[go: up one dir, main page]

DE1276729B - Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstaerker - Google Patents

Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstaerker

Info

Publication number
DE1276729B
DE1276729B DE1964N0025465 DEN0025465A DE1276729B DE 1276729 B DE1276729 B DE 1276729B DE 1964N0025465 DE1964N0025465 DE 1964N0025465 DE N0025465 A DEN0025465 A DE N0025465A DE 1276729 B DE1276729 B DE 1276729B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
microphone
transistor
unit according
condenser
transistor amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1964N0025465
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Fatovic
Cornelis Wilfred Reedyk
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nortel Networks Ltd
Original Assignee
Northern Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Northern Electric Co Ltd filed Critical Northern Electric Co Ltd
Publication of DE1276729B publication Critical patent/DE1276729B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/01Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
    • H04R19/016Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/185Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/1855Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES Ml9Wl· PATENTAMT Int. Cl.:
H04r
AUSLEGESCHRIFT
Deutsche KL: 21 a2 -16/01
Nummer: 1276 729
Aktenzeichen; P 12 76 729.2-31 (N 25465)
Anmeldetag; 4. September 1964
Auslegetag: 5. September 1968
Die Erfindung bezieht sich auf eine Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstärker, an dessen Ausgang die Mikrofonsignale verstärkt abnehmbar sind.
Die bisher üblichen Kondensatormikrofone besitzen einen Quellwiderstand in der Größenordnung zwischen 10 und 100 Megohm. Damit ist es nicht möglich, solche Kondensatormikrofone direkt an Transistorverstärker anzuschließen, da solche Transistorverstärker einen Eingangswiderstand von höchstens 2 Kiloohm besitzen. Zur Überwindung dieser Anpassungsschwierigkeiten hat man bereits das Kondensatormikrofon als frequenzbestimmendes Element in einen Schwingkreis eines Transistoroszillators eingeschaltet und an diesen Schwingkreis einen Frequenzdemodulator angekoppelt, der als Impedanzwandler zur Anpassung des Kondensatormikrofons an den niederohmigen Eingang des nachgeschalteten Transistor-Niederfrequenzverstärkers dient. Diese bekannte Schaltung hat den Nachteil, daß die Anpassung zwischen dem Kondensatormikrofon und dem Transistorverstärker zahlreiche Schaltelemente erfordert, die darüber hinaus noch bestimmte Toleranzgrenzen einhalten müssen, da gerade Frequenzdemodulatoren einen genauen Abgleich erfordern, damit sie eine lineare Kennlinie besitzen und keine Oberwellen erzeugen, die einen starken Klirrfaktor zur Folge haben würden.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Mikrofoneinheit, bestehend aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstärker, zu schaffen, bei welcher der Quellwiderstand des Mikrofons so stark herabgesetzt ist, daß es unter Wahrung der Anpassungsverhältnisse direkt an den Eingang eines Transistorverstärkers angeschlossen werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das zwischen den Kondensatorplatten des Kondensatormikrofons befindliche Dielektrikum aus einem schichtförmigen Elektretmaterial besteht und daß die der Besprechungsseite des Kondensatormikrofons zugewandte Kondensatorplatte von einem auf das schichtförmige Elektretmaterial aufgebrachten dünnen Metallbelag gebildet ist, während die der Besprechungsseite abgewandte Seite des Elektretmaterials an einer Metallplatte bündig anliegt, die mit der anderen Eingangsklemme des Transistorverstärkers direkt verbunden ist.
Vorzugsweise weist dabei zum genauen Anpassen der Eingangsimpedanz des Transistorverstärkers an die Ausgangsimpedanz des Kondensatormikrofons die Eingangsstufe des Transistorverstärkers einen Feldeffekttransistor als aktives Schaltelement auf,
Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstärker
Anmelder:
Northern Electric Company Limited,
Montreal, Quebec (Kanada)
Vertreter:
Dr.-Ing. F. Wuesthoff, Dipl.-Ing. G. Puls
und Dipl.-Chem. Dr. rer. nat.
