DE1268673B - Magnetkernspeicher mit blockartig ausgebildeten Speicherelementen - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. CI.:

GlIc

Deutsche Kl.: 21 al-37/06

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

P 12 68 673.6-53
8. Januar 1963
22. Mai 1968

Die Erfindung betrifft einen Magnetkernspeicher mit blockartig ausgebildeten Speicherelementen, die mehrere senkrecht aufeinanderstehend angeordnete, an den Kreuzungsstellen ineinander übergehende Öffnungen aufweisen, mit Mitteln, um durch zwei Öffnungen der Speicherelemente zugleich einen Schreibstrom wählbarer Polarität und solcher Stärke hindurchzuleiten, daß die Information in Form einer beide Öffnungen umgebenden Diagonalmagnetisierung, deren von der Richtung der Schreibströme abhängige Richtung für das Zeichen charakteristisch ist, speicherbar ist, mit weiteren Mitteln zum Abfragen des jeweils gespeicherten Magnetisierungszustandes und mit einer die eine der Schreiböffnungen durchsetzenden Ausgangsleitung.

Bei den bekannten Magnetkernspeichern dieser Art weisen die blockartig ausgebildeten Speicherelemente drei senkrecht zueinander stehende Öffnungen auf, von denen zwei als Schreiböffnungen dienen, während die dritte zur Aufnahme eines Abfrageleiters vorgesehen ist. Die Herstellung der Elemente dieser Speicher ist relativ schwierig, weil beim Pressen solcher Elemente in drei senkrecht aufeinanderstellenden Richtungen Kerne eingeführt werden müßten, die in der Mitte des Elementes aufeinandertreffen. Es ist daher vorgesehen, die Elemente aus zwei Teilen zusammenzusetzen, die sich in der Berührungsebene kreuzende Nuten aufweisen und von einer Querbohrung durchdrungen sind. Das Zusammensetzen der Elemente erfordert nicht nur einen zusätzlichen Arbeitsaufwand, sondern es entsteht auch ein Luftspalt in dem magnetischen Material, der die magnetischen Eigenschaften des Elementes beeinträchtigt. Ein weiterer Nachteil des bekannten Speichers besteht darin, daß beide Schreibströme verändert werden, um die Richtung der Diagonalmagnetisierung um 180° zu ändern. Hierdurch und durch die Führung der Abfrageleiter senkrecht zu den Schreibleitern wird die Organisation eines solchen Speichers kompliziert.

Es sind weiterhin Magnetkernspeicher mit blockartig ausgebildeten Speicherelementen bekannt, die nur zwei Öffnungen aufweisen. Bei Speicherelementen, bei denen sich diese Öffnungen durchsetzen, wird die eine Öffnung zum Schreiben und Lesen und die andere zum Abfragen verwendet. Es findet hier nur eine einfache Magnetisierung um die Schreiböffnung herum statt, und es kann nur zwischen dem magnetisierten und dem unmagnetisierten Zustand unterschieden werden. Zum Entmagnetisieren sind daher Wechselstromimpulse mit abnehmender Amplitude erforderlich. Derartige Speicherelemente ver-

Magnetkernspeicher mit blockartig ausgebildeten Speicherelementen

Anmelder:

Raytheon Company, Lexington, Mass. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Phys. R. Kohler

und Dipl.-Phys. H. Schwindling, Patentanwälte,

7000 Stuttgart, Hohentwielstr. 28

Als Erfinder benannt:
ao Elvin Leonard Woods, Tustin, Calif. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
_a5 V. St. v. Amerika vom 8. Januar 1962 (164 837)

langen daher eine komplizierte Ansteuerung und sind für Speicher hoher Arbeitsgeschwindigkeit unbrauchbar.
Bei weiteren bekannten Speicherelementen mit nur zwei senkrecht aufeinanderstehenden Öffnungen sind diese Öffnungen von einer Wand getrennt, deren Stärke etwa der Stärke der anderen, die Öffnungen umgebenden Wände gleich ist. Der sich zwischen den Öffnungen befindende Bereich ist stets bis zur Sättigung magnetisiert. Die Richtung der Magnetisierung dieses Bereiches wird zur Informationsspeicherung benutzt. Bei diesen Elementen dient die eine Öffnung sowohl zum Einschreiben als auch zum Lesen der Information, während die andere Öffnung zur Zuführung des Abfragesignals dient. Dies hat den Nachteil, daß sowohl der wortorientierte als auch der bitorientierte Schreibleiter durch die gleiche Öffnung des Elementes hindurchgeführt werden muß. Daher wird die Verdrahtung eines aus solchen Elementen aufgebauten Speichers relativ kompliziert, und es können diese Elemente nur in einer Ebene dicht nebeneinander angeordnet werden. Zwischen den

