of the output voltage; Finally, this circuit arrangement is limited to the amplification of comparatively narrow frequency bands (specified frequency range: 12 to 556 kHz).
Aufgabe der Erfindung ist es, einen über mehrere Stufen gegengekoppelten Transistor-Breitbandverstärker zu schaffen, der die Nachteile bekannter Transistorverstärker in einfacher Weise vermeidet.The object of the invention is to provide a counter-coupled over several stages Broadband transistor amplifiers to overcome the disadvantages of known transistor amplifiers avoids in a simple manner.
Überlegungen im Rahmen der Erfindung haben zu einem Breitbandverstärker mit einer Schaltungsanordnung nach F i g. 1 geführt. Bei dieser Schaltungsanordnung wird die Gegenkopplungsspannung ausschließlich vom Emitterwiderstand des Endtransistors abgegriffen. Auch bei der Verstärkung breitester Frequenzbänder läßt sich eine hohe Umlaufverstärkung in der Gegenkopplungsschleife mit der gebotenen Sicherheit realisieren, da die Phasendrehung, die die Kollektorspannung gegenüber dem Emitterstrom hauptsächlich bei Frequenzen oberhalb des Übertragungsbereiches durch Phasendrehung der Stromverstärkung des Endtransistors und durch dessen Kollektor-Emitter-Kapazität erleidet, keinen Einfluß auf die Gegenkopplungsschleife hat.Considerations within the scope of the invention have resulted in a broadband amplifier with a circuit arrangement according to FIG. 1 led. With this circuit arrangement the negative feedback voltage is exclusively from the emitter resistance of the final transistor tapped. Even with the amplification of the broadest frequency bands, a high Realize circulation gain in the negative feedback loop with the necessary security, because the phase rotation, which mainly affects the collector voltage compared to the emitter current at frequencies above the transmission range by phase rotation of the current gain of the final transistor and its collector-emitter capacitance does not suffer any Has influence on the negative feedback loop.
Mit dieser Schaltungsart kann jedoch nicht in allen Fällen eine vollständige Linearisierung des gesamten Verstärkers erreicht werden, da die rückgeführte Größe nicht dem Ausgangs- bzw. Kollektorstrom, sondern dem Emitterstrom proportional ist. Es werden zwar die Verzerrungen des Emitterstromes durch die Gegenkopplung in vollem Maße verringert, die Verzerrungen des Ausgangsstromes können aber immer noch wesentlich größer sein als die des Emitterstromes, speziell dann, wenn beim Endtransistor der Basisstrom nicht sehr klein gegen den Kollektorstrom und zudem noch stark verzerrt ist. Diese Umstände sind vor allem dann gegeben, wenn die Grenzfrequenz des Endtransistors nicht weit genug über der obersten Frequenz des Übertragungsbandes liegt und/oder bereits der Treibertransistor stark ausgesteuert wird.With this type of circuit, however, a complete Linearization of the entire amplifier can be achieved as the fed back quantity is not proportional to the output or collector current, but to the emitter current. It is true that the distortions of the emitter current are fully due to the negative feedback Dimensions reduced, but the distortion of the output current can still be significant be greater than that of the emitter current, especially if the end transistor of the Base current not very small compared to the collector current and also strongly distorted is. These circumstances are especially given when the cutoff frequency of the output transistor is not far enough above the uppermost frequency of the transmission band and / or the driver transistor is already heavily controlled.
Erfindungsgemäß wird der Transistor-Breitbandverstärker der eingangs erwähnten Art derart aufgebaut, daß der Emitter eines Treibertransistors steuernd wechselstrommäßig mit der Basis eines Endtransistors verbunden ist und daß der Emitter des Endtransistors galvanisch mit einem über einen Emitterwiderstand mit dem Wechselstromnullpotential verbundenen Emitterabgriff verbunden ist, der wechselstrommäßig an den Eingang des Gegenkopplungsnetzwerkes und den Kollektor des Treibertransistors angeschlossen ist.According to the invention, the transistor broadband amplifier is the initially mentioned type constructed in such a way that the emitter of a driver transistor controlling is alternately connected to the base of a final transistor and that the emitter of the final transistor galvanically with an alternating current zero potential via an emitter resistor connected emitter tap, the AC current to the input of the Negative feedback network and the collector of the driver transistor connected is.
Der Verstärker gemäß der Erfindung weist den Vorteil auf, insbesondere bei der Übertragung breitester Frequenzbänder und unter weitgehender Ausnutzung von Endtransistoren bezüglich ihrer Grenzfrequenz, eine höhere Gegenkopplung des Ausgangssignals bzw. eine höhere Sicherheit der Gegenkopplung gegen Selbsterregung sowie eine bessere Linearisierung des Ausgangssignals zu ermöglichen als bei bekannten Verstärkern.The amplifier according to the invention has the advantage, in particular in the transmission of the broadest frequency bands and with extensive utilization of output transistors with regard to their cut-off frequency, a higher negative feedback of the Output signal or a higher security of the negative feedback against self-excitation as well as to enable a better linearization of the output signal than with known ones Amplifiers.
Zur Erreichung dieser Eigenschaften trägt bereits die niederohmige Ansteuerung der Endstufe durch den in Kollektor-Basis-Schaltung betriebenen Treibertransistor bei; denn der stark frequenzabhängige Eingangswiderstand der Endstufe bzw. deren Rückwirkungskapazität ergibt bei hochohmiger Ansteuerung eine große Frequenzabhängigkeit der Schleifenverstärkung nach Betrag und Phase. Zudem wirkt sich die Ausgangskapazität, die sich aus der Kollektor-Emitter-Kapazität der Endstufe und den Schaltungskapazitäten zusammensetzt, nicht im Gegenkopplungsweg aus, da das Gegenkopplungssignal am Emitter des Endtransistors abgegriffen wird. Trotzdem wird ein Signal gegengekoppelt, das dem Kollektorstrom des Endtransistors proportional ist, so daß durch die Gegenkopplung tatsächlich die Linearität des Ausgangssignals in vollem Maße verbessert wird, da der Anteil des Emitterstromes des Endtransistors, der dem Basisstrom des Endtransistors entspricht, direkt in den Stromkreis des Treibertransistors zurückgeführt wird.The low-resistance one already helps to achieve these properties The output stage is controlled by the driver transistor operated in a collector-base circuit at; because the highly frequency-dependent input resistance of the output stage or its Reaction capacitance results in a large frequency dependency with high-resistance control the loop gain according to magnitude and phase. In addition, the output capacitance has an effect resulting from the collector-emitter capacitance of the output stage and the circuit capacitance composed, not in the negative feedback path, since the negative feedback signal at the emitter of the final transistor is tapped. Nevertheless, a signal is fed back that the collector current of the final transistor is proportional, so that by the negative feedback in fact, the linearity of the output signal is fully improved because the proportion of the emitter current of the final transistor, which corresponds to the base current of the final transistor is fed back directly into the circuit of the driver transistor.
