DE1285531B

DE1285531B - Electro-optical scanning arrangement

Info

Publication number: DE1285531B
Application number: DEW42419A
Authority: DE
Inventors: Nelson Terence John
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1962-11-26
Filing date: 1963-10-23
Publication date: 1968-12-19
Also published as: SE321950B; DE1447283B2; DE1447283A1; GB1071911A

Description

Wie alle übrigen Abtastsysteme ist ein optisches io 41,42, 43 und 44 übertragen wird, die durch die Abtastsystem nur dann praktikabel, wenn es eine Signalquellen 31,32,33 und 34 gesteuert werden, hohe Rasterdichte im Ausgangsfeld, d. h. eine hohe Die von den erwähnten Quellen gelieferten Signale Dichte der diskreten, jeweils anzusteuernden Aus- sind vorzugsweise binär, da die Erfindung insbesongangsstellen, ermöglicht. Versuche, mit den bekann- dere für Systeme geeignet ist, bei denen sowohl die ten Analogabtastsystemen — gleichgültig, ob hierbei 15 Eingangs- als auch die Ausgangssignale in binärer ein Lichtstrahl oder ein Elektronenstrahl vorgesehen oder digitaler Form vorliegen, jedoch ist die Anist — eine hohe Rasterdichte zu erhalten, waren Wendung der Erfindung nicht auf derartige Systeme bisher nicht erfolgreich, und zwar hauptsächlich beschränkt.Like all other scanning systems, an optical io 41,42, 43 and 44 is transmitted through the Scanning system only practical if there are signal sources 31,32,33 and 34 controlled, high grid density in the exit field, d. H. a high The signals supplied by the sources mentioned The density of the discrete outputs to be controlled are preferably binary, since the invention in particular places enables. Attempts with the known is suitable for systems in which both the th analog scanning systems - regardless of whether there are 15 input signals or the output signals in binary a light beam or an electron beam is provided, or in digital form, however, the anist - To obtain a high grid density, the invention was not applied to such systems so far unsuccessful, mainly limited.

wegen ernster Registrierungs- und Adressierfehler- Die Quelle 1 liefert einen gerichteten Lichtstrahl,due to serious registration and addressing errors - Source 1 delivers a directed light beam,

Probleme. Bei den bekannten Systemen war es 20 der in der Richtung der X-Achse linear oder eben notwendig, komplizierte und kostspielige Fehler- polarisiert ist und einen Träger für die übertragenen korrektur- und Rückkopplungsschaltungen zu ver- Informationen darstellt. Die Quelle 1 kann einen wenden, um sicherzustellen, daß der umzusetzende optischen Maser enthalten, der einen intensiven, Lichtstrahl tatsächlich auf die gewünschte Stelle des phasenkohärenten Lichtstrahl liefert. Die Kohärenz Ausgangsfeldes abgelenkt wird. Da des weiteren die 25 vergrößert die Lichtwirkung, welche ihrerseits die Adressensignale selbst regelmäßig digitaler Natur Auflösung vergrößert, die an der Ausgangsmatrix 22Problems. In the known systems, it was linear or flat in the direction of the X-axis necessary, complicated and costly error-polarized and a carrier for the transmitted correction and feedback circuits to provide information. Source 1 can be one to ensure that the optical maser to be converted contains an intense, Light beam actually delivers to the desired point of the phase-coherent light beam. The coherence Output field is deflected. Furthermore, the 25 increases the lighting effect, which in turn increases the Address signals themselves regularly of a digital nature, resolution enlarged, which is sent to the output matrix 22

sind, war es bisher notwendig, einen Digital-Analog-Umsetzer vorzusehen, um diese Signale in die entsprechenden analogen Ablenksignale für die Ablenkeinrichtung umzusetzen.are, it was previously necessary to provide a digital-to-analog converter to convert these signals into the implement corresponding analog deflection signals for the deflection device.

Alle diese Notwendigkeiten sind für eine digitale Abtastanordnung der einleitend beschriebenen Art erfindungsgemäß beseitigt durch die Kombination einer Quelle eines engen Strahlenbündels polarisierterAll of these requirements are for a digital scanning arrangement of the type described in the introduction eliminated according to the invention by the combination of a source of a narrow beam of polarized rays

erhalten werden kann. Die Frequenz der Quelle 1 braucht nicht in dem Bereich zu liegen, der mit sichtbarem Licht bezeichnet wird, sie kann eine höhere oder niedrigere Frequenz der elektromagnetischen Wellenenergie sein, die von den nachfolgenden binären Ablenkstufen 41, 42, 43 und 44 ohne übermäßige Dämpfung durchgelassen wird. Im allgemeinen wächst die Auflösung, die man an dercan be obtained. The frequency of the source 1 does not have to be in the range with Visible light is called; it can have a higher or lower frequency of electromagnetic Be wave energy generated by the following binary deflection stages 41, 42, 43 and 44 is allowed to pass without excessive attenuation. In general, the resolution that you get at the grows

elektromagnetischer Strahlung, einer im Strahlengang 35 Ausgangsmatrix 22 erhält, mit zunehmender Freilegenden digitalen Lichtablenkeinrichtung, die unter quenz der Wellenenergie des Strahls der Quelle 1. der Steuerung von Signalen einer äußeren Quelle das In den binären Ablenkeinheiten oder Stufen Strahlenbündel in einer Mehrzahl binärer Schritte 41,42, 43 und 44 wird je die Polarisationsebene des auf eine Ausgangsstellung hin als Funktion der Strahls der Quelle 1 gedreht, ferner wird in jeder Polarisation des Strahlenbündels ablenkt und einer 40 Stufe der Strahl in Abhängigkeit von seiner Polarisa-Mehrzahl strahlungsempfindlicher Elemente zum tion in binärer Weise abgelenkt. Die Einheiten sind Auffangen des abgelenkten Strahlenbündels und zum in der angegebenen Reihenfolge hintereinander in Erzeugen eines elektrischen Signals auf ihre selektive den Strahlengang gestellt.electromagnetic radiation, one in the beam path 35 receives output matrix 22, with increasing exposure digital light deflection device, which under the frequency of the wave energy of the beam of the source 1. the control of signals from an outside source in the binary deflection units or stages The bundle of rays in a plurality of binary steps 41, 42, 43 and 44 is each the plane of polarization of the is rotated towards a starting position as a function of the beam of the source 1, furthermore in each Polarization of the beam deflects and a 40 stage of the beam depending on its polarisa-plural Radiation-sensitive elements deflected to tion in a binary manner. The units are The deflected bundle of rays is intercepted and in the specified order one after the other in Generate an electrical signal on their selective set of the beam path.

Anregung hin. Die Polarisationsmodulatoren 2,7,12 und 17 inSuggestion. The polarization modulators 2,7,12 and 17 in

Diese Anordnung hat, wie vorstehend erwähnt, 45 den binären Ablenkeinheiten 41, 42, 43 bzw. 44This arrangement, as mentioned above, has 45 binary deflectors 41, 42, 43 and 44, respectively

zahlreiche Vorteile. können z. B. Faraday-Rotationen sein, in denen einnumerous advantages. can e.g. B. Faraday rotations in which a

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet; in der Zeichnung zeigtFurther developments of the invention are characterized in the subclaims; in the drawing shows

Fi g. 1 in schematischer Darstellung ein erfindungsgemäß ausgebildetes Ablenksystem,Fi g. 1 in a schematic representation of an inventive trained deflection system,

F i g. 2 eine schematische Darstellung der Ausgangsmatrix 22 der F i g. 1,F i g. FIG. 2 shows a schematic representation of the output matrix 22 from FIG. 1,

F i g. 3 eine Tabelle, in der die Entsprechungen zwischen den Kreuzpunkten der AusgangsmatrixF i g. 3 is a table in which the correspondences between the crosspoints of the output matrix

magneto-optischer Effekt ausgenutzt wird. Weiterhin können sie Halbwellenplatten sein, welche einen elektro-optischen Effekt ausnutzen, der unter dem Einfluß von Halbwellenspannungen der binären Signalquellen 31, 32, 33 und 34 induziert wird. Im letzteren Fall, der in F i g. 1 dargestellt ist, könnenmagneto-optical effect is exploited. Furthermore, they can be half-wave plates, which one Take advantage of electro-optical effect under the influence of half-wave voltages of the binary Signal sources 31, 32, 33 and 34 is induced. In the latter case, which is shown in FIG. 1 is shown, can

die Teile 3,8,13 und 18 der Dreheinrichtungen 2,7,12 und 17 in vorteilhafter Weise Kristalle ausparts 3, 8, 13 and 18 of the rotating devices 2,7,12 and 17 crystals in an advantageous manner

nach den F i g. 1 und 2 und den verschiedenen 55 Kaliummonophosphat (KDP) oder Ammoniummono-Permutationen und Kombinationen der Signale der phosphat (ADP) sein. Ihre normalen optischenaccording to the F i g. 1 and 2 and the various 55 potassium monophosphate (KDP) or ammonium mono-permutations and combinations of the signals of phosphate (ADP). Your normal optical

Achsen liegen auf der Z-Achse, welche die Fortpflanzungsrichtung des Strahls der Quelle 1 in F i g. 1 ist, während ihre induzierten optischen Achsen in der XF-Ebene unter einem Winkel von 45° zur Polarisation des Strahls der Quelle 1 liegen,Axes lie on the Z-axis which defines the direction of propagation of the beam from source 1 in FIG. 1 is while its induced optical axes in the XF plane at an angle of 45 ° to the polarization of the source 1 beam,

vier Quellen der F i g. 1 dargestellt sind,four sources of FIG. 1 are shown,

Fig. 4 eine vereinfachte Ansicht einer Ausgangsmatrix bei Anwendung als Speicher hoher Arbeitsgeschwindigkeit mit beliebigem Zugriff, 4 shows a simplified view of an output matrix when used as a high-speed memory with any access,

F i g. 5 einen Schaltkreuzpunkt einer Ausgangsmatrix bei Anwendung in einem schnell arbeitenden elektronischen Fernsprechvermittlungssystem,F i g. 5 shows a switching crosspoint of an output matrix when used in a fast-working one electronic telephone switching system,

Fig. 6 ein Blockschema eines Systems zur Erzeugung sichtbarer Schaubilder,6 is a block diagram of a system for generating visible graphs;

F i g. 7 eine Ausgangsmatrix bei Anwendung auf Nachrichtenübertragungssysteme und F i g. 8 einen Kristall sowie Lichtstrahlwege zurF i g. 7 shows an output matrix when applied to communication systems and F i g. 8 a crystal and light beam paths to

um einearound a

Drehung der Richtung der Polarisation des Strahls zwischen zueinander senkrechten Richtungen zu ermöglichen. Diese induzierten optischen Achsen werden unter dem Einfluß von Halbwellenspannungen der Quellen 31, 32, 33 und 34 durch elektrische Felder parallel zur Z-Achse induziert. Die induzierte Anisotropie ist als linearer Pockel-Effekt bekannt.Rotation of the direction of polarization of the beam between mutually perpendicular directions enable. These induced optical axes are under the influence of half-wave voltages of the sources 31, 32, 33 and 34 induced by electric fields parallel to the Z-axis. The induced Anisotropy is known as the linear Pockel effect.