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aus solchen Elementen aufgebauten Platten müssen ander fluchten, daß die Bitreihen parallel zueinander

Abstände vorhanden sein, durch die die Drähte hin- in Bitebenen und eine Anzahl solcher Bitebenen

durchgeführt werden können. derart dicht nebeneinander angeordnet sind, daß die

Es ist weiterhin bekannt, blockförmige Elemente anderen, der Abfrage dienenden Öffnungen voneinmit zwei sich kreuzenden Öffnungen so auszubilden, 5 ander in ihrer Bitstellung entsprechenden Speicher-

daß die sich kreuzenden Öffnungen dicht nebenein- elementen benachbarter Bitebenen miteinander

ander angeordnet sind und an der Kreuzungsstelle fluchten und Wortreihen bilden und daß die in den

ineinander übergehen. Diese bekannten Elemente Bitreihen miteinander fluchtenden einen Öffnungen

wurden jedoch nur als logische Elemente verwendet. und die in den Wortreihen miteinander fluchtenden Es wurde ausschließlich von einer Magnetisierung io anderen Öffnungen je von mindestens einem Leiter

Gebrauch gemacht, die jeweils nur eine der beiden durchsetzt werden.

Öffnungen umgibt. Diese Magnetisierung war stets Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sehen eine

nur mit den durch die zugeordnete Öffnung gehenden solche Leitungsführung vor, daß ein Auftreten von

Leitern gekoppelt. Mit Hilfe dieser Art von Magneti- Störsignalen oder von Rauschen auf ein Minimum

sierung ist eine Speicherung von Informationen nicht 15 reduziert wird. Weiterhin können besondere mecha-

möglich. nische Anordnungen für die Abschirmung und die

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Temperaturregelung vorgesehen sein, vorstehend behandelten Nachteile der Magnetkern- Die Erfindung ist an Hand der in der Zeichnung speicher zu vermeiden und einen Speicher zu dargestellten bevorzugten Ausführungsformen der schaffen, der sich durch einen sehr einfachen Aufbau, 20 Erfindung näher erläutert. Es zeigen insbesondere eine einfache Verdrahtung und ein- F i g. 1, 2 und 3 den Aufbau und die Wirkungsfache Organisierbarkeit auszeichnet. Diese Aufgabe weise einer bevorzugten Ausführungsform eines wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß für Elementes, wie es bei dem erfindungsgemäßen einen Speicher mit einer Diagonalmagnetisierung des Magnetkernspeicher Anwendung findet, blockartig ausgebildeten Speicherelementes ein EIe- 25 F i g. 4 ein Diagramm der bei einem Speicherment mit lediglich zwei Öffnungen verwendet wird element nach den Fig. 1 bis 3 auftretenden Strom- und die Mittel zum Hindurchleiten der Schreibströme und Spannungsimpulse,

lediglich zum Ändern der Polarität des durch die eine F i g. 5 und 6 Blockschaltbilder verschiedener Öffnung hindurchgeleiteten Schreibstromes eingerich- Ausführungsformen der Erfindung, tet sind, so daß die Diagonalmagnetisierung je nach 30 F i g. 7 eine isometrische Darstellung einer bevorder Polarität dieses Schreibstromes ihre Richtung zugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen um 90° ändert, daß die Mittel zum Abfragen so aus- Magnetkernspeichers,