Weiterhin ist es vorteilhaft, daß der Treibertransistor bei gleicher Stromaussteuerung weit weniger Spannung liefern muß, indem er direkt auf die Basis-Emitter-Strecke des Endtransistors arbeitet, so daß auch das Klirrverhalten des Verstärkers bereits ohne die Wirkung der Gegenkopplungsschleife verbessert wird. Schließlich wird auf Grund der Tatsache, daß am Kollektor der Treiberstufe annähernd die gleiche Wechselspannung wie an der Basis auftritt, die Kollektor-Basis-Kapazität des Treibertransistors weitgehend unwirksam.Furthermore, it is advantageous that the driver transistor with the same Current modulation has to supply far less voltage by directing it to the base-emitter path of the output transistor works, so that the distortion behavior of the amplifier already is improved without the effect of the negative feedback loop. Eventually it will Reason for the fact that approximately the same alternating voltage at the collector of the driver stage as occurs at the base, the collector-base capacitance of the driver transistor largely ineffective.
Der Transistor-Breitbandverstärker kann so aufgebaut sein, daß der Emitter des Treibertransistors über einen Koppelkondensator mit der Basis des Endtransistors und über eine Treiber-Emitterwiderstandsschaltung mit dem Wechselstromnullpotential verbunden ist und daß der Wechselstromwiderstandswert der Treiber-Emitterwiderstandsschaltung höher als der Eingangswiderstand der Endstufe bemessen ist. Durch die gleichspannungsmäßige Trennung zwischen Emitter des Treibertransistors und Basis des Endtransistors lassen sich einerseits die Arbeitspunkte der Transistoren frei wählen, andererseits kann die Verbindung zwischen Kollektor des Treibertransistors und Emitter des Endtransistors galvanisch sein. Die proportionale Nachbildung des Ausgangssignals wird am Emitter des Endtransistors am günstigsten dadurch erreicht, daß der Wechselstromwiderstandswert der Treiber-Emitterwiderstandsschaltung höher als der Eingangswiderstand der Endstufe bemessen ist. Dieser hochohmige Wechselstromwiderstand kann durch Reihenschaltung eines ohmschen Treiber-Emitterwiderstandes und einer Emitterdrossel realisiert werden.The transistor broadband amplifier can be constructed in this way be, that the emitter of the driver transistor via a coupling capacitor to the base of the final transistor and via a driver emitter resistor circuit to the alternating current zero potential is connected and that the AC resistance of the driver emitter resistor circuit higher than the input resistance of the output stage. Due to the direct voltage Leave separation between the emitter of the driver transistor and the base of the output transistor On the one hand, the operating points of the transistors can be freely selected, on the other hand the connection between the collector of the driver transistor and the emitter of the output transistor be galvanic. The proportional replica of the output signal is made at the emitter of the final transistor is best achieved in that the alternating current resistance of the driver emitter resistor circuit is higher than the input resistance of the output stage is sized. This high-value alternating current resistance can be connected in series an ohmic driver emitter resistor and an emitter choke can be implemented.
Der Transistor-Breitbandverstärker kann auch so aufgebaut sein, daß der Emitter des Treibertransistors direkt an die Basis des Endtransistors angeschlossen ist, und weiterhin bei Verwendung von verschiedenen Leitfähigkeitstypen bei Treiber- und Endtransistor so, daß der Kollektor des Treibertransistors direkt an den Emitterabgriff des Endtransistors angeschlossen ist, und daß zwischen den Emitterabgriff und den Emitter des Endtransistors eine Parallelschaltung aus einem weiteren Emitterwiderstand und einem Emitterkondensator eingeschaltet ist. Dadurch kann der Treiber-Emitterwiderstand entfallen, und es ergibt sich eine besonders einfache Schaltungsanordnung, bei der der Arbeitspunkt des Endtransistors über den Treibertransistor festgelegt werden kann und der Widerstandswert des Treiber-Emitterwiderstandes unendlich wird.The transistor broadband amplifier can also be constructed so that the emitter of the driver transistor is connected directly to the base of the output transistor is, and furthermore when using different conductivity types for driver and final transistor so that the collector of the driver transistor is directly connected to the emitter tap of the final transistor is connected, and that between the emitter tap and the Emitter of the final transistor is a parallel connection of a further emitter resistor and an emitter capacitor is turned on. This can reduce the driver emitter resistor omitted, and there is a particularly simple circuit arrangement in which the operating point of the output transistor can be set via the driver transistor and the resistance of the driver emitter resistor becomes infinite.
Zur Erhöhung der Ausgangsleistung kann der Verstärker so aufgebaut sein, daß in der Endstufe dem Endtransistor ein zweiter oder mehrere Endtransistoren mit je einem Emitterabgriff, bezüglich der Emitterabgriffe wechselstrommäßig, bezüglich der Basen und der Kollektoren galvanisch parallel geschaltet sind.The amplifier can be constructed in this way to increase the output power be that in the output stage the output transistor is a second or more output transistors with one emitter tap each, with regard to the emitter taps in terms of alternating current, with regard to the bases and the collectors are galvanically connected in parallel.
Weiterhin kann der Transistor-Breitbandverstärker so aufgebaut sein, daß der Endstufe ein Ausgangsnetzwerk nachgeschaltet ist, das im übertragungsband den durch die Kapazität des Kollektoranschlusses der Endstufe gegen das Wechselstromnullpotential verursachten Frequenzgang kompensiert.Furthermore, the transistor broadband amplifier can be constructed in such a way that that the output stage is followed by an output network that is in the transmission band by the capacitance of the collector connection of the output stage against the alternating current zero potential caused frequency response compensated.
Schließlich kann mit Vorteil der Ausgang des Gegenkopplungsnetzwerkes mit dem Emitter eines in stromgegengekoppelter Emitter-Basis-Schaltung arbeitenden ersten Transistors verbunden sein. Damit ergibt sich für die Schleifengegenkopplung eine Arbeitsweise des ersten Transistors, die der Basisschaltung entspricht und folglich die Phase nur gering beeinflußt; trotzdem wird das Eingangssignal entsprechend einer stromgegengekoppelten Emitter-Basis-Schaltung vergleichsweise hoch verstärkt.Finally, the output of the negative feedback network can be advantageous with the emitter of an emitter-base circuit with negative current feedback be connected to the first transistor. This results in negative feedback for the loop an operation of the first transistor which corresponds to the base circuit and consequently the phase is only slightly affected; nevertheless, the input signal will be accordingly a current negative-feedback emitter-base circuit is amplified to a comparatively high level.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in F i g. 1 das Prinzipschaltbild eines gegengekoppelten Transistorverstärkers, F i g. 2 das Prinzipschaltbild des Transistorverstärkers nach der Erfindung, F i g. 3 das Prinzipschaltbild einer speziellen Schaltungsart des Transistorverstärkers nach der Erfindung, F i g. 4 das Prinzipschaltbild einer anderen speziellen Schaltungsart des Transistorverstärkers nach der Erfindung, F i g. 5 den Stromlauf eines Ausführungsbeispieles, F i g. 6 den Stromlauf eines weiteren Ausführungsbeispieles.The invention is explained in more detail below with reference to the drawings. The drawings show in FIG. 1 the basic circuit diagram of a negative feedback Transistor amplifier, F i g. 2 the basic circuit diagram of the transistor amplifier according to the invention, FIG. 3 the basic circuit diagram of a special type of circuit of the transistor amplifier according to the invention, FIG. 4 the basic circuit diagram of a another special type of circuit of the transistor amplifier according to the invention, F i g. 5 shows the circuit diagram of an exemplary embodiment, FIG. 6 shows the circuit of another Embodiment.
