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DE1265795B - Transistorschaltung zur Verwendung als Oszillator, Frequenzmodulator oder Verzoegerungskette - Google Patents

Transistorschaltung zur Verwendung als Oszillator, Frequenzmodulator oder Verzoegerungskette

Info

Publication number
DE1265795B
DE1265795B DEJ25163A DEJ0025163A DE1265795B DE 1265795 B DE1265795 B DE 1265795B DE J25163 A DEJ25163 A DE J25163A DE J0025163 A DEJ0025163 A DE J0025163A DE 1265795 B DE1265795 B DE 1265795B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
oscillator
grid
transistor circuit
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEJ25163A
Other languages
English (en)
Inventor
Richard Taylor
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE1265795B publication Critical patent/DE1265795B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/26Time-delay networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C3/00Angle modulation
    • H03C3/10Angle modulation by means of variable impedance
    • H03C3/12Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
    • H03C3/14Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element simulated by circuit comprising active element with at least three electrodes, e.g. reactance-tube circuit
    • H03C3/145Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element simulated by circuit comprising active element with at least three electrodes, e.g. reactance-tube circuit by using semiconductor elements

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

  • Transistorschaltung zur Verwendung als Oszillator, Frequenzmodulator oder Verzögerungskette Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltung, bestehend aus einem Halbleiter mit einer Speiseelektrode mit Überschußleitung, einer Ladeelektrode mit Mangelleitung und mehreren dazwischen angeordneten, vorgespannten Gitterelektroden mit Mangelleitung.
  • Bei einer als Modulatorschaltung ausgebildeten Schaltung aus der deutschen Auslegeschrift 1099 081 wird einer zwischen zwei Gitterelektroden eingespeisten Eingangsspannung eine zwischen einer Gitterelektrode und der Ladeelektrode eingespeiste Modulationsspannung überlagert. Der Stromfluß in dem Halbleiter wird also bei dieser bekannten Schaltung durch die Gitterelektroden gesteuert.
  • Bei Transistoren der hier in Frage stehenden Art besteht zwischen derjenigen Gitterelektrode, die der Speiseelektrode am nächsten liegt, und der Ladeelektrode eine Phasenverschiebung, deren Größe abhängig ist von der Vorspannung der übrigen Gitterelektroden.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, diese Phasenverschiebung zum Betrieb von Transistorschaltungen der eingangs genannten Art als Oszillatoren nutzbar zu machen.
  • Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die der an ein festes Bezugspotential angeschlossenen Speiselektrode am nächsten gelegene Gitterelektrode über eine einfache Kapazität an die über eine Belastung an eine gegenüber dem festen Bezugspotential positive Spannung angeschlossene Ladeelektrode rückgekoppelt ist und daß die beiden restlichen Gitterelektroden an eine gegenüber dem festen Bezugspotential positive Vorspannung angeschlossen sind, die derart bemessen ist, daß die Schaltung als Oszillator betreibbar ist.
  • Wegen der erwähnten Phasenverschiebung ist die Transistorschaltung nach der Erfindung selbstschwingend allein durch die Verwendung der Rückkopplungskapazität und eine entsprechende Bemessung der Vorspannungen. Weitere äußere phasenschiebende Glieder, wie z. B. RC- oder LC-Glieder, sind dabei nicht erforderlich.
  • Da die Phasenverschiebung von der Vorspannung der übrigen Gitterelektroden abhängig ist, läßt sich eine Oszillatorschaltung nach der Erfindung auch einfach als Frequenzmodulator betreiben, indem die Vorspannung der der Ladeelektrode am nächsten gelegenen Gitterelektrode veränderbar ist. Als Spannungsquelle für die Vorspannung dieser Gitterelektrode kann man dann eine Wechselspannungsquelle vorsehen, die die Modulationsspannung erzeugt.