An gegenüberliegenden großen Flächen des Kristalls 3 sind die Elektroden 4 und 5 befestigt, die so aufgebaut sind, daß sie den Durchgang von Licht zulassen. Sie können transparente metallische Filme sein, z. B. aus Gold mit einer Dicke von 50 bis 100 Ängström. Das Verfahren zur Herstellung derartiger aufgedampfter metallischer Elektroden ist eingehend im Kapitel IV von »Procedures in Experimental Physics« von John Strong, Prentice Hall, 1939, beschrieben. Andererseits können die Elektroden die Form annehmen, wie sie in F i g. 5 der USA.-Patentschrift 2 467 325 vom 12. April 1949 dargestellt ist, wo sie aus zwei Gittern aus leitendem Material bestehen, z. B. metallischen Maschen oder Drähten oder aus einem metallischen Überzug, der an den großen Flächen des Kristalls 3 befestigt ist. Die Elektroden 4 und 5 sind durch elektrische Leiter mit der binären Signalquelle 31 verbunden.On opposite large surfaces of the crystal 3, the electrodes 4 and 5 are attached, the are constructed to allow the passage of light. You can use transparent metallic films be e.g. B. made of gold with a thickness of 50 to 100 angstroms. The method of manufacture Such vapor-deposited metallic electrodes are described in detail in Chapter IV of »Procedures in Experimental Physics ”by John Strong, Prentice Hall, 1939. On the other hand, the Electrodes take the form as shown in FIG. 5 of U.S. Patent 2,467,325, April 12, 1949 is shown where they consist of two grids of conductive material, e.g. B. metallic mesh or Wires or a metallic coating attached to the large surfaces of the crystal 3. The electrodes 4 and 5 are connected to the binary signal source 31 by electrical conductors.

Für die Dreheinrichtungen 7, 12 und 17 sind in gleicher Weise Elektroden vorgesehen, die durch ao elektrische Leiter mit den binären Signalquellen 32, 33 und 34 verbunden sind.For the rotating devices 7, 12 and 17 electrodes are provided in the same way, which are indicated by ao electrical conductors are connected to the binary signal sources 32, 33 and 34.

Die Mittel für das binäre Ablenken des Strahls in jeder Ablenkeinheit bestehen aus den Kristallen 6,11,16 und 21 in den Einheiten 41, 42,43 und 44. Die Kristalle 6,11,16 und 21 sind doppelbrechende Kristalle, die durch einachsige polarisationsempfindliche Anisotropie gekennzeichnet sind. Vorzugsweise haben die Kristalle 6,11,16 und 21 parallele große Flächen, die senkrecht zur Fortpflanzungsrichtung des Strahls der Quelle 1 liegen. Die optischen Achsen der Kristalle 6 und 11 sind innerhalb der YZ-Ebene nach oben geneigt, d. h. in der positiven Y-Richtung in der Fortpflanzungsrichtung des Strahls. Innerhalb der ATZ-Ebene, die senkrecht zur FZ-Ebene liegt, sind die optischen Achsen der Kristalle 16 und 21 in der positiven AT-Richtung in der Fortpflanzungsrichtung des Strahls geneigt. Es werden gleiche schiefe Winkel zur Fortpflanzungsrichtung des Strahls benutzt, um die Größe der Ablenkung entsprechend der Polarisation des Strahls und der Dicke der verschiedenen Kristalle veränderlich zu machen. Es sei jedoch bemerkt, daß die Erfindung nicht auf die Anwendung von gleichen schiefen Winkeln beschränkt ist.The means for the binary deflection of the beam in each deflection unit consist of the crystals 6,11,16 and 21 in the units 41, 42,43 and 44. The crystals 6,11,16 and 21 are birefringent crystals which are polarization-sensitive by uniaxial Anisotropy are marked. The crystals 6, 11, 16 and 21 preferably have large parallel faces which are perpendicular to the direction of propagation of the beam from the source 1. The optical axes of the crystals 6 and 11 are inclined upward within the YZ plane, that is, in the positive Y direction in the direction of propagation of the beam. Within the ATZ plane, which is perpendicular to the FZ plane, the optical axes of the crystals 16 and 21 are inclined in the positive AT direction in the direction of propagation of the beam. Equal oblique angles are used to the direction of propagation of the beam in order to make the amount of deflection variable according to the polarization of the beam and the thickness of the different crystals. It should be noted, however, that the invention is not limited to the use of equal oblique angles.

Die Bedeutung der optischen Achsen und ihrer in F i g. 1 dargestellten speziellen Orientierungen sind später vollständiger erklärt. Diese Orientierungen sind für einen negativen einachsigen Kristall, wie Calcit, geeignet, wenn der Weg des nicht abgelenkten Strahls der Quelle 1 das Element d der Ausgangsmatrix 22 schneidet, wie es in F i g. 2 angegeben ist. The importance of the optical axes and their in F i g. The specific orientations shown in Fig. 1 are explained more fully later. These orientations are suitable for a negative uniaxial crystal such as calcite when the path of the undeflected beam from source 1 intersects element d of output matrix 22, as shown in FIG. 2 is specified.

Die Dicke der Kristalle, z. B. der Kristalle 6 und 11, mit ihren optischen Achsen in der YZ-Ebene nimmt geometrisch zur Quelle 1 hin zu, während die Dicke der Kristalle, z. B. der Kristalle 16 und 21, mit ihren optischen Achsen in der ATZ-Ebene geometrisch zur Quelle 1 hin in der anderen Progression zunimmt, d. h. der Kristall 6 hat die doppelte Dicke wie der Kristall 11, während der Kristall 16 die doppelte Dicke des Kristalls 21 hat. Diese Anordnung ermöglicht eine Änderung der Signale der Quellen 31,32,33 und 34, die zur Hervorbringung einer fernsehartigen Abtastung der Ausgangsmatrix 22 am wirtschaftlichsten ist, wobei die Abtastung später vollständiger beschrieben wird. Jede andere Anordnung der Kristalle 6,11,16 und 21 ist ebenfalls zur Durchführung der Erfindung brauchbar. Es sei dabei bemerkt, daß ähnliche Ablenkungen durch aufeinanderfolgende Unterschiede in den Winkeln der schiefen optischen Achsen der Kristalle und nicht in ihren Dicken erreicht werden können.The thickness of the crystals, e.g. B. the crystals 6 and 11, with their optical axes in the YZ plane increases geometrically towards the source 1, while the thickness of the crystals, e.g. B. of crystals 16 and 21, with their optical axes in the ATZ plane geometrically towards the source 1 in the other Progression increases, d. H. the crystal 6 is twice as thick as the crystal 11, while the Crystal 16 has twice the thickness of crystal 21. This arrangement allows the Signals from sources 31, 32, 33 and 34 that are used to produce television-type scanning of the output matrix 22 is most economical, wherein the scan will be described more fully later. Any other arrangement of crystals 6,11,16 and 21 is also useful in practicing the invention. It should be noted that similar Distractions due to successive differences in the angles of the oblique optical Axes of the crystals and not in their thicknesses can be achieved.

Die binäre Signalquelle 31 ist in der Lage, wenigstens zwei Signalwerte zu liefern, von denen der eine eine Polarisation des Strahls an der Ausgangsseite des Modulators 2 erzeugt, die senkrecht zur durch den anderen Wert erzeugten Polarisation liegt. Bei der Ausführung der F i g. 1 sind diese beiden Signalwerte, F₀ und V₁, 0 Volt bzw. die Halbwellenspannung, die für Kaliummonophosphat etwa 7 kV angelegt in der Richtung der Z-Achse, beträgt. Die Quellen 32,33 und 34 sind in der Lage, Signale der gleichen Größe zu liefern. Die binären Signalquellen 31, 32, 33 und 34 können die in ihren Signalen enthaltene Information von getrennten Quellen oder von einer gemeinsamen Eingangssignalquelle erhalten.The binary signal source 31 is able to supply at least two signal values, one of which generates a polarization of the beam on the output side of the modulator 2 which is perpendicular to the polarization generated by the other value. When executing the F i g. 1, these two signal values, F ₀ and V ₁ , are 0 volts or the half-wave voltage, which for potassium monophosphate is approximately 7 kV applied in the direction of the Z-axis. The sources 32, 33 and 34 are able to supply signals of the same magnitude. The binary signal sources 31, 32, 33 and 34 can receive the information contained in their signals from separate sources or from a common input signal source.

Die Ausgangsmatrix 22 besteht aus einer Anordnung lichtempfindlicher Elemente in Zeilen und Spalten, wie sie von der Quelle 1 aus gesehen in F i g. 2 dargestellt ist. Obwohl diese lichtempfindlichen Elemente nicht sämtlich in derselben ATY-Ebene zu liegen brauchen, wie dies in F i g. 2 dargestellt ist, empfängt jedes Element den Strahl der Quelle 1 an einer bestimmten der Positionen, auf die die binären Ablenkstufen 41, 42, 43 und 44 den Strahl ablenken können. Die Elemente können getrennte Informationsausgänge darstellen; sie können bei einigen Anwendungen auch zu einem gemeinsamen Informationsausgang kombiniert werden. Spezielle Formen für die Ausgangsmatrix 22 werden später beschrieben.The output matrix 22 consists of an arrangement of light-sensitive elements in rows and Columns as seen from source 1 in FIG. 2 is shown. Although these photosensitive Elements need not all lie in the same ATY plane, as in FIG. 2 is shown, each element receives the beam from the source 1 at a certain one of the positions to which the binary deflection stages 41, 42, 43 and 44 can deflect the beam. The elements can be separate Represent information outputs; in some applications they can also become a common Information output can be combined. Special forms for the output matrix 22 are made described later.