E. Frhr. v. Pechmann, Patentanwälte,
8000 München 90, Schweigerstr. 2
Als Erfinder benannt:
Cornells Wilfred Reedyk,
Peter Fatovic, Ottawa, Ontario (Kanada)
Beanspruchte Priorität:
Kanada vom 4. September 1963 (883 849)
dessen Steuerelektrode an die eine Kondensatorplatte angeschlossen ist und dessen Kathodenelektrode mit der anderen Kondensatorplatte in Verbindung steht. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Mikrofoneinheit ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Mit der erfindungsgemäßen Verwendung eines Elektretmaterials als Dielektrikum zwischen den Kondensatorplatten des Kondensatormikrofons kann die bei bekannten Mikrofonen nötige Polarisationsspannung entfallen, so daß der Plattenabstand eines erfindungsgemäß ausgebildeten Kondensatormikrofons im Vergleich zu den bekannten Kondensatormikrofonen so stark verringert werden kann, daß die Mikrofonausgangsimpedanz in den Größenbereich der Eingangsimpedanz von Transistorverstärkern gelangt. Damit ist es möglich, das Mikrofon ohne Zwischenschaltung von irgendwelchen Anpassungsgliedern direkt an den Eingang des betreffenden Transistorverstärkers anzuschließen.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
F i g. 1 zeigt das Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Mikrofoneinheit;
F i g. 2 und 3 zeigen Ausführungsbeispele für die erfindungsgemäße Transistorverstärkerschaltung;
809 599/38+
3 4
Fig.4 und 5 zeigen Schnitte von erfindungsge- Die Impedanz zwischen den Klemmen 12 und 13
maß ausgebildeten Kondensatormikrofonkapseln; läßt sich zur wirksamen elektrischen Kopplung an
Fig. 6 zeigt eine stark vergrößerte Ansicht eines das Kondensatormikrofon 10 leicht einrichten, indem
Teiles des Kondensatormikrofons nach den F i g. 4 man die Werte der Bestandteile der Verstärkerschal-
und 5. 5 tung entsprechend einstellt.
Gemäß F i g. 1 besteht eine erfindungsgemäße Mi- Die zwischen den Klemmen 12 und 13 erscheinenkrofoneinheit aus einem selbstpolarisierenden elektro- den elektrischen Signale werden vom Feldeffektstatischen Mikrofon 10 und einem nachgeschalteten transistor 19 und dem Transistor 20 verstärkt und Halbleiterverstärker 11, dessen Eingangsklemmen 12 an die Ausgangsklemmen 16 und 17 angelegt. Der und 13 mit den Ausgangsklemmen 14 und 15 des io Feldeffekttransistor 19 ist in Kathodenfolger-Schal-Mikrofons 10 verbunden sind. Der Verstärker 11 be- tung angeschlossen, um optimale hohe Impedanzsitz^Ausgangsklemmen 16 und 17. eigenschaften zwischen den Klemmen 12 und 13 zu Wie weiter unten näher beschrieben wird, ist das erzeugen, und der Transistor 20 ist in Emitterfolger-Mikrofon 10 so angeordnet, daß es seine elektrische Schaltung angeschlossen, um optimale niedrige Impe-Impedanz zwischen den Klemmen 14 und 15 hat, 15 danzeigenschaften zwischen den Ausgangsklemmen und der Verstärker 11 ist so angeordnet, daß er seine 16 und 17 zur wirksamen elektrischen Kopplung an Eingangsimpedanz zwischen den Klemmen 12 und eine geeignete Übertragungsleitung zu erzeugen. 13 hat, wobei die Werte derartig sind, daß sich eine Fig. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel gewirksame elektrische Kopplung zwischen ihnen er- maß der Erfindung, welches zur Verwendung als gibt. Der Verstärker 11 ist außerdem so angeordnet, ao Telefonsprechkapsel geeignet ist. Die Platten des daß er seine Ausgangsimpedanz zwischen den Klem- Kondensators 18 sind wie bei dem oben beschriebemen 16 und 17 hat, wobei der Wert so ist, daß eine nen Ausführungsbeispiel an die Klemmen 14 und 15 wirksame elektrische Kopplung mit einer geeigneten angeschlossen. Der Verstärker 11 weist einen ein-Übertragungsleitung hergestellt werden kann. stufigen Verstärker auf, der aus den Transistoren 37, Gemäß Fig. 2 weist das Mikrofon 10 einen Kon- 25 38, 39 und einerDiodenbrückenschaltung40 besteht, densatorl8 auf, dessen