  • Die phasenschiebende Wirkung von Transistoren dieser Art gestattet es, eine besonders einfache Verzögerungskette aufzubauen. Zu diesem Zweck werden gemäß einer zweckmäßigen Weiterbildung der Erfindung mehrere solcher Transistoren in Reihe geschaltet und so vorgespannt, daß die erwähnte Phasenverschiebung auftritt. Die Kapazität, die einerseits an die Ladeelektrode angeschlossen ist und bei Anwendung der Erfindung als Oszillatorschaltung an die eine Gitterelektrode des gleichen Transistors angeschlossen ist, wird statt dessen an die Gitterelektrode des Transistors der nächstfolgenden Schaltstufe angeschlossen. Von Stufe zu Stufe besteht dann in der Schaltung eine Phasenverschiebung und damit eine Verzögerung.
  • Eine solche Verzögerungskette hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, weil sie einerseits nur sehr wenige Bauelemente erfordert und andererseits das zu verzögernde Signal beim Durchlauf durch die Verzögerungskette keinen Energieverlust erleidet.
  • Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt F i g. 1 den Schaltplan einer Oszillatorschaltung nach der Erfindung und F i g. 2 den Schaltplan einer Verzögerungsschaltung nach der Erfindung.
  • Bei der in F i g. 1 dargestellten Oszillatorschaltung ist ein mit fünf Elektroden ausgestatteter Transistor 1 als phasenschiebendes Glied vorgesehen. Der Transistor 1 besteht aus einem Streifen 2, aus Halbleitermaterial mit einer am oberen Ende aufgeschweißten P-Elektrode 3 aus geeignetem Material, z. B. Indium, und einer N-Elektrode 4 aus geeignetem Material, z. B. einer Blei-Zinn-Arsen-Legierung,: die am unteren Ende des Streifens 2 aufgeschweißt ist. Außerdem sind drei weitere P-Elektroden 5, 6 und 7 seitlich an dem Streifen 2 aufgeschweißt. Im folgenden werden die P-Elektrode 3 »Ladeelektrode«, die N-Elektrode 4 »Speiseelektrode« und die P-Elektroden 5, 6 und 7 »Gitterelektroden« genannt. An der Ladeelektrode 3 liegt über dem Widerstand 8 eine Vorspannung -f- Vi, und an der Gitterelektrode 6 liegt über einen einen Widerstand 9 und eine Kapazität 10 enthaltenden Koppelkreis eine Vorspannung + VZ. An die Gitterelektrode 5 ist über einen einen Widerstand 12 und eine Kapazität 13 enthaltenden Koppelkreis eine veränderliche Spannungsquelle 11 angeschlossen. Die Speiselektrode ist direkt und die Gitterelektrode 7 ist über einen ohmschen Widerstand 18 an ein Bezugspotential 14 angeschlossen.
  • In dieser Schaltungsanordnung ist der Transistor leitend, und zwar treten von der Ladeelektrode 3 Löcher und von der Speiselektrode 4 Elektronen in den Streifen 2. Die Vorspannungen an den Gitterelektroden 5 und 6 dienen dazu, Raumladungen zu vermeiden.
  • Die Ladeelektrode 3 ist über eine Kapazität 15 mit der Gitterelektrode 7 verbunden. Auf diese Weise wird ein Teil der Ausgangsspannung von der Ladeelektrode 3 als Eingangssignal an die Gitterelektrode 7 zurückgekoppelt.
  • Es hat sich gezeigt, daß unter bestimmten Vorspannungsbedingungen eine an der Gitterelektrode 7 eingespeiste Spannung um 360° phasenverschoben wird. Durch ein Eingangssignal, das an dem Eingangsanschluß 16 der Gitterelektrode 7 eingespeist wird, entsteht dann an dem Ausgangsanschluß 17 ein Ausgangssignal, das gegenüber dem Eingangssignal am Eingangsanschluß 16 um 360° phasenverschoben ist. Wenn das Ausgangssignal am Anschluß 17 an den Eingangsanschluß 16 rückgekoppelt wird, dann werden Schwingungen angeregt und die Anordnung wirkt als Phasenschieber-Oszillator. Diese Schaltungsanordnung ist gegenüber den üblichen Röhren- oder Transistor-Oszillatoren vorteilhaft, weil keine RC- oder LGGlieder in der Rückkopplungsleitung benötigt werden. Es hat sich auch gezeigt, daß die Schaltungsanordnung mit höherem Verstärkungsgrad betrieben werden kann als die erwähnten bekannten Anordnungen.
  • Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 sind die Schaltelemente und Spannungen wie folgt bemessen:
    V1 ............................. -f-30 V
    VZ ............................. -f- 5,6 V
    Spannungsquelle 11 .............. -I- 8 V
    Widerstand 8 .................... 4,7 k0
    Widerstand 9 .................... 30S2
    Widerstand 12 ................... 309
    Kapazität 10 .................... 25 #tF
    Kapazität 13 .................... 25 #tF
    Kapazität 15 .................... 160 #tF
    Bei diesen Bemessungen entsteht am Ausgangsanschluß 17 eine Sinusschwingung von 80 kHz. Die Anordnung arbeitet mit der üblichen Spannungsverstärkung und deshalb auch mit der üblichen oder einer größeren Leistungsverstärkung, bezogen auf die Anschlüsse 16 und 17.
  • Die in F i g. 1 dargestellte Schaltungsanordnung kann als stabiler Oszillator verwendet werden, wobei, wie bereits erwähnt, keine LC- oder RC-Glieder erforderlich sind. Die Schwingungsfrequenz kann durch die Vorspannung der Gitterelektrode 5 verändert werden. Die Frequenz ist bei den angegebenen Bemessungen zwischen 10 und 100 kHz einstellbar. Die Spannung der Spannungsquelle 11 liegt dann ungefähr zwischen 7,75 und 8,25 V. Die Anordnung kann auch als Frequenzmodulator betrieben werden. In einem solchen Fall wird die Spannung der Spannungsquelle 11 und damit die Vorspannung der , Gitterelektrode 5 nach der vorgesehenen Modulation verändert. Wenn z. B. die Spannung der Spannungsquelle 11 mit einer Frequenz von 50 kHz zwischen 7,75 und 8,25 V wechselt, dann entsteht an dem Ausgangsanschluß 17 ein frequenzmoduliertes Ausgangssignal mit einer Modulationsfrequenz zwischen 10 und 100 kHz und einetTrägerfrequenz von 50 kHz.
  • F i g. 2 zeigt eine Verzögerungskette nach der Erfindung. Bei der in F i g. 2 dargestellten Schaltung sind mehrere Transistoren, wie sie auch bei dem in F i g. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel vorgesehen sind, in Serie geschaltet. Der Ausgangsanschluß 17 eines jeden Transistors 1 ist über eine Kapazität 15 an die Gitterelektrode 7 des nächstfolgenden Transistors gekoppelt. Diese Kopplung entspricht der Rückkopplungsleitung zwischen dem Ausgangsanschluß 17 und der Gitterelektrode 7 aus F i g. 1. Bei der in F i g. 2 dargestellten Schaltungsanordnung ist beabsichtigt, daß die Transistoren, für die keine Rückkopplung vorgesehen ist, nicht schwingen.
  • Unter den oben angegebenen Vorspannungsbedingungen (die Spannung V3 der Spannungsquelle 11 beträgt -f-8 V) besteht eine Phasenverschiebung von 360° von Transistor zu Transistor. Demzufolge wird eine Schwingung von Stufe zu Stufe S,., SE . . ..Sn um jeweils eine volle Schwingung verzögert. Ein Eingangssignal, das bei der Gitterelektrode 7 eingespeist wird, ist an dem Ausgangsanschluß 17 der ersten Schaltstufe S, um eine volle Schwingung verzögert. Dieses Ausgangssignal gelangt an die Gitterelektrode 7 der zweiten Schaltstufe S2 und wird in der zweiten Schaltstufe wiederum um eine volle Schwingung verzögert, so daß das Ausgangssignal am Ausgangsanschluß - 17 der zweiten Schaltstufe S, gegenüber dem Eingangssignal, das in die Gitterelektrode 7 der ersten Schaltstufe S1 eingespeist wurde, um insgesamt zwei volle Schwingungen verzögert ist. In entsprechender Weise wird die Schwingung in jeder Schaltstufe um eine volle Schwingungsperiode verzögert, so daß sie am Ausgangsanschluß 17 der n-ten Schaltstufe S. um insgesamt n volle Phasen verzögert ist. Durch Verändern der Vorspannung der Gitterelektroden 5 oder 6 kann die Verzögerung in der entsprechenden Stufe verringert werden, so daß sie in dieser Stufe nicht mehr eine volle Periode beträgt.