Beim Betrieb der in Fig. 1 dargestellten Ausführung wird ein eben polarisierter Lichtstrahl mit einer Polarisation parallel zur A*-Achse von der Quelle 1 emittiert und schreitet in Z-Richtung fort. Der Strahl gelangt durch die hintereinandergeschalteten binären strahlablenkenden Einheiten 41,42,43 und 44, wo er den binären Signalen der Quellen 31,32,33 und 34 ausgesetzt wird und gelangt schließlich zur Ausgangsmatrix 22. Wenn er nicht abgelenkt wird, gelangt er zur Position d der Ausgangsmatrix 22 (Fig. 2).When operating the embodiment shown in FIG. 1, a plane polarized light beam with a polarization parallel to the A * axis is emitted from the source 1 and proceeds in the Z direction. The beam passes through the series-connected binary beam deflecting units 41, 42, 43 and 44, where it is exposed to the binary signals from sources 31, 32, 33 and 34 and finally arrives at the output matrix 22. If it is not deflected, it arrives at the position d of the output matrix 22 (Fig. 2).

Um den grundsätzlichen Mechanismus der Ablenkung zu verstehen, sei auf Fig. 8 hingewiesen. Der doppelbrechende anisotrope Calcit-Kristall 26 wird so geschnitten, daß er den Kristallen 6 und 11 in Fig. 1, von der dem Beobachter zugewandten Seite betrachtet, gleicht. Der Kristall 26 gleicht ferner den Kristallen 16 und 21 der Fig. 1, wenn man sie in F i g. 1 von unten betrachtet. Zwei eben polarisierte Lichtstrahlen, die nach rechts gehen, sind an der linken großen Fläche des Kristalls 26 koinzident. Die Polarisationsrichtung des ersten Strahls liegt in Papierebene, wie es durch die senkrechten Pfeile dargestellt ist. Die Polarisationsrichtung des zweiten Strahls liegt senkrecht zur Papierebene, wie es durch die Punkte dargestellt ist. Der Kristall 26 weist parallele große Flächen auf, die senkrecht zur Fortpflanzungsrichtung beider Strahlen liegen. Die optische Achse des Kristalls 26 liegt in der Ebene, die durch die Fortpflanzungsrichtung und die Polarisationsrichtung des ersten Strahls definiert ist. Weiterhin bildet die optische Achse des Kristalls 26 einen schiefen Winkel sowohl zur Polarisations-In order to understand the basic mechanism of the deflection, reference is made to FIG. 8. The birefringent anisotropic calcite crystal 26 is cut to match crystals 6 and 11 in Fig. 1, viewed from the side facing the observer, is the same. The crystal 26 is the same also the crystals 16 and 21 of FIG. 1 when they are shown in FIG. 1 viewed from below. Just two polarized light rays going to the right are on the left large face of the crystal 26 coincident. The direction of polarization of the first beam lies in the plane of the paper, as indicated by the vertical arrows is shown. The direction of polarization of the second beam is perpendicular to the Paper plane as shown by the dots. The crystal 26 has parallel large faces that are perpendicular to the direction of propagation of both rays. The optical axis of the crystal 26 lies in the plane defined by the direction of propagation and the direction of polarization of the first beam is. Furthermore, the optical axis of the crystal 26 forms an oblique angle both to the polarization

richtung als auch zur Fortpflanzungsrichtung des Wenn der Strahl weiterläuft, wird seine Polarisa-direction as well as the direction of propagation of the If the beam continues, its polarization

ersten Strahls, jedoch liegt sie senkrecht zur Polarisa- tion durch die Dreheinrichtung 17 ebenfalls nicht getionsrichtung des zweiten Strahls. Die Bedeutung der ändert, da an die Dreheinrichtung durch die Quelle 34 optischen Achse liegt darin, daß die Fortpflanzungs- 0 Volt angelegt sind. Wenn der Strahl durch den richtung des ersten Strahls innerhalb des Kristalls 26 5 anisotropen Calcit-Kristall 21 hindurchgeht, wird er gebeugt wird. Wenn der Kristall 26 ein Calcit- setzung halb so groß ist wie die Versetzung beim Kristall oder ein anderer sogenannter »negativer« Kristall 16 versetzt, abgesehen davon, daß die Vereinachsiger Kristall ist, wird bewirkt, daß der erste setzung halb so groß ist wie die Versetzung beim Strahl näher der senkrechten Richtung zur optischen Kristall 16. Da bei der Ausführung der Fig. 1 der Achse läuft. Diese Beugung wird an der rechten io Kristall 21 einer der dünnsten Kristalle ist, ist diese großen Fläche aufgehoben oder umgekehrt, so daß Versetzung die Grundeinheit der Versetzung. Daher der erste Strahl in einem Weg parallel zu seinem ist nunmehr der Strahl in der negativen X-Richtung ursprünglichen Weg einläuft. Der zweite Strahl läuft insgesamt um drei Einheiten versetzt, jedoch gerade hindurch, da seine Polarisations- Infolgedessen kommt der Strahl an der Ausgangsrichtung nicht schief, sondern senkrecht zur optischen 15 matrix 22, wie sie in Fi g. 2 dargestellt ist, drei EinAchse liegt. Er wird nicht abgelenkt, auch wenn heiten oder diskrete Positionen links von seiner seine Fortpflanzungsrichtung schief zur optischen nichtabgelenkten Position an und trifft das Element «> Achse liegt. Die Entsprechung zwischen dem Element α und denfirst beam, however, it is perpendicular to the polarization by the rotating device 17, likewise not in the direction of the second beam. The meaning of the changes since the optical axis to the rotator by the source 34 is that the 0 volts of propagation are applied. When the beam passes through the direction of the first beam within the crystal 26 5 anisotropic calcite crystal 21, it will be diffracted. If the crystal 26 has a calcite settlement half the size of the offset on the crystal or another so-called "negative" crystal 16 apart from being a uniaxial crystal, the first settlement is caused to be half as large as that Displacement in the beam closer to the perpendicular direction to the optical crystal 16. Since in the embodiment of FIG. 1 the axis runs. This diffraction occurs on the right io crystal 21 is one of the thinnest crystals, this large area is canceled or vice versa, so that dislocation is the basic unit of dislocation. Hence, the first ray in a path parallel to its is now the ray which enters the negative X-direction original path. The second beam runs offset by a total of three units, but straight through because its polarization. As a result, the beam does not come at an angle in the exit direction, but perpendicular to the optical matrix 22, as shown in FIG. 2 is shown, three one-axis lies. It is not deflected, even if there are common or discrete positions to the left of its direction of propagation at an oblique angle to the optically undeflected position and meets the element ">axis". The correspondence between the element α and the

Wenn der Kristall 26 ein sogenannter »positiver« Signalwerten 0 der Quellen 31,32,33 und 34 ist in einachsiger anisotropischer Kristall wäre, würde der so der Tabelle der F i g. 3 aufgezeichnet. Strahl so gebeugt, daß er näher zur parallelen Rieh- Es sei nun angenommen, daß nur das von derIf the crystal 26 were a so-called "positive" signal value 0 of the sources 31, 32, 33 and 34 in a uniaxial anisotropic crystal, the so-called table in FIG. 3 recorded. The ray is bent so that it is closer to the parallel line. Let us now assume that only that of the

