DE1282083B

DE1282083B - Circuit arrangement with one or more bistable multivibrator (s) as storage element (s) (adhesive storage)

Info

Publication number: DE1282083B
Application number: DE1966S0103415
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Hermann Hofmann; Dipl-Ing Karl-Ernst Wust
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1966-04-26
Filing date: 1966-04-26
Publication date: 1968-11-07
Also published as: JPS456793B1

Description

Schaltungsanordnung mit einer oder mehreren bistabilen Kippschaltung(en) als Speicherelement(e) (Haftspeicher) Die Erfindung bezieht sich auf eine bistabile Kippschaltung als Gedächtniselement in kontaktlosen Steuer- und Regelanlagen, mit Mitteln zur Sicherung des Informationsinhalts bei bzw. nach Ausfall der Stromversorgung.Circuit arrangement with one or more bistable multivibrator (s) as storage element (s) (adhesive storage) The invention relates to a bistable Toggle circuit as a memory element in contactless control and regulation systems, with Means for securing the information content during or after failure of the power supply.

Kippschaltungen solcher Art, die mit Röhren oder vorzugsweise Transistoren bestückt sind, werden als Haftspeicher bezeichnet und bestehen im wesentlichen aus zwei kreuzweise gekoppelten Norgattern, wobei in den (Anoden-) Kollektorkreis bzw. Rückkopplungskreis der zum Aufbau benötigten Verstärkerelemente Wicklungen eines Transformators mit hochpermeablem Kern eingeschaltet sind. Haftspeicher solcher Art beruhen auf dem Grundgedanken, daß der in den Kern eingeschriebene Informationsinhalt der betreffenden bistabilen Kippschaltung bei oder nach Ausfall der Stromversorgung, d. h. der Betriebsspannung für die Verstärkerelemente, im Kern erhalten bleibt und nach Wiederkehr der Versorgungsspannung wieder herausgelesen werden kann.Flip-flops of this type, those with tubes or preferably transistors are equipped, are referred to as sticky memory and essentially consist of two cross-coupled Norgattern, whereby in the (anode) collector circuit resp. Feedback loop of the amplifier elements required to build windings of a Transformer with a highly permeable core are switched on. Detention storage such Art are based on the basic idea that the information content written in the core the relevant bistable multivibrator during or after failure of the power supply, d. H. the operating voltage for the amplifier elements, is retained in the core and can be read out again after the supply voltage has been restored.

Bei den bekannten Haftspeichern ist der benötigte Speicherkern mit seinen Wicklungen fest in die bistabile Kippstufe eingefügt, so daß stets nur bistabile Kippstufen (Gedächtnisstufen) entweder mit Speicherverhalten oder - wenn der Transformator fehlt - ohne Speicherverhalten zur Verfügung stehen. In vielen Anwendungsfällen, wo kontaktlose Steuerbausteine, im besonderen Gedächtnisstufen, zum Aufbau von Prozeßsteuer- und Regelanlagen benötigt werden, sind jedoch Gedächtniselemente mit Haftspeicherverhalten häufig nicht vonnöten, sei es, daß mit Ausfällen der Versorgungsspannung nicht gerechnet werden muß, sei es, daß die Versorgungsspannung gepuflerten Batterien entnommen wird. Würde man in solchen Steuerungsaufbauten ausschließlich bistabile Gedächtnisstufen (Flip-Flops) mit Haftspeicherverhalten vorsehen, so würde eine solche Steuer- bzw. Regelanlage durch den zusätzlichen Aufwand, der durch den Einbau von Speicherkernen in jede Gedächtnisstufe bedingt ist, erhebliche Kosten erfordern.In the known adhesive memories, the required memory core is included its windings firmly inserted into the bistable multivibrator, so that only bistable Flip-flops (memory levels) either with storage behavior or - if the transformer missing - are available without storage behavior. In many applications, where contactless control modules, in particular memory levels, for the construction of process control and control systems are required, but are memory elements with sticky memory behavior often not necessary, be it that failures of the supply voltage are not expected must be taken, be it that the supply voltage is taken from buffered batteries will. If only bistable memory levels were to be used in such control systems (Flip-flops) with sticky memory behavior, then such a control or Control system due to the additional effort caused by the installation of storage cores in each level of memory requires considerable costs.

