DE1269683B

DE1269683B - Transistor-Mischstufe mit selbsttaetiger Verstaerkungsregelung

Info

Publication number: DE1269683B
Application number: DE19641269683
Authority: DE
Inventors: Heinz Rinderle
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1964-06-09
Filing date: 1964-06-09
Publication date: 1968-06-06

Description

Transistor-Mischstufe mit selbsttätiger Verstärkungsregelung In geregelten AM-Empfängern ist es erwünscht, die Verstärkung der Mischstufe zur Vermeidung der übersteuerung der Kollektorspannung und der nachfolgenden ZF-Stufe zu regeln.
Es ist bekannt, daß zur Verstärkungsbeeinflussung dem vom Kollektorstrom der Mischstufe durchflossenen ZF-Schwingkreis eine Dämpfungsdiode parallel geschaltet wird und daß deren Dämpfungswirkung in Abhängigkeit des Kollektorstromes der geregelten ersten ZF-Stufe sich ändert. Die Anwendung der Dämpfungsdiode verursacht eine zusätzliche Kreuzmodulation und Modulationsverzerrungen.
Ferner ist bekannt, die Verstärkung durch Abwärtssteuern des Kollektorstromes einer fremdgesteuerten Mischstufe zu regeln. Hierbei tritt als Nachteil eine Frequenzverwerfung des steuernden Oszillators bei der Regelung auf. Dies erklärt sich durch die Belastungsänderung des Oszillators bei der Regelung der Mischstufe. Ein weiterer Nachteil dieser Schaltung ist die relativ starke Beeinflussung des Eingangsschwingungskreises durch den sich bei der Regelung ändernden Eingangswiderstand der Mischstufe.
Bei den bekannten selbstschwingenden Mischstufen ist nur eine geringe Regelung möglich, weil bei starker Herunterregelung die Oszillatorschwingungen aussetzen würden.
Die Erfindung zeigt eine regelbare Mischstufe ohne die beschriebenen Nachteile der bekannten Schaltungen. Die Erfindung besteht darin, daß wechselstrommäßig parallel zum Eingang des Mischtransistors der Eingang eines Hilfstransistors geschaltet ist, der gegensinnig zum Mischtransistor geregelt wird, und dessen Kollektor-Wechselstrom am Zwischenfrequenzkreis vorbeigeleitet ist, wobei im Falle einer selbstschwingenden Mischstufe der Kollektor-Wechelstrom des Hilfstransistors zur Aufrechterhaltung der Oszillatorschwingungen über den Oszillator-Schwingungskreis geführt ist.
Die gegensinnige Regelung wird am einfachsten dadurch herbeigeführt, daß der Misch- und Hilfstransistor einen gemeinsamen Emitterwiderstand haben und daß nur einem der beiden Transistoren, insbesondere dem Hilfstransistor, die Regelspannung zugeführt wird.
Es ist an sich bekannt (deutsche Auslegeschrift 1135 968), den Eingang eines geregelten Hilfstransistors wechselstrommäßig parallel zum Eingang des Transistors einer Verstärkerstufe parallel zu legen. Hierbei wird jedoch nicht der Transistor der Verstärkerstufe geregelt, sondern eine verstärkungsregelung kommt dadurch zustande, daß der Hilfstransistor zusammen mit einem längsgeschalteten Widerstand einen regelbaren Spannungsteiler bildet. Hierbei muß man aber einen Spannungsverlust am längsgeschalteten Widerstand in Kauf nehmen. Die Erfindung bezieht sich dagegen auf einen Transistor einer Mischstufe, der selbst in der Verstärkung geregelt wird.
Die Zeichnung zeigt in F i g. 1 eine selbstschwingende und in F i g. 2 eine fremdgesteuerte Mischstufe.
F i g. 1 zeigt die erfindungsgemäße Schaltung mit den bekannten Teilen einer selbstschwingenden Mischstufe: Eingangsschwingungskreis 1, Mischtransistor 2, ZF-Schwingungskreis 3 und Oszillatorspuleneinheit 4. Die Erfindung besteht darin, daß ein zusätzlicher Transistor 5 in gleicher Weise wie der Transistor 2 geschaltet ist, jedoch unter Umgehung des ZF-Schwingungskreises, und daß der Basis dieses Transistors die Regelspannung zugeführt wird. Die Regelspannung hat eine solche Richtung, daß bei stärkeren Eingangssignalen der Transistor 5 aufgeregelt wird, dagegen bei schwachen Signalen gesperrt bleibt.
Im folgenden wird die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Schaltung nach F i g. 1 erläutert. Bei zunehmender Signalspannung wird durch die zunehmende Regelspannung an der Basis des Transistors 5 in diesem ein von der Größe der Regelspannung abhängiger Emitterstrom erzeugt, welcher über den gemeinsamen Emitterwiderstand 6 abfließt und einen zusätzlichen Spannungsabfall an 6 entstehen läßt. Durch diese Erhöhung des Spannungsabfalls an 6 wird der Kollektorstrom von 2 vermindert und entsprechend dessen Mischverstärkung. Da die Summe der Kollektorströme von 2 und 5 während der Regelung praktisch konstant bleibt, wird die Oszillatorfunktion mehr und mehr von dem Transistor 5 übernommen. Der im Kollektorstrom von 5 enthaltene ZF-Anteil fließt jedoch nicht über den ZF-Kreis 3 ab, so daß also die Mischverstärkung nur von der Größe des Kollektorstromes des Transistors 2 abhängt. Gleichzeitig wird erreicht, daß der bei der Regelung ansteigende Eingangswiderstand von 2 in der Wirkung auf den Eingangskreis durch den umgekehrten Verlauf des Eingangswiderstandes von 5 nahezu kompensiert wird. Ferner hat die Schaltung nach F i g. 1 den Vorteil, daß die gegenkoppelnde Wirkung des Emitterwiderstandes 6 weniger von der Regelung abhängt oder nahezu konstant ist, was günstig für die Beseitigung von Verzerrungen ist.
Bei Verwendung zweier Transistoren (2 und 5) mit einander ähnlichen Eigenschaften ist die Frequenzverwerfung bei der Regelung vernachlässigbar, insbesondere dann, wenn die Grenzfrequenz der Transistoren weit über der Betriebsfrequenz liegt.
Bei der Schaltung nach F i g. 2 werden die Oszillatorschwingungen vom Transistor 7 erzeugt. Der Transistor 5 sorgt für eine gleichbleibende Belastung des Oszillatorkreises 4 und des Eingangskreises 1.