tung zur optischen Achse gebeugt wird, wobei sowohl binären Quelle 34 gelieferte Signal geändert wird, seine Polarisationsrichtung als auch seine Fort- Demgemäß erscheint das Signal V₁, das 7 kV beträgt, Pflanzungsrichtung schief zur optischen Achse liegen. wenn die Platte 17 aus Kaliummonophosphat besteht, Es können auch zweiachsige Kristalle verwendet 25 am Ausgang der Quelle 34. Da dies die Halbwellenwerden, indem ein derartiger Kristall so orientiert spannung der Halbwellenplatten-Dreheinrichrung 17 wird, daß seine beiden optischen Achsen in der ist, wird nunmehr die Richtung oder Ebene der Ebene liegen, die durch die Fortpflanzungsrichtung Polarisation des Strahls um das Doppelte des Winkels des Lichtstrahls und die optische Achse des ein- zwischen der induzierten optischen Achse der Drehachsigen Kristalls, an dessen Stelle er tritt, definiert 30 einrichtung 17 und der einfallenden Polarisationsist. Eine seiner optischen Achsen liegt senkrecht zur richtung des Strahls gedreht. Somit beträgt die Fortpflanzungsrichtung des Lichtstrahls, während die Gesamtdrehung 90°, so daß die Polarisationsrichtung andere im schiefen Winkel zur Fortpflanzungs- des Strahls in der FZ-Ebene liegt. Da an der Drehrichtung des Lichtstrahls liegt. einrichtung 17 eine Halbwellenspannung ansteht, um Um zu veranschaulichen, wie die Ablenkung in 35 diesen elektro-optischen Effekt hervorzubringen, der den binären Stufen 41,42,43 und 44 im tatsäch- als linearer Pockel-Effekt bekannt ist, erfolgt die liehen Betrieb vor sich geht, sei angenommen, daß Polarisationsdrehung, ohne daß eine elliptische die binären Signalquellen 31 bis 34 sämtlich ein Polarisation auftritt. Eine Drehung ohne Auftreten Ausgangssignal F₀ liefern, das bei der Ausführung einer elliptischen Polarisation ist auch ohne die Verder F i g. 1 0 Volt beträgt. Die horizontale Anfangs- 40 Wendung von HalbweHensignalwerten möglich, wenn polarisation des Strahls wird durch die Dreheinrich- der magneto-optische Faraday-Effekt benutzt wird, tung 2 nicht gedreht. Wenn der Strahl durch den oder wenn ein dem Faraday-Effekt analoger elektroanisotropen Calcit-Kristall 6 hindurchgeht, wird er optischer Effekt benutzt wird, nicht versetzt, da seine Polarisation senkrecht zur Nach der Drehung durch die Dreheinrichtung 17 optischen Achse des Kristalls 6 liegt, und zwar in der 45 liegt die Polarisation des Strahls senkrecht zur Weise, wie sie in F i g. 8 durch den durch Punkte optischen Achse des anisotropen Kristalls 21, und dargestellten Strahl angedeutet ist. Ebenso wird die zwar in der durch den durch Punkte dargestellten Polarisation des Strahls durch die Dreheinrichtung 7 Strahl gezeigten Weise. Hierbei wird der Strahl durch nicht gedreht, wobei der Strahl durch den anisotro- den Kristall 21 nicht abgelenkt. Infolgedessen ist der pen Kristall 11 nicht versetzt wird. Wenn der Strahl 50 Strahl in der negativen Z-Richtung nur um zwei weiter in der Z-Richtung läuft, wird seine Polarisa- Einheiten versetzt. Damit trifft nunmehr der Strahl tion durch die nichterregte Dreheinrichtung 12 nicht das Element b der Ausgangsmatrix 22. geändert. Wenn er durch den anisotropen Kristall 16 In ähnlicher Weise können die binären Signalhindurchgeht, bilden seine Polarisation und seine spannungen der Quellen 31,32,33 und 34 in ver-Fortpflanzungsrichtung einen schiefen Winkel mit der 55 schiedenen Kombinationen und Permutationen von optischen Achse des Kristalls 16, wie es in Fig. 8 F₀ und V₁, wie dies in F ig. 3 angegeben ist, geändert durch den mit Pfeilen versehenen Strahl gezeigt ist. werden, um zu bewirken, daß der Strahl jedes ge-Da Calcit ein negativer Kristall ist, wird der Strahl- wünschte Element der Ausgangsmatrix 22 trifft weg in einer Richtung gebeugt, die näher der (Fig. 2).Direction to the optical axis is bent, both the binary source 34 signal supplied is changed, its direction of polarization as well as its continuation. Accordingly, the signal V ₁ , which is 7 kV, the direction of planting appears to be oblique to the optical axis. If the plate 17 is made of potassium monophosphate, biaxial crystals can also be used 25 at the output of the source 34. Since these are the half-waves, by orienting such a crystal voltage of the half-wave plate rotating device 17, that its two optical axes are in the now lie the direction or plane of the plane that is defined by the direction of propagation polarization of the beam by twice the angle of the light beam and the optical axis of the one between the induced optical axis of the rotary axis crystal, in whose place it occurs, means 17 and is the incident polarization. One of its optical axes is rotated perpendicular to the direction of the beam. Thus, the direction of propagation of the light beam, while the total rotation is 90 °, so that the other polarization direction is at an oblique angle to the propagation of the beam in the FZ plane. Because it depends on the direction of rotation of the light beam. Means 17 a half-wave voltage is present in order to illustrate how the deflection in 35 brings about this electro-optical effect, which is actually known to the binary stages 41, 42, 43 and 44 as the linear Pockel effect, the borrowed operation takes place assumes that polarization rotation occurs without an elliptical polarization occurring in the binary signal sources 31 to 34. A rotation without occurrence will provide output signal F ₀ , which when executing an elliptical polarization is also possible without the corruption F i g. 1 is 0 volts. The horizontal initial turn of half-wave signal values is possible if the polarization of the beam is used by the rotating device, the magneto-optical Faraday effect, device 2 is not rotated. If the beam passes through or if an electroanisotropic calcite crystal 6 analogous to the Faraday effect, it is used optical effect, not offset, since its polarization is perpendicular to the optical axis of the crystal 6 after rotation by the rotary device 17, and although in FIG. 45 the polarization of the beam is perpendicular to the manner shown in FIG. 8 is indicated by the ray represented by dots on the optical axis of the anisotropic crystal 21, and. The same is true in the manner shown by the polarization of the beam represented by the dots by the rotating device 7 beam. In this case, the beam is not rotated, the beam not being deflected by the anisotropic crystal 21. As a result, the pen crystal 11 is not displaced. If the beam 50 travels only two further in the Z direction in the negative Z direction, its polarisa units will be displaced. Thus, the beam tion by the non-excited rotating device 12 does not hit the element b of the output matrix 22 changed. Similarly, when it passes through the anisotropic crystal 16, the binary signal can form its polarization and its voltages of the sources 31,32,33 and 34 in the direction of propagation at an oblique angle with the 55 different combinations and permutations of the optical axis of the crystal 16 as shown in FIG. 8 F ₀ and V ₁ , as shown in FIG. 3 is shown modified by the arrows beam. Since calcite is a negative crystal, the beam-desired element of the output matrix 22 will be diffracted away in a direction closer to that of (Fig. 2).

senkrechten Richtung zur optischen Achse liegt, wie 60 Diese Anordnung kann bei einer Vielzahl von es in F i g. 8 dargestellt wird, d. h. in die negative Übertragungssystemen angewendet werden, die von Z-Richtung in Fi g. 1, wenn er durch den Kristall 16 Informationsspeicher- und -Wiedergabesystemen und hindurchgeht. Wenn der Strahl den Kristall 16 ver- Fernsprechvermittlungssystemen über Systeme mit läßt, wird die Beugung aufgehoben, so daß der Strahl optischer Darstellung bis zu Nachrichtenübertragungsweiter in Z-Richtung läuft. Der Strahl ist jedoch 65 systemen reichen. Wie aus der nachfolgenden Erläununmehr in der negativen Z-Richtung um einen terung hervorgeht, stellen diese Systeme eine Anzahl Betrag versetzt, der proportional der Dicke des bestimmter Wege dar, Informationen in die Einrich-Kristalls 16 ist. tung einzubringen und sie von ihr abzunehmen.direction perpendicular to the optical axis, such as 60 This arrangement can be used in a variety of it in Fig. 8 is shown, i.e. H. in the negative transmission systems applied by Z direction in FIG. 1, if he is through the crystal 16 information storage and playback systems and passes through. When the beam crosses the crystal 16 via systems with telephone switching systems the diffraction is canceled so that the beam continues to visualize until it is transmitted runs in the Z direction. However, the beam is 65 systems rich. As from the following explanation showing a change in the negative Z-direction, these systems represent a number Offset amount that is proportional to the thickness of the particular pathways information in the Einrich crystal 16 is. to bring in and remove it from her.

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Es sollen nun der Aufbau und die Arbeitsweise der ist in eine Reihe aufeinanderfolgender Kombina-Erfindung für eine Anzahl dieser speziellen Anwen- tionen binärer Ausgangssignale für die Quellen 31, düngen beschrieben werden. 32, 33 und 34 kodiert. Diese binären Signalkombi-Für Informationsspeichersysteme kann eine licht- nationen können digitale Adressensignale genannt empfindliche Speichermatrix für die Ausgangsmatrix 5 werden, weil sie die Informationsspeicherpositionen 22 benutzt werden. Zum Beispiel zeigt F i g. 4 einen in der Karte 50 identifizieren. Jede Kombination besonderen Aufbau der Ausgangsmatrix 22 der erzeugt ein binäres Bit der Maschinennummer der F i g. 1 für einen Kartenspeicher. Die Karte 50 Fotozelle 51, das in diesem Fall ein Signal ist, das enthält Löcher an einigen der Elementpositionen der aus einem vorhandenen Impuls oder einem fehlenden F i g. 2. In F i g. 4 sind in der Karte 50 an den io Impuls besteht. Offensichtlich erfordert ein Fern-Positionen a, d, f, g, h, m, η und ρ der allgemeinen sprechamt mit zahlreichen Teilnehmern eine große Matrix der F i g. 2 Löcher dargestellt. In der Karte Anzahl Ablenkeinheiten und eine entsprechendeThe structure and the mode of operation of the fertilizer in a number of successive combination inventions for a number of these special applications of binary output signals for the sources 31 will now be described. 32, 33 and 34 coded. This binary signal combination for information storage systems can be a sensitive storage matrix for the output matrix 5, because the information storage positions 22 are used. For example, FIG. 4 identify one in card 50. Each combination of the particular structure of the output matrix 22 generates a binary bit of the machine number of FIG. 1 for a card memory. The card 50 photocell 51, which in this case is a signal that contains holes at some of the element positions resulting from an existing pulse or a missing figure. 2. In Fig. 4 are in the card 50 to the io pulse. Obviously, a long distance positions a, d, f, g, h, m, η and ρ of the general speech exchange with numerous participants requires a large matrix of F i g. 2 holes shown. In the card number of deflection units and a corresponding one

50 sind an den Positionen d, c, e, i, j, k, I und ο große Anzahl Informationsspeicherpositionen in der keine Löcher vorgesehen. Diese Positionen liegen an Ausgangsmatrix 22, d.h. mehr Löcher in der Karte 50. den Schnittpunkten der Spalten 1, 2, 3 und 4 mit den 15 Das Problem der genauen Anordnung der Löcher Zeilen I, II, III und IV (Fig. 2). Um mit sichtbarem in der Karte50 in bezug auf die möglichen Posi-Licht arbeiten zu können, verwendet man Vorzugs- tionen des Lichtstrahls kann leicht in solchen Fällen weise einen Mittelabstand für die Löcher, der zwei- gelöst werden, wo die Quelle 1 einen optischen einhalb mal so groß wie deren Durchmesser ist. Maser enthält. An Stelle der Karte 50 wird eine50 are at positions d, c, e, i, j, k, I and ο a large number of information storage positions in which no holes are provided. These positions are at the output matrix 22, ie more holes in the card 50. the intersections of columns 1, 2, 3 and 4 with the 15 The problem of the exact arrangement of the holes rows I, II, III and IV (Fig. 2). In order to be able to work with the visible in the card 50 in relation to the possible posi-light, preference is given to the light beam, and in such cases a center distance for the holes can easily be solved, where the source 1 is an optical and a half times as large as their diameter. Includes burl. Instead of the card 50, a

Auf der Rückseite der Karte 50 ist eine Fotozelle 20 leere Karte eingesetzt. Die Information, die auf derOn the back of the card 50 is a photo cell 20 empty card inserted. The information that is on the

