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DE1271835B - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE1271835B
DE1271835B DEP1271A DE1271835A DE1271835B DE 1271835 B DE1271835 B DE 1271835B DE P1271 A DEP1271 A DE P1271A DE 1271835 A DE1271835 A DE 1271835A DE 1271835 B DE1271835 B DE 1271835B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
carrier plate
resilient element
housing
component according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEP1271A
Other languages
English (en)
Inventor
Heinz-Wilhelm Ehlbeck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DEP1271A priority Critical patent/DE1271835B/de
Publication of DE1271835B publication Critical patent/DE1271835B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W99/00

Landscapes

  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

  • Halbleiterbauelement Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das auf Grund seiner besonderen Gehäuseausbildung besonders für die Anwendung in mikrominiaturisierten Schaltungen verwendet werden kann.
  • In der Mikromodul-Technik werden passive Elemente durch Aufbringen von Metallfilmen oder dielektrischen Filmen auf Trägerplatten im Hochvakuum oder in einer Gasatmosphäre mittels Kathodenzerstäubung erzielt. Dabei entstehen gleichzeitig die die passiven Elemente verbindenden elektrischen Zuleitungen, so daß die Herstellung weiterer Zwischenverbindungen durch Einlöten von Zuleitungsdrähten entfällt, was bei einer Schichtdicke der aufgedampften Schichten in der Größenordnung von 1 #t auch nur unter großen Schwierigkeiten möglich wäre. Aktive Elemente wie Transistoren und Dioden dagegen müssen meist in konzentrierter Form in die mikrominiaturisierten Schaltungen eingesetzt werden, wobei sich dann ein Schweiß- oder Lötprozeß nicht mehr vermeiden läßt.
  • Es sind bereits durch mehrere Veröffentlichungen Halbleiterbauelemente bekannt geworden, bei denen das Bauelement an einen Trägerkörper angeklemmt wird. Beispielsweise wird in der deutschen Auslegeschrift 1106 874 ein Halbleiterbauelement beschrieben, bei dem eine Diode in ein Rohr eingesetzt wird. Sowohl das Rohr als auch der Boden des Diodengehäuses wird dann mit Hilfe einer Klemme an einer, die Anordnung tragenden Chassisplatte befestigt.
  • Gemäß der Erfindung sollen nun die oben angeführten Nachteile vermieden und das Anklemmen von Halbleiterbauelementen sinnvoll weiterentwickelt werden. Dazu wird vorgeschlagen, daß an der einen Seite des Gehäuses fest verbunden oder aufsteckbar ein federndes Element und an der anderen Seite des Gehäuses sich seitlich nach außen erstreckende Elektrodenzuleitungen derart vorgesehen sind, daß bei der Montage des Halbleiterbauelementes in einer Aussparung einer Trägerplatte sich das federnde Element auf der einen Seite der Trägerplatte abstützt und dabei die Elektrodenzuleitungen an eine auf der anderen Seite der Trägerplatte vorgesehene leitende Schicht preßt.
  • Es ist dabei besonders vorteilhaft, wenn diese Zuleitungsanschlüsse nicht als Draht, sondern als flache Metallblätter ausgebildet sind.
  • Im folgenden soll nun in einem Ausführungsbeispiel, wie in der Figur dargestellt ist, die Erfindung näher erläutert werden.
  • Die Figur zeigt einen Ausschnitt einer Mikromodul-Trägerplatte 1 auf dessen eine, hier untere, Oberfläche ein Metallfilm 2 von beispielsweise 1/2 #t Dicke aufgedampft worden ist. In diese Trägerplatte 1 wurde ein Loch gebohrt, welches das Halbleiterbauelement 3, in diesem Fall ist es eine Diode, aufnimmt. Die Anschlüsse des Halbleiterbauelementes sind nicht wie üblich als Draht ausgeführt, sondern stellen Metallblätter 4, 5 von etwa 5 mm2 Fläche dar, die mit dem auf der Trägerplatte 1 befindlichen Metallfilm 2 elektrisch leitend verbunden werden. Um das Halbleiterbauelement 3 nun in der Schaltung zu befestigen, trägt es an der den Lötflächen gegenüberliegenden Seite einen Metallsteg 6 mit einer Öse. Durch die Öse wird eine Spannfeder 7 geschoben, welche die Lötflächen fest gegen die Trägerplatte drückt.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Halbleiterbauelement, d a d u r c h g e -kennzeichnet, daß an der einen Seite des Gehäuses fest verbunden oder aufsteckbar ein federndes Element und an der anderen Seite des Gehäuses sich seitlich nach außen erstreckende Elektrodenzuleitungen derart vorgesehen sind, daß bei der Montage des Halbleiterbauelementes in einer Aussparung einer Trägerplatte sich das federnde Element auf der einen Seite der Trägerplatte abstützt und dabei die Elektrodenzuleitungen an eine auf der anderen Seite der Trägerplatte vorgesehene leitende Schicht preßt.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte aus isolierendem Material besteht und mit einer Bohrung zur Aufnahme des Gehäuses versehen ist, und daß die Platte auf einer Oberflächenseite bis zu der Bohrung reichende leitende Schichten aufweist.
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, da-durch gekennzeichnet, daß die Elektrodenzuleitaugen so abgewinkelt sind, daß sie parallel zu `den auf der Trägerplatte befindlichen leitenden Schichten verlaufen.
  4. 4. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als federndes Element eine Spannfeder dient. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1106 874, 1072 284; deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1725 924.
DEP1271A 1961-09-20 1961-09-20 Halbleiterbauelement Pending DE1271835B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP1271A DE1271835B (de) 1961-09-20 1961-09-20 Halbleiterbauelement

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP1271A DE1271835B (de) 1961-09-20 1961-09-20 Halbleiterbauelement
DET0020797 1961-09-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1271835B true DE1271835B (de) 1968-07-04

Family

ID=25751474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP1271A Pending DE1271835B (de) 1961-09-20 1961-09-20 Halbleiterbauelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1271835B (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1725924U (de) * 1955-11-12 1956-07-12 Philips Nv Apparat mit wenigstens einem transistor.
DE1072284B (de) * 1959-12-31
DE1106874B (de) * 1958-03-17 1961-05-18 Philips Nv Halbleitende Vorrichtung, z. B. ein Transistor oder eine Kristalldiode, mit einem Metallgehaeuse

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1072284B (de) * 1959-12-31
DE1725924U (de) * 1955-11-12 1956-07-12 Philips Nv Apparat mit wenigstens einem transistor.
DE1106874B (de) * 1958-03-17 1961-05-18 Philips Nv Halbleitende Vorrichtung, z. B. ein Transistor oder eine Kristalldiode, mit einem Metallgehaeuse

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