F i g. 1 zeigt die prinzipielle Schaltungsanordnung eines im Rahmen der Erfindung gelegenen gegengekoppelten Transistorverstärkers. Der Vorverstärker V beinhaltet eine oder mehrere Transistorstufen und steuert den in Kollektor-Basis-Schaltung betriebenen Treibertransistor T3 an, dessen Kollektor direkt und dessen Emitter über den Treiber-Emitterwiderstand R 1 mit dem Wechselstromnullpotential verbunden ist. Der Emitter des Treibertransistors T3 steuert die Basis des Endtransistors T4 an, dessen Emitter mit dem Eingang des Gegenkopplungsnetzwerkes N 1 und über den Emitterwiderstand R 2 mit dem Wechselstromnullpotential verbunden ist. Der Kollektor des Endtransistors T4 ist an den Eingang des Ausgangsnetzwerkes N2 angeschlossen, dessen Ausgang der Ausgang A des Gesamtverstärkers ist. Die erdseitigen Anschlüsse der Ein- und Ausgänge des Vorverstärkers V, des Gegenkopplungsnetzwerkes N1 und des Ausgangsnetzwerkes N2 sind mit dem Wechselstromnullpotential verbunden. Parallel zum Eingang des Ausgangsnetzwerkes N 2 ist die Ausgangskapazität C" wirksam, die sich aus der Kollektor-Emitter-Kapazität der Endstufe und den Schaltungskapazitäten zusammensetzt. Der Treibertransistor T3 weist eine Kollektor-Basis-Kapazität CCB auf. Der Ausgang des Gegenkopplungsnetzwerkes N 1 ist mit dem Vorverstärker V verbunden, dessen Eingang den Eingang E des Gesamtverstärkers darstellt.F i g. 1 shows the basic circuit arrangement of a transistor amplifier with negative feedback within the scope of the invention. The preamplifier V contains one or more transistor stages and controls the driver transistor T3 operated in a collector-base circuit, the collector of which is connected directly and the emitter of which is connected to the alternating current zero potential via the driver-emitter resistor R 1. The emitter of the driver transistor T3 controls the base of the output transistor T4, the emitter of which is connected to the input of the negative feedback network N 1 and via the emitter resistor R 2 to the alternating current zero potential. The collector of the final transistor T4 is connected to the input of the output network N2, the output of which is the output A of the overall amplifier. The earth-side connections of the inputs and outputs of the preamplifier V, the negative feedback network N1 and the output network N2 are connected to the alternating current zero potential. The output capacitance C ″, which is composed of the collector-emitter capacitance of the output stage and the circuit capacitance, is effective in parallel with the input of the output network N 2. The driver transistor T3 has a collector-base capacitance CCB. The output of the negative feedback network N 1 is connected to the preamplifier V, the input of which represents the input E of the overall amplifier.
Die Wechselströme der Elektroden des Endtransistors T4 sind folgendermaßen bezeichnet: Basisstrom JB 4 in Richtung auf die Basis, Kollektorstrom J" in Richtung auf den Kollektor und Emitterstrom Je = J"=JB4 in Richtung auf das Wechselstromnullpotential.The alternating currents of the electrodes of the final transistor T4 are designated as follows: base current JB 4 in the direction of the base, collector current J "in the direction of the collector and emitter current Je = J" = JB4 in the direction of the alternating current zero potential.
F i g. 2 zeigt das Prinzipschaltbild des über mehrere Stufen gegengekoppelten Breitband-Transistorverstärkers nach der Erfindung. Der Vorverstärker V beinhaltet eine oder mehrere Transistorstufen und steuert die Basis des Treibertransistors T3 an, dessen Eingangswechselstrom in Richtung auf den Basisänschluß mit JB,; bezeichnet ist. Der Treibertransistor T3 ist vom pnp-Leitfähigkeitstyp, sein Emitter ist mit dem Wechselstromnullpotential über den Treiber-Emitterwiderstand R 1 verbunden, dessen Wechselstrom in Richtung auf das Wechselstromnullpotential mit J_, + JB , bezeichnet ist. Außerdem ist der Emitter des Treibertransistors T3 mit der Basis des Endtransistors T4 verbunden, dessen Basiswechselstrom in Richtung auf den Basisanschluß mit 44 bezeichnet ist. Der Endtransistor T 4 ist vom npn-Leitfähigkeitstyp, sein Emitter ist erstens mit dem Wechselstromnullpotential über den Emitterwiderstand R 2 verbunden, dessen Wechselstrom in Richtung auf das Wechselstromnullpotential mit J"-J, bezeichnet ist, zweitens mit dem Eingang des Geaenkopplunasnetzwerkes N1 und drittens mit dem Kollektor des Treibertransistors T3 verbunden, dessen Kollektorstrom in Richtung auf den Kollektoranschlüßmit Jx+JB4 bezeichnet ist. Der Kollektorwechselstrom des Endtransistors T 4 ist mit JQ bezeichnet. Der Anschluß des Kollektors des Endtransistors T4 an den Eingang 'des Ausgangsnetzwerkes N2 sowie die Anordnung des Vorverstärkers V des Gegenkopplungsnetzwerkes N-1 entsprechen der Anordnung nach F i g. 1.F i g. 2 shows the basic circuit diagram of the broadband transistor amplifier according to the invention with negative feedback over several stages. The preamplifier V contains one or more transistor stages and controls the base of the driver transistor T3, whose input alternating current in the direction of the base terminal with JB; is designated. The drive transistor T3 whose AC is denoted in the direction of the alternating current zero potential with J_, + JB, of the PNP conductivity type, the emitter thereof is connected to the AC zero potential via the driver-emitter resistor R 1. In addition, the emitter of the driver transistor T3 is connected to the base of the output transistor T4, the base alternating current of which is denoted by 44 in the direction of the base terminal. The end transistor T 4 is of the npn conductivity type, its emitter is firstly connected to the alternating current zero potential via the emitter resistor R 2, whose alternating current in the direction of the alternating current zero potential is denoted by J "-J, secondly to the input of the Geaenkopplunasnetzwerkes N1 and thirdly with connected to the collector of the driver transistor T3, whose collector current in the direction of the collector terminals is denoted by Jx + JB4. The alternating collector current of the final transistor T 4 is denoted by JQ. The connection of the collector of the final transistor T4 to the input of the output network N2 and the arrangement of the preamplifier V of the negative feedback network N-1 correspond to the arrangement according to FIG.