51 angeordnet, die auf den Lichtstrahl anspricht, Karte gespeichert werden soll, wird dann dadurch wenn er durch ein Loch hindurchgeht. In dem allge- in die Karte eingeschrieben, daß die Leistung des meineren Fall einer Informationsspeichermatrix ist optischen Masers in der Quelle 1 über den Ablesejede Speichereinrichtung zeitweise oder dauernd pegel hinaus erhöht wird, um Löcher in die Karte durch eine von zwei möglichen Ansprechformen as an den Positionen einzubrennen, die der Lichtstrahl gekennzeichnet, wenn sie vom Strahl getroffen wird. trifft. Der Lichtstrahl wird auf die gewünschten51 arranged, which responds to the light beam, map is to be stored, is then thereby when he goes through a hole. In the general inscribed in the card that the performance of the my case of an information storage array is optical maser in source 1 across the read each Storage device level is increased temporarily or permanently to avoid holes in the card by one of two possible forms of response as at the positions that the light beam marked when hit by the beam. meets. The light beam is directed to the desired

Zum Beispiel können an Stelle einer einzigen Foto- Positionen dadurch abgelenkt, daß die entsprechen-For example, instead of a single photo positions, distraction can be achieved by the fact that the corresponding

zelle 51 einzelne Fotozellen hinter der Karte 50 an den Signale in den Quellen 31, 32, 33 und 34 erzeugtcell 51 generates individual photocells behind the card 50 on the signals in the sources 31, 32, 33 and 34

jeder der Matrixpositionen angeordnet werden. Jede werden, wie sie in der Tabelle der F i g. 3 angegebeneach of the matrix positions can be arranged. Each will, as shown in the table of FIG. 3 specified

Fotozelle und die Kartenfläche von ihr bilden eine 30 sind. Die Anordnung kann somit zum EinschreibenThe photocell and the area of the card from it form a 30. The arrangement can thus be for registered mail

Speichereinrichtung. von Informationen in einen Speicher, wie auch zumStorage facility. of information in a memory, as well as for

Wenn im Betrieb die Quellen 31, 32, 33 und 34 Ablesen von Informationen aus dem Speicher benutztWhen in use sources 31, 32, 33 and 34 are used to read information from memory

sämtlich ein Signal von 0 Volt erzeugen, ist der werden, wobei der zusätzliche Vorteil entsteht, daßall producing a signal of 0 volts is that, with the added benefit of being

Lichtstrahl auf die Ausgangsmatrixposition α gerich- die Positionen auf der Speichermatrix genau geordnetLight beam on the output matrix position α direct the positions on the memory matrix in a precise order

tet, wie es oben beschrieben wurde. Wenn er die 35 sind.tet as described above. When he's 35.

Karte 50 erreicht, geht er durch das Loch am Schnitt- Ein weiteres Anwendungsgebiet betrifft Vermittpunkt der Spalte 1 mit der Reihe I und trifft die lungssysteme. Zum Beispiel wurde erkannt, daß die Fotozelle 51. Die Fotozelle 51 erzeugt einen Aus- lichtempfindlichen Schalteinrichtungen einer Ferngangsimpuls. Wenn das Signal der Quelle 34 auf sprech-Kreuzpunkt-Matrix durch die Ausgangs-7 kV geändert wird, trifft der Strahl das Material der 40 matrix 22 der Fig. 1 gebildet werden können. Bei Karte 50 an der Position d, d. h. am Schnittpunkt der dieser Ausführung wird an jedem Schnittpunkt oder Spalte 2 mit der Reihe I. Die Fotozelle 51 erzeugt Kreuzpunkt der Zeilen I, II, III und IV und der keinen Impuls. Allgemein erzeugt das aufeinander- Spalten 1, 2, 3 und 4 der Ausgangsmatrix 22, wie folgende Ansprechen oder Nichtansprechen der Foto- sie in Fig. 2 dargestellt sind, eine getrennte lichtzelle 51 bei Änderung der Signale der Quellen 31 45 empfindliche Schalteinrichtung angeordnet,
bis 34 einen digitalen Impulszug, der die auf der Eine bistabile Einrichtung für einen derartigen Karte 50 durch die spezielle Anordnung der Löcher Kreuzpunkt ist in F i g. 5 dargestellt. Es befindet gespeicherte Information führt. Es sei bemerkt, daß sich ein Foto-Transistorschalter 62 an einem Kreuzder Strahl eine Information von der Karte 50 zur punkt, z. B. an der Position α in F i g. 2 der AusFotozelle 51 übertragen hat, wie auch von den so gangsmatrix 22. (Ein geeigneter Foto-Transistor ist Quellen 31,32,33 und 34 zur Fotozelle 51. Somit in der USA.-Patentschrift 2 641713 beschrieben.) stellt die Karte 50 einen Eingang des Übertragungs- Der Foto-Transistor 62, eine Spannungsquelle 68 systems dar. und ein Phosphor 69 liegen in Reihe zwischen denWhen card 50 is reached, it goes through the hole at the intersection. For example, it was recognized that the photocell 51. The photocell 51 generates a light-sensitive switching device of a long-distance gear pulse. When the signal of the source 34 is changed to the speech crosspoint matrix by the output 7 kV, the beam hits the material of the 40 matrix 22 of Fig. 1 can be formed. In the case of card 50 at position d, ie at the intersection of this embodiment, at each intersection or column 2 with row I. The photocell 51 generates the intersection of rows I, II, III and IV and no pulse. In general, the successive columns 1, 2, 3 and 4 of the output matrix 22, as the following response or non-response of the photos are shown in Fig. 2, a separate light cell 51 when the signals of the sources 31 change 45 sensitive switching device arranged,
A bistable device for such a card 50 through the special arrangement of the holes is a crosspoint in FIG. 5 shown. It is stored information leads. It should be noted that a photo transistor switch 62 at a cross the beam will point information from the card 50 to the point, e.g. B. at position α in F i g. 2 of the photocell 51 has transmitted, as well as from the so output matrix 22. (A suitable phototransistor is sources 31,32,33 and 34 to the photocell 51. Thus described in US Pat. No. 2,641,713.) The card 50 represents an input of the transmission The photo-transistor 62, a voltage source 68 system and a phosphor 69 are in series between the

Diese Ausgangsmatrix für die Ausführung der elektrischen Leitern 60 und 61, die gegebenenfalls Fig. 1 kann auch bei digitalen Rechengeräten nütz- 55 mit den Teilnehmern 73 und 74 verbunden sind, lieh sein, wo ein schnellarbeitender Speicher mit Außer dem Foto-Transistor 62 können in der Verbeliebigem Zugriff gewünscht wird. Sie ist ferner bindung zwischen den Teilnehmern 73 und 74 ein bei Fernsprechvermittlungssystemen von Nutzen, um oder mehrere andere Schalter vorhanden sein. Der gewählte Fernsprechnummern in Maschinennummern Phosphor 69 ist ein elektrolumineszentes Element, umzuwandeln. Es ist bekannt, daß ein Speicher- 60 das so angeordnet ist, daß eine Strahlungsenergiesystem zur Durchführung einer derartigen Umwand- Rückkopplung zum Foto-Transistor 62 liefert, die lung erwünscht ist, weil es die Neuzuordnung von später vollständiger beschrieben wird. Das licht-Fernsprechnummern ohne neue Verdrahtung des emittierende Material 70 des elektrolumineszierenden gesamten Fernsprechsystems ermöglicht. Jedesmal, Elements 69 kann z. B. ein Zinksulfid-Phosphor sein, wenn eine Fernsprechnummer geändert wird, ist es 65 Die Elektrode 72 des Phosphors 69 ist mit dem lediglich notwendig, eine neue Karte an Stelle der Draht 61 verbunden. Die Elektrode 71 des Phos-Karte50 einzusetzen, damit die richtigen Verbin- phors69 ist mit der Elektrode 67 verbunden, die düngen hergestellt werden. Die gewählte Nummer an der iV-Zone 63 des Schalters 62 befestigt ist. DieThis starting matrix for the execution of the electrical conductors 60 and 61, which may be Fig. 1 can also be useful in digital computing devices 55 are connected to the participants 73 and 74, be borrowed, where a high-speed memory with Besides the photo transistor 62 can be in any Access is desired. It is also a bond between participants 73 and 74 useful in telephone switching systems around or more other switches. Of the dialed telephone numbers in machine numbers Phosphor 69 is an electroluminescent element, to convert. It is known to have a memory 60 which is arranged to operate a radiant energy system to provide such conversion feedback to photo-transistor 62 which This is desirable because the reallocation will be more fully described later. The light telephone numbers without rewiring the emissive material 70 of the entire electroluminescent telephone system. Each time, Elements 69 can e.g. B. be a zinc sulfide phosphor, when a telephone number is changed, it is 65. The electrode 72 of the phosphor 69 is connected to the all that is necessary is a new card in place of the wire 61 connected. The electrode 71 of the Phos card 50 to use so that the correct Verbin- phors69 is connected to the electrode 67, the fertilize. The selected number is attached to the iV zone 63 of the switch 62. the

809648/1815809648/1815

9 109 10

an der iV-Zone 65 des Schalters 62 befestigte Elek- des Grenzwerts der Elemente der Ausgangsmatrix 22 trode 66 ist mit dem Pluspol der Spannungsquelle 68 beseitigt werden. Für die Schalteinrichtung der verbunden. Der Minuspol der Quelle 68 ist mit dem Fig. 5 kann der Grenzwert für die Schalter, z. B. Draht 60 verbunden. Offensichtlich kann die Quelle der Transistor 62 auf diese Weise eingestellt werden, 68 auch die entgegengesetzte Polarität haben. 5 ferner kann für den in Fig. 4 dargestellten Karten-Electrodes of the limit value of the elements of the output matrix 22 attached to the iV zone 65 of the switch 62 trode 66 is to be eliminated with the positive pole of the voltage source 68. For the switching device of the tied together. The negative pole of the source 68 is with the Fig. 5, the limit value for the switch, z. B. Wire 60 connected. Obviously, the source of transistor 62 can be adjusted in this way 68 also have the opposite polarity. 5 can also be used for the map shown in Fig. 4