Platten an die Klemmen 14 die in der genannten Reihenfolge zwischen den Klem- und 15 angeschlossen sind. Der Verstärker 11 weist men 12,13 und 16,17 gekoppelt sind, eine erste Stufe auf, die aus einem an die Ein- Die Klemmen 12 und 13 sind an die Gitterelekgangsklemmen 12 und 13 angeschlossenen Feld- trode 41 des Transistors 37 angeschlossen bzw. geeffekttransistor 19 besteht, und eine weitere Stufe, 30 erdet. Die Anodenelektrode 42 ist über einen Stromdie aus einem Transistor 20 besteht, der zwischen den nebenschlußwiderstand 44 an die Brückenklemme 43 Ausgang des Transistors 19 und die Ausgangsklem- und an die Basiselektrode 45 des Transistors 38 anmen 16 und 17 geschaltet ist. geschlossen. Die Gitterelektrode 41 und die Katho-Die Klemmen 12 und 13 sind an die Gitterelek- denelektrode 46 sind über einen Ableitungswidertrode 21 (gate electrode) des Transistors 19 ange- 35 stand 47 miteinander verbunden. Die Kollektorelekschlossen bzw. geerdet. Ein Spannungsteiler mit in trode 48 des Transistors 38 ist über Reihenwider-Reihe geschalteten Widerständen 22 und 23 zwischen stände 49 und 50 geerdet und ist an die Basiselekdem positiven Pol 24 einer Quelle festen Potentials trode 51 des Transistors 39 angeschlossen. Der Ver- und der Erde liefert eine entsprechende Vorspannung bindungspunkt 52 zwischen der Kathodenelektrode für die Gitterelektrode 21 des Transistors 19 am 40 46 und der Gitterelektrode 41 des Transistors 37 so-Verbindungspunkt 25, angelegt an den Verbin- wie die Emitterelektrode 53 des Transistors 39 sind dungspunkt 26 des Ableitungswiderstands 27 und an den Verbindungspunkt 54 zwischen den Widerdes Umgehungskondensators 28, die in Reihe ge- ständen 49 und 50 angeschlossen. Die Emitterelekschaltet sind zwischen der Gitterelektrode 21 und der trode 55 des Transistors 38 und die Kollektorelek-Erde. Die Anodenelektrode 29 (drain electrode) des 45 trode 56 des Transistors 39 sind beide an die Klemme Transistors 19 ist an den Pol 24 angeschlossen und 43 der Brückenschaltung 40 angeschlossen. Die die Kathodenelektrode (source electrode) 30 über Brückenklemme 57 ist geerdet, und die Brückeneinen Belastungswiderstand 31 geerdet. Die Ka- klemmen 58 und 59 sind an die Klemmen 16 bzw. thodenelektrode 30 ist außerdem an die Basiselek- 17 angeschlossen.
trode 32 des Transistors 20 angeschlossen. Die KoI- 50 Die Klemmen 16 und 17 können an eine Gleichlektorelektrode 33 ist an den Pol 24 angeschlossen stromquelle angeschlossen werden, die bei Anwen- und die Emitterelektrode 34 über einen Belastungs- dung der Erfindung als Telefonmikrofon von der Leiwiderstand 35 geerdet. Die Ausgangsklemmen 16 tungsschleife des Fernsprechteilnehmers gebildet wäre, und 17 sind über einen Koppelkondensator 36 an die Wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 Emitterelektrode 34 angeschlossen bzw. geerdet. 55 werden Schallwellen, die auf den Kondensator 18 Beim Betrieb der Anordnung werden Schallwel- treffen, in elektrische Signale verwandelt, die len, die auf den Kondensator 18 treffen, in elektrische zwischen den mit den Eingangsklemmen 12 und 13 Signale umgewandelt, die in bekannter Weise gekoppelten Klemmen 14 und 15 erscheinen. Der an zwischen den Klemmen 14 und 15 erscheinen. Um die Klemmen 16 und 17 angelegte Gleichstrom aus eine wirksame elektrische Kopplung zwischen dem 60 der Leitungsschleife des Fernsprechteilnehmers verMikrofon 10 und dem Verstärkern zu erhalten, ursacht, ungeachtet seiner Polarität, daß die Brückensollte die Impedanz zwischen den Klemmen 12 und schaltung 40 an ihrer Brückenklemme 43 positiv 13 ebensogroß oder größer sein als die Impedanz und an ihrer Brückenklemme 57 negativ ist. Dieser zwischen den Klemmen 14 und 15. Erfindungsgemäß Gleichstrom dient als Stromzufuhr für die Transiszeigte sich, daß eine Kapazität von etwa 1500PiCO- 65 toren 37, 38 und 39.