Im Gegensatz zu der Anordnung nach F i g. 1 ist in der Anordnung nach F i g. 2 der Kollektor des Treibertransistors T3 nicht mit dem Wechselstromnullpotential, sondern mit dem Emitter des Endtransistors T 4 verbunden. Aus den in F i g. 2 angegegebenen Strömen ist zu erkennen, daß die Gegenkopplungsgröße außer vom Ausgangsstrom Ja auch noch vom Strom J" abhängt. Dieser im Gegenkopplungskreis unerwünschte Strom J,. ist jedoch bei richtiger Schaltungsdimensionierung immer sehr klein gegen den Ausgangsstrom Ja. Wird z. B. der Treiber-Emitterwiderstand R 1 sehr groß, so läßt sich aus der F i g. 2 der Strom J" direkt zu J" = -JB s ablesen, wobei der Treiber-Emitterwiderstand R 1 stromlos ist. Die Gegenkopplungsgröße ist in diesem Fall proportional zu Jd+JB 3, wobei der Basisstrom JB 3 sehr klein gegen den Ausgangsstrom Ja entsprechend folgender Annäherung ist: Hierbei bedeuten /3s und /34 die Betriebsströmverstärkungen des Treibertransistors T3 bzw. des Endtransistors T4.In contrast to the arrangement according to FIG. 1 is in the arrangement according to FIG. 2 the collector of the driver transistor T3 is not connected to the alternating current zero potential, but to the emitter of the end transistor T 4. From the in F i g. 2, it can be seen that the negative feedback variable depends not only on the output current Yes, but also on the current J ". This current J,., Which is undesirable in the negative feedback circuit, is, however, always very small compared to the output current Yes, if the circuit is correctly dimensioned If the emitter resistance R 1 is very large, the current J "directly to J" = -JB s can be read off from FIG + JB 3, whereby the base current JB 3 is very small compared to the output current Yes according to the following approximation: Here / 3s and / 34 mean the operational flow gains of the driver transistor T3 and of the output transistor T4, respectively.
Im allgemeinen wird -der Treiber-lmitterwiderstand R T nicht vernachlässigbar sein, so daß ein Teil des Kollektörstromes des Treibertransistors T3 üb&r " den Treiber-Emitterwiderstand R 1 und den Emitterwiderstand R 2 fließt, Das Verhältnis nähert sich dann dem Wert: wobei r14 den Emitterdiffusionswiderstand des Endtransistors T4 bedeutet.In general - the driver-emitter resistance RT will not be negligible, so that part of the collector current of the driver transistor T3 flows through the driver-emitter resistance R 1 and the emitter resistance R 2. The ratio then approaches the value: where r14 is the emitter diffusion resistance of the end transistor T4.
Theöretisch besteht auch die Möglichkeit, den Treiber=Emitteraviderstand R 1 so zu wählen, daß der Strom J,, -- 0 wird; es müßte dann R1 i-. ß3 - N4 (R2 + re 4) sein: Um diese Bedingung anzunähern, wird man bemüht sein, den Treiber-Emitterwiderstand R 1 möglichst groß zu wählen und eventuell eine Reihenschaltung aus einem ohmschen Treiber-Emitterwiderstand R 1 und einer Drossel zu verwenden.Theoretically, there is also the possibility of choosing the driver = emitter resistor R 1 so that the current J ,, - 0; it would then have to be R1 i-. ß3 - N4 (R2 + re 4) : In order to approximate this condition, efforts will be made to select the driver emitter resistor R 1 as large as possible and possibly to use a series connection of an ohmic driver emitter resistor R 1 and a choke.
In F i g. 3 ist das Prinzipschaltbild einer speziellen Schaltungsart des Transistorverstärkers dargestellt, das weitgehend dem Prinzipschaltbild nach F i g. 2 entspricht, jedoch noch zusätzlich die Gleichstromverhältnisse des Treibertransistors T 3 und des Endtransistors T4 darstellt. Der Emitter des Treibertransistors T3 ist über die Reihenschaltung aus dem ohmschen Treiber-Emitterwiderstand R 1 und der Emitterdrossel L 1 mit Masse verbunden, an die der Pluspol (+) der Versorgungsspannung angeschlossen ist. Außerdem ist der Emitter des Treibertransistors T3 über den Koppelkondensator C2 mit der Basis des Endtransistors T4 verbunden. Der Kollektor des Treibertransistors T3 ist einerseits über den Gleichstrom-Arbeitswiderstand R 3 mit dem Minuspol der Versorgungsspannung, andererseits über den Kondensator C 1 mit dem Emitter des Endtransistors verbunden, der wiederum einerseits mit dem Eingang des Gegenkopplungsnetzwerkes N 1 und andererseits über den Emitterwiderstand R 2 mit dem Anschluß des Minuspols der Versorgungsspannung und über den Kondensator C 3 mit Masse verbunden ist. Die Stabilisierung des Gleichstrom-Arbeitspunktes des Endtransistors T4 ist ebenfalls dargestellt und wird durch die beiden Spannungsteilerwiderstände R 4 und R5 erzielt, die je einerseits mit der Basis des Endtransistors verbunden sind. Der andere Anschluß des Spannungsteilerwiderstandes R 4 ist mit dem Minuspol (-), der andere Anschluß des Spannungsteilerwiderstandes R 5 ist mit dem Pluspol (+) der Versorgungsspannung verbunden. Die Parallelschaltung der beiden Spannungsteilerwiderstände R 4 und R 5 kann man sich in den Wechselstromwiderstand der Treiber-Emitterwiderstandsschaltung, bestehend aus dem ohmschen Treiber-Emitterwiderstand R 1 und der Emitterdrossel L 1, eingerechnet denken und soll folglich so hochohmig, wie es die Sicherheit der Stabilisierung des Arbeitspunktes des Endtransistors zuläßt, dimensioniert werden.In Fig. 3 shows the basic circuit diagram of a special type of circuit of the transistor amplifier, which largely corresponds to the basic circuit diagram according to FIG. 2, but also shows the direct current ratios of the driver transistor T 3 and the output transistor T4. The emitter of the driver transistor T3 is connected to ground via the series circuit of the ohmic driver-emitter resistor R 1 and the emitter inductor L 1, to which the positive pole (+) of the supply voltage is connected. In addition, the emitter of the driver transistor T3 is connected to the base of the output transistor T4 via the coupling capacitor C2. The collector of the driver transistor T3 is connected on the one hand to the negative pole of the supply voltage via the DC load resistor R 3 and on the other hand to the emitter of the output transistor via the capacitor C 1, which in turn is connected on the one hand to the input of the negative feedback network N 1 and on the other hand via the emitter resistor R 2 is connected to the connection of the negative pole of the supply voltage and via the capacitor C 3 to ground. The stabilization of the direct current operating point of the output transistor T4 is also shown and is achieved by the two voltage divider resistors R 4 and R5, which are each connected on the one hand to the base of the output transistor. The other terminal of the voltage divider resistor R 4 is connected to the negative pole (-), the other terminal of the voltage divider resistor R 5 is connected to the positive pole (+) of the supply voltage. The parallel connection of the two voltage divider resistors R 4 and R 5 can be thought of as included in the alternating current resistance of the driver-emitter resistor circuit, consisting of the ohmic driver-emitter resistor R 1 and the emitter inductor L 1, and should therefore be as high-resistance as is the security of the stabilization the operating point of the output transistor allows to be dimensioned.