gebildet sind, daß der Abfragestrom durch die andere F i g. 8 eine vergrößerte Ansicht eines Teiles des Öffnung in einem dem Schreibstrom in dieser Speichers nach F i g. 7 mit einer andersartigen VerÖffnung entgegengesetzten Sinn geleitet wird und in 35 drahtung der Bitöffnungen und der Weise wirkt, daß die durch den Schreibstrom in Fig. 9, 10 und 11 Schnitte durch Ausführungsdieser Öffnung erzeugte Magnetisierungskomponente formen der Erfindung mit anderer Verdrahtung, ihren Richtungssinn umkehrt und dadurch während In den F ig. 1, 2 und 3 ist ein einzelnes Speicherseiner Dauer die Diagonalmagnetisierung im wesent- element dargestellt, das aus einem Block 20 aus liehen aufhebt. 40 Magnetmaterial besteht, durch den sich zwei Öffnun-Bei dem erfindungsgemäßen Magnetkernspeicher gen 21 und 22 erstrecken, deren Achsen einen rechkönnen die einzelnen Elemente in Ebenen dicht bei ten Winkel miteinander bilden. Die Öffnungen sind dicht nebeneinander und auch die in benachbarten gegeneinander so versetzt, daß sich im Bereich ihrer Ebenen angeordneten Blöcke unmittelbar anein- Schnittstelle kein magnetisches Material mehr beandergrenzend angeordnet werden, so daß eine sehr 45 findet. Das blockartige Element besteht aus einem kompakte Bauweise erzielt wird. Die zum Zuführen magnetischen Werkstoff hoher Remanenz, das vorder Schreib- und Abfrageströme sowie zum Abführen zugsweise eine wenigstens annähernd rechteckige des Signals benötigten Leiter können geradlinig Hystereseschleife aufweist. Vorzugsweise bestehen durch die Öffnungen der Elemente hindurchgezogen die Blöcke aus gepreßtem Ferrit und haben eine werden. Von besonderem Vorteil ist, daß einer der 50 Größe von 1,25 X 1,25 X 2,0 mm. Durch jede der Schreibleiter immer mit dem gleichen Schreibstrom beiden Öffnungen 21 und 22 erstreckt sich ein Leiter beaufschlagt werden kann und der dazu parallele 23 bzw. 24.

Abfrageleiter mit einem Abfragestrom entgegen- Ein durch den Leiter 23 geschickter Stromimpuls gesetzter Polarität beaufschlagt wird, so daß diese erzeugt einen die Öffnung 21 umgebenden magnebeiden Leiter zweckmäßig als wortorientierte Leiter 55 tischen Fluß. Ein Strom in Richtung des in Fig. 1 verwendet werden, während der Schreibleiter, dem dargestellten Pfeiles erzeugt einen Fluß mit der durch ein Schreibstrom mit wählbarer Polarität zugeführt die Pfeile 27 angedeuteten Richtung. In ähnlicher wird, und der Ausgangsleiter bitorientiert angeordnet Weise erzeugt ein den Leiter 24 in Pfeilrichtung werden können. Hierdurch ergibt sich eine besonders durchfließender Strom einen durch die Pfeile 28 aneinfache Organisation des Speichers. Es genügt auch, 60 gedeuteten Fluß. Treten in den Leitern 23 und 24 durch jede der Öffnungen eines Speicherelementes gleichzeitig Stromimpulse auf, dann entsteht die nur einen Leiter hindurchzuführen, der dann wahl- durch die Pfeile 29 angedeutete, die beiden öffnungen weise als Schreibleiter oder als Abfrage- bzw. Aus- umgebende Magnetisierung. In F i g. 2 ist der Zugangsleiter benutzt wird. stand dargestellt, der auftritt, wenn der Strom im Demgemäß sieht eine bevorzugte Ausführungsform 55 Leiter 24 eine zu dem Strom in Fig. 1 entgegengeder Erfindung vor, daß die Speicherelemente in Bit- setzte Polarität aufweist. Der die beiden Öffnungen reihen angeordnet sind, in denen ihre von der Aus- umgebende magnetische Fluß hat dann den durch gangsleitung durchsetzten einen Öffnungen mitein- die Pfeile 30 angedeuteten Verlauf. Wenn eine die