farad des Kondensators 18 zur Erzeugung einer Im- Die zwischen den Klemmen 12 und 13 erscheinen-
pedanz zwischen den Klemmen 14 und 15 von etwa den elektrischen Signale werden in den Transistoren
300 Kiloohm bei 300 Hertz gute Ergebnisse liefert. 37, 38 und 39 verstärkt und werden veranlaßt, den
vom Netzanschluß bezogenen Strom zu modulieren. bringt außerdem das Sieb 63 mit dem Rahmen 61 Dieser modulierte Strom fließt zurück durch die zusammen. Der Ring 73 hält die Membran straff und Brückenschaltung 40 und bewirkt, daß an den Klem- flach, und die Schraube 74 steht in Verbindung mit men 16 und 17 ein fluktuierendes Potential erscheint. einer Kerbe 78 in dem geschlossenen Ende des Zy-Wenn die Transistoren 37, 38 und 39 in der ge- 5 linders 70 und dient dazu, die Platte 69 bündig gegen zeigten Weise verbunden sind, wirken sie als ein das Dielektrikum 69 zu pressen, einstufiger Dreiklemmenverstärker, der eine Ein- Ein Ring 79 bildet die Stützeinrichtung für den gangsklemme 12, eine Ausgangsklemme 43 und eine Verstärker innerhalb des Gehäuses, indem er die gemeinsame Klemme 54 aufweist. Der Widerstand Platte 72 gegen einen von den Innenwänden des 44 dient zur Vorspannung des Feldeffekttransistors io Rahmens 61 vorstehenden Flansch 80 hält. 37. Der Widerstand 47 ist vorgesehen, damit die Git- Ein zweiter leitender Ring 81 ist am Umfang der terelektrode 41 des Transistors 37 mit einer Poten- Platte 72 vorgesehen. Die Ringe 76 und 81 dienen tialdifferenz von 0, bezogen auf die Kathodenelek- als Eingangsklemmen des Verstärkers. Ein leitender trode 46, arbeiten kann. Der Widerstand 49 ist ein Weg, der von dem Zylinder 70, der Schraube 74, Gittervorwiderstand, Widerstand 50 ein Rückkopp- 15 dem Einsatz 75 und dem Ring 76 gebildet ist, und ein lungswiderstand. leitender Weg, der von dem Belag 66, dem Ring 73, Der Verstärker 11 ist so angeordnet, daß er einen der Kappe 64, dem Rahmen 61 und dem Ring 81 geausreichenden Verstärkungsfaktor gewährleistet, da- bildet ist, dienen zur elektrischen Kopplung des Mimit einem Verbraucher, beispielsweise der Leitungs- krofons an die Eingangsklemmen des Verstärkers, schleife eines Fernsprechteilnehmers, ein Signal von 20 Isoliermaterial 82 isoliert den Rahmen 61 vom Zyetwa 0 bis 10 dbm (Dezibel bezogen auf 1 mW) für linder 70. Leitungen vom Verstärkerausgang und von die normale Sprechlautstärke von Telefonbenutzern Netzanschlußklemmen können durch eine Öffnung 83 geliefert wird. Das minimale feste Potential, das nor- im Rahmen 61 geführt werden, malerweise am Sprechkapselende der Fernsprech- Die Anordnung gemäß F i g. 5 wurde so könanschlußleitung angetroffen wird, beträgt etwa 3 V. 25 struiert, daß sie an Stelle eines Kohlemikrofons als Unter diesen Umständen ist der Verstärker für eine Fernsprechkapsel verwendet werden kann. Leistungsaufnahme von etwa 15 Milliampere aus- Bei djesem Ausführungsbeispiel wird die Schallgelegt. kammer 71 von den Innenwänden des Rahmens 61,
Fig. 4 zeigt eine Mikrofonanordnung, die zur der Platte 69 und einer Trennwand 84 umgeben. Die Unterbringung der Schaltungen gemäß den Fig. 2 30 Wände des Rahmens 61 erstrecken sich über die
und 3 geeignet ist. Die Anordnung weist ein Ge- Trennwand 84 hinaus und bilden eine weitere Kam-
häuse 60 auf, das aus einem elektrisch leitenden, ring- mer 85.
förmigen Rahmen 61, der eine Kammer 62 bildet, Die erste Schutzeinrichtung weist ein Sieb 63 und
aus einer ersten, in Form eines Siebes 63 dargestell- eine dünne schützende Membran 86 auf. Die Klam-
ten Schutzeinrichtung, einer Bügeleinrichtung in 35 mereinrichtung umfaßt einen zylindrischen Bügel 87,
Form einer mit Gewinde versehenen Kappe 64 und der auf das Sieb 63 und einen Außenflansch 88 des
einer zweiten Schutzeinrichtung in Form eines mit Rahmens 61 wirkt. Die Führungsschraube 74 besteht
Gewinde versehenen Deckels 65 gebildet ist. aus Isoliermaterial und erstreckt sich durch eine
Das Mikrofon 10 weist, wie am besten aus dem Öffnung in der Trennwand 84.