Die Erfindung weist zur Behebung dieser Nachteile einen anderen Weg und besteht bei einer Schaltungsanordnung mit einer oder mehreren bistabilen Kippschaltung(en) als Speicherelement(e) und mit Mitteln zur Sicherung des Informationsinhalts bei bzw. nach Ausfall der Stromversorgung (Haftverhalten) darin, daß bei Verwendung von Kippstufen ohne Haftspeicherverhalten jeder derartigen Kippstufe zum Um- oder Nachrüsten in Gedächtnisstufen mit Haftverhalten ein Zusatzbaustein mit zwei Verstärkerelementen (Transistoren) dient, bei dem im Kollektorkreis des ersten, basisseitig den Bausteineingang bildenden Transistors die Primärwicklung eines Zweiwicklungstransforrnators mit hochpermeablem, vorzugsweise ringförmigem Kern angeordnet ist, dessen Sekundärwicklung die Steuerstrecke des zweiten, kollektorseitig den Bausteinausgang bildenden Transistors beeinlußt, und daß die Zusammenschaltung zwischen Gedächtnisstufe und Zusatzbaustein durch äußere Beschaltung in der Weise erfolgt, daß der Ausgang des Zusatzbausteins mit einem Setzeingang der Gedächtnisstufe, der Löschausgang der Gedächtnisstufe mit einem der Eingänge des Zusatzbausteins, ein weiterer Eingang dieses Bausteins über einen Schalter in einem zentralen Steuergerät für die Stromversorgung mit dem Bezugspotential und einer der Löscheingänge der Gedächtnisstufe über einen weiteren Schalter mit dem Betriebspotential im Steuergerät verbunden ist, welches einen Grenzwertmelder und eine Relaisfolgeschaltung für die zeitlich gestaffelte Zu- oder Abschaltung der Speisepotentiale der Stromversorgung enthält.The invention shows a different way of overcoming these disadvantages and exists in a circuit arrangement with one or more bistable multivibrator (s) as storage element (s) and with means for securing the information content or after failure of the power supply (adhesion behavior) in that when using of flip-flops without sticky storage behavior of each such flip-flop to switch or Retrofitting an additional module with two amplifier elements in memory levels with adhesive behavior (Transistors) is used in the case of the component input in the collector circuit of the first on the base side forming transistor with the primary winding of a two-winding transformer highly permeable, preferably annular core is arranged, the secondary winding the control path of the second transistor, which forms the module output on the collector side influences, and that the interconnection between memory level and additional module by external wiring in such a way that the output of the additional module with a set input of the memory level, the delete output of the memory level with one of the inputs of the additional module, another input of this module via a switch in a central control unit for the power supply with the Reference potential and one of the reset inputs of the memory level via another Switch is connected to the operating potential in the control unit, which is a limit indicator and a relay sequence circuit for staggered connection or disconnection contains the supply potential of the power supply.

Durch die durch die Erfindung gegebene Möglichkeit, einer bistabilen Gedächtnisstufe ohne Haftspeicherverhalten einen Zusatzbaustein zuzuordnen, der ihr im Bedarfsfalle dieses Haftspeicherverhalten verleiht, können in fortschrittlicher Weise Steuerschaltungen mit Gedächtnisstufen völlig freizügig projektiert werden, und überdies können Steueranlagen mit Kippstufen ohne Haftspeicherverhalten durch Beiordnung einer entsprechenden Anzahl von Zusatzbausteinen, die das Haftspeicherverhalten einiger oder aller Kippstufen sichern, nachgerüstet werden. Bei älteren, bereits bestehenden Steuerungsanlagen mit Gedächtnisstufen ohne Haftspeicherverhalten ist es nicht ohne weiteres möglich, den Gedächtnisstufenbaustein ohne Haftspeicherverhalten einfach zu entfernen und durch einen fertig verdrahteten, einheitlich, sowohl die bistabile Kippstufe als auch den bzw:- die Speicherkerne gemeinsam enthaltenden Baustein zu ersetzen, weil die jeweiligen Bausteinträger (Prints) der älteren Anlagen meist mit mehreren Kippstufen besetzt sind und jeweils auf einem Träger (Print) wegen des Platzbedarfs der Speicherkerne nicht ebenso viele Kippstufen mit Haftspeicherverhalten untergebracht werden können wie Kippstufen ohne Haftspeicherverhalten. Bei neuen Anlagen wäre es zwar möglich, von vornherein, schon bei der Projektierung, ausschließlich Kippstufenbausteine mit bereits fest eingebauten Speicherkernen vorzusehen, also jeder Kippstufe Haftspeicherverhalten zu verleihen; diese Maßnahme würde aber eine unnötige Verteuerung der Gesamtanlage in solchen Fällen mit sich bringen, wo ein Betriebsspannungsausfall gar keine Mensch, Maschine oder Produkt gefährdende Betriebssituationen auslösen kann.Due to the possibility given by the invention, a bistable To assign an additional module to the memory level without sticky memory behavior, the if this gives her this adhesive storage behavior in case of need, can in progressive Wise control circuits with memory levels can be projected completely freely, and, moreover, control systems with flip-flops can get through without sticking memory behavior Allocation of a corresponding number of additional modules, which the stick memory behavior secure some or all tilting stages, be retrofitted. at older, already existing control systems with memory levels without sticky memory behavior it is not easily possible to use the memory level module without sticky memory behavior easy to remove and through a ready-wired, unified, both the bistable flip-flop as well as the or: - containing the memory cores together To replace the module, because the respective module carriers (prints) of the older systems are mostly occupied with several tilt steps and each on a carrier (print) because of the space required by the storage cores, not as many flip-flops with sticky storage behavior can be accommodated like flip-flops without adhesive storage behavior. With new ones Systems would be possible from the outset, even during the project planning, exclusively Provide flip-flop modules with already built-in memory cores, that is to give detention storage behavior to each flip-flop; but this measure would be a bring unnecessary increase in the price of the entire system in such cases, where a Operating voltage failure no operating situations endangering people, machines or products can trigger.