Eine andere spezielle Schaltungsart des Transistorverstärkers- in F i g. 4 dargestellt, die ebenfalls weitgehend mit der Prinzipdarstellung nach F i g. 2 übereinstimmt. Der Emitter des Treibertransistors T3 ist direkt mit der Basis des Endtransistors T4 verbunden; Koppelkondensator C2, Treiber-Emitterwiderstandsschaltung R 1 bzw. L l, Gleichstrom-Arbeitswiderstand R 3 und die Spannungsteilerwiderstände R 4 und R 5 jeweils nach F i g. 3 entfallen vollkommen. Der Kollektor des Treibertransistors T3 ist ebenfalls galvanisch mit dem Emitter des Endtransistors T4 verbunden, und zwar an einen Emitterabgriff angeschlossen, der über den EmitterwiderstandR2 mit dem Minuspol (-) der Versorgungsspannung -und über den Kondensator C 3 mit Masse verbunden ist. Um dem Treibertransistor T3 eine genügend große Kollektor-Emitter-Gleichspannung zu sichern, ist zwischen dem Emitterwiderstand R 2 und dem Emitter des Endtransistors T 4 ein weiterer Emitterwiderstand R 6 eingeschaltet, der mit dem Emitterkondensator C 4 wechselstrommäßig kurzgeschlossen ist. Weiterhin ist zu dieser galvanischen Verkopplung von Treiber- und Endtransistor nötig, daß die beiden Transistoren T 3 und T 4 von verschiedenem Leitfähigkeitstyp sind. Im vorliegenden Fall ist der Treibertransistor T3 vom pnp-Typ und der Endtransistor T 4 vom npn-Typ. _ F i g. 5 zeigt den wesentlichen Stromlauf eines Ausführungsbeispieles, das einen Trägerfrequenz-Leitungsverstärker darstellt, der eine obere übertragungsgrenze von 60 MHz und eine Schleifengegenkopplung bei dieser Frequenz. von 19 db aufweist. Die Gegenkopplungsspannung wird im Emitterkreis der Endstufe entnommen und derart dem Emitter des ersten Transistors T1 zugeführt, daß er bezüglich der Schleifengegenkopplung in der die Phase nur gering beeinflussenden Basisschaltung, bezüglich der Signalverstärkung in Emitter-Basis-Schaltung arbeitet.Another special type of circuit of the transistor amplifier shown in FIG. 4, which also largely correspond to the basic diagram according to FIG. 2 matches. The emitter of the driver transistor T3 is connected directly to the base of the output transistor T4; Coupling capacitor C2, driver emitter resistor circuit R 1 or L l, direct current load resistor R 3 and the voltage divider resistors R 4 and R 5 in each case according to FIG. 3 are completely omitted. The collector of the driver transistor T3 is also galvanically connected to the emitter of the final transistor T4, namely to an emitter tap which is connected to the negative pole (-) of the supply voltage via the emitter resistor R2 and to ground via the capacitor C 3. In order to ensure a sufficiently large collector-emitter DC voltage for the driver transistor T3, a further emitter resistor R 6 is switched on between the emitter resistor R 2 and the emitter of the end transistor T 4 and is short-circuited with the emitter capacitor C 4 in alternating current. Furthermore, for this galvanic coupling of driver and output transistor, it is necessary that the two transistors T 3 and T 4 are of different conductivity types. In the present case, the driver transistor T3 is of the pnp type and the output transistor T 4 is of the npn type. _ F i g. 5 shows the main circuit of an exemplary embodiment which represents a carrier frequency line amplifier which has an upper transmission limit of 60 MHz and a negative feedback loop at this frequency. of 19 db. The negative feedback voltage is taken from the emitter circuit of the output stage and fed to the emitter of the first transistor T1 in such a way that it operates in emitter-base circuit with regard to the loop negative feedback in the base circuit, which only slightly influences the phase, with regard to the signal amplification.
Der gesamte Verstärker hat fünf Transistoren, von denen der erste Transistor T1, der zweite Transistor T 2 und der Treibertransistor T 3 dem pnp-Leitfähigkeitstyp angehören; die im Gleichtaktbetrieb arbeitenden beiden Endtransistoren T 4 a und T 4 b sind vom npn-Leitfähigkeitstyp. Die Versorgungsspannungsquelle weist einen Pluspol (-E-) und einen Minuspol (-) auf, denen ein Kondensator C14 parallel geschaltet ist; der Pluspol (-f-) der Versorgungsspannung ist geerdet.The entire amplifier has five transistors, of which the first transistor T1, the second transistor T 2 and the driver transistor T 3 are of the pnp conductivity type; the two output transistors T 4 a and T 4 b operating in common mode are of the npn conductivity type. The supply voltage source has a positive pole (-E-) and a negative pole (-), to which a capacitor C14 is connected in parallel; the positive pole (-f-) of the supply voltage is grounded.