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beiden öffnungen diagonal umgebende Magnetisie- EINS-Ausgangssignals der Polarität des NULL-rung nach F i g. 1 oder 2 vorhanden ist und an- Ausgangssignals entgegengesetzt ist. Es ist nicht erschließend nur in einem der beiden die Öffnungen forderlich, den magnetischen Werkstoff in der Sättidurchdringenden Leiter ein Strom auftritt, dann gung zu betreiben, da nur ein Teil des zur Verfügung entsteht unter der Voraussetzung, daß in den Fluß- 5 stehenden Flusses zum Schreiben und Lesen erf orderwegen an den vier Ecken des Blockes der Quer- lieh ist. Es kann deshalb die Amplitude und/oder die schnitt des magnetischen Materials gleich ist, ein Dauer der Schreibimpulse begrenzt sein, was zu Zustand, bei dem nur mehr ein Fluß um die strom- höheren Arbeitsgeschwindigkeiten und zu einer Verdurchflossene öffnung vorhanden ist, während der minderung des Leistungsbedarfs, der Verluste und die andere Öffnung umgebende Fluß verschwunden io der Erwärmung führt.

ist. Dieser Abbau oder dieses Verschwinden des die Mit dem Speicherelement läßt sich auch noch ein

andere Öffnung umgebenden Flusses induziert eine dritter Speicherzustand erzielen, indem beim Ein-

Spannung in dem diese andere Öffnung durchdringen- schreiben nur dem Leiter 23 ein Strom zugeführt

den Leiter, deren Polarität eine Funktion des Ver- wird, so daß eine die Öffnung 21 umgebende Magne-

laufs der Magnetisierung ist, die vorher die beiden 15 tisierung erzielt wird, während die Öffnung 22 von

öffnungen umgab. Wie in Fig. 3 gezeigt, hat ein keiner Magnetisierung umgeben ist. Infolgedessen

Strom im Leiter 23, dessen Richtung dem Strom entsteht beim Abfragen keine Änderung einer die

gemäß F i g. 1 entgegengerichtet ist, einen die Öff- Öffnung 22 umgebenden Magnetisierung und in-

nung 21 in Richtung der Pfeile 31 umgebenden folgedessen auf der Leitung 24 kein Ausgangssignal.

Magnetfluß und einen Zusammenbruch des vorher 20 Bei dem Ausführungsbeispiel nach den F i g. 1

den Leiter 24 umgebenden Flusses zur Folge. Durch bis 3 werden die beiden Öffnungen 21 und 22 des

das Verschwinden des den Leiter 24 umgebenden Speicherelementes 20 jeweils von einem Draht 23

Flusses wird in diesem Leiter ein Spannungsimpuls bzw. 24 einmal durchsetzt. Statt dessen kann ein

erzeugt. Leiter durch eine Öffnung auch mehrfach hindurch-

Das beschriebene Speicherelement dient zur 25 geführt werden, was zu einer Erhöhung der Ampere-Speicherung einer binären Ziffer und liefert ein windungszahl führt, so daß zur Erzeugung der gebipolares Ausgangssignal. Zur Erläuterung der wünschten Magnetisierung ein niedrigerer Strom Arbeitsweise dieses Speicherelementes sei angenom- ausreicht. Weiterhin können bei Bedarf in einer oder men, daß sich das Element zunächst in dem in F i g. 1 in beiden Öffnungen getrennte Leiter zum Schreiben dargestellten Zustand befindet, in dem eine Diagonal- 30 und Lesen verwendet werden. So ist bei dem System magnetisierung mit dem durch die Pfeile 29 ange- nach F i g. 5 in jeder der beiden Öffnungen der deuteten Verlauf beide Öffnungen umgibt. Wird nun Speicherelemente nur jeweils ein Leiter 51 bzw. 52 gemäß F i g. 3 auf der Leitung 23 ein Abfragestrom- angeordnet. Mit dem Leiter 51 ist eine wortorientierte impuls 34 erzeugt und das Speicherelement in den in Schreibstrom- und Abfragestromquelle 53 verbunden. F i g. 3 veranschaulichten Zustand übergeführt, bei 35 Mit dem Leiter 52 ist über einen Lese-Schreib-Schaldem die Diagonalmagnetisierung 29 verschwunden ter 56 eine bitorientierte Schreibsitromquelle 54 und ist, so wird im Leiter 24 als Ausgangssignal ein ein Ausgangssignalverstärker 55 verbunden. Statt Spannungsimpuls 35 erzeugt, der das Signal für eine eines echten Schalters 56 kann auch eine von Dioden binäre EINS darstellen soll. Anschließend werden gebildete Entkopplungsschaltung Verwendung finden, gleichzeitig im Leiter 23 ein Stromimpuls 36 und im 40 Bei der Ausführungsform nach F i g. 6 weisen die Leiter 24 ein Stromimpuls 37 erzeugt, um die in Elemente des Speichers 60 in der einen Öffnung wort-F i g. 2 veranschaulichte Diagonalmagnetisierung 30 orientierte Leiter 61 und 62 und in der anderen zu erzeugen und dadurch im Element eine binäre öffnung bitorientierte Leiter 63 und 64 auf. Mit dem NULL zu speichern. Durch die während dieser Leiter 61 ist eine Schreibstromquelle 65 und mit dem Schreiboperation auftretende Änderung des die 45 Leiter 62 eine Abfragestromquelle 66 verbunden. Der Öffnung 22 umgebenden Flusses wird in dem die Leiter 63 ist mit einer Schreibstromquelle 67 und der öffnung 22 durchdringenden Leiter 24 ein Span- Leiter 64 mit einem Ausgangsverstärker 68 vernungsimpuls 38 erzeugt. Dieser Spannungsimpuls bunden.