stark vergrößerten Ausschnitt A (Fig. 6) ersichtlich 40 Der Verstärker ist auf einer ringförmigen, isolierist, einen Kondensator auf, der aus einem dünnen, ten Grundplatte 89 angebracht, welche dadurch, daß auf eine Seite eines dünnen Dielektrikums 67 aus sie in eine Isoliermasse 90, z. B. ein Epoxyd, einge-Elektretmaterial aufgebrachten Metallbelag 66 be- schlossen ist, in der Kammer 85 gelagert ist. steht, wodurch eine geschichtete Membran 68 gebil- Die elektrische Kopplung an das Mikrofon kann det wird, und aus einer perforierten oder mit Ein- 45 leicht durch einen Draht 91 hergestellt werden, der buchtungen versehenen Metallplatte 69 (hier per- die Platte 69 durch eine Öffnung in der Trennwand foriert dargestellt) besteht, die gegen die andere 84 mit einer Eingangsklemme verbindet, und durch Seite des Dielektrikums 67 gestützt wird. Wie aus einen Draht 92, der die Trennwand 84 mit der Fig. 4 ersichtlich, bildet diese Platte 69 ein Ende anderen Eingangsklemme verbindet. Dadurch wird eines Zylinders 70, der an seinem anderen Ende ge- 50 vom Rahmen 61, dem Bügel 87, dem Ring 73 und schlossen ist, um eine Schallkammer 71 zu bilden. dem Belag 66 ein leitender Weg gebildet.
Der Verstärkern kann in geeigneter Weise auf Die Ausgangsklemmen des Verstärkers können
einer ringförmigen Platte 72 einer gedruckten Schal- leicht so konstruiert werden, daß durch Verwendung
tung angebracht sein, wobei die Kupferseite der eines leitenden Knopfes 93 und eines leitenden Rin-
Platte dem Mikrofon und die Komponentenseite dem 55 ges 94 ein äußerer Federkontaktanschluß möglich ist.
Deckel 65 zugewandt ist. Es sei darauf hingewiesen, daß der Verstärker
Es ist eine Einrichtung zum Abstützen des Mikro- viele Ausbildungsformen haben kann, beispielsweise
fons im Gehäuse 60 vorgesehen, die einen Metall- eine gedruckte Schaltung, eine Schaltung in Form
ring 73, der dazu dient, die Membran 68 bündig mit eines dünnen Überzuges oder eine integrierte Schal-
der Metallplatte 69 zu halten, sowie eine elektrisch 60 tung, wodurch sich für den Fachmann die verschie-
leitende Führungsschraube 74, die sich durch das Ge- denartigen Stütz- und Koppelanordnungen ergeben,
winde eines elektrisch leitenden Einsatzes 75 er- Es sei ferner darauf hingewiesen, daß das Gehäuse
streckt, welcher an einem ersten, etwa in der Mitte im Rahmen der Erfindung verschiedene Formen
der Platte 72 angebrachten Ring 76 befestigt ist, um- haben kann.
faßt. Der Ring 73 ist am Umfang der Membran 68 65 Die Membran 68 kann durch Ablagerung einer
angeordnet, die zwischen einem Flansch 77 an der dünnen Aluminiumschicht auf einer Oberfläche eines
Kappe 64 und den Endwänden des Rahmens 61 wie dünnen (z. B. 0,00635 mm dicken = V4000 Zoll) Blat-
eine Schichtanordnung gehalten wird. Die Kappe 64 tes aus Kunststoff, wie Polyäthylenterephthalat, das
unter dem Warenzeichen »Mylar« im Handel ist, ge·* bildet werden. Die Membran 68 kann vorpolarisiert sein, um ein Elektret zu bilden, indem sie auf etwa 120° C erhitzt, einem elektrischen Feld mit einem Spannungsgefälle von 20kV/cm ausgesetzt und anschließend langsam in dem Feld abgekühlt wird. Eine Polarisation des Dielektrikums 67 führt zu einer Umwandlung desselben in ein Elektret. Hierdurch wird Selbstpalarisierung für das Mikrofon 10 geschaffen, so daß kein äußerer Netzanschluß mehr benötigt wird,
Erfindungsgemäß erwies sich, daß die optimale Ansprechempfindlichkeit bei einem Mikrofon mit einem Dielektrikum von etwa 3,81 cm (IV2 Zoll) Durchmesser und 0,00635 mm (V4000 Zoll) Dicke erzielt wird, wenn die Membran 68 so gestrafft wird, daß eine effektive Kapazität von etwa 15QQ Picofarad erzeugt wird.