Wenn die binären Ablenkeinheiten 41, 42, 43 speicher der Grenzwert der Fotozelle 51 in gleicher und 44 den Lichtstrahl der Quelle 1 zur Position α Weise eingestellt werden.When the binary deflection units 41, 42, 43 store the limit value of the photocell 51 in the same way and 44, the light beam of the source 1 can be adjusted to the position α manner.

der Ausgangsmatrix 22 leiten, trifft der Lichtstrahl Bei Verwendung einer der in F i g. 4 und 5 dar-of the output matrix 22, the light beam strikes. When using one of the in FIG. 4 and 5 show

den Foto-Transistor 62 in der Nähe einer oder beider gestellten Ausgangsmatrizen mit den Ablenkeinpn-Übergänge. Die innerhalb des Transistors 62 io heiten der F i g. 1 wird eine einwertige Entsprechung, erzeugten Ladungsträger verringern die Impedanz wie sie in der Tabelle der F i g. 3 angegeben ist, des Sperrichtung vorgespannten Übergangs zwischen zwischen den verschiedenen diskreten Ausgangsder P-Zone64 und der JV-Zone 65, so daß für den elementen und den verschiedenen Permutationen Durchgang von Wechselströmen zwischen den Elek- und Kombinationen der binären Signale der Quellen troden 66 und 67 eine vemachlässigbare Impedanz 15 31, 32, 33 und 34 erreicht. In diesem Zusammenvorhanden ist. Um den Lichtstrahl der Quelle 1 zur hang bedeutet eine Permutation die Reihenfolge Herstellung weiterer Verbindungen verfügbar zu einer gegebenen Kombination von binären Signalen machen, während der Teilnehmer 73 mit dem Teil- in bezug auf die Stelle des Anlegen's an den Strahl, nehmer 74 spricht, ist ein Haltekreis vorgesehen, Eine einwertige Entsprechung bedeutet, daß jede um den Schalter 62 während der Dauer der Unter- 20 Kombination und Permutation eine andere Aushaltung geschlossen zu halten, und zwar zeigt das gangsposition des Strahls hervorbringt. Die einelektrolumineszierende Element 69 einen vergrößer- wertige Entsprechung kann beibehalten werden, ten Spannungsabfall, wenn der Schalter 62 geschlos- wenn zusätzliche Ablenkeinheiten und Ausgangssen ist und emittiert einen Rückkopplungs-Licht- elemente bei der Einrichtung verwendet werden, strahl, der den lichtempfindlichen Schalter 62 ge- 25 indem man den doppelbrechenden Kristall in jeder schlossen hält. Bei der als Beispiel gewählten An- neuen Einheit doppelt so dick macht, wie den Ordnung der Fig. 5 ist diese Strahlung auf die dicksten vorherigen Kristall, um eine Ablenkung Rückseite des Transistor 62 gerichtet, während der in derselben Richtung hervorzubringen. Strahl der Quelle 1 auf die Vorderseite gerichtet ist. Eine Konsequenz einer derartigen Anordnungthe photo transistor 62 in the vicinity of one or both of the set output matrices with the deflection pn junctions. The units within transistor 62 of FIG. 1 becomes a monovalent equivalent, generated charge carriers reduce the impedance as shown in the table of FIG. 3 is specified, of the reverse biased transition between between the various discrete output of the P-Zone64 and JV-Zone 65 so that for the elements and the various permutations Passage of alternating currents between the electrical and combinations of the binary signals of the sources electrodes 66 and 67 reach a negligible impedance 15, 31, 32, 33 and 34. In this presence is. A permutation signifies the sequence around the light beam from source 1 Making further connections available to a given combination of binary signals make, while the participant 73 with the part - in relation to the place of application to the beam, If user 74 speaks, a hold circle is provided. A monovalent equivalent means that each around the switch 62 during the duration of the sub-combination and permutation another hold-off to keep closed, namely shows the position of the beam brings out. The one electroluminescent Element 69 an enlarged equivalent can be maintained, the voltage drop when the switch 62 is closed, if additional deflection units and outputs is and emits a feedback light- elements are used in the establishment beam that activates the photosensitive switch 62 by placing the birefringent crystal in each keeps closed. With the An new unit chosen as an example, it is twice as thick as that Order of Fig. 5 is this radiation on the thickest previous crystal to cause a deflection Rear side of transistor 62 directed, while bringing forth in the same direction. Source 1 beam is directed towards the front. A consequence of such an arrangement

Bei der in Fig. 5 dargestellten Schalteinrichtung 30 besteht darin, daß η binäre Ablenkstufen 2" mögbefinden sich der Phosphor 69 und die Quelle 68 liehe Positionen des Strahls hervorbringen und im Nachrichtensignalweg zwischen den Teilnehmern damit 2" Ausgangselemente ermöglichen. Eine qua-73 und 74. Wenn einer der Teilnehmer 73 oder 74 dratische Matrix hat somit auf einer Seite 2"^/2 EIeaufhängt, wird der Nachrichtensignalweg unter- mente. In Fig. 1 ermöglichen vier binäre Ablenkbrochen und der Phosphor 69 hört mit der Lumines- 35 stufen sechzehn Ausgangselemente, wobei vier auf zenz auf. Der Rückkopplungs-Lichtstrahl hört also jeder Seite der quadratischen Matrix vorhanden sind, auf, und der Foto-Transistor 62 kehrt in seinen Fig. 6 zeigt eine Abänderung der AusführungIn the switching device 30 shown in FIG. 5, there is the fact that η binary deflection stages 2 "are possible, the phosphor 69 and the source 68 produce borrowed positions of the beam and thus enable 2" output elements in the communication signal path between the participants. A qua-73 and 74. If one of the participants 73 or 74 has a dratic matrix thus hanging on one side 2 " ^{/ 2} eggs, the message signal path is interrupted. In FIG. 1, four binary deflections allow interruptions and the phosphor 69 hears with the Lumines 35 ranks sixteen output elements, four to zenz, so the feedback light beam ceases to exist on either side of the square matrix, and the photo-transistor 62 returns in its Fig. 6 shows a modification of the design

gesperrten Zustand hoher Impedanz zurück. der Fig. 1, um sichtbare Darstellungen hervorzu-locked high impedance state. of Fig. 1 in order to highlight visible representations

Bei der Schalteinrichtung der F i g. 5 ist ein ge- bringen. Hinter der polarisierten Lichtquelle 90 ist meinsamer Erdrückweg angegeben. Doch sind auch 40 ein Intensitätsmodulator 91 eingeschaltet, um die andere Anordnungen möglich. Zum Beispiel sei Intensität des Lichts zu ändern, während eine konangenommen, daß die gedrehte Polarisationsrichtung stante Polarität am Ausgang erhalten bleibt. Dies am Ausgang der Dreheinrichtung 17 in F i g. 1 eine ist ein Beispiel einer Anwendung, bei der eine Ebene mit der Z-Achse bildet, die schief zu der Information dem Strahl aufgedrückt wird, bevor Ebene liegt, welche die optische Achse des Kristalls 45 er die Ablenkeinheit 92 erreicht. Die Quelle 96 21 mit der Z-Achse bildet. Dann wird der Strahl liefert ein amplitudenmoduliertes Signal, dessen durch den Kristall 21 aufgespalten, wobei die Korn- Amplitude zu verschiedenen Zeitpunkten der Intenponente mit der Polarisation in der letztgenannten sität der gewünschten Beleuchtung an verschiedenen Ebene auf das Element α der Ausgangsmatrix ge- Punkten der Schaufläche 94 entspricht. Dieses amplirichtet ist, während die Komponente mit der PoIa- 50 tudenmodulierte Signal wird der Polarisations-Drehrisation senkrecht zur letztgenannten Ebene auf das einrichtung 95 zugeführt, die vorteilhafterweise ein Element & gerichtet ist. Wenn sich der Foto-Tran- Faraday-Rotator sein kann. Das Material des sistor62 der Fig. 5 in der Elementposition α der Faraday-Rotators 95 kann Yttrium-Eisen-Granat Fig. 2 befindet, kann ein weiterer Foto-Transistor sein. Der Analysator 100 ist eine Platte aus polariin der Elementposition b der Fig. 2 angeordnet 55 sierendem Material, das nur die Komponente des werden, um einen Rückweg ohne Erde zwischen Ausgangs der Dreheinrichtung 95 durchläßt, die in den Teilnehmern 73 und 74 herzustellen. Durch der -ST-Richtung polarisiert ist. Die Intensität oder Aufspalten des Strahls genügt eine Reihe von Leistung dieser Komponente ändert sich, wenn sich Signalen der Quellen 31, 32, 33 und 34, um beide der Drehwinkel der Polarisationsrichtung am Aus-Foto-Transistorschalter zur Verbindung der Teil- 60 gang der Dreheinrichtung 95 ändert. Die binären nehmer 73 und 74 zu schließen. Ablenkeinheiten und die Signalquellen 92 könnenIn the switching device of FIG. 5 is a brought up. A common earth return path is indicated behind the polarized light source 90. However, an intensity modulator 91 is also switched on to make other arrangements possible. For example, let the intensity of the light be changed while one has assumed that the rotated polarization direction remains constant polarity at the output. This at the output of the rotating device 17 in FIG. 1 is an example of an application in which a plane forms with the Z-axis which is imposed obliquely to the information on the beam before the plane which the optical axis of the crystal 45 reaches the deflection unit 92. The source 96 forms 21 with the Z axis. Then the beam delivers an amplitude-modulated signal, which is split up by the crystal 21, the grain amplitude at different points in time of the integral with the polarization in the latter sity of the desired illumination at different levels on the element α of the output matrix points of the viewing area 94 corresponds. This is amplified, while the component with the polity-modulated signal is fed to the polarization rotation perpendicular to the last-mentioned plane on the device 95, which is advantageously an element & directed. If the photo tran Faraday rotator can be. The material of the sistor62 of FIG. 5 in the element position α of the Faraday rotator 95 can be yttrium-iron-garnet. FIG. 2 can be a further photo-transistor. The analyzer 100 is a plate made of polar material arranged in the element position b in FIG. Is polarized by the -ST direction. The intensity or splitting of the beam suffices a range of power of this component changes when signals from sources 31, 32, 33 and 34 change both the angle of rotation of the polarization direction on the off-photo transistor switch for connecting the partial gear of the rotary device 95 changes. The binary takers 73 and 74 close. Deflection units and the signal sources 92 can