Durch die Erfindung ist dagegen gewährleistet, daß im Bedarfsfall - sowohl ältere als auch neuere Anlagen mit Gedächtnisstufen ohne Haftspeicherverhalten durch Um- bzw. Nachrüsten ganz oder teilweise zu Anlagen mit betriebssichernden, ein Haftspeicherverhalten aufweisenden Gedächtnisstufen ergänzbar sind, zumal die hierfür benötigten Zusatzbausteine einzeln, paar- oder gruppenweise auf je einem Träger (Print) aufgebaut sein können, welcher, wenn kein Platz neben der zugehörigen Kippstufenanordnung im Einschub des Steuerschrankes vorhanden sein sollte, unbedenklich im Nachbareinschub oder an entfernter Stelle des Steuerschrankes untergebracht werden kann.By contrast, the invention ensures that if necessary - Both older and newer systems with memory levels without sticky memory behavior by converting or retrofitting in whole or in part to systems with operational safety, memory levels exhibiting detention storage behavior can be supplemented, especially since the Additional modules required for this, individually, in pairs or in groups on one each Carrier (print) can be constructed, which, if there is no space next to the associated Tilting stage arrangement should be present in the plug-in unit of the control cabinet, harmless be accommodated in the neighboring module or at a remote location on the control cabinet can.

Da das benötigte zentrale Steuergerät für die zeitlich gestaffelte Zu- bzw. Abschaltung der Speisepotentiale ebenfalls in Form - eines Bausteins aufgebaut werden kann; und im-übrigen für eine Viel-. zahl von Haftspeichergedächtnisstufen nur einmal gemeinsam benötigt wird, kann eine bestehende Steuerschaltung, die mit Haftspeicherzusätzen nachgerüstet werden soll, durch Beifügen eines solchen Steuergerätebausteins ebenfalls nach- bzw. umgerüstet werden.Because the required central control unit for the staggered Connection and disconnection of the supply potentials also in the form of a module can be; and by the way for a lot. number of sticky memory levels is only required once together, an existing control circuit that can be used with Adhesive storage additions are to be retrofitted by adding such a control unit module can also be retrofitted or converted.

Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen kann nicht nur den in Steueranlagen vorgesehenen Gedächtnisstufen ein Haftspeicherverhalten gegeben werden, sondern es ist auch möglich, dieses Haftspeicherverhalten beliebigen bistabilen Kippstufen zu verleihen, z. B. Registerstufen und bistabilen Stufen in Ein- und Zweirichtungszählern.The measures according to the invention can not only be used in control systems provided memory levels are given a detention memory behavior, but rather it is also possible to use this sticky storage behavior as desired bistable flip-flops to lend, e.g. B. Register levels and bistable levels in unidirectional and bidirectional counters.

Nach einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung beeinflußt der Grenzwertmelder im Steuergerät ein Relais, dessen Kontaktanordnung im Zuge der Betriebsstromversorgung für den Speicherzusatz und dessen Arbeitskontakt im Stromkreis des weiteren Relais angeordnet ist, dessen Ruhekontakt in der Verbindungsleitung zwischen dem Eingang des. Speicherzusatzes und dem Bezugspotential liegt und dessen Arbeitskontakt im Stromkreis des weiteren Relais angeordnet ist, über dessen Arbeitskontakte Betriebs- bzw. Sperrpotentiale schaltbar sind, derart, daß bei Wiederkehr der Speisestromversorgung folgende Arbeitsschritte der vom Grenzwertmelder beeinflußten Relaisfolgeschaltung - selbsttätig nacheinander ablaufen: a) Löschen der bistabilen Kippstufe bzw. Kippstufen, b) Anlegen des Betriebspotentials an den oder die Speicherzusätze, c) Abschalten des Sperrpotentials vom Eingang des oder der Speicherzusätze sowie gegebenenfalls d) Anlegen des Betriebspotentials an die übrigen steuernden und gesteuerten Bausteine der Steuerung und gleichzeitiges Hochschalten der Ansprechwelle des zweiten Transistors des oder der Speicherzusätze.According to an advantageous development of the invention, the influences Limit monitor in the control unit a relay, whose contact arrangement in the course of the operating power supply for the memory add-on and its normally open contact in the circuit of the further relay is arranged, the break contact in the connecting line between the input Des. Additional memory and the reference potential and its normally open contact in the Circuit of the further relay is arranged, via whose working contacts operating or blocking potentials can be switched so that when the power supply returns following work steps of the relay sequence circuit influenced by the limit monitor - run automatically one after the other: a) deletion of the bistable flip-flop or flip-flops, b) applying the operating potential to the memory add-on (s), c) switching off the blocking potential from the input of the storage add-on (s) and, if applicable d) Applying the operating potential to the other controlling and controlled modules the control and simultaneous upshifting of the response wave of the second transistor of the storage add-on (s).