Claims

Patentansprüche: 1. Transistor-Mischstufe mit selbsttätiger Verstärkungsregelung durch Beeinflussung des Kollektorstromes, dadurch gekennzeichnet, daß wechselstrommäßig parallel zum Eingang des Mischtransistors (2) der Eingang eines Hilfstransistors (5) geschaltet ist, der gegensinnig zum Mischtransistor (2) geregelt wird und dessen Kollektor-Wechselstrom am Zwischenfrequenzkreis (3) vorbeigeleitet ist, wobei im Fall einer selbstschwingenden Mischstufe (F i g. 1) der Kollektor-Wechselstrom des Hilfstransistors (5) zur Aufrechterhaltung der Oszillatorschwingungen über den Oszillator-Schwingungskreis (4) geführt ist.
2. Transistor-Mischstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gegensinnige Regelung dadurch herbeigeführt wird, daß der Misch- (2) und der Hilfstransistor (5) einen gemeinsamen Emitterwiderstand (6) haben, und daß nur einem der beiden Transistoren, insbesondere dem Hilfstransistor (5), die Regelspannung zugeführt wird.
3. Transistor-Mischstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Regelschaltung so bemessen ist, daß die Summe der Kollektorströme während der Regelung praktisch konstant bleibt. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1105 917, 1135968.