bleibt jedoch unberücksichtigt. Gewöhnlich wird Wie aus F i g. 7 ersichtlich, können die einzelnen

während der Schreiboperation der Ausgangssignal- 50 Speicherelemente zu einer kompakten Einheit zu-

verstärker von der Leitung 24 abgetrennt. sammengefügt werden. Dabei werden die Elemente

Ein weiterer Abfragestromimpuls 39 führt das 20 zu Reihen 70 zusammengefügt, in denen die Element wieder in den in F i g. 3 gezeigten Zustand Öffnungen aller Elemente miteinander fluchten, durch über. Dabei wird ein Ausgangsimpuls 40 erzeugt, die das Ausgangssignal abgeführt wird. Wie erwähnt, dessen Polarität zu der Polarität des Spannungs- 55 sind diese Öffnungen bitorientiert, so daß die Reihen impulses 35 entgegengesetzt ist und der für die ge- 70 auch als Bitreihen bezeichnet werden können, speicherte binäre NULL charakteristisch ist. Es kann Diese Bitreihen werden wiederum parallel zueindann eine binäre EINS durch gleichzeitiges Auf- ander zu Bitebenen 71 angeordnet. Weiterhin wird treten von Schreibimpulsen 41 und 42 gespeichert eine Anzahl von Bitebenen derart parallel nebenwerden. Es kann aber auch wieder in der vorher 60 einander angeordnet, daß sich die aus F i g. 7 ersichtbeschriebenen Weise eine binäre NULL einge- liehe Speichereinheit ergibt, in der die anderen, wortschrieben werden. orientierten Öffnungen entsprechender Elemente der

Die Polarität der gespeicherten Information ist Ebenen miteinander fluchten. Wie aus F i g. 7 ersicht-

eine Funktion der Polarität der Schreibströme. Die lieh, können die einzelnen Elemente unmittelbar

Amplitude der Ausgangssignale hängt von der Am- 65 aneinanderliegen. Unter Verwendung von 32 EIe-

plitude und der Dauer der Schreibströme ab. Vor- menten in einer Bitreihe, 32 Bitreihen in einer

zugsweise wird dafür Sorge getragen, daß die Ampli- Bitebene und von zwölf Bitebenen kann eine Anord-

tude der Ausgangssignale gleich und die Polarität des nung zur Speicherung von 1024 Wörtern mit je