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung sei nachstehend an Hand einer Figur näher erläutert.An embodiment of the invention is given below with reference to a Figure explained in more detail.

Die Figur veranschaulicht in drei strichpunktierten Rahmen eingezeichnete Schaltungen, die je auf Prints aufgebaut oder in Blöcken vergossen sein können. Der Baustein BK zeigt in symbolischer Darstellung eine bekannte bistabile Kippstufe ohne Haftspeicherverhalten, der Baustein HZ den Haftspeicher-Zusatzbaustein zur Stufe BK und der Baustein ZS das zentrale Steuergerät für die zeitlich gestaffelte Zu- oder Abschaltung _der Speisepotentiale der Stromversorgung. Der Speisestrom wird einem nicht dargestellten Netzgleichrichter entnommen, dessen Pluspol mit P, dessen Minuspol mit N und dessen Mittelanzapfung mit Mp bezeichnet ist.The figure illustrates drawn in three dash-dotted frames Circuits that can be built on prints or encapsulated in blocks. The block BK shows a known bistable multivibrator in a symbolic representation without sticky memory behavior, the HZ module is the additional sticky memory module for Stage BK and the module ZS the central control unit for the time-staggered Connection or disconnection of the supply potential of the power supply. The feed stream is taken from a power rectifier, not shown, whose positive pole is marked with P, whose negative pole is denoted by N and whose center tap is denoted by Mp.

Die Schaltung der bistabilen Kippstufe BK ohne Haftspeicherverhalten ist durch in üblicher Weise über Kreuz gekoppelte NOR-Gatter Ni und N2 symbolisiert; sie verfügt über-Setzeingänge E3 und E,4, Löscheingänge Ei,-E2, den Ausgang der Setzseite A und den Ausgang der Löschseite Ä. Man bedient sich solcher bistabilen Stufen, die mit Transistoren aufgebaut sind, zur Speicherung von Steuerbefehlen, weil sie durch Steuerbefehle auf den Setzeingang bzw. auf den Löscheingang für die Dauer in die eine oder andere stabile Lage gekippt werden können, wobei durch einen Setzbefehl der Ausgang A Signal führt und nach einem Löschbefehl der Ausgang Ä Signal abgibt; die Ausgangssignale an den Ausgängen A und Ä sind stets invers, d. h. führt der Ausgang A L-Signal, dann führt der Ausgang Ä 0-Signal und umgekehrt.The circuit of the bistable multivibrator BK without adhesive storage behavior is symbolized by the usual cross-coupled NOR gates Ni and N2; it has set inputs E3 and E, 4, reset inputs Ei, -E2, the output of the Set side A and the exit of the reset side Ä. One uses such bistable ones Stages built with transistors for storing control commands, because they are triggered by control commands on the set input or the delete input for the Duration can be tipped into one or the other stable position, whereby by one Set command the output A carries a signal and after a delete command the output Ä signal gives up; the output signals at outputs A and Ä are always inverse, i.e. H. leads the output A L signal, then the output Ä carries a 0 signal and vice versa.

In der industriellen Elektronik wird die Forderung gestellt, daß nach Netzspannungsausfall und wiederkehrender Spannung die bistabile Stufe BK ausgangsseitig stets diejenige Lage wieder einnehmen soll, die sie vor dem Spannungsausfall hatte. Bei aus Halbleitern (Transistoren) aufgebauten Kippschaltungen dieser Art ist dies jedoch nicht ohne weiteres der Fall, da das Kippverhalten einer solchen Stufe bei wiederkehrender Versorgungsspannung nach deren Ausfall im wesentlichen von den Unsymmetrien der Schaltung abhängt. Zur Lösung dieses Problems muß deshalb, wie eingangs erläutert wurde, ein Kernspeicherelement verwendet werden, das die Information der bistabilen Stufe übernimmt, sie bei Netzspannungsausfall -ohne Energiezufuhr beliebig lange speichert und bei wiederkehrender Spannung die Halbleiterkippschaltung in die frühere Steuerlage setzt. Deshalb werden die beiden möglichen Schaltzustände der bistabilen Stufe BK in dem im Zusatzbaustein HZ angeordneten Magnetkern in eine Magnetisierung im-Uhrzeiger- bzw. Gegenuhrzeigersinn umgesetzt und- können -somit .- auch bei Spannungsausfällen - beliebig lange gespeichert werden. Bei wiederkehrender Betriebsspannung wird diese Information aus dem Speicherkern wieder ausgelesen und die bistabile Transistorkippstufe zwangsweise in diejenige Lage gesteuert, die sie vor dem Netzspannungsausfall eingenommen hatte.In industrial electronics there is a requirement that after Mains voltage failure and recurring voltage the bistable stage BK on the output side should always be in the position it was in before the power failure. This is the case with flip-flops of this type built from semiconductors (transistors) however, this is not the case without further ado, since the tilting behavior of such a stage recurring supply voltage after its failure essentially from the asymmetries depends on the circuit. To solve this problem must therefore, as explained at the beginning was to use a core memory element that contains the information of the bistable Level takes over, in the event of a power failure - without power supply for as long as required stores and when the voltage returns, the semiconductor flip-flop switches to the previous one Tax position sets. Therefore, the two possible switching states become the bistable Stage BK in the magnetic core arranged in the additional module HZ into a magnetization implemented clockwise or counterclockwise and- can -therefore .- also with Power failures - can be stored for as long as you like. When the operating voltage returns, this Information from the memory core is read out again and the bistable transistor trigger stage forcibly controlled in the position that they assumed before the power failure would have.