Die einseitig geerdete Primärseite des Eingangsübertragers 0 1 stellt den Eingang E des Transistorverstärkers dar. Die Sekundärseite des Eingangsübertragers ist mit dem Widerstand R 8 abgeschlossen. Der eine Anschluß dieser Sekundärseite ist mit der Basis des in Emitter-Basis-Schaltung arbeitenden ersten Transistors T l, der andere Anschluß ist über einen Widerstand R9 mit dem Minuspol (-) und über eine Parallelschaltung aus einem Widerstand R 10 und einem Kondensator C7 mit dem geerdeten Pluspol (-f-) der Versorgungsspannung verbunden. Auf diese Weise ist das Basispotential des ersten Transistors T 1 durch den Spannungsteiler, bestehend aus den Widerständen R 9 und R 10, festgelegt. Da einerseits der erste Transistor T 1 den zweiten Transistor T 2 und andererseits der zweite Transistor T 2 den Treibertransistor T3 galvanisch ansteuert, hängen die Kollektorgleichströme der Transistoren TI, T2 und T3 neben den Widerständen in den jeweiligen Emitter- und Kollektorzuleitungen von den Spannungsteilerwiderständen R 9 und R 10 ab. Der Kollektor des ersten Transistors T 1 ist einerseits an die Basis des zweiten Transistors T2, andererseits über eine Reihenschaltung aus einem Widerstand R 12 und einer Drossel L 2 an einem Schaltungspunkt angeschlossen, der über einen Kondensator C 8 mit Erde und über einen Widerstand R 11 mit dem Minuspol (-) der Versorgungsspannung verbunden ist. Der Emitter des ersten Transistors T 1 ist einerseits an den Ausgang des Gegenkopplungsnetzwerkes N 1, andererseits über einen Widerstand R 13 an einem Schaltungspunkt angeschlossen, der über eine Parallelschaltung aus einem Widerstand R14 und einen Kondensator C 9 geerdet ist.The primary side of the input transformer 0 1 , which is grounded on one side, represents the input E of the transistor amplifier. The secondary side of the input transformer is terminated with the resistor R 8. The one terminal of the secondary side is operating with the base of the in-emitter-base circuit the first transistor T l, the other terminal is connected via a resistor R9 to the negative terminal (-) and via a parallel circuit of a resistor R10 and a capacitor C7 with connected to the grounded positive pole (-f-) of the supply voltage. In this way, the base potential of the first transistor T 1 is determined by the voltage divider consisting of the resistors R 9 and R 10. Since on the one hand the first transistor T 1 controls the second transistor T 2 and on the other hand the second transistor T 2 controls the driver transistor T3 galvanically, the collector direct currents of the transistors TI, T2 and T3 depend on the resistors in the respective emitter and collector leads from the voltage divider resistors R 9 and R 10 from. The collector of the first transistor T. is connected to the negative pole (-) of the supply voltage. The emitter of the first transistor T 1 is connected on the one hand to the output of the negative feedback network N 1 and on the other hand via a resistor R 13 to a circuit point which is grounded via a parallel circuit of a resistor R14 and a capacitor C 9.
Der Kollektor des zweiten Transistors T2 ist einerseits an die Basis des Treibertransistors T3, andererseits über einen Widerstand R16 an einem Schaltungspunkt angeschlossen, der über einen Kondensator C 10 mit Erde und über einen Widerstand R 15 mit dem Minuspol (--) der Versorgungsspannung verbunden ist. Der Emitter des zweiten Transistors T2 ist über einen Kondensator C 11 für sehr hohe Frequenzen wechselstrommäßig geerdet und über eine Reihenschaltung zweier Widerstände R 17 und R18 gleichstrommäßig mit dem geerdeten Pluspol (-h) verbunden. Der Verbindungspunkt der beiden Widerstände R 17 und R18 ist über einen Kondensator C 12 mit Erde verbunden. Durch die Widerstände R 15 bis R18 ist das Gleichkollektorpotential des zweiten Transistors T2 entsprechend seiner benötigten Aussteuerbarkeit stärker negativ eingestellt als das des ersten Transistors T1. In analoger Weise ist das Gleichkollektorpotential des Treibertransistors T3 noch stärker negativ durch dessen Gleichstrom-Arbeitswiderstand R 3 und den Treiber-Emitterwiderstand R 1 eingestellt. Der Kollektor des Treibertransistors T3 ist einerseits über den Gleichstrom-Arbeitswiderstand R 3 mit dem Minuspol (-) der Versorgungsspannung und über den Kondensator C 1 mit dem Eingang des Gegenkopplungsnetzwerkes N 1 verbunden, welches aus einer Parallelschaltung aus einem Widerstand R 19 und einem Kondensator C 13 in Längsrichtung zwischen Eingang und Ausgang besteht. Der Emitter des Treibertransistors T3 ist über den Treiber-Emitterwiderstand R 1 mit Erde und über den Koppelkondensator C 2 mit den beiden parallelgeschalteten Basen der Endtransistoren T 4 a und T 4 b verbunden. Der Spannungsteilerwiderstand R 4 verbindet diese Basen mit dem Minuspol (-), der Spannungsteilerwiderstand R 5 mit dem Pluspol der Versorgungsspannung. Die beiden parallelgeschalteten Kollektoren der Endtransistoren T 4 a und T 4 b sind mit dem einen Anschluß der durch einen Widerstand R25 abgeschlossenen Primärseite des Ausgangsübertragers 02 verbunden, der andere Anschluß ist mit dem geerdeten Pluspol der Versorgungsspannung verbunden. Der Emitter des Endtransistors T 4 a ist über den Kondensator C5 und der Emitter des Endtransistors T 4 b ist über den Kondensator C 6 mit dem Eingang des Gegenkopplungsnetzwerkes N 1 verbunden. Zudem ist der Emitter des Endtransistors T4a über eine Reihenschaltung aus dem Emitterwiderstand R 2 a und dem Widerstand R 7 a mit dem Minuspol der Versorgungsspannung und der Emitter des Endtransistors T 4 b über eine Reihenschaltung aus dem Emitterwiderstand R 2 b und dem Widerstand R 7 b mit dem Minuspol der Versorgungsspannung verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen dem Emitterwiderstand R 2 a und dem Widerstand R7 a ist über den Kondensator C 3 a, der Verbindungspunkt des Emitterwiderstandes R 2 b und dem Widerstand R 7 b ist über den Kondensator C 3 b wechselstrommäßig geerdet. Die Sekundärseite des Ausgangsübertragers V2, dessen einer Anschluß geerdet ist, ist mit dem Eingang des eigentlichen Ausgangsnetzwerkes N2' verbunden, das zusammen mit dem Ausgangsübertrager Ü2 so bemessen ist, daß die Wirkung der Kapazität des Kollektoranschlusses der Endstufe gegen das Wechselstromnullpotential auf den Frequenzgang innerhalb des übertragungsbandes kompensiert wird.The collector of the second transistor T2 is connected on the one hand to the base of the driver transistor T3 and on the other hand via a resistor R16 to a circuit point which is connected to ground via a capacitor C 10 and to the negative pole (-) of the supply voltage via a resistor R 15 . The emitter of the second transistor T2 is grounded in terms of alternating current via a capacitor C 11 for very high frequencies and is connected in terms of direct current to the grounded positive pole (-h) via a series circuit of two resistors R 17 and R18. The connection point of the two resistors R 17 and R18 is connected to ground via a capacitor C 12. As a result of the resistors R 15 to R18, the DC collector potential of the second transistor T2 is set to be more negative than that of the first transistor T1, in accordance with its required modulation capability. In an analogous manner, the DC collector potential of the driver transistor T3 is set even more negative by its DC load resistance R 3 and the driver emitter resistor R 1. The collector of the driver transistor T3 is connected on the one hand to the negative pole (-) of the supply voltage via the DC load resistor R 3 and to the input of the negative feedback network N 1 via the capacitor C 1, which consists of a parallel circuit of a resistor R 19 and a capacitor C. 13 consists in the longitudinal direction between the entrance and the exit. The emitter of the driver transistor T3 is connected to ground via the driver-emitter resistor R 1 and to the two parallel-connected bases of the output transistors T 4 a and T 4 b via the coupling capacitor C 2. The voltage divider resistor R 4 connects these bases to the negative pole (-), the voltage divider resistor R 5 to the positive pole of the supply voltage. The two parallel-connected collectors of the output transistors T 4 a and T 4 b are connected to one terminal of the primary side of the output transformer 02 terminated by a resistor R25, the other terminal is connected to the grounded positive terminal of the supply voltage. The emitter of the end transistor T 4 a is connected via the capacitor C5 and the emitter of the end transistor T 4 b is connected to the input of the negative feedback network N 1 via the capacitor C 6. In addition, the emitter of the output transistor T4a is connected via a series connection of the emitter resistor R 2 a and the resistor R 7 a to the negative pole of the supply voltage and the emitter of the output transistor T 4 b is connected via a series connection of the emitter resistor R 2 b and the resistor R 7 b connected to the negative pole of the supply voltage. The connection point between the emitter resistor R 2 a and the resistor R7 a is grounded via the capacitor C 3 a, the connection point of the emitter resistor R 2 b and the resistor R 7 b is ac grounded via the capacitor C 3 b. The secondary side of the output transformer V2, one terminal of which is grounded, is connected to the input of the actual output network N2 ', which is dimensioned together with the output transformer Ü2 so that the effect of the capacitance of the collector terminal of the output stage against the alternating current zero potential on the frequency response within the transmission band is compensated.
