DE1272263B - Anwendung des Verfahrens zur Herstellung duenner Draehte durch Ausziehen bei der Herstellung von Supraleitern - Google Patents
Anwendung des Verfahrens zur Herstellung duenner Draehte durch Ausziehen bei der Herstellung von SupraleiternInfo
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- B21C37/04—Manufacture of metal sheets, rods, wire, tubes, profiles or like semi-manufactured products, not otherwise provided for; Manufacture of tubes of special shape of rods or wire
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Description
- Anwendung des Verfahrens zur Herstellung dünner Drähte durch Ausziehen bei der Herstellung von Supraleitern Die Supraleiter mit den höchsten Sprungtemperaturen und der geringsten Empfindlichkeit gegenüber starken magnetischen Feldern gehören fast ausnahmslos zu der Klasse der intermetallischen Verbindungen mit ß-Wolfram (A15)-Struktur. Sie besitzen eine hohe Schmelztemperatur um etwa 2000° C und sind außerordentlich spröde.
- Es ist daher nicht möglich, auf dem üblichen Weg, z. B. durch Schmieden, Walzen und Drahtziehen, zu band- oder drahtförmigen Produkten aus diesen intermetallischen Verbindungen zu gelangen.
- Man hat sich bisher damit beholfen, Bänder aus diesen Materialien durch Aufdampfen ihrer Komponenten auf Trägerfolien, z. B. aus Kupfer, herzustellen und durch anschließendes Aufheizen die gewünschten Verbindungen entstehen zu lassen.
- Dieses Verfahren hat jedoch Nachteile, da man stets auf eine Trägerfolie angewiesen ist und die genaue und homogene Zusammensetzung nur schwer erzielbar ist.
- Es ist bekannt, daß sich dünne Drähte aus Metallen und Legierungen dadurch herstellen lassen, daß man diese im festen Zustand in Glas- oder Quarzröhrchen einfüllt und dann durch Ausziehen dieser Röhrchen zu einer Kapillare zu einem dünnen Draht gelangt.
- Bisher konnte dieses relativ einfache Verfahren aber nicht zur Herstellung supraleitender Drähte aus intermetallischen Verbindungen mit ,ß-W-Struktur herangezogen werden, da - selbst bei Benutzung von Quarzröhrchen - der Schmelzpunkt dieser intermetallischen Verbindungen noch zu hoch war und es zudem zu höchst unerwünschten Reaktionen des Quarzes bei hohen Temperaturen mit den intermetallischen Verbindungen kommt.
- Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, dieses Verfahren auch für die Herstellung supraleitender Drähte anwendbar zu machen, ohne daß dabei Reaktionen zwischen Quarz und dem Drahtwerkstoff auftreten können.
- Es wurde nunmehr überraschenderweise gefunden, daß sich supraleitende Verbindungen auf der Basis von Vanadium mit den Elementen Silicium und/oder Gallium sowohl hinsichtlich ihrer Schmelztemperatur als auch ihrer chemischen Eigenschaften bei hohen Temperaturen zur Herstellung von dünnen Drähten nach dem oben beschriebenen Verfahren besonders eignen, ohne daß sich unerwünschte Reaktionen zwischen dem Quarz und diesen Verbindungen auch bei den geforderten hohen Temperaturen abspielen. So weist z. B. die Verbindung V;"Si",7Ga",3 eine Sprungtemperatur von etwa 15° K und einen Schmelzpunkt von etwa 1800° C auf. Beim Aufheizen der Quarzröhrchen treten keine unerwünschten Reaktionen mit dem Inhalt auf.
Claims (3)
- Patentansprüche: 1. Verwendung des Verfahrens zur Herstellung dünner Drähte durch Ausziehen von bis zum Schmelzintervall erhitzten intermetallischen Verbindungen bei der Herstellung supraleitender Drähte aus Verbindungen auf der Basis von Vanadium mit Silicium und/oder Gallium.
- 2. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1, bei einer Verbindung aus V@Si"7Ga"s.
- 3. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1, bei einer Verwendung aus V.Ga. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 1793 529.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP1272A DE1272263B (de) | 1967-09-09 | 1967-09-09 | Anwendung des Verfahrens zur Herstellung duenner Draehte durch Ausziehen bei der Herstellung von Supraleitern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP1272A DE1272263B (de) | 1967-09-09 | 1967-09-09 | Anwendung des Verfahrens zur Herstellung duenner Draehte durch Ausziehen bei der Herstellung von Supraleitern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1272263B true DE1272263B (de) | 1968-07-11 |
Family
ID=5661835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP1272A Pending DE1272263B (de) | 1967-09-09 | 1967-09-09 | Anwendung des Verfahrens zur Herstellung duenner Draehte durch Ausziehen bei der Herstellung von Supraleitern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1272263B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4353744A (en) * | 1981-06-30 | 1982-10-12 | Union Carbide Corporation | Process for producing a vanadium silicon alloy |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1793529A (en) * | 1928-01-04 | 1931-02-24 | Baker & Co Inc | Process and apparatus for making filaments |
-
1967
- 1967-09-09 DE DEP1272A patent/DE1272263B/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1793529A (en) * | 1928-01-04 | 1931-02-24 | Baker & Co Inc | Process and apparatus for making filaments |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4353744A (en) * | 1981-06-30 | 1982-10-12 | Union Carbide Corporation | Process for producing a vanadium silicon alloy |
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