Der Zusatzbaustein HZ, der jeweils jeder bistabilen Kippstufe BK zugeordnet werden muß, wenn dieser ein Haftspeicherverhalten verliehen werden soll, enthält zwei Transistoren P1 und P2, und zwar npn-Silizium-Planar-Transistoren, deren Emitter an das Bezugspotential Mp geschaltet sind. Im Kollektorkreis des Transistors P1 befindet sich die Wicklung W1 eines Zweiwicklungstransformators T mit hochpermeablem, vorzugsweise ringförmigen Kern. Die Sekundärwicklung W2 dieses Transformators T ist einerseits über einen nicht weiter bezeichneten Widerstand an das Betriebspotential P angeschlossen und andererseits über die Diode G1 mit dem Bezugspotential Mp verbunden. Die Sekundärwicklung W:, beeinflußt die Steuerstrecke des zweiten Transistors P2 über die Diode G2 und das RC-Glied R2C2. Der Bausteinausgang, am Kollektor des Transistors P." ist mit A1 bezeichnet. Zur sicheren Sperrung des Transistors P., kann an seine Basis über einen Widerstand das negative Betriebspotential N angelegt werden. Die Basis des ersten Transistors P1 führt über Entkopplungsdioden G3 und G4 zu den Eingangsklemmen El und E.., des Haftspeicherzusatzbausteins HZ. The additional module HZ, which must be assigned to each bistable multivibrator BK if it is to be given an adhesive memory behavior, contains two transistors P1 and P2, namely npn silicon planar transistors, the emitters of which are connected to the reference potential Mp. In the collector circuit of the transistor P1 there is the winding W1 of a two-winding transformer T with a highly permeable, preferably ring-shaped core. The secondary winding W2 of this transformer T is on the one hand connected to the operating potential P via a resistor (not further designated) and on the other hand is connected to the reference potential Mp via the diode G1. The secondary winding W: influences the control path of the second transistor P2 via the diode G2 and the RC element R2C2. The component output, at the collector of transistor P. "is labeled A1. For safe blocking of transistor P., the negative operating potential N can be applied to its base via a resistor. The base of the first transistor P1 leads via decoupling diodes G3 and G4 the input terminals El and E .., of the additional adhesive storage module HZ.

Das zentrale Steuergerät ZS, als Print oder in Blockbauweise ausgeführt, ist, wie angedeutet, an die Klemmen P, Mp und N der Stromversorgung anschließbar. Es umfaßt den Grenzwertmelder GM, der die Größe der Betriebsspannungspotentiale P, Mp und N prüft und der eine Ansprechschwelle sowie eine Rückkippschwelle aufweist; er hat die Aufgabe, bei Anstieg der Versorgungsspannung nach Netzspannungsausfall bei einem bestimmten Schwellenwert die Relaisfolgeschaltung aus den Relais Dl, D2 und D2 zur zeitlich gestaffelten Zu- oder Abschaltung der Speisepotentiale der Stromversorgung anzusteuern. Der Schaltbefehl des Grenzwertmelders GM bei Erreichen der Ansprechschwelle ist durch ein zugeordnetes RC-Glied RiC1 verzögerbar.The central control unit ZS, designed as a print or in block design, can be connected to the terminals P, Mp and N of the power supply, as indicated. It includes the limit indicator GM, which checks the size of the operating voltage potentials P, Mp and N and which has a response threshold and a fallback threshold; its task is to control the relay sequence circuit from the relays Dl, D2 and D2 for the staggered connection or disconnection of the supply potentials of the power supply when the supply voltage rises after a mains voltage failure at a certain threshold value. The switching command of the limit monitor GM when the response threshold is reached can be delayed by an assigned RC element RiC1.

Die Zusammenschaltung der bistabilen Kippstufe BK ohne Haftspeicherverhalten mit dem Haftspeicherzusatzbaustein HZ erfolgt in der Weise durch äußere Beschaltung, daß der Ausgang Al des Bausteins HZ mit dem Setzeingang E4 der Stufe BK, der Ausgang der Löschseite Ä dieser Stufe mit einem der Eingänge El des Bausteins HZ, ein weiterer Eingang E2 des Bausteins HZ über den Schalter d22 im Steuergerät ZS mit dem Bezugspotential Mp und einer der Löscheingänge El der Gedächtnisstufe BK über einen weiteren Schalter V im Steuergerät ZS mit dem Betriebspotential P verbunden wird.The interconnection of the bistable flip-flop BK without adhesive storage behavior with the additional adhesive storage module HZ takes place in such a way that the output Al of the module HZ with the set input E4 of the stage BK, the output of the erase side Ä of this stage with one of the inputs El of the module HZ Another input E2 of the module HZ is connected to the reference potential Mp via the switch d22 in the control unit ZS and one of the clearing inputs El of the memory stage BK is connected to the operating potential P via a further switch V in the control unit ZS.