In den Fällen, wo die Strahlaufspaltung nicht den binären Einheiten 41, 42, 43 und 44 und den beabsichtigt ist, sondern zufällig auftritt, weil eines Signalquellen 31, 32, 33 und 34 der Fig. 1 gleichen, der Signale der Quellen 31, 32, 33 und 34 etwas Um jedoch eine sichtbare Darstellung an der Fläche vom richtigen Wert verschieden ist, wird die eine 65 94 hervorzubringen, die eine Auflösung hat, welche Komponente des Strahls eine weit größere Intensität derjenigen eines Fernsehbilds vergleichbar ist, ist als die andere aufweisen. Die schwache, unge- im allgemeinen eine sehr große Anzahl binärer wünschte Komponente kann einfach durch Einstellen Einheiten erwünscht. Um eine fernsehartige Ab-In those cases where the beam splitting is not intended for the binary units 41, 42, 43 and 44, but occurs randomly because one of the signal sources 31, 32, 33 and 34 of FIG. 1 is the same, the signals of the sources 31, 32 , 33 and 34 somewhat, however, in order to make a visual representation on the surface different from the correct value , the one 65 94 will produce a resolution which component of the beam is of a far greater intensity than that of a television picture is comparable to that of the other . The weak, in general a very large number of binary desired components can be desired simply by setting units. To get a television-like

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tastung hervorzubringen, ändert die Abtaststeuer- ist eine Kombination von binären Bit oder Signalen, einrichtung 93 die Signale der Signalquellen in einer ähnlich einer Kombination binärer Signale, die zur Folge, die der in der Tabelle der Fig. 3 für die Darstellung eines analogen Signalwerts übertragen Ausgangsmatrix 22 in F i g. 1 dargestellten gleicht, wurden. Die binären Signale erscheinen gleichzeitig wobei die Folge periodisch wiederholt wird. Es 5 an den Ausgängen der Quellen 31, 32, 33 und 34 braucht nur ein der binären Signale für jede Stufe mit Werten von 0 oder 7 kV und werden den Polades Abtastvorgangs geändert zu werden. Dieses risations-Dreheinrichtungen 2, 7, 12 und 17 der Verfahren wird ein zyklischer Kode genannt. Um Fig. 1 zugeführt. Der Lichtstrahl wird dabei so die Anwendung eines derartigen Kode zu erleichtern, abgelenkt, wie es für die grundsätzliche Ausführung sind die anisotropen Kristalle der binären Ablenk- xo der F i g. 1 erklärt wurde. Der Lichtstrahl trifft und einheiten mit wachsender Dicke zur Quelle 90 hin schließt einen Schalter in der Matrix 110, der dem in einer geometrischen Progression für die vertikalen jeweiligen Kodewort entspricht. Da die Größen der Ablenkeinheiten und in einer anderen geometrischen Kopplungswiderstände 115, 116, 117 und 118 sämt-Progression für die horizontalen Ablenkeinheiten lieh verschieden sind, ändert sich die Größe des angeordnet. Die Schaufläche 94 ist eine spezielle 15 Spannungsabfalls am Widerstand 119, je nachdem, Form der Ausgangsmatrix22 der Fig. 1, bei der welches der Schaltelemente durch den Strahl gedie lichtempfindlichen Elemente eine stetige Fläche troffen wurde.Producing sampling changes the sampling control - is a combination of binary bits or signals, means 93 the signals of the signal sources in a similar to a combination of binary signals, which for The sequence transmitted in the table in FIG. 3 for the representation of an analog signal value Output matrix 22 in FIG. 1 is the same as shown. The binary signals appear at the same time the sequence being repeated periodically. There 5 at the outputs of sources 31, 32, 33 and 34 need only one of the binary signals for each stage with values of 0 or 7 kV and become the polades Scanning process to be changed. This risations rotators 2, 7, 12 and 17 of the Procedure is called a cyclic code. To Fig. 1 supplied. The light beam will be like this to facilitate the use of such a code, distracted as it is for the basic execution are the anisotropic crystals of the binary deflection xo of FIG. 1 was declared. The ray of light hits and Units with increasing thickness towards the source 90 closes a switch in the matrix 110 that the corresponds in a geometric progression for the vertical respective code word. Since the sizes of the Deflection units and in another geometric coupling resistances 115, 116, 117 and 118 all-progression for the horizontal deflectors are borrowed different, the size of the changes arranged. The viewing surface 94 is a special 15 voltage drop across the resistor 119, depending on Form of the output matrix 22 of FIG. 1, in which which of the switching elements served by the beam light sensitive elements a steady area was hit.

bilden können, z. B. einen undurchlässigen reflek- Es sei angenommen, daß der Lichtstrahl den tierenden Schirm. In diesem Fall wird die Reflexion Foto-Transistor 111 trifft. Die Impedanz des Fotobetrachtet. Die Oberfläche 94 kann auch eine durch- 20 Transistors 111 wird vernachlässigbar, wobei die scheinende Mattglasscheibe sein, in welchem Fall Widerstände 115 und 119 einen Spannungsteiler an das durchgelassene Bild betrachtet wird. Ein gleicher der Quelle 120 bilden. Das Potential an der VerEffekt auf das Auge des Betrachters kann durch ein bindung zwischen den Widerständen 115 und 119 spezielles optisches Instrument, z. B. durch ein wird dann geringer als das Potential am Pluspol Mikroskop hervorgebracht werden. 25 der Quelle 120, und zwar um den Spannungsabfallcan form, e.g. B. an opaque reflect- Assume that the light beam is the animal umbrella. In this case the reflection hits photo transistor 111. Consider the impedance of the photo. The surface 94 can also be a through-20 transistor 111 being negligible, the be shining frosted glass, in which case resistors 115 and 119 to a voltage divider the transmitted image is viewed. Form a like of the source 120. The potential at the VerEffekt The eye of the beholder can be seen through a connection between the resistors 115 and 119 special optical instrument, e.g. B. by a is then lower than the potential at the positive pole Microscope. 25 of the source 120, namely the voltage drop

Eine Anordnung lichtempfindlicher Schaltelemente am Widerstand 119. Wenn der Lichtstrahl vom der Ausgangsmatrix 22 zur Anwendung in Nach- Foto-Transistor 111 entfernt wird, nimmt dieser richtenübertragungssystemen ist in F i g. 7 dar- Transistor eine sehr hohe Impedanz an, so daß kein gestellt. Zum Beispiel kann die Ausführung der Strom durch den Widerstand 115 fließt. Wenn kein F i g. 1 so eingerichtet werden, daß sie einen Dekoder 30 anderer Foto-Transistor einen Zustand mit niedriger für Impulskodemodulations-Empfänger darstellt, Impedanz aufweist, fließt kein Strom durch den indem die Einrichtung der F i g. 7 für die Ausgangs- Widerstand 119, wobei dann das gesamte Potential matrix 22 verwendet wird. Die Foto-Transistoren der Quelle 120 an der gemeinsamen Verbindung der 111, 112, 113 und 114 der optischen Schaltmatrix Widerstände 115, 116, 117 und 118 erscheint. Wenn 110 sind an vier der in F i g. 2 angegebenen Element- 35 der Lichtstrahl den Foto-Transistor 112 trifft, bilden Positionen angeordnet. Der eine Anschluß jedes der der Widerstand 116 und der Widerstand 119 in Foto-Transistoren 111, 112, 113 und 114 ist mit gleicher Weise einen Spannungsteiler an der Quelle einem gemeinsamen Erdanschluß verbunden, wäh- 120. Der Spannungsabfall am Widerstand 119 ist rend die anderen Anschlüsse mit Widerständen 115, nunmehr verschieden von dem Wert, der auftrat, 116, 117 und 118 verbunden sind. Die anderen 40 als der Transistor 111 durch den Lichtstrahl geSeiten dieser Widerstände 115, 116, 117 und 118 troffen wurde, weil die Größen der Widerstände 115 sind gemeinsam mit einem Widerstand 119 verbun- und 116 verschieden sind. Somit erscheint ein ampliden. Die andere Seite des Widerstandes 119 ist an tudenmodulierter Impulszug an der gemeinsamen den Pluspol der Gleichspannungsquelle 120 ange- Verbindung der Widerstände 115,116, 117 und 118. schlossen, während der Minuspol der Quelle 120 mit 45 Der Kondensator 121 läßt die veränderliche Komdem gemeinsamen Erdanschluß verbunden ist. Die ponente der Spannung am Widerstand 119 zum eine Seite eines Kondensators 121 ist mit der gemein- Eingang des Verstärkers 122 durch. Die Amplitude samen Verbindung der Widerstände 115, 116, 117 jedes Ausgangsimpulses des Verstärkers 122 ist somit und 118 verbunden, während die andere Seite des kennzeichnend für die gleichzeitige Endlage des Kondensators 121 mit der einen Eingangssignal- 50 Lichtstrahls der Quelle 1. Das Tiefpaßfilter 123 klemme des Verstärkers 122 verbunden ist. Die erzeugt einen Ausgang, der die Hüllkurve des ampliandere Eingangsklemme des Verstärkers 122 ist mit tudenmodulierten Impulszugs am Ausgang des Verder gemeinsamen Erdverbindung verbunden. Der stärkers 122 darstellt. Somit sind aufeinanderfolgende Ausgang des Verstärkers 122 ist mit dem Eingang Kombinationen der von den Quellen 31, 32, 33 des Tiefpaßfilters 123 verbunden. 55 und 34 erzeugten binären Signale in ein sich stetigAn arrangement of photosensitive switching elements on resistor 119. When the light beam from the output matrix 22 is removed for use in post-photo transistor 111, this takes directional transmission systems is shown in FIG. 7 dar- transistor has a very high impedance, so that no posed. For example, the execution may involve the current flowing through resistor 115. If not F i g. 1 can be set up so that it has a decoder 30 other photo transistor a state with low for pulse code modulation receiver, has impedance, no current flows through the by setting up the F i g. 7 for the output resistor 119, with then the entire potential matrix 22 is used. The photo-transistors of the source 120 at the common connection of the 111, 112, 113 and 114 of the optical switching matrix resistors 115, 116, 117 and 118 appear. if 110 are on four of the in FIG. 2 indicated element- 35 the light beam hits the photo-transistor 112, form Positions arranged. One terminal of each of resistor 116 and resistor 119 in Photo-transistors 111, 112, 113 and 114 is similarly a voltage divider at the source connected to a common ground connection, while 120. The voltage drop across resistor 119 is rend the other connections with resistors 115, now different from the value that occurred, 116, 117 and 118 are connected. The other 40 as the transistor 111 by the light beam of these resistors 115, 116, 117 and 118 was hit because the sizes of the resistors 115 are commonly connected to a resistor 119 and 116 are different. Thus an amplid appears. The other side of the resistor 119 is a tuden-modulated pulse train on the common the positive pole of the DC voltage source 120 connected to the resistors 115, 116, 117 and 118. closed, while the negative pole of the source 120 with 45. The capacitor 121 lets the changeable comdem common ground connection is connected. The component of the voltage across resistor 119 to one side of a capacitor 121 is common to the input of amplifier 122 through. The amplitude The same connection of the resistors 115, 116, 117 of each output pulse of the amplifier 122 is thus and 118 connected, while the other side of the indicative of the simultaneous end position of the Capacitor 121 with the one input signal 50 light beam of the source 1. The low-pass filter 123 terminal of amplifier 122 is connected. The produces an output that is the envelope of the ampliandere The input terminal of the amplifier 122 is with a modulated pulse train at the output of the Verder common earth connection connected. The amplifier 122 represents. Thus, they are consecutive The output of the amplifier 122 is combinations of those from the sources 31, 32, 33 with the input of the low-pass filter 123 connected. 55 and 34 generated binary signals in a steady process