In F i g. 6 ist der Stromlauf eines weiteren Ausführungsbeispieles in Gestalt eines Trägerfrequenzleitungsverstärkers mit einem Übertragungsbereich von 4 bis 60 MHz, mit einer Verstärkung von 32 db und einer Ausgangsleistung von 200 mW dargestellt. Er hat wie der vorstehend beschriebene Verstärker nach F i g. 5 fünf Transistoren, von denen die Transistoren T l, T2 und T 3 dem pnp-Leitfähigkeitstyp, die beiden Endtransistoren T 4 a und T 4 b dem npn-Leitfähigkeitstyp angehören. Die Endstufe weist zwei wechselstrommäßig parallelgeschaltete Transistoren T 4 a und T 4 b auf, um die erforderliche Ausgangsleistung aufzubringen. Um möglichst geringe Längsinduktivitäten und kleine Erdkapazitäten zu erhalten, sind die Transistoren von der ersten bis zur letzten Stufe galvanisch gekoppelt, was durch die Verwendung verschiedener Leitfähigkeitstypen ermöglicht wird. Bei der Versorgungsspannungsquelle ist jedoch an Stelle des Pluspoles (-I-) der Minuspol (-) geerdet.In Fig. 6 shows the current flow of a further exemplary embodiment in the form of a carrier frequency line amplifier with a transmission range from 4 to 60 MHz, with a gain of 32 db and an output power of 200 mW. Like the amplifier described above according to FIG. 5 five transistors, of which the transistors T 1, T2 and T 3 belong to the pnp conductivity type, the two end transistors T 4 a and T 4 b belong to the npn conductivity type. The output stage has two transistors T 4 a and T 4 b connected in parallel in terms of alternating current in order to generate the required output power. In order to obtain the lowest possible series inductance and low ground capacitance, the transistors are galvanically coupled from the first to the last stage, which is made possible by the use of different conductivity types. In the case of the supply voltage source, however, the negative pole (-) is earthed instead of the positive pole (-I-).
Die Primärseite des Eingangsübertragers 01 bildet den Eingang E des Verstärkers, wobei im Zuge der einen Eingangsleitung ein Kondensator C 26 liegt, der den Eingangsübertrager Ü1 zu einem Hochpaß (4 MHz) ergänzt. Die Sekundärseite ist mit dem Widerstand R 8 abgeschlossen. Der eine Anschluß dieser Sekundärseite ist mit der Basis des in Emitter-Basis-Schaltung arbeitenden ersten Transistors T1, der andere Anschluß ist über eine Parallelschaltung aus dem Kondensator C 7 und einem Widerstand R 20 geerdet und über einen Widerstand R 21 an einen Verbindungspunkt zweier Widerstände R 14 a und R 14b angeschlossen, der positives Potential führt. Auf diese Weise hängen das Basispotential des ersten Transistors T1 und dadurch mittelbar die Kollektorgleichströme der genau wie nach F i g. 5 galvanisch aneinander angekoppelten Transistoren T1, T2 und T3 von den Spannungsteilerwiderständen R 20 und R 21 ab. Der Kollektor des ersten Transistors T 1 ist einerseits an die Basis des zweiten Transistors T2, andererseits über eine Reihenschaltung von dem Widerstand R 12, der Drossel L 2 und dem Widerstand R 11 mit dem geerdeten Minuspol der Versorgungsspannung verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R 12 und der Drossel L 2 ist für sehr hohe Frequenzen über einen Kondensator C 15, der Verbindungspunkt der Drossel L 2 und dem Widerstand R 11 ist über den Kondensator C8 wechselstrommäßig geerdet. Der Emitter des ersten Transistors T1 ist einerseits an den Ausgang des Gegenkopplungsnetzwerkes NI, d. h. an den an dieser Stelle gelegenen Widerstand R I9, andererseits über den Widerstand R13 an einen Schaltungspunkt angeschlossen, der über den Kondensator C9 wechselstrommäßig geerdet und über die Reihenschaltung aus den Widerständen R 14 a und R 14 b und der Drossel L 3 mit dem Pluspol (-f-) der Versorgungsspannung verbunden ist. Die Verbindungsleitung des Widerstandes R 14 b zum Verbindungspunkt der Widerstände R 14 a und dem Spannungsteilerwiderstand R 21 ist durch einen geerdeten Durchführungskondensator C 16 geführt.The primary side of the input transformer 01 forms the input E of the amplifier, with a capacitor C 26 in the course of one input line, which supplements the input transformer U1 to form a high-pass filter (4 MHz). The secondary side is terminated with the resistor R 8. One connection of this secondary side is connected to the base of the first transistor T1 operating in an emitter-base circuit, the other connection is grounded via a parallel connection of the capacitor C 7 and a resistor R 20 and via a resistor R 21 to a junction point of two resistors R 14 a and R 14b connected, the positive potential. In this way, the base potential of the first transistor T1 and thereby indirectly the collector direct currents depend on exactly as in FIG. 5 transistors T1, T2 and T3 galvanically coupled to one another from the voltage divider resistors R 20 and R 21. The collector of the first transistor T 1 is connected on the one hand to the base of the second transistor T2, on the other hand via a series circuit of the resistor R 12, the choke L 2 and the resistor R 11 to the grounded negative pole of the supply voltage. The connection point between the resistor R 12 and the choke L 2 is grounded for very high frequencies via a capacitor C 15, the connection point between the choke L 2 and the resistor R 11 is AC grounded via the capacitor C8. The emitter of the first transistor T1 is on the one hand to the output of the negative feedback network NI, i. H. connected to the resistor R I9 located at this point, on the other hand via the resistor R13 to a circuit point which is grounded in alternating current via the capacitor C9 and connected to the positive pole via the series connection of the resistors R 14 a and R 14 b and the choke L 3 ( -f-) is connected to the supply voltage. The connection line of the resistor R 14 b to the connection point of the resistors R 14 a and the voltage divider resistor R 21 is led through a grounded feed-through capacitor C 16.