Die Wirkungsweise ist folgende: Führt der Ausgang Ä der Kippstufe BK Nichtsignal, so wird über den Eingang El des Zusatzbausteins HZ und dessen Transistor P1 die Wicklung W1 des Transformators T angesteuert, wodurch dessen Kern im Uhrzeigersinn magnetisiert werden möge. Die Durchflutung der Wicklung W2 des Transformators T, welche kleiner ist als die der Primärwicklung W1, kann demgegenüber den Kern des Transformators T im Gegenuhrzeigersinn magnetisieren, wenn die Primärwicklung abgeschaltet ist. Das bedeutet, daß der Magnetkern je nach der am Eingang El anstehenden Information entweder im Uhrzeiger- bzw. Gegenuhrzeigersinn magnetisiert wird. Bei Ausfall der Betriebsspannung bleibt dieser Speicherzustand erhalten.The mode of operation is as follows: If the output Ä of the multivibrator is active BK no signal, then via the input El of the additional module HZ and its transistor P1 the winding W1 of the transformer T is driven, making its core clockwise may be magnetized. The flow through the winding W2 of the transformer T, which is smaller than that of the primary winding W1, in contrast, the core of the Magnetize transformer T counterclockwise when the primary winding is switched off is. This means that the magnetic core depending on the information pending at the input El magnetized either clockwise or counterclockwise. If the This memory status is retained for the operating voltage.

Kommt die Versorgungsspannung wieder und liegt diese am zentralen Steuergerät ZS an, so wird zunächst das positive Betriebspotential P über den Schalter d12 und den Schalter V, der zweckmäßig als elektronischer Schalter mit zwei Transistoren in Emitterfolgeschaltung aufgebaut ist, an den Eingang El der Kippstufe BK angelegt und damit die Gedächtnisstufe zwangläufig gelöscht, wobei am Ausgang Ä Signal entsteht. Sobald die Betriebs-Spannung den Ansprechschwellwert des Grenzwertmelders GM erreicht hat, spricht dieser, infolge des Tiefpasses Ricl, verzögert an, wobei das Relais Dl erregt wird. Durch Umlegen seines Kontaktes dlz verschwindet zunächst der Löschimpuls am Eingang El der Kippstufe BK, und dann erscheint das Potential P auf der Leitung Y im Speicherzusatz HZ, so daß die Transistoren P1 und P2 ihre Kollektorspannung erhalten können. Der Transistor P1 bleibt jedoch noch gesperrt, da der Eingang E2 des Zusatzes HZ über den geschlossenen Schalter d22 noch auf Mp-Potential liegt. Beim Durchschalten des P-Potentials in den Haftspeicherzusatz HZ wird der Kern des Transformators T über die Wicklung W2 im Gegenuhrzeigersinn magnetisiert. Hatte dagegen die bistabile Stufe BK vor dem Spannungsausfall am Ausgang Ä Signal, dann war der Transistor P1 gesperrt, und der Kern wurde im Gegenuhrzeigersinn magnetisiert, so daß nach Zuschalten der positiven Versorgungsspannung P an den Zusatz HZ keine Ummagnetisierung und damit kein Spannungsimpuls an der Wicklung W2 des Transformators T entsteht. Die bistabile Kippstufe BK wurde dann bereits durch das Löschsignal richtig gesetzt. War jedoch vor dem Spannungsausfall am Ausgang Ä der bistabilen Kippstufe BK Nichtsignal vorhanden und somit der Transistor P1 durchlässig, so ist der Magnetkern bei wiederkehrender Spannung zunächst im Uhrzeigersinn magnetisiert und wird dann durch das Zuschalten der positiven Versorgungsspannung P ummagnetisiert. Hierdurch entsteht, bei gesperrter primärer Wicklung W1, ein Spannungsimpuls, der der doppelten sekundären Flußverkettung 2 W2 - Os entspricht. über den der Wicklung W2 des Transformators E parallelgeschalteten Tiefpaß R2C2 wird dieser Impulse gedehnt, vom Transistor P.2 verstärkf und über den Ausgang Al der Stufe HZ dem Eingang E4 der bistabilen Kippstufe BK eingegeben.When the supply voltage comes back and this is applied to the central control unit ZS, the positive operating potential P is first applied to the input El of the flip-flop BK via switch d12 and switch V, which is expediently designed as an electronic switch with two transistors in an emitter follower circuit and thus the memory level is inevitably deleted, whereby a signal is generated at the output. As soon as the operating voltage has reached the threshold value of the limit indicator GM , the latter responds with a delay due to the low-pass Ricl, with the relay Dl being energized. By changing over its contact dlz the erase pulse at the input El of the flip-flop BK disappears, and then the potential P appears on the line Y in the memory accessory HZ, so that the transistors P1 and P2 can receive their collector voltage. The transistor P1 remains blocked, however, since the input E2 of the addition HZ is still at Mp potential via the closed switch d22. When the P potential is switched through to the adhesive storage additive HZ, the core of the transformer T is magnetized in a counterclockwise direction via the winding W2. If, on the other hand, the bistable stage BK had a signal at the output Ä before the voltage failure, then the transistor P1 was blocked and the core was magnetized counterclockwise, so that after connecting the positive supply voltage P to the addition HZ, no magnetic reversal and thus no voltage pulse on the winding W2 of the transformer T arises. The bistable multivibrator BK was then set correctly by the cancel signal. However, if there was no signal at the output Ä of the bistable multivibrator BK before the voltage failure and the transistor P1 was therefore permeable, the magnet core is initially magnetized clockwise when the voltage returns and is then remagnetized by switching on the positive supply voltage P. When the primary winding W1 is blocked, this creates a voltage pulse which corresponds to the double secondary flux linkage 2 W2 - Os. Via the low-pass filter R2C2 connected in parallel to the winding W2 of the transformer E, these pulses are stretched, amplified by the transistor P.2 and input to the input E4 of the bistable multivibrator BK via the output A1 of the stage HZ.

Nach dem Erregen des Relais Dl wird über dessen Kontakt dll das Relais D2, infolge des diesem parallelgeschaltetem Kondensators C., verzögert zum Ansprechen gebracht. Nach dem Erregen des Relais D2 öffnet dessen Kontakt d22, wodurch das Sperrpotential Mp vom Eingang E2 des Zusatzes HZ abgeschaltet wird. Infolge dieser Entsperrung kann die bistabile Kippstufe BK ihren jeweiligen Informationsinhalt auf den Speicher T des Zusatzes HZ übertragen.After the relay D1 has been energized, the relay D2 is caused to respond with a delay via its contact dll, as a result of the capacitor C connected in parallel with it. After energizing the relay D2, its contact d22 opens, whereby the blocking potential Mp is switched off from the input E2 of the addition HZ. As a result of this unlocking, the bistable multivibrator BK can transfer its respective information content to the memory T of the addition HZ .

Beim Zuschalten der Versorgungsspannung soll berücksichtigt werden, daß die bistabile Kippstufe BK von den ihr unmittelbar vorgeschalteten Bausteinen, gerade beim Wiedereinschalten der Versorgungsspannung, angesteuert werden und dann Fehlimpulse liefern kann. Um dies zu verhindern, soll ein weiteres Relais D3 im zentralen Steuergerät ZS vorgesehen sein, Dieses Relais wird erregt, sobald das Relais D., angesprochen hat und seinen Kontakt d21 im Stromkreis des Relais D3 schließt. Der diesem zugeordnete Kontakt d31 hält in geöffnetem Zustand das Betriebspotential P von den mitangeschlossenen Steuerbausteinen der Gesamtsteuerung abgeschaltet, so lange, bis das Relais D3 erregt und der Kontakt d31 geschlossen ist.When switching on the supply voltage, it should be taken into account that that the bistable multivibrator BK from the modules immediately upstream of it, just when the supply voltage is switched on again, and then Can deliver false impulses. To prevent this, should another Relay D3 must be provided in the central control unit ZS, this relay is energized, as soon as the relay D. has responded and its contact d21 in the circuit of the Relay D3 closes. The contact d31 assigned to this holds in the open state the operating potential P of the connected control modules of the overall control switched off until relay D3 is energized and contact d31 is closed is.

Weiterhin sollte beachtet werden, daß im normalen, ungestörten Arbeitsbetrieb der Steuerung die Information der bistabilen Stufe BK mehrfach wechseln kann und dann fortlaufend wechselnd auf den Haftspeicherzusatzbaustein HZ übertragen wird. Am Ausgang A1 des Bausteins HZ werden immer dann Setzimpulse auftreten, sobald der Ausgang A der Kippstufe BK vom Nichtsignal auf Signal umgesteuert wird. Um zu verhindern, daß ein solcher Impuls die bistabile Kippstufe BK umsteuert, soll über den Kontakt d32 des Relais D3 durch Anlegen eines erhöhten Sperrpotentials N an die Basis des Transistors T2 die Ansprechschwelle dieses Transistors so weit erhöht werden, daß die Rückkopplung vom Haftspeicherzusatz HZ auf die bistabile Kippstufe BK unterbunden wird.It should also be noted that in normal, undisturbed operation of the control, the information of the bistable stage BK can change several times and is then continuously alternately transferred to the additional sticky memory module HZ. Set pulses will always appear at the output A1 of the module HZ as soon as the output A of the flip-flop BK is switched from a non-signal to a signal. In order to prevent such a pulse from reversing the bistable multivibrator BK, the response threshold of this transistor is to be increased to such an extent via the contact d32 of the relay D3 by applying an increased blocking potential N to the base of the transistor T2 that the feedback from the adhesive memory additive HZ opens the bistable multivibrator BK is prevented.

Das zentrale Steuergerät ZS erfüllt auch bei Spannungsausfall eine für die Informationserhaltung wichtige Funktion. Bei Versorgungsspannungsausfall erfolgt nämlich der Rückgang der positiven und negativen Versorgungsspannung im allgemeinen nach unterschiedlichen Zeitkonstanten, die von der Art des Netzgleichrichters und seiner Belastung abhängen. Bistabile Stufen, der in der Figur mit BK bezeichneten Art arbeiten aber nur so lange betriebssicher, als der Unterschied zwischen den Versorgungsspannungen ein gewisses Maß nicht überschreitet. Der Grenzwertmelder GM im zentralen Steuergerät 2S schaltet deshalb das Relais D1 sowie die weiteren Relais D2 und D3 und damit die Betriebsspannung P vom Haftspeicher HZ bereits dann ab, wenn 80% des Nennwerts der Versorgungsspannung unterschritten werden. Damit ist sichergestellt, daß ein auf Grund des Versorgungsspannungsausfalls eintretender Kippvorgang in der bistabilen Stufe BK keinesfalls mehr als Information in den Speicher HZ eingeschrieben werden kann.The central control unit ZS fulfills an important function for maintaining information even in the event of a power failure. In the event of a supply voltage failure, the positive and negative supply voltages generally decrease according to different time constants, which depend on the type of mains rectifier and its load. However, bistable stages of the type designated BK in the figure only work reliably as long as the difference between the supply voltages does not exceed a certain level. The limit indicator GM in the central control unit 2S therefore switches off the relay D1 and the other relays D2 and D3 and thus the operating voltage P from the adhesive memory HZ when the supply voltage falls below 80% of the nominal value. This ensures that a tilting process occurring due to the failure of the supply voltage in the bistable stage BK can no longer be written into the memory HZ as information.

Die Speichertransformatoren T in den Haftspeicherzusatzbausteinen HZ werden zweckmäßig je in. eineu Kunststoffblock eingegossen, so daß sie als kompakte Bauelemente, vergleichsweise wie die Transistoren in die zweckmäßig gedruckte Schaltung des Haftspeicherbausteins HZ eingefügt werden können.The storage transformers T in the additional adhesive storage modules HZ are expediently each in . A plastic block is cast so that they can be inserted as compact components, in comparison to the transistors in the useful printed circuit of the adhesive memory module HZ.

Claims

Claims: 1. Circuit arrangement with one or more bistable flip-flop (s) as storage elements) and with means for securing the information content during or after failure of the power supply (adhesion behavior), characterized in that when using flip-flops without adhesion storage behavior each such flip-flop to Um - or retrofitting in memory levels with adhesive behavior an additional module with two amplifier elements (transistors) is used, in which the primary winding (W1) of a two-winding transformer (T) with a highly permeable, preferably ring-shaped core in the collector circuit of the first transistor (P1) forming the module input on the base side is arranged, whose secondary winding (W.,) influences the control path of the second transistor (P2) forming the module output (A1) on the collector side, and that the interconnection between the memory stage (BK) and the additional module (HZ) is carried out by external wiring in such a way that that the output (A,) of the Zusa tz module (HZ) with a set input (E4) of the memory level (BK), the delete output (Ä) of the memory level (BK) with one of the inputs (Ei) of the additional module (HZ), another input (E2) of this module (HZ) via a switch (d22) in a central control unit (ZS) for the power supply with the reference potential (Mp) and one of the clearing inputs (Ei) of the memory stage (BK) via another switch (d12, F) with the operating potential (P) im Control unit (ZS) is connected, which contains a limit monitor (GM) and a relay sequence circuit (D1, D2, D3) for the staggered connection or disconnection of the supply potentials (P, N) of the power supply (P, Mp, N) .

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the limit indicator (GM) in the control unit (ZS) influences the relay (D1) whose contact arrangement (d12) in the course of the operating power supply for the memory accessory (HZ) and its working contact (d11) in The circuit of the further relay (D2) is arranged, the break contact (d22) of which is in the connection line between the input (E2) of the memory add-on (HZ) and the reference potential (Mp) and whose normally open contact (d21) is in the circuit of the further relay (D3) is arranged, via whose working contacts (d31, d32) operating or blocking potentials (P, N) can be switched, so that when the power supply returns, the following work steps of the relay sequence circuit (D1, D2, D3) influenced by the limit indicator (GM) automatically one after the other run: a) deletion of the bistable flip-flop or flip-flops (BK), b) application of the operating potential (P) to the storage additive (s) (HZ), c) switching off the blocking potential (Mp) from the input (E2) of the memory add-on (s) (HZ) and, if applicable, d) applying the operating potential (P) to the other controlling and controlled components of the control system and simultaneously increasing the response wave of the second transistor (P2) of the memory add-on or memory add-ons (HZ). Documents considered: German Auslegeschrift No. 1150145; "AEG-Mitteilungen", 1962, issue 3/4, pages 125 to 128.