Es wird also erfindungsgemäß eine Mikrofon-Verstärkerkombination von hoher Qualität geschaffen, welche derartige Vorteile hat, daß sie für Rundfunk- ao und Fernsprechwesen sowie bei öffentlichen Reden gut geeignet ist. Außerdem läßt sich für besondere Verwendungszwecke leicht miniaturisieren.

Claims (13)

Patentansprüche:
1. Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstärker, an dessen Ausgang die Mikrofonsignale verstärkt abnehmbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß zum direkten Anschließen des Kondensatormikrofons (10) an den entsprechend angepaßten Transistorverstärkereingang (12, 13) das zwischen den Kondensatorplatten (66, 69) des Kondensatormikrofons (10) befindliche Dielektrikum aus einem schichtförmigen Elektretmaterial (67) besteht und daß die der Besprechungsseite des Kondensatormikrofons zugewandte Kondensatorplatte von einem auf das schichtförmige Elektretmaterial aufgebrachten dünnen Metallbelag (66) gebildet ist, während die der Besprechungsseite abgewandte Seite des Elektretmaterials an einer Metallplatte (69) bündig anliegt, die mit der anderen Eingangsklemme des Transistorverstärkers (11) direkt verbunden ist.
2. Mikrofoneinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum genauen Anpassen der Eingangsimpedanz des Transistorverstärkers (11) an die Ausgangsimpedanz des Kondensatormikrofons (10) die Eingangsstufe des Transistorverstärkers einen Feldeffektransistor (19, 37) als aktives Schaltelement aufweist, dessen Steuerelektrode (21, 41) an die eine Kondensatorplatte angeschlossen ist und dessen Kathodenelektrode (30, 46) mit der anderen Kondensatorplatte in Verbindung steht.
3. Mikrofoneinheit nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Kondensatorplatten (66, 69) und das Elektretmaterial (67) gebildete Kondensator des Kondensatormikrofons (10) so bemessen ist, daß dessen Kapazität etwa 1500 Picofarad beträgt.
4. Mikrofoneinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem Feldeffekttransistor (19, 37) ein Transistor (20) in Emitterfolgeschaltung nachgeschaltet ist, der, wie bekannt, die Ausgangsstufe des Transistorverstärkers (11) bildet (Fig. 3).
5. Mikrofoneinheit nach Anspruch 3, insbesondere zur Verwendung bei Fernsprechapparaten, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ausgangselektroden (42, 46) des Feldeffekttransistors (37) über jeweils einen Arbeitswiderstand (44, 50) an den Gleichstromausgang (43, 57) einer Vierdiodenbrückenschaltung (40) angeschlossen sind, an deren andere Brückendiagonale (58, 59) eine Gleichspannungsspeisequelle (16, 17), insbesondere in Form der Leitungsschleife des Fernsprechteilnehmers, angeschlossen ist, (Fig. 3).
6. Mikrofoneinheit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem Feldeffekttransistor (37) ausgangsseitig zwei weitere Transistoren (30 und 39) in Kaskade nachgeschaltet sind, die zum dem Gleichstromausgang (43, 57) der Vierdiodenbrückenschaltung (40) parallel liegen und welche die von der Aussteuerung des Feldeffekttransistors (37) bewirkten Speisestromänderungen weiter verstärken (F i g. 3).
7. Mikrofaneinheit nach Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die. zylinderförtnig ausgebildete, aus Metall bestehende Mikrofonkapsel (61), welche die die eine Kondensatorplatte, des Kondensatormikrofons bildende und gegenüber der Mikrofonkapsel (61) isolierte Metallplatte (69) konzentrisch umschließt, mit ihrer einen Stirnseite den in radialer Richtung über die Metallplatte (69) vorstehenden Rand der Elektretmaterialschicht (67) abstützt, und daß zum Festklemmen der Elektretmaterialschicht (67) ein an der Außenseite der Mikrofonkapsel (61) anliegender Haltebügel (87) aus Metall vorgesehen ist, dessen einer im rechten Winkel innen abgebogener Schenkel gegen einen auf den Metallbelag (66) des vorstehenden Randes der Elektretmaterialsehicht (67) aufgesetzten Metallring (73) andrückt und dessen anderer in entsprechender Weise abgebogener Schenkel an einem radialen Absatz (88) in der Außenwandung der Mikrofonkapsel (61) anliegt (Fig. 5).
8. Mikrofoneinheit nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallplatte (69) mit einer Vielzahl von Bohrungen versehen ist, die mit einer sich an die der Besprechungsseite abgewandten Seite der Metallplatte anschließenden Schallkammer (71) in Verbindung stehen (Fig. 4 und 5).
9. Mikrofoneinheit nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zum Bilden der Schallkammer (71) an der der Besprechungsseite abgewandten Randseite der Metallplatte (69) ein ringförmiger Ansatz (70) ausgebildet ist, der in einer sich in Abstand parallel zu der Metallplatte (69) erstreckenden Abschlußplatte endet (Fig. 4).
10. Mikrofoneinheit nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Mikrofonkapsel (61) an ihrem der Besprechungsseite abgewandten Ende durch eine Abschlußwand (84) abgeschlossen ist, die mit dem Umfang der Mikrofonkapsel (61) und der Metallplatte (69) die Schallkammer (71) abgrenzt (Fig. 5).
11. Mikrofoneinheit nach Anspruch 7 oder 8, deren Kondensatormikrofon mit dem naehgeschalteten Transistorverstärker zu einer Baueinheit zusammengefaßt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Mikrofonkapsel (61) über ihr
von der Besprechungsseite abgewandtes Ende hinaus verlängert ist und daß der Transistorverstärker (11) in dem von dem verlängerten Ende der Mikrofonkapsel (61) abgegrenzten Raum untergebracht ist (F i g. 4 und 5).
12. Mikrofoneinheit nach Anspruch 9 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistorverstärker (11) mittels einer gedruckten Schaltung aufgebaut ist, die auf einer von dem verlängerten Ende der Mikrofonkapsel konzentrisch umschlossenen scheibenförmigen Isolierplatte (72) vorgesehen ist, welche auf der die gedruckte Schaltung aufweisenden Seite einen sich in geringem Abstand längs des Randes der Isolierplatte erstreckenden Ring (81) aus leitfähigem Material trägt, der die eine Eingangsklemme des Verstärkers (11) bildet und welcher durch einen in der Innenwand der zylinderförmigen Mikrofonkapsel (61) gelagerten Sprengring (79) gegen einen an der Innenwand der Mikrofonkapsel vorgesehenen ao radialen Absatz (80) angedrückt ist, und daß die zweite Eingangsklemme des Verstärkers gleichfalls durch einen konzentrischen Ring (76) aus leitfähigem Material gebildet ist, der mit einem sich durch die Mitte der Isolierplatte (72) hindurch erstreckenden und mit Innengewinde versehenen zylindrischen Lagerteil (75) aus Metall elektrisch verbunden ist, in das eine gleichfalls aus Metall bestehende Schraube (74) eingeschraubt ist, die mit ihrem dem Schraubkopf abgewandten Ende die sich in Abstand parallel zu der Metallplatte (69) erstreckende und die Schallkammer (71) am Ende abgrenzende Abschlußplatte (bei 78) abstützt (F i g. 4).
13. Mikrofoneinheit nach Anspruch 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß der von dem verlängerten Ende der Mikrofonkapsel abgegrenzte und den mittels einer gedruckten Schaltung aufgebauten Transistorverstärker (11) enthaltende Raum (85) mit einer isolierenden Vergußmasse (90) ausgegossen ist, aus deren der Besprechungsseite der der Mikrofonkapsel (61) abgewandten, von außen zugänglichen Stirnseite die Ausgangsklemmen des Transistorverstärkers (11) in Form einer Kontaktscheibe (93) bzw. eines diese Kontaktscheibe (93) konzentrisch umschließenden Ringes (94) vorstehen, und daß die eine Eingangsklemme des Transistorverstärkers (11) über eine Verbindungsleitung (92) mit der die Schallkammer (71) begrenzenden Abschlußwand (84) mit der Mikrofonkapsel (61) verbunden ist, während die andere Eingangsklemme des Transistorverstärkers (11) über eine zweite, sich durch eine öffnung in der Abschlußwand (84) hindurch erstreckende Verbindungsleitung (91) mit der Metallplatte (69) elektrisch verbunden ist, die durch eine in die Abschlußwand (84) eingeschraubte Schraube (74) aus isolierendem Material abgestützt wird (F i g. 5).
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1110 230.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 599/584 8.68 © Bundesdruckerei Berlin
DE1964N0025465 1963-09-04 1964-09-04 Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstaerker Pending DE1276729B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA883849 1963-09-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1276729B true DE1276729B (de) 1968-09-05

Family

ID=4141799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1964N0025465 Pending DE1276729B (de) 1963-09-04 1964-09-04 Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstaerker

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1276729B (de)
GB (1) GB1084018A (de)
NL (1) NL6410259A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2572616A1 (fr) * 1984-10-30 1986-05-02 Thomson Csf Transducteur electro-acoustique a diaphragme piezoelectrique

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2497433A1 (fr) * 1980-12-31 1982-07-02 Thomson Csf Mat Tel Circuit de liaison d'un microphone actif, en particulier a electret a un circuit de transmission telephonique
RU2267236C2 (ru) * 2003-08-28 2005-12-27 Пинский Александр Генахович Способ формирования характеристик конденсаторного микрофона и устройство для его осуществления

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1110230B (de) * 1956-04-09 1961-07-06 Phil Habil Oskar Vierling Dr Anordnung zum Betrieb von Kondensator-mikrofonen an Transistorverstaerkern

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1110230B (de) * 1956-04-09 1961-07-06 Phil Habil Oskar Vierling Dr Anordnung zum Betrieb von Kondensator-mikrofonen an Transistorverstaerkern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2572616A1 (fr) * 1984-10-30 1986-05-02 Thomson Csf Transducteur electro-acoustique a diaphragme piezoelectrique
EP0180518A1 (de) * 1984-10-30 1986-05-07 Thomson-Csf Elektroakustischer Wandler mit piezoelektrischer Membran

Also Published As

Publication number Publication date
GB1084018A (en) 1967-09-20
NL6410259A (de) 1965-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2321765C3 (de) Hörhilfevorrichtung
DE69822135T2 (de) Hifi hocheffizienter analogverstärker kombiniert mit digitalverstärker
DE69425421T2 (de) Verstärkervorrichtung
DE2713023A1 (de) Lautsprecher
DE2445687B2 (de) Mikrophon mit elektrostatischer Kapsel
DE972713C (de) Verstaerkerkreis zur Verbesserung der Einschwingzeit von Lautsprechern
DE1276729B (de) Mikrofoneinheit aus einem Kondensatormikrofon und einem Transistorverstaerker
DE2154315A1 (de) Anordnung zum Erzeugen von akustischer Leistung
DE1921347A1 (de) Elektrostatischer Lautsprecher
EP0174942B1 (de) Schaltungsanordnung zur elektrischen speisung von einrichtungen in einem fernsprechapparat
DE1512829B2 (de) Fernsprech-Teilnehraerschaltung mit einer ohmschen Gabelschaltung zur Rückhördämpfung
DE2330800C3 (de) Elektroakustischer Wandler nach dem elektrostatischen Prinzip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2059973A1 (de) Audiosystem mit elektrostatischem Lautsprecher
DE69612878T2 (de) Stromversorgungsschaltung für mikrofon
DE1283903B (de) Kondensator-Mikrophoneinheit
DE2424335A1 (de) Leitungsanpassungsschaltung fuer einen mit einem tongenerator ausgeruesteten tondrucktastenwahlfernsprecher
DE3628304C2 (de) Schaltung zur Verringerung der Streukapazitäten der Sperrschicht eines vertikalen pnp-Transistors mit isoliertem Kollektor
DE3425175A1 (de) Piezoelektrischer, akustischer wandler
DE3522772A1 (de) Fernsprechapparat
DE3413145A1 (de) Elektretmikrofon mit vorverstaerker
DE2142858B2 (de) Schaltungsanordnung zur erzeugung eines akustischen rufsignals fuer endstellen in fernmelde-, insbesondere fernsprechanlagen mittels eines piezowandlers
DE2402801C2 (de) Transistor-Hörgeräteverstärker mit automatischer Verstärkungsregelung
DE2617197C2 (de) Tonfrequenz-Transistorverstärker
DE1562085A1 (de) Verstaerker fuer Tonregelungssysteme
DE3523426A1 (de) Audio-verstaerkeranordnung mit einem elektrodynamischen lautsprecher, insbesondere aktivlautsprecher