Das Gegenkopplungsnetzwerk N1 besteht aus einer Reihenschaltung des Widerstandes R 19 und eines Kondensators C21, deren Verbindungspunkt über einen Trimmkondensator C 20 an den Kollektor des zweiten Transistors T2 und die daran angekoppelte Basis des Treibertransistors T3 angeschlossen ist. Zudem ist der Kollektor des zweiten Transistors T2 über einen WiderstandR24 an Erde und über einen Widerstand R 23 an einen Verbindungspunkt angeschlossen, der einerseits über einen Kondensator C 17 und andererseits über eine Reihenschaltung aus einem Widerstand R 22 und einem Kondensator C 18 mit Erde verbunden ist. Der Emitter des zweiten Transistors T 2 ist über den Kondensator C 11 für hohe Frequenzen wechselstrommäßig geerdet und. über eine Reihenschaltung der Widerstände -R 11, R 18 a und R 18 b sowie der Drossel L 3 mit dem Pluspol (-I-) der Versorgungsspannung verbunden. Dabei ist der Verbindungspunkt der Widerstände R 17 und R 18 a über den Kondensator C 12 wechselstrommäßig geerdet und die Verbindungsleitung zwischen den Widerständen R 18 a und R 18 b durch einen geerdeten Durchführungskondensator C19 geführt.The negative feedback network N1 consists of a series circuit of the resistor R 19 and a capacitor C21, the connection point of which is connected via a trimming capacitor C 20 to the collector of the second transistor T2 and the base of the driver transistor T3 coupled to it. In addition, the collector of the second transistor T2 is connected to earth via a resistor R24 and to a connection point via a resistor R 23, which is connected to earth on the one hand via a capacitor C 17 and on the other hand via a series circuit of a resistor R 22 and a capacitor C 18 . The emitter of the second transistor T 2 is grounded in alternating currents via the capacitor C 11 for high frequencies. Connected via a series connection of the resistors -R 11, R 18 a and R 18 b and the choke L 3 to the positive pole (-I-) of the supply voltage. The connection point of the resistors R 17 and R 18 a is grounded via the capacitor C 12 in terms of alternating current and the connecting line between the resistors R 18 a and R 18 b is routed through a grounded bushing capacitor C19.
Der Emitter des Treibertransistors T3 ist direkt an die parallelgeschalteten Basen der beiden Endtransistoren T 4 a und T 4 b angeschlossen und über eine Reihenschaltung zweier Widerstände Rla und R 1 b und der Drossel L 3 mit dem Pluspol (-1-) der Versorgungsspannung verbunden. Dabei ist die Verbindungsleitung zwischen den Widerständen R 1 a und R 1 b durch einen geerdeten Durchführungskondensator C22 geführt. Der Kollektor des Treiber= transistors T3 ist mit dem Eingang des Gegenkopplungsnetzwerkes N 1, d. h. an den einen Anschluß des Kondensators C21 angeschlossen und in Abwesenheit eines speziellen Arbeitswiderstandes an den nachstehend beschriebenen gemeinsamen Emitterabgriff der beiden Endtransistoren T 4 a und T 4 b angeschlossen. Dieser Emitterabgriff ist über den Emitterwiderstand R 2 mit dem geerdeten Minuspol der Versorgungsspannung, über eine Parallelschaltung eines Widerstandes R 6 a und eines Kondensators C 4 a mit dem Emitter des einen Endtransistors T4a und über eine Parallelschaltung eines Widerstandes R 6 b und eines Kondensators C 4 b mit dem Emitter des anderen Endtransistors Tob verbunden. Die parallelgeschalteten Kollektoren der Endtransistoren T 4 a und T 4 b sind mit dem einen Anschluß der Primärseite des Ausgangsübertragers Ü2 verbunden, deren anderer Anschluß über einen Kondensator C 24 wechselstrommäßig geerdet und über eine Drossel L4 mit dem Pluspol (-h) der Versorgungsspannung verbunden ist. Dabei ist die Verbindungsleitung zwischen dem Pluspol (-I-) und der Drossel L4 durch einen geerdeten Durchführungskondensator C23 geführt. Parallel zu der Primärseite des Ausgangsübertragers 02 ist ein Widerstand R25 geschaltet. Die Sekundärseite des Ausgangsübertragers bildet den Ausgang A des Verstärkers, wobei im Zuge der einen Ausgangsleitung ein Kondensator C 25 liegt, der den Ausgangsübertrager 02 zu einem Hochpaß (4 MHz) ergänzt.The emitter of the driver transistor T3 is connected directly to the parallel bases of the two output transistors T 4 a and T 4 b and connected to the positive pole (-1-) of the supply voltage via a series circuit of two resistors Rla and R 1 b and the choke L 3. The connecting line between the resistors R 1 a and R 1 b is routed through a grounded feed-through capacitor C22. The collector of the driver = transistor T3 is connected to the input of the negative feedback network N 1, ie to one terminal of the capacitor C21 and, in the absence of a special working resistor, to the common emitter tap of the two output transistors T 4 a and T 4 b described below. This emitter tap is connected to the grounded negative pole of the supply voltage via the emitter resistor R 2, via a parallel connection of a resistor R 6 a and a capacitor C 4 a to the emitter of one end transistor T4a and via a parallel connection of a resistor R 6 b and a capacitor C 4 b connected to the emitter of the other end transistor Tob. The parallel-connected collectors of the output transistors T 4 a and T 4 b are connected to one terminal of the primary side of the output transformer Ü2, the other terminal of which is AC grounded via a capacitor C 24 and connected to the positive pole (-h) of the supply voltage via a choke L4 . The connection line between the positive pole (-I-) and the choke L4 is routed through a grounded feed-through capacitor C23. A resistor R25 is connected in parallel with the primary side of the output transformer 02. The secondary side of the output transformer forms the output A of the amplifier, with a capacitor C 25 in the course of one output line, which supplements the output transformer 02 to form a high-pass filter (4 MHz).
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1967S0108413 DE1289119B (en) | 1967-02-21 | 1967-02-21 | Counter-coupled transistor broadband amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1967S0108413 DE1289119B (en) | 1967-02-21 | 1967-02-21 | Counter-coupled transistor broadband amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1289119B true DE1289119B (en) | 1969-02-13 |
Family
ID=7528765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1967S0108413 Pending DE1289119B (en) | 1967-02-21 | 1967-02-21 | Counter-coupled transistor broadband amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1289119B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3649925A (en) * | 1970-07-20 | 1972-03-14 | Hewlett Packard Co | High frequency amplifier |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1160013B (en) * | 1960-05-30 | 1963-12-27 | Philips Nv | Counter-coupled transistor amplifier |
-
1967
- 1967-02-21 DE DE1967S0108413 patent/DE1289119B/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3649925A (en) * | 1970-07-20 | 1972-03-14 | Hewlett Packard Co | High frequency amplifier |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |