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DE1273611B - Receiver for single sideband signals - Google Patents

Receiver for single sideband signals

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Publication number
DE1273611B
DE1273611B DE1962S0082294 DES0082294A DE1273611B DE 1273611 B DE1273611 B DE 1273611B DE 1962S0082294 DE1962S0082294 DE 1962S0082294 DE S0082294 A DES0082294 A DE S0082294A DE 1273611 B DE1273611 B DE 1273611B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
receiver
voltage
transistor
switching
gain control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1962S0082294
Other languages
German (de)
Inventor
Dipl-Ing Viktor Bodlaj
Rainer Fulda
Dipl-Phys Hans-Karl Grunow
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE1962S0082294 priority Critical patent/DE1273611B/en
Publication of DE1273611B publication Critical patent/DE1273611B/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06Receivers
    • H04B1/16Circuits
    • H04B1/30Circuits for homodyne or synchrodyne receivers
    • H04B1/302Circuits for homodyne or synchrodyne receivers for single sideband receivers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Empfänger für Einseitenbandsignale Die Erfindung bezieht sich auf einen Empfänger für Einseitenbandsignale im Bereich der kurzen und sehr kurzen elektromagnetischen Wellen mit wenigstens einer überlagerungsstufe, an die ein in der Verstärkung selbsttätig geregelter Zwischenfrequenzverstärker anschließt und bei dem zur Verstärkungsregelung aus den Empfangssignalen eine vorzugsweise zugleich der Rückumsetzung der Empfangssignale in die Basisbandlage und insbesondere auch der Frequenznachstellung des Empfängers dienende Trägerspannung ausgesiebt wird, bei dem ferner eine Schalteinrichtung verwendet wird, die, von der (dem) Verstärkungsregelspannung (Verstärkungsregelstrom) des Empfängers gesteuert, zur Sperrung des übertragungsweges im Empfänger dient, wenn beispielsweise auf Grund fehlenden Eingangssignals unzulässig hohe Rauschspannungsanteile im Empfängerausgangssignal vorhanden sind.Receiver for Single Sideband Signals The invention relates to a receiver for single sideband signals in the short and very short electromagnetic range Waves with at least one superimposition stage, to which one in the gain automatically controlled intermediate frequency amplifier connects and for the gain control from the received signals one preferably at the same time the reconversion of the received signals into the baseband position and in particular also the frequency adjustment of the receiver serving carrier voltage is screened, in which a switching device is also used which, from the gain control voltage (gain control current) of the Receiver controlled, is used to block the transmission path in the receiver, if For example, due to the lack of an input signal, inadmissibly high noise voltage components are present in the receiver output signal.

Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf eine elektronische Schalteinrichtung, zur Verwendung in Empfängern der vorbezeichneten Art.The invention also relates to an electronic switching device, for use in receivers of the aforementioned type.

Bei Einseitenbandempfängern, die vorzugsweise zur Übertragung der Informationen sehr vieler Telefoniekanäle dienen und die vor allem im Gebiet der Dezimeter- und Zentimeterwellen arbeiten, ist zum Ausgleich von Schwankungen der Eingangssignalamplitude .eine automatische Verstärkungsregelung erforderlich. Die Schwankungen der Eingangssignalampli-Lude können bei Funkstrecken mit mehreren Funkfeldern und mehrfach darin verwendeten bestimmten Übertragungsfrequenzen z. B. auf überreichweiten beruhen. Bei Funkstrecken, die mit Streustrahlungsempfang arbeiten, sind wertmäßig ähnliche Schwankungen möglich. Die Verstärkungsregelung derartiger Empfänger arbeitet in der Weise, daß eine zunächst vorhandene künstliche Verstärkungsminderung durch eine vom Empfangssignal abgeleitete Regelspannung so weit rückgängig gemacht wird, daß der Ausgangspegel des Empfängers einem vorgegebenen Wert entspricht. Die hierfür bei Empfangssignalmindereng eintretende Verstärkungserhöhung vergrößert auch den Einfluß des Rauschens der Eingangsstufen des Empfängers. Fällt bei derartigen Anlagen der vom Empfänger aufgenommene Fernsender aus oder wird die Funkfelddämpfung in dem Übertragungsweg zwischen dem fernen Sender und der Empfängerantenne wesentlich höher, als es den üblichen Betriebszuständen entspricht, so wird am Ausgang des Empfängers eine Geräuschspannung unzulässig hoher Amplitude abgegeben. Es ist deshalb bei derartigen Empfängern erforderlich, den Empfängerausgang abzuschalten; wenn eine zu hohe Geräuschspannung am Ausgang auftritt.For single sideband receivers, which are preferably used to transmit the Information is used by a large number of telephony channels, and especially in the area of Decimeter and centimeter waves work is to compensate for fluctuations in the Input signal amplitude. An automatic gain control required. the Fluctuations in the input signal ampli-Lude can occur in radio links with several radio fields and certain transmission frequencies used several times therein e.g. B. on overreaches are based. In the case of radio links that work with scattered radiation reception, are in terms of value similar fluctuations are possible. The gain control of such receivers works in such a way that an initially existing artificial gain reduction through a control voltage derived from the received signal is reversed to such an extent that that the output level of the receiver corresponds to a predetermined value. The for this A gain increase that occurs when the received signal is reduced also increases the Influence of the noise of the input stages of the receiver. Does not apply to such systems the remote transmitter picked up by the receiver or the radio field attenuation in the transmission path between the remote transmitter and the receiver antenna higher than what corresponds to the usual operating conditions, the output of the The receiver emits a noise voltage of inadmissibly high amplitude. It is therefore with such receivers it is necessary to switch off the receiver output; if the noise voltage at the output is too high.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für einen Empfänger zum Empfang von Einseitenbandsignalen eine besonders günstige und vorteilhafte Ausgestaltung dieser Abschaltung des Empfängerausganges vorzunehmen.The invention is based on the object for a receiver Receiving single sideband signals is a particularly favorable and advantageous embodiment to switch off the receiver output.

Ausgehend von einem Empfänger für Einseitenbandsignale im Bereich der kurzen und sehr kurzen elektromagnetischen Wellen mit wenigstens einer Überlagerungsstufe, an die ein in der Verstärkung selbsttätig geregelter Zwischenfrequenzverstärker anschließt und bei dem zur Verstärkungsregelung aus den Empfangssignalen eine vorzugsweise zugleich der Rückumsetzung der Empfangssignale in die Basisbandlage und insbesondere auch der Frequenznachstellung des Empfängers dienende Trägerspannung ausgesiebt wird, bei dem ferner eine Schalteinrichtung verwendet wird, die, von der (dem) Verstärkungsregelspannung (Verstärkungsregelstrom) des Empfängers gesteuert, zur Sperrung des übertragungsweges im Empfänger dient; wenn beispielsweise auf Grund fehlenden Eingangssignals unzulässig hohe Rauschspannungsanteile im Empfängerausgangssignal vorhanden sind, wird diese Aufgabe erfindungsgemäß in der Weise gelöst; daß die Schalteinrichtung zwischen der letzten geregelten Zwischenfrequenz-Verstärkerstufe und der Anordnung zur Umsetzung in die Basisbandlage liegt und außer von der (dem) Verstärkungsregelspannung (Verstärkungsregelstrom) auch durch Einwirkung der ausgesiebten Trägerspannung betätigt wird, sobald diese um einen Betrag von mehr als etwa 3 db unter den Normalpegel abgesunken ist.Starting from a receiver for single sideband signals in the area the short and very short electromagnetic waves with at least one superposition stage, to an intermediate frequency amplifier with an automatically controlled gain and one preferably for the gain control from the received signals at the same time the conversion of the received signals back into the baseband position and in particular carrier voltage used to adjust the frequency of the receiver is also screened out further using a switching device derived from the gain control voltage (Gain control current) of the receiver controlled to block the transmission path serves in the recipient; if, for example, not permitted due to a lack of an input signal If there are high noise voltage components in the receiver output signal, it will Object according to the invention solved in the way; that the switching device between the last regulated intermediate frequency amplifier stage and the arrangement for implementation lies in the baseband position and apart from the gain control voltage (gain control current) is also actuated by the action of the screened-out carrier voltage as soon as this has dropped by an amount of more than about 3 db below the normal level.

Es ist zwar insbesondere von den Empfängern für Frequenzmodulation her bekannt, den übertragungsweg im Empfänger dann zu sperren, wenn beispielsweise auf Grund fehlenden Eingangssignals die Rauschspannungsanteile im Empfängerausgangssignal unzulässig hoch werden. Dies tritt vor allem bei FM-Rundfunkempfängern während des Abstimmvorganges auf, da bei fehlendem Eingangssignal die Verstärkung des Empfängers durch die automatische Verstärkungsregelung auf einen hohen Wert gebracht wird. Es sind viele Schaltungen bekanntgeworden, um das Niederfrequenzrauschen in diesen Fällen dadurch zu unterdrücken, daß in Zwischenphasen fehlenden Eingangssignals der Niederfrequenzsignalverstärker gesperrt wird. Das spezielle Ziel dieser Vorschläge ist dabei ein möglichst steiler Anstieg der zur Sperrung benötigten Verriegelungskriterien, weshalb in vielen Schaltungen dieser Art zusätzliche, das Niederfrequenzrauschen hoch verstärkende Anordnungen vorgesehen sind.It is true, in particular, of the receivers for frequency modulation known the transmission route then to block in the recipient, if, for example, due to the lack of an input signal, the noise voltage components become impermissibly high in the receiver output signal. This occurs especially with FM radio receivers during the tuning process, since the amplification if there is no input signal of the receiver through the automatic gain control to a high value is brought. Many circuits have become known to control low frequency noise in these cases to suppress the fact that there is no input signal in intermediate phases the low frequency signal amplifier is disabled. The specific aim of these proposals is the steepest possible increase in the locking criteria required for blocking, which is why in many circuits of this type additional, the low-frequency noise high gain arrangements are provided.

Es sind auch Anordnungen bekanntgeworden, bei denen eine Sperrung im Hochfrequenz- oder Zwischenfrequenzweg des Empfängers vorgenommen wird. Bei einer speziellen Schaltung für einen Frequenzmodulationsempfänger wird die Demodulatorröhre auf der Hochfrequenzseite durch eine negative Festvorspannung so lange blockiert, bis das über eine zusätzliche vorherliegende Diode gleichgerichtete ZF-Signal bzw. Eingangssignal ausreichend groß zur Entsperrung der Modulatorröhre geworden ist. Derartige Schaltungen lassen sich jedoch auf einen so speziellen Empfänger für Einseitenbandmodulation, wie er der Erfindung zugrunde liegt, nicht mit Vorteil anwenden, und insbesondere würde hierdurch die eingangs geschilderte spezielle Aufgabe des Erfindungsgegenstandes nicht befriedigend gelöst werden können.Arrangements have also become known in which a blocking is made in the high frequency or intermediate frequency path of the receiver. At a The demodulator tube is a special circuit for a frequency modulation receiver blocked on the high-frequency side by a negative fixed bias for so long until the IF signal rectified via an additional preceding diode or Input signal has become sufficiently large to unlock the modulator tube. Such circuits can, however, be applied to such a special receiver for single sideband modulation, as it is the basis of the invention, do not apply with advantage, and in particular This would result in the aforementioned special task of the subject matter of the invention cannot be solved satisfactorily.

Eine vorteilhafte Ausbildung des Erfindungsgegenstandes besteht darin, daß mit der Regelgröße für die Verstärkungsregelung und mit der ausgesiebten Trägerspannung, vorzugsweise über einstellbare Dämpfungsglieder, je ein Schaltverstärker mit einem unteren Schwellwert für das Ansprechen gespeist wird, die, solange die Regelgröße und die Trägerspannung eine für die Normalfunktion des Empfängers genügend hohen Pegel aufweisen, in ihrem einen Schaltzustand verharren, und daß von diesen beiden Schaltverstärkern die Schaltvorrichtung gegebenenfalls unter Zwischenschaltung einer weiteren Schaltstufe als Kombinator in der Weise gesteuert wird, daß zumindest durch das Kippen von nur einem der Schaltverstärker in den anderen Schaltzustand der ; Übertragungsweg für das Basisband aufgetrennt wird.An advantageous embodiment of the subject matter of the invention consists in that with the controlled variable for the gain control and with the sifted out carrier voltage, preferably via adjustable attenuators, each one switching amplifier with one The lower threshold value for the response is fed as long as the controlled variable and the carrier voltage is high enough for the receiver to function normally Have level, remain in their one switching state, and that of these two Switching amplifiers the switching device, optionally with the interposition of a further switching stage is controlled as a combiner in such a way that at least by the switching of only one of the switching amplifiers into the other switching state of the; Transmission path for the baseband is separated.

Eine gerade für Einseitenbandempfänger dieser Art besonders vorteilhafte elektronische Schaltvorrichtung besteht in Weiterbildung der Erfindung darin, daß ein Transistor in Emitterschaltung vorgesehen ist, dem vorzugsweise über einen Übertrager die Eingangssignale hochohmig zugeführt werden, insbesondere durch Vorschaltung eines Widerstandes in der Basiszuleitung, und daß zur Sperrung des übertragungsweges der vorzugsweise auch ausgangsseitig einen Übertrager enthaltenden Stufe, der Basiselektrode eine Vorspannung derartiger Polarität und Amplitude zugeführt wird, daß die Emitter-Basis-Strecke dieses Transistors weit im Flußgebiet betrieben wird und sehr niederohmig ist, und/oder daß die Kollektorgleichstromzuführung des Transistors unterbrochen wird. Hierfür ist es vorteilhaft, wenn zusätzlich die Ubersetzungsverhältnisse der Eingangs-und Ausgangsschaltung des Transistors und die entsprechenden Arbeitswiderstände derart gewählt sind, daß in Übertragungsrichtung für die gesamte Abschaltvorrichtung eine Verstärkung in der Größenordnung von 1 gegeben ist.A particularly advantageous one for single sideband receivers of this type Electronic switching device is a development of the invention in that a transistor in the emitter circuit is provided, which is preferably via a transformer the input signals are supplied with high resistance, in particular by means of an upstream connection a resistor in the base lead, and that to block the transmission path the stage, which preferably also contains a transformer on the output side, the base electrode a bias voltage of such polarity and amplitude is applied that the emitter-base path this transistor is operated far in the flow area and has a very low resistance, and / or that the collector direct current supply of the transistor is interrupted. Therefor it is advantageous if, in addition, the transmission ratios of the input and Output circuit of the transistor and the corresponding load resistors in such a way are chosen that one in the transmission direction for the entire disconnection device Gain on the order of 1 is given.

Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeipielen näher erläutert.The invention is explained in more detail below with the aid of exemplary embodiments explained.

Die F i g. 1 zeigt im Schemabild einen Empfänger für Einseitenbandsignale, in dem von einer Empfangsantenne aus über die üblichen Weichen- und Filterschaltungen und eventuellen Laufzeitglieder 1 das Empfangssignal einer Eingangsüberlagerungsstufe 2 zugeführt wird. Beispielsweise liegt das Empfangssignal im Frequenzbereich um 400 MHz. Das Empfangssignal wird mittels eines überlagerungsoszillators 10 in der Stufe 2 in eine Frequenzlage im 35-MHz-Gebiet umgesetzt. In dieser Frequenzlage wird das Signal in einem in der Verstärkung in mehreren Stufen regelbaren Zwischenfrequenzverstärker 3 im Pegel angehoben und einem weiteren Frequenzumsetzer 4 zur Frequenzumsetzung beispielsweise in die 2-MHz-Lage zugeführt. Zu dieser Frequenzumsetzung wird die überlagerungsspannung aus einem 'Gberlagerungsoszillator 11 entnommen.The F i g. 1 shows a schematic diagram of a receiver for single-sideband signals, in which the received signal is fed to an input superimposition stage 2 from a receiving antenna via the usual switch and filter circuits and possible delay elements 1. For example, the received signal is in the frequency range around 400 MHz. The received signal is converted into a frequency in the 35 MHz range by means of a local oscillator 10 in stage 2. In this frequency position, the signal is raised in level in an intermediate frequency amplifier 3, which can be amplified in several stages, and fed to a further frequency converter 4 for frequency conversion, for example into the 2 MHz position. For this frequency conversion, the superposition voltage is taken from a superposition oscillator 11.

Die Zwischenfrequenzsignale in der 2-MHz-Lage werden in einem zweiten, wenigstens teilweise in der Verstärkung geregelten Zwischenfrequenzverstärker 5 noch weiter selektiv verstärkt und über eine Gabel-Schaltung 6 einerseits dem Basisbandausgang und andererseits der Frequenznachstellung und Verstärkungsregelung des Empfängers zugeführt. Zur Basisbandgewinnung ist an die Gabelschaltung 6 ein selektives Filter 7 angeschaltet, welches den Frequenzbereich der 2-MHz-Lage passieren läßt, der die den Informationen des Basisbandes zugeordneten Frequenzen enthält. Gegebenenfalls kann diesem Filter noch ein Vertärker in der 2-MHz-Lage zugeordnet sein oder dieses Filter in einem solchen Verstärker mit einbezogen sein. An den Ausgang dieses Verstärkers schließt sich eine Schaltvorrichtung 8 an, an deren Ausgang ein dritter Frequenzumsetzer 9 zur Rückumsetzung der Signale aus der 2-MHz-Lage in die Basisbandlage angeschaltet ist.The intermediate frequency signals in the 2 MHz position are transmitted in a second, Intermediate frequency amplifier 5 whose gain is at least partially regulated further selectively amplified and on the one hand the baseband output via a fork circuit 6 and on the other hand the frequency adjustment and gain control of the receiver fed. A selective filter is attached to hybrid circuit 6 to obtain baseband 7 turned on, which allows the frequency range of the 2 MHz location to pass, which the contains frequencies assigned to the information of the baseband. Possibly an amplifier in the 2 MHz position can be assigned to this filter, or this one Filters must be included in such an amplifier. To the output of this amplifier a switching device 8 follows, at whose output a third frequency converter 9 is switched on to convert the signals back from the 2 MHz position to the baseband position is.

Die für die Rückumsetzung in die Basisbandlage erforderliche Nullschwingung wird aus der Gabelschaltung 6 über das den Informationsgehalt der Kanäle in der 2-MHz-Lage sperrende Filter 14, einen gegebenenfalls damit vereinigten Verstärker 15 und ein Quarzfilter 16 gewonnen und von diesem Quarzfilter 16 über eine Gabelschaltung 17 entnommen.The zero oscillation required for the conversion back into the baseband position is from the hybrid circuit 6 on the information content of the channels in the Filters 14 blocking the 2 MHz position, an amplifier possibly combined therewith 15 and a quartz filter 16 obtained and from this quartz filter 16 via a hybrid circuit 17 taken.

Die Gabelschaltung 17 ist vorgesehen, weil die Nullschwingung beim Ausführungsbeispiel noch für weitere Aufgaben herangezogen wird. So wird einerseits die Nullschwingung einer Regelspannungserzeugung 13 zugeführt, die der Frequenznachstellung des ersten überlagerungsoszillators 10 mittels einer beispielsweise motorischen Frequenznachstellung 12 dient. Andererseits wird aus der Nullschwingung über eine Regelspannungs-Erzeugungseinheit 18 eine Regelspannung bzw. Regelgröße abgeleitet, welche die Verstärkung in den Zwischenfrequenzverstärkern 3 und 5 in der einleitend beschriebenen Weise beeinflußt.The hybrid circuit 17 is provided because the zero oscillation in the exemplary embodiment is also used for other tasks. Thus, on the one hand, the zero oscillation is fed to a control voltage generator 13, which is used to adjust the frequency of the first local oscillator 10 by means of a motorized frequency adjustment 12, for example. On the other hand, a control voltage or control variable is derived from the zero oscillation via a control voltage generating unit 18, which influences the gain in the intermediate frequency amplifiers 3 and 5 in the manner described in the introduction.

Insoweit entspricht der Aufbau des Empfängers im wesentlichen dem nach der deutschen Patentschrift 1080 616, und es ist auch insoweit das gleiche Frequenzschema wie dort vorausgesetzt. Zusätzlich sind bei dem Empfänger zwei Schaltstufen 19 und 20 vorgesehen, denen über einstellbare Dämpfungsregler 22 bzw. 23 einerseits die Regelgröße der Verstärkungsregelung und andererseits die Nullschwingung zugeführt werden. Die Schaltstufen sind derart vorgespannt, daß sie erst bei Änderung der ihnen zugeführten Eingangsspannung über eine vorgegebene Schwelle hinaus in ihren anderen Schaltzustand kippen und eine konstante Ausgangsspannung abgeben. Die Ausgänge beider Schaltstufen 19 und 20 sind weiterhin in einer Kombinationsschaltung 21 (Kombinator) zusammengeführt, die so gestaltet ist, daß auch beim Umkippen nur einer der Stufen 19 und 20, die im Normalfall - also bei ausreichendem Empfangssignal - durchgeschaltete Schaltvorrichtung 8 öffnet. Im einfachsten Fall kann diese Schaltvorrichtung 8 ein Relaiskontaktpaar, vorzugsweise extrem geringer Abschaltzeit sein.In this respect, the structure of the receiver corresponds essentially to that according to German patent specification 1080 616, and the same frequency scheme is assumed in this respect as there. In addition, two switching stages 19 and 20 are provided in the receiver, to which on the one hand the controlled variable of the gain control and on the other hand the zero oscillation are fed via adjustable damping regulators 22 and 23, respectively. The switching stages are preloaded in such a way that they only switch to their other switching state and emit a constant output voltage when the input voltage supplied to them changes beyond a predetermined threshold. The outputs of the two switching stages 19 and 20 are still combined in a combination circuit 21 (combiner), which is designed so that only one of the stages 19 and 20, which is normally switched on, i.e. when there is a sufficient received signal, opens even when the signal is tipped over. In the simplest case, this switching device 8 can be a pair of relay contacts, preferably an extremely short switch-off time.

In der F i g. 2 sind die beiden Stufen 19 und 20 (vgl. F i g. 1) mit ihren zugehörigen Dämpfungsreglern 22 und 23 in den wesentlichen Details herausgezeichnet. Sämtliche Stufen sind mit Transistoren bestückt. Der Dämpfungsregler 22 ist ein Potentiometer, dessen einstellbare Ausgangsspannung über einen der Entkopplung dienenden Transistor dem Schaltverstärker mit den zwei Transistoren 25, 26 zugeführt wird. Der auf die Entkopplungsstufe folgende Transistor 25 ist im Normalfall leitend, und der zugehörige zweite Transistor 26 ist im Normalfall nichtleitend.In FIG. 2, the two stages 19 and 20 (cf. FIG. 1) with their associated damping regulators 22 and 23 are shown in the essential details. All stages are equipped with transistors. The attenuation regulator 22 is a potentiometer, the adjustable output voltage of which is fed to the switching amplifier with the two transistors 25, 26 via a transistor serving for decoupling. The transistor 25 following the decoupling stage is normally conductive, and the associated second transistor 26 is normally non-conductive.

Unter Normalfall wird verstanden, daß das Empfangssignal und damit auch das von diesem abgeleitete Kriterium innerhalb der für einen brauchbaren Betrieb zulässigen Grenzen liegt. Vom Arbeitswiderstand im Kollektorkreis des Transistors 26 wird über einen Richtleiter 27 ein der Kombination der Ausgangsspannung des Schaltverstärkers 25, 26 mit der Ausgangsspannung des weiteren Schaltverstärkers 20 dienender Kombinator 21 gespeist, der aus einem Transistor 28 in Emitterschaltung besteht. Der Schaltverstärker 20 umfaßt ebenfalls zwei Transistoren 25' und 26', von denen im Normalfall 25' leitend ist. Der zugeordnete Dämpfungsregler 23 wird durch einen in die Basiszuleitung des Transistors 25' eingefügten regelbaren Widerstand 23 gebildet. Da die zugeführte Nullschwingung eine Wechselspannung ist, wird sie zunächst in der Spannungsverdopplerschaltung 29 gleichgerichtet und dann über den Dämpfungsregler 23 dem in Übertragungsrichtung ersten Transistor 25' eingespeist. Im Normalfall, d. h. bei ausreichender Amplitude der Nullschwingung, ist auch hier der in Übertragungsrichtung erste auf den Dämpfungsregler folgende Transistor leitend und der darauffolgende Transistor gesperrt.The normal case is understood to mean that the received signal and thus also the criterion derived from it lie within the limits permissible for usable operation. A combiner 21 which is used to combine the output voltage of the switching amplifier 25, 26 with the output voltage of the further switching amplifier 20 and which consists of a transistor 28 in an emitter circuit is fed from the working resistor in the collector circuit of the transistor 26 via a directional conductor 27. The switching amplifier 20 also comprises two transistors 25 ' and 26', of which 25 ' is normally conductive. The associated attenuation regulator 23 is formed by a controllable resistor 23 inserted into the base lead of transistor 25 '. Since the supplied zero oscillation is an alternating voltage, it is first rectified in the voltage doubler circuit 29 and then fed via the attenuation regulator 23 to the first transistor 25 ′ in the transmission direction. In the normal case, that is to say when the amplitude of the zero oscillation is sufficient, the first transistor following the damping regulator in the transmission direction is conductive and the transistor following it is blocked.

Die im Normalfall vorhandenen relativ negativen Kollektorspannungen der gesperrten Transistoren 26, 26' bewirken, daß der jeweils entsprechende Kombinationsrichtleiter 27, 27' gesperrt und der Kombinationstransistor 28 in gefordertem Maße leitend ist. Seine Kollektor-Emitter-Spannung geht damit auf die Restspannung von etwa 0,1 bis 0,5 V zurück. Fällt nun entweder über 23, 20 oder über 22,19 oder über beide Kanäle ein entsprechendes Eingangssignal aus, so werden, je nachdem, der eine oder der andere der Kombinationsrichtleiter 27, 27' oder auch beide niederohmig, wodurch am Kollektor des Kombinationstransistors 28 eine hohe negative Spannung gegenüber dem Bezugspotential auftritt. Diese relativ hohe negative Spannung (verbunden mit geringen Kollektorstrom) dient zur Sperrung der Übertragung indem beispielsweise der Arbeitskontakt eines Relai; 36', über den die Verbindung zwischen 7 und 9 ir F i g. 1 normalerweise erfolgt, öffnet.The normally present relatively negative collector voltages of the blocked transistors 26, 26 'have the effect that the respectively corresponding combination directional conductor 27, 27' is blocked and the combination transistor 28 is conductive to the required extent. Its collector-emitter voltage is reduced to the residual voltage of around 0.1 to 0.5 V. If a corresponding input signal fails either via 23, 20 or via 22, 19 or via both channels, one or the other of the combination directional conductors 27, 27 'or both are low-ohmic, as a result of which one at the collector of the combination transistor 28 high negative voltage compared to the reference potential occurs. This relatively high negative voltage (combined with a low collector current) is used to block the transmission by, for example, the normally open contact of a relay; 36 ', via which the connection between 7 and 9 ir F i g. 1 normally takes place, opens.

Eine besonders vorteilhafte Auswertung der erwähnten negativen Spannung gegen das Bezugspotential besteht in Weiterbildung der Erfindung darin, daß so, wie in der F i g. 3 angedeutet, die Abschaltevorrichtung 8 (der F i g. 1) aus einer Transistorstufe vorzugsweise in Emitterschaltung besteht; der die Signale beispielsweise in der 2-MHz-Lage über einen Übertrager 30 auf der Basisseite zugeführt und über einen weiteren Übertrager 31 auf der Kollektorseite entnommen werden. In die Basiszuleitung ist für das Signal ein im Vergleich zum niedrigstmöglichen Widerstand der Basis-Emitter-Strecke dieses Transistors 32 relativ hoher Widerstand 33 eingeführt. Beispielsweise kann dieser einen Wert in der Größenordnung von 1 bis 2 Kiloohm haben, wenn der niedrigstmögliche Eingangswiderstand des Transistors 32 einige Ohm beträgt. Die Übertrager 30 und 31 sind beim Ausführungsbeispiel vorgesehen, um die gleichstrommäßige Abtrennung vom voraus-; gehenden und nachfolgenden Schaltungsteil leichter zu erreichen. An Stelle dieser Übertrager sind demzufolge auch Kondensatorkopplungen möglich. Weiterhin ist aus übertragungstechnischen Gründen sowohl eine Spannungsgegenkopplung z. B. vom Ausgangsübertrager 31 als auch eine Stromgegenkopplung vorgesehen. Die Stromgegenkopplung geschieht über einen Widerstand 35 in der Kollektorzuleitung. Die gesamte Gegenkopplung erfolgt durch eine Rückführung über das RC-Glied 34 auf den Transistoreingang. Beide Gegenkopplungen sind in vorteilhafter Weise so aufeinander abgestimmt, daß in Verbindung mit dem Arbeitswiderstand des Transistors anschlußseitig im Ausgang der Schaltvorrichtung eine Ausgangsimpedanz angeboten wird, die wenigstens nahezu mit der Impedanz des anzuschließenden Zweiges der Übertragungsanlage übereinstimmt. Vorzugsweise soll diese Ausgangsimpedanz durch die entsprechende Wahl der beiden Gegenkopplungen bei etwa 75 Ohm liegen.In a further development of the invention, a particularly advantageous evaluation of the aforementioned negative voltage with respect to the reference potential consists in the fact that, as shown in FIG. 3 indicated, the disconnection device 8 (of FIG. 1) consists of a transistor stage, preferably in an emitter circuit; to which the signals are supplied, for example in the 2 MHz position, via a transformer 30 on the base side and taken via a further transformer 31 on the collector side. A resistor 33, which is relatively high compared to the lowest possible resistance of the base-emitter path of this transistor 32, is inserted into the base lead for the signal. For example, this can have a value on the order of 1 to 2 kilohms when the lowest possible input resistance of transistor 32 is a few ohms. The transformers 30 and 31 are provided in the embodiment in order to separate the direct current from the advance; going and following circuit part easier to reach. Instead of these transformers, capacitor couplings are also possible. Furthermore, for transmission reasons, both a negative voltage feedback z. B. provided by the output transformer 31 and a current negative feedback. The current negative feedback occurs via a resistor 35 in the collector lead. The entire negative feedback takes place through a feedback via the RC element 34 to the transistor input. Both negative feedbacks are advantageously matched to one another in such a way that, in conjunction with the working resistance of the transistor, an output impedance is offered at the connection side in the output of the switching device which at least almost corresponds to the impedance of the branch of the transmission system to be connected. This output impedance should preferably be around 75 ohms due to the appropriate choice of the two negative feedbacks.

Die Einstellung des Basisstromes des Transistors 32 geschieht mittels eines Spannungsteilers aus zwei Widerständen 36, 37, die zwischen das Bezugspotential und dem negativen anderen Anschluß der Betriebsspannungsquelle eingeschaltet sind.The base current of the transistor 32 is set by means of a voltage divider made up of two resistors 36, 37 which are connected between the reference potential and the other negative terminal of the operating voltage source.

In diesem Zusammenhang ist zu erwähnen, daß bei der Beschreibung der Schaltung in den Ausführungsbeispielen pnp-Transistoren vorgesehen sind, bei denen der Kollektor negativ gegenüber dem Emitter vorzuspannen ist. Werden andersartig gepolte Transistoren verwendet, so sind sinngemäß die Potentiale gegenüber denen in den Beispielen angegebenen zu ändern.In this context it should be mentioned that in the description of the Circuit in the exemplary embodiments pnp transistors are provided in which the collector is to be biased negatively with respect to the emitter. Become different polarized transistors are used, the potentials are analogous to those change given in the examples.

Über den Spannungsteiler 36, 37 ist im Normalfall der Basisstrom so eingestellt, daß eine übertragung vom Eingang des ersten Übertragers 30 zum Ausgang des zweiten Übertragers 31 in der geforderten Weise sichergestellt ist, vorzugsweise derart, daß praktisch keine Übertragungsdämpfung und auch keine Verstärkung eintritt. Das bedeutet, daß die Verstärkung in der Größenordnung von 1 liegt.The base current is normally set via the voltage divider 36, 37 in such a way that a transmission from the input of the first transformer 30 to the output of the second transformer 31 is ensured in the required manner, preferably such that there is practically no transmission attenuation and also no amplification. This means that the gain is on the order of one.

Soll nun der Übertragungsweg rasch gesperrt werden, so ist es nur erforderlich, den unteren einseitig an das Bezugspotential angeschlossenen Widerstand 37 des Spannungsteilers vom Bezugspotential abzutrennen, z. B. mittels eines Schalters 38. Dadurch liegt än der Basis des Transistors 32 gegenüber dem Emitter- eine stark negative Spannung, die den Arbeitspunkt weit in das Flußgebiet verlagert. Der Transistor wird dadurch sehr niederohmig im Eingang und verliert seine Aussteuerungsfähigkeit durch Kollektorstrombegrenzung. Durch das Steuern in den niederohmigen Bereich wird durch. die Kollektorstrombegrenzung und die damit verbundene Verstärkungsminderung noch die Spannungsteilung für das Signal über den in die Basiszuleitung für das Signal eingeschalteten hochohmigen Widerstand 33 wirksam, der in Reihe mit der niedrigen Eingangsimpedanz des Transistors 32 liegt. Bei Durchschaltung tritt nach außen hin diese Spannungsteilung nicht in Erscheinung, weil sie durch die Verstärkung in Verbindung mit den Gegenkopplungen ausgeglichen wird.If the transmission path is now to be blocked quickly, that's just it required, the lower resistor connected to the reference potential on one side 37 the voltage divider to be separated from the reference potential, z. B. by means of a switch 38. As a result, the base of the transistor 32 is strongly opposite the emitter one negative voltage, which shifts the working point far into the river basin. The transistor becomes very low resistance in the input and loses its modulation capability through collector current limitation. By controlling in the low-resistance area by. the collector current limitation and the associated gain reduction nor the voltage division for the signal via the in the base lead for the Signal switched on high resistance 33 effective, which is in series with the low Input impedance of transistor 32 is. When switching occurs to the outside this tension division does not manifest itself because it is connected by the reinforcement is balanced with the negative feedback.

Eine alternative Möglichkeit zur schnellen Abschaltung besteht darin, daß die Kollektorstromzuführung für den Transistor unterbrochen wird. Auch in diesem Fall wird die Emitter-Basis-Strecke wegen des fehlenden Kollektorstromes niederohmig, und der übertragungsweg wird in der geforderten , Weise gesperrt.An alternative way to switch off quickly is to that the collector current supply for the transistor is interrupted. Also in this In this case, the emitter-base path becomes low-resistance due to the lack of collector current, and the transmission path is blocked in the required manner.

In der F i g. 4 ist noch gezeigt, wie die Widerstände des in der F i g. 3 erläuterten Spannungsteilers 36, 37 zur Basisstromeinstellung des Kombinationstransistors 28 aus der F i g. 2 vorteilhaft einfach vereinigt werden können. Der auf Bezugspotential liegende Widerstand 37' lieb in der Emitterzuleitung des einen Transistors 28, und der Widerstand 36 des Spannungsteilers ist der Arbeitswiderstand 36' des Kombinationstransistors 28. Die Widerstände sind in diesem Fall so zu bemessen, daß bei durchgeschaltetem, also leitendem Kombinationstransistors 28 die Kollektorrestspannung und die an dessen Emitterwiderstand 37' auftretende Spannung das zu fordernde Basispotential ergeben.In FIG. 4 it is also shown how the resistances of the FIG i g. 3 explained voltage divider 36, 37 for setting the base current of the combination transistor 28 from FIG. 2 can be easily combined advantageously. The reference potential lying resistor 37 'in the emitter lead of a transistor 28, and the resistor 36 of the voltage divider is the working resistance 36 'of the combination transistor 28. In this case, the resistances are to be dimensioned in such a way that when the So conductive combination transistor 28, the residual collector voltage and the at its Emitter resistor 37 'occurring voltage result in the required base potential.

Claims (5)

Patentansprüche: 1. Empfänger für Einseitenbandsignale im Bereich der kurzen und sehr kurzen elektromagnetischen Wellen mit wenigstens einer überlaaerungsstufe, an die ein in der Verstärkung selbsttätig geregelter Zwischenfrequenzverstärker anschließt und bei dem zur Verstärkungsregelung aus. den Empfangssignalen eine vorzugsweise zugleich der Rückumsetzung der Empfangssignale in die Basisbandlage und insbesondere auch der Frequenznachstellung des Empfängers dienende Trägerspannung ausgesiebt wird, bei dem ferner eine Schalteinrichtung verwendet wird, die, von der (dem) Verstärkungsregelspannung (Verstärkungsregelstrom) des Empfängers gesteuert, zur Sperrung des Übertragungsweges im Empfänger dient, wenn beispielsweise auf Grund fehlenden Eingangssignals unzulässig hohe Rauschspannungsanteile im Empfängerausgängssignal vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtung zwischen der letzten geregelten Zwischenfrequenz-Verstärkerstufe und der Anordnung zur Umsetzung in die Basisbandlage liegt und außer von, der (dem) Verstärkungsregelspannung (Verstärkungsregelstrom) auch durch Einwirkung der ausgesiebten Trägerspannung betätigt wird, sobald diese um einen Betrag von mehr als etwa 3 db unter dem Normalpegel abgesunken ist. Claims: 1. Receiver for single sideband signals in the field the short and very short electromagnetic waves with at least one level of overload, to an intermediate frequency amplifier with an automatically controlled gain connected and in the case of the gain control off. the received signals one preferably at the same time the conversion of the received signals back into the baseband position and in particular carrier voltage used to adjust the frequency of the receiver is also screened out further using a switching device derived from the gain control voltage (Gain control current) of the receiver controlled to block the transmission path is used in the receiver if, for example, this is not permitted due to the lack of an input signal high noise voltage components are present in the receiver output signal, characterized in that that the switching device between the last regulated intermediate frequency amplifier stage and the arrangement for implementation in the baseband position and apart from, the (the) Gain control voltage (gain control current) also by the action of the screened out Carrier voltage is actuated as soon as it has increased by an amount of more than approximately 3 db has dropped below the normal level. 2. Empfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Regelgröße für die Verstärkungsregelung und mit der ausgesiebten Trägerspannung, vorzugsweise über einstellbare Dämpfungsglieder, je ein Schaltverstärker mit einem unteren Schwellwert für das Ansprechen gespeist werden, die, solange die Regelgröße und die Trägerspannung einen für die Normalfunktion des Empfängers genügend hohen Pegel aufweisen, in ihrem einen Schaltzustand verharren, und daß von diesen beiden Schaltverstärkern die Schaltvorrichtung gegebenenfalls unter Zwischenschaltung einer weiteren Schaltstufe als Kombinator in der Weise gesteuert wird, daß zumindest durch das Kippen von nur einem der Schaltverstärker h3 den anderen Schaltzustand der Übertragungsweg für das Basisband aufgetrennt wird. 2. Receiver according to claim 1, characterized in that that with the controlled variable for the gain control and with the sifted out carrier voltage, preferably via adjustable attenuators, each one switching amplifier with one The lower threshold value for the response are fed as long as the controlled variable and the carrier voltage is high enough for the receiver to function normally Have level, remain in their one switching state, and that of these two Switching amplifiers the switching device, optionally with the interposition of a further switching stage is controlled as a combiner in such a way that at least by the tilting of only one of the switching amplifiers h3 the other switching state of the transmission path for the baseband is separated. 3. Elektronische Schaltvorrichtung für einen Empfänger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor in Emitterschaltung vorgesehen ist, dem vorzugsweise über einen übertrager die Eingangssignale zugeführt werden, insbesondere durch Vorschaltung eines Widerstandes in der Basiszuleitung, und daß zur Sperrung des Übertragungsweges der vorzugsweise auch ausgangsseitig einen Übertrager enthaltenden Stufe der Basiselektrode eine Vorspannung derartiger Polarität und Amplitude zugeführt wird, daß die Emitter-Basis-Strecke dieses Transistors weit im Flußgebiet betrieben wird und sehr niederohmig ist, und/oder daß die Kollektorgleichstromzuführung des Transistors unterbrochen wird. 3. Electronic switching device for one Receiver according to Claim 1 or 2, characterized in that a transistor in Emitter circuit is provided, which preferably receives the input signals via a transmitter are supplied, in particular by connecting a resistor in the base lead, and that to block the transmission path, preferably also on the output side a transformer containing stage of the base electrode a bias of such Polarity and amplitude is fed that the emitter-base path of this transistor is operated far in the river area and is very low resistance, and / or that the collector direct current supply of the transistor is interrupted. 4. Empfänger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Übersetzungsverhältnisse der Eingangs- und Ausgangsschaltung des Transistors, die entsprechenden Arbeitswiderstände und die Gegenkopplungen derart gewählt sind, daß in Übertragungsrichtung eine Verstärkung in der Größenordnung von. 1 gegeben ist. 4. Receiver according to claim 3, characterized in that that the gear ratios of the input and output circuit of the transistor, the corresponding working resistances and the negative feedback are selected in such a way that that in the transmission direction a gain in the order of magnitude of. 1 given is. 5. Empfänger nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Spannung und eine Stromgegenkopplung vorgesehen sind, die so aufeinander abgestimmt sind, daß die Ausgangsimpedanz nahezu mit der Eingangsimpedanz der anschließenden Stufe übereinstimmt. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1067 084, 1071775, 1113 717; »radio mentor«, Heft 1/1954, S. 029, 030.5. Receiver according to claim 4, characterized in that a voltage and a current negative feedback are provided, which are matched to one another so that the output impedance almost coincides with the input impedance of the subsequent stage. Considered publications: German Auslegeschriften No. 1067 084, 1071775, 1113 717; »Radio mentor«, issue 1/1954, pp. 029, 030.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1067084B (en) * 1959-10-15 Körting Radio Werke G.m.b.H., Grassau (Chiemgau) Circuit arrangement for noise elimination for fading-controlled radio receivers
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DE1113717B (en) * 1958-07-10 1961-09-14 Siemens Ag Circuit arrangement for noise suppression

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