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zwölf Bits geschaffen werden. Werden Elemente mit F i g. 9 veranschaulicht, die einen Schnitt durch eine einer Abmessung von 1,25 X 1,25 X 2,0 mm ver- Bitebene darstellt, die aus vier Bitreihen besteht, von wendet, dann besitzt die gesamte Speichereinheit denen jede vier Elemente aufweist. Es ist eine einzige eine Größe von 40 X 62 X 15 mm. Leitungsschleife dargestellt, die den Schreibstrom Eine derartige Speichereinheit läßt sich leicht und 5 oder das Ausgangssignal oder den Schreibstrom und schnell verdrahten. In die miteinander fluchtenden das Ausgangssignal führen kann. Durch die öffnun-Öffnungen der jedem Wort zugeordneten Elemente gen der Bitreihen ist serpentinenförmig ein Leiter 80 wird ein Leiter 72 für die wortorientierten Schreib- hindurchgeführt, der dann über das Ende der Bit- und Abfrageströme eingezogen. Diese geradlinig hin- ebene in einer Schleife 81 hinweggeführt und wieder durchgeführten Leiter können mit einem Wortwähl- io durch die öffnungen der Bitreihen serpentinenförmig schalter 73 verbunden werden, der mit einer Lese- zurückgeführt ist, so daß jedes Element von dem und Abfragestromquelle 74 verbunden ist. Der Leiter zweifach durchdrungen wird. Diese außer-Wortwählschalter 73 kann durch ein übliches Adres- ordentlich einfache Form der Leitungsführung versiersystem betätigt werden, um ein bestimmtes Wort ringert auch die Wirkungen von Streufeldern, da die des Speichers zum Einschreiben oder Lesen von 15 mit B und D bezeichneten Leiterschleifen die mit A, Informationen auszuwählen. Für jede Bitebene dieses C und I bezeichneten Leiterschleifen neutralisieren, wortorientierten Speichers ist ein einziger Leiter 75 In der der Rückführung dienenden Schleife 81 kann vorgesehen, der durch die ausgerichteten Bitöffnun- im Leiter eine Abschlußimpedanz vorgesehen sein, gen einer Bitreihe hindurchläuft, durch die ausgerich- um die Reflexion von Spannungen zu verhindern, für teten Öffnungen der nächsten Bitreihe dieser Ebene 20 die die beiden Teile der Leitungsschleife als Überzurückläuft usw., so daß der Leiter 75 Serpentinen- tragungsleitung wirken.

förmig durch jedes Element der Bitebene hindurch- Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform der geführt ist. In jeder anderen Bitebene ist ein gleicher Leitungsführung für den die Bitöffnungen durchdrin-Leiter vorgesehen. genden Schreib- und/oder Ausgangssignalleiter. Bei der in F i g. 7 dargestellten Anordnung ist in 25 Fi g. 10 stellt einen Schnitt durch eine aus viermal den Wortöffnungen und auch in den Bitöffnungen acht Elementen bestehende Bitebene dar. Durch die jeweils nur ein einziger Leiter vorgesehen. F i g. 8 fluchtenden Öffnungen der ersten Bitreihe ist ein zeigt einen Ausschnitt der Speichereinheit nach Leiter 85 hindurchgeführt, der unter Auslassung dear F i g. 7 in vergrößertem Maßstab, bei der eine andere nächstfolgenden Reihe durch die öffnungen der über-Art der Verdrahtung gewählt ist. Zwar ist wie bei der 30 nächsten Reihe wieder zurückgeführt ist usw. Auf Ausführungsform nach F i g. 7 nur jeweils ein ein- diese Weise erstreckt sich der Leiter 85 serpentinenziger die Wortöffnungen durchdringender Leiter 72 förmig bis zum anderen Ende der Ebene, von dem vorgesehen, jedoch werden die Bitöffnungen von aus der Leiter serpentinenförmig durch die vorher zwei Leitern 77 und 78 durchsetzt, von denen der ausgelassenen Reihen zurückgeführt ist. Leiter 77 zur Zuführung des Schreibstromes und der 35 Wenn für den Schreibstrom und das Ausgangs-Leiter 78 zum Abführen des Ausgangssignals dient. signal je ein Leiter Verwendung findet, kann ein Der Schreibstromleiter77 ist durch die Elemente nach Fig. 10 geführter Leiter zusammen mit einem einer Bitebene in der gleichen Weise hindurchgeführt nach F i g. 9 geführten Leiter Verwendung finden. Bei wie der Leiter 75 nach F i g. 7, während der Leiter einer derartigen Leitungsanordnung besteht keine 78 in entgegengesetzter Richtung wie der Leiter 77 40 magnetische Kopplung zwischen dem Ausgangsleiter geführt ist. Statt dessen könnten auch beide Leiter und dem Schreibleiter. Die durch die Schreibströme parallel zueinander oder in der noch zu beschreiben- induzierten Spannungen sind in den beiden Hälften den Weise verlaufen. einer von dem Leiter durchsetzten Gesamtzahl von Der in den F i g. 7 und 8 dargestellte Magnetkern- Elementen gegensinnig. Infolgedessen werden wähspeicher hat mehrere beachtliche Vorteile. Die durch 45 rend des Anstiegs und des Abfalls des Schreibstromes eine an eine Wortwählleitung angelegte Spannung auf den Ausgangsleiter keine induzierten Spannunbedingte Flußänderung ist unabhängig von der Korn- gen gekoppelt, die auf eine Elementkopplung zurückbination der gespeicherten, das Wort bildenden zuführen sind. Daher werden durch die Erfindung Einsen und Nullen. Daher hat die von dem Leiter Speicheranordnungen ermöglicht, bei denen das gebildete Schleife beim Schreiben und Abfragen stets 50 Lesen der Informationen schon sehr schnell nach dem die gleiche Impedanz, wodurch insbesondere bei Einschreiben möglich ist, und es können sehr große großen Wortlängen und der Verwendung magne- Speichersysteme Verwendung finden, ohne daß sich tischer Wortwählschalter die Anforderungen an die aus für den Leseverstärker benötigten Abklingzeiten Treiberverstärker vermindert werden. Weiterhin Schwierigkeiten ergeben.