Wenn auch der Einfachheit halber nur vier Schalt- änderndes analoges Signal am Ausgang des Tiefpaßelemente in der Matrix 110 dargestellt sind, so filters 123 umgewandelt.Even if, for the sake of simplicity, only four switching-changing analog signals at the output of the low-pass element are shown in the matrix 110, so converted to filters 123.

können doch so viele Schaltelemente vorgesehen Es sei bemerkt, daß die entsprechend Fig. 7but so many switching elements can be provided. It should be noted that the corresponding to FIG. 7

werden, wie Elementpositionen in der Ausgangs- abgeänderte Ausführung der Fig. 1 sich bei derare how element positions in the output modified embodiment of FIG

matrix 22 der F i g. 1 enthalten sind. Die Größen der 60 soeben beschriebenen Anwendung vollständig aufmatrix 22 of FIG. 1 are included. The sizes of the 60 application just described completely

Widerstände 115, 116, 117 und 118 und irgend- der Empfangsseite befindet.Resistors 115, 116, 117 and 118 and any receiving side is located.

welcher zusätzlicher Widerstände, die mit anderen Dieselbe Einrichtung kann als Sender und Emp-Foto-Transistoren verbunden sind, sind sämtlich fänger in einem Nachrichtenübertragungssystem beverschieden, nutzt werden, indem einfach der Abstand zwischenwhich additional resistors that can be used with other same device as transmitter and emp photo transistors are connected, all catchers in a communication system are different, can be used by simply adding the space between

Beim Betrieb dieser abgeänderten Ausführung als 65 der Ausgangsmatrix 22, wie sie in F i g. 7 dargestelltWhen operating this modified embodiment as 65 of the output matrix 22, as shown in FIG. 7 shown

Impulskodemodulations-Dekoder wird ein zu de- ist und die den Empfänger darstellt, und der übrigenPulse code modulation decoder is one to de- is and that represents the receiver, and the rest

kodierendes Kodewort mit Hilfe bekannter Mittel abgeänderten Ausführung, wie sie in F i g. 1 dar-coding code word modified with the aid of known means, as shown in FIG. 1 dar-

vom empfangenen Signal abgeleitet. Jedes Kodewort gestellt ist und die den Sender darstellt, vergrößertderived from the received signal. Each code word is placed and which represents the transmitter, enlarged

wird. Die zu übertragende Information wird in Kodeworten kodiert, die aus binären Bits von 0 oder 7 kV bestehen. Die binären Bit jedes Kodeworts werden gleichzeitig den Polarisations-Dreheinrichtungen 2, 7,12 und 17 der Fi g. 1 zugeführt. Die resultierende Ablenkung des Strahls ändert sich in aufeinanderfolgenden Zeitpunkten wie das Kodewort. Somit ist der polarisierte Lichtstrahl ein Träger für die zu übertragende Information, wobei seine Modulation Strahl-Positionsmodulation genannt werden kann. In den Fällen, wo der Übertragungsabstand sehr groß ist, kann es erwünscht sein, daß sämtliche verschiedenen möglichen Übertragungswege des Strahls parallel zueinander liegen. Es kann ferner erwünscht sein, Fokussiereinrichtungen oder sogar Verstärkereinrichtungen an sich wiederholenden Punkten entlang der Strahlbahn vorzusehen. Die Foto-Transistoren 111, 112, 113 und 114 stellen bei dieser Anwendung der Erfindung die Antennen des Empfängers wie auch einen Teil der Demodulations- zo einrichtungen dar.will. The information to be transmitted is encoded in code words consisting of binary bits of 0 or 7 kV exist. The binary bits of each code word are simultaneously sent to the polarization rotators 2, 7, 12 and 17 of Figs. 1 supplied. The resulting The deflection of the beam changes in successive points in time like the code word. So is the polarized light beam is a carrier for the information to be transmitted, with its modulation Beam position modulation can be called. In those cases where the transmission distance is very is large, it may be desirable that all of the various possible transmission paths of the Beams are parallel to each other. It may also be desirable to have focussing devices or even Provide amplification devices at repetitive points along the beam path. the Photo-transistors 111, 112, 113 and 114 represent the antennas of the in this application of the invention Receiver as well as part of the demodulation zo facilities.

Es sind zahlreiche weitere Anwendungen möglich, Zum Beispiel bei digitalen Rechensystemen, um logische Operationen, wie auch eine Informationsspeicherung durchzuführen, wie es in Zusammenhang mit F i g. 4 beschrieben wurde. Zum Beispiel kann eine logische Einrichtung dadurch gebildet werden, daß einige Differenzen der Dicke der Kristalle zur Ablenkung des Strahls in derselben Ebene beseitigt werden. Wenn die Elemente 16 und 21 dieselbe Dicke erhalten, wird die eine vertikale Spalte der Ausgangsmatrix, wie sie in F i g. 2 dargestellt ist, beseitigt. Dabei entsteht eine mehrwertige Entsprechung zwischen einigen der Elemente der Ausgangsmatrix 22 und einigen Permutationen von gegebenen Kombinationen einer gegebenen Anzahl von binären Signalen. Bei dem soeben angegebenen Beispiel hat die Vertauschung der an die Dreheinrichtungen 12 und 17 angelegten Signale keine Wirkung auf die Position des Strahls auf der Ausgangsmatrix 22. Es kann eine Vielzahl von anderen Wegen zur Kombinierung einer Anzahl von Eingangssignalen vorgeschlagen werden.Numerous other applications are possible, for example in digital computing systems to carry out logical operations, as well as information storage, as it is related with F i g. 4 has been described. For example, a logical device can be formed thereby will be that some differences in the thickness of the crystals for deflecting the beam in the same Level to be eliminated. When elements 16 and 21 are given the same thickness, one becomes vertical Column of the output matrix as shown in FIG. 2 is eliminated. This creates a multi-valued one Correspondence between some of the elements of the output matrix 22 and some permutations of given combinations of a given number of binary signals. With the one just now given example has the interchanging of the signals applied to the rotating devices 12 and 17 no effect on the position of the beam on the output matrix 22. It can be a variety of other ways of combining a number of input signals can be suggested.

Ein Vorteil der Anwendung auf digitale Rechensysteme ist die hohe Geschwindigkeit, die durch die sehr große Positionsbandbreite des Systems ermöglicht wird. Das bedeutet, daß der Lichtstrahl der Quelle 1 von einem seiner diskreten Wege zu einem anderen sehr schnell abgelenkt werden kann.An advantage of the application to digital computing systems is the high speed achieved by the very large position bandwidth of the system is made possible. This means that the light beam is the Source 1 can be diverted from one of its discrete paths to another very quickly.

Claims

Patent claims:

1. High-speed, high-density electro-optical scanning arrangement, featured by combining a source of a narrow beam of polarized electromagnetic radiation (1, Fig. 1), a digital light deflection device (41 to 44) located in the beam path, which is under the control of signals from an external source (31 to 34) the beam in a plurality of binary Deflects steps towards a starting position as a function of the polarization of the beam, and a plurality of radiation-sensitive elements (50, 51; 62; 111 to 114; Fig. 7) to collect the deflected beam and to generate an electrical signal their selective suggestion.

2. A scanning arrangement according to claim 1, characterized in that each of the radiation-sensitive Elements (62) on at least two signal transmission paths (60, 73 and 61, 74) in this way is switched on that the selective excitation of this element establishes a connection between the produces both transmission paths.

3. A scanning arrangement according to claim 2, characterized in that each of the radiation-sensitive Elements (62) connected in series with a corresponding radiation-generating device is, of the radiation of which the assigned radiation-sensitive element is activated is acted upon, so that once a conductive connection of the signal transmission paths has been established also persists when the beam of rays from this radiation-sensitive Element is led away again.

4. A scanning arrangement according to claim 3, characterized in that the radiation-sensitive elements are formed by a cross point matrix (111 to 114), in the cross points of which there are photoconductive elements (NPN) .

5. A scanning arrangement according to claim 1, characterized in that for converting the signals in a visual form the system further comprises the following features: an intensity modulator (91) between the source (90) and the digital light deflection device (92) for intensity modulation of the beam accordingly modulating signals from an external source, one that intercepts the deflected beam Viewing surface (94) for generating a visible image and one to the digital Light deflection device (92) connected scanning control unit (92) under the control external signals the beam in a predetermined manner on the surface of the viewing area distracts to generate the visible image.

For this purpose 2 sheets of drawings