können verhältnismäßig große Störungen der Bit- 55 Eine weitere Ausführungsform für eine zwei Schleischreibströme geduldet, werden, ohne daß die Polari- fen bildende Leitungsführung ist in Fig. 11 dartät der gespeicherten Einsen und Nullen verlorengeht. gestellt. Ein Leiter 86 ist durch die Reihen der Bit-Dieses Merkmal ist besonders für große Anordnun- ebene in der gleichen Weise hindurchgeführt wie der gen wichtig, die eine Kapazität von tausend und Leiter 85 nach F i g. 10. Der Leiter 86 durchläuft zumehr Wörtern aufweisen. Die Abfrageströme ver- 60 nächst in der einen Richtung den einen Teil der laufen rechtwinklig zu den Ausgangssignalleitern, Reihen und in der entgegengesetzten Richtung den wodurch eine elektrostatische Kopplung und eine anderen Teil. Anschließend wird dann der Leiter 86 elektromagnetische Kopplung zwischen den relativ erneut durch die Reihen hin und zurück hindurchgroßen Abfrageströmen und den Ausgangsleitern geführt, indem er durch den zweiten Teil der Reihen vermieden wird. 65 in der ersten Richtung und durch den ersten Teil der

In gewissen Fällen können andere Formen der Reihen in der zweiten Richtung hindurchläuft.

Leitungsführung in der Bitebene von Vorteil sein. Bei einigen Anwendungsfällen kann eine Abschir-

Eine solche andere Form der Leitungsführung ist in mung und/oder Wärmestabilisierung und ein Wärme-

ausgleich zwischen den Elementen oder zwischen Elementengmppen erwünscht sein. Zu diesem Zweck können zwischen die von den Elementen gebildeten Ebenen Platten aus einem geeigneten Material eingesetzt sein. Die Platten können längs einer, zweier oder aller drei Ebenen angeordnet und zur Hindurchführung der Leitungen mit geeigneten öffnungen versehen sein.

Claims (12)

Patentansprüche:

1. Magnetkernspeicher mit blockartig ausgebildeten Speicherelementen, die mehrere senkrecht aufeinanderstellend angeordnete, an den Kreuzungsstellen ineinander übergehende öffnungen aufweisen, mit Mitteln, um durch zwei öffnungen der Speicherelemente zugleich Schreibströme wählbarer Polarität und solcher Stärke hindurchzuleiten, daß die Information in Form einer beide öffnungen umgebenden Diagonalmagnetisierung, deren von der Richtung der Schreibströme abhängige Richtung für das Zeichen charakteristisch ist, speicherbar ist, mit weiteren Mitteln zum Abfragen des jeweils gespeicherten Magnetisierungszustandes und mit einer die eine der Schreiböffnungen durchsetzenden Ausgangsleitung, dadurch gekennzeichnet, daß ein Element (20) mit lediglich zwei Öffnungen (21 und 22) verwendet wird und die Mittel (53, 54) zum Hindurchleiten der Schreibströme lediglich zum Ändern der Polarität des durch die eine Öffnung (22) hindurchgeleiteten Schreibstromes eingerichtet sind, so daß die Diagonalmagnetisierung je nach der Polarität dieses Schreibstromes ihre Richtung um 90° ändert, daß die Mittel (53) zum Abfragen so ausgebildet sind, daß der Abfragestrom durch die andere Öffnung (21) in einem dem Schreibstrom in dieser Öffnung entgegengesetzten Sinn geleitet wird und in der Weise wirkt, daß die durch den Schreibstrom in dieser öffnung erzeugte Magnetisierungskomponente ihren Richtungssinn umkehrt und dadurch während seiner Dauer die Diagonalmagnetisierung im wesentlichen aufhebt.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Öffnungen (21 und 22) jedes Speicherelementes (20) von je einem Leiter (23 bzw. 24) durchsetzt sind, von denen der die eine Öffnung (22) durchsetzende Leiter (24) zum Zuführen des Schreibstromes wählbarer Polarität und Abführen des Ausgangssignals und der die andere öffnung (21) durchsetzende Leiter (23) zum Zuführen des Schreibstromes unveränderbarer Polarität und des Abfragestromes dient.

3. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Öffnung (22) jedes Speicherelementes (20) von einem Leiter (77) zum Zuführen des Schreibstromes wählbarer Polaritat und einem zweiten Leiter (78) zum Abführen eines Ausgangssignals durchsetzt wird.

4. Speicher nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die andere öffnung jedes Speicherelementes von einem Leiter zum Zuführen des Schreibstromes unveränderbarer Polarität und einem zweiten Leiter zum Zuführen des Abfragestromes durchsetzt wird.

5. Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente (20) in Bitreihen (70) angeordnet sind, in denen ihre von der Ausgangsleitung (75) durchsetzten einen Öffnungen (22) miteinander fluchten, daß die Bitreihen (70) parallel zueinander in Bitebenen (71) und eine Anzahl solcher Bitebenen derart dicht nebeneinander angeordnet sind, daß die anderen, der Abfrage dienenden Öffnungen (21) von einander entsprechenden Speicherelementen benachbarter Bitebenen miteinander fluchten und Wortreihen bilden, und daß die in den Bitreihen (70) miteinander fluchtenden einen Öffnungen (22) und die in den Wortreihen miteinander fluchtenden anderen Öffnungen (21) je von mindestens einem Leiter (75 bzw. 72) durchsetzt sind.

6. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter (75), die die in den Bitreihen (70) miteinander fluchtenden einen öffnungen (22) der Speicherelemente (20) durchsetzen, jeweils durch die Bitreihen einer Bitebene (71) εβφβη&βηΐατπιΐ^ hindurchgeführt sind.

7. Speicher nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Elemente (20) der Bitreihen einer Bitebene ein Leiter in der Weise hindurchgeführt ist, daß er entsprechende Querschnittsflächen des magnetischen Werkstoffes in entgegengesetzten Richtungen mehrfach derart umschlingt, daß die in jeder der beiden Richtungen umschlossenen Gesamtquerschnittsflächen gleich sind.

8. Speicher nach den Ansprüchen 3 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß der eine der beiden Leiter (80, 81) über das Ende der Bitebene schleifenförmig hinweggeführt und dann wieder serpentinenförmig durch jede Reihe hindurchgeführt ist, so daß die Bitöffnungen jeder Bitreihe von dem Leiter in der gleichen Richtung zweifach durchsetzt werden, wogegen der andere Leiter (85) hintereinander nur durch die Bitöffnungen jeder zweiten Bitreihe hindurch und dann durch die Bitöffnungen der ausgelassenen Bitreihen zurückgeführt ist.

9. Speicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der andere Leiter (86), nachdem er alle Bitreihen einmal durchlaufen hat, erneut in der Weise durch die Bitreihen hindurchgeführt ist, daß er zuerst hintereinander die beim ersten Durchlauf ausgelassenen Bitreihen und dann die übrigen Bitreihen durchläuft, so daß alle Bitreihen von dem Leiter jeweils in gleicher Richtung zweimal durchlaufen werden.

10. Speicher nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem die Bitöffnung durchdringenden Leiter zwischen seinen beiden serpentinenförmigen Abschnitten ein Impedanzelement eingeschaltet ist.

11. Speicher nach einem der Ansprüche 5 bis

10, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Elemente im Bereich ihrer rechtwinklig aufeinanderstellenden Flächen aneinander anliegen.

12. Speicher nach einem der Ansprüche 5 bis

11, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Elementen zueinander parallele Wärmeableitplatten angeordnet sind, die an den in einer Ebene liegenden Flächen der Elemente anliegen.

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