  • Die beschriebenen Ausführungsbeispiele zeigen, daß die nach der Erfindung vorgesehene Oszt-llatoranordnung einerseits vorteilhaft als Schwingungsgenerator Anwendung finden kann, wobei in vorteilhafter Weise RC- und LC-Glieder in der Rückkopplungsleitung entbehrlich sind. Andererseits können Oszillatoranordnungen dieser Art mit wenigen Änderungen zu einer Verzögerungskette zusammengefaßt werden, die vorteilhaft ist, weil die Verzögerung ohne Energieverlust in dem verzögerten Signal erfolgt.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Transistorschaltung, bestehend aus einem Halbleiter mit einer Speiselektrode mit Überschußleitung, einer Ladeelektrode mit Mangelleitung und mehreren dazwischen angeordneten, vorgespannten Gitterelektroden mit Mangelleitung, d a d u r c h gekennzeichnet, daß die der an ein festes Bezugspotential (14) angeschlossenen Speiseelektrode (4) am nächsten gelegene Gitterelektrode (7) über eine einfache Kapazität (15) an die über eine Belastung (8) an eine gegenüber dem festen Bezugspotential (14) positive Spannung V1 angeschlossene Ladeelektrode (3) rückgekoppelt ist und daß die beiden restlichen Gitterelektroden (5, 6) an eine gegenüber dem festen Bezugspotential (14) positive Vorspannung V2 (11) angeschlossen sind, die derart bemessen ist, daß die Schaltung als Oszillator betreibbar ist.
  2. 2. Transistorschaltung zur Verwendung als Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung (11) der der Ladeelektrode (3) am nächsten gelegenen Gitterelektrode (5) veränderbar ist.
  3. 3. Transistorschaltung zur Verwendung als Oszillator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Frequenzmodulation des Oszillators dadurch bewirkt wird, daß als Spannungsquelle (11) für die Vorspannung V3 der Gitterelektrode (5) eine Wechselspannungsquelle vorgesehen ist.
  4. 4. Abänderung der Transistorschaltung nach Anspruch 1 zur Verwendung als Verzögerungskette, gekennzeichnet durch mehrere in Serie geschaltete, nach Anspruch 1 ausgebildete und vorgespannte Transistoren (1), bei denen die Ladeelektroden (3) über je eine Kapazität (15) jeweils an die der Speiseelektrode (4) am nächsten gelegene Gitterelektrode (7) des Transistors (1) der nächstfolgenden Stufe (S,, S2 ... Sn) angeschlossen sind. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1007 887, 1025 994, 1099081.
DEJ25163A 1963-01-25 1964-01-22 Transistorschaltung zur Verwendung als Oszillator, Frequenzmodulator oder Verzoegerungskette Pending DE1265795B (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2484149A1 (fr) * 1980-06-04 1981-12-11 Labo Electronique Physique Dephaseur constitue par un transistor, a effet de champ, a double grille de type schottky

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1007887B (de) * 1952-03-14 1957-05-09 Western Electric Co Halbleiterverstaerker
DE1025994B (de) * 1954-08-09 1958-03-13 Deutsche Bundespost Halbleiteranordnung zur Gleichrichtung, Steuerung oder Verstaerkung elektrischer oder photoelektrischer Stroeme
DE1099081B (de) * 1958-05-15 1961-02-09 Gen Electric Spacistor mit einem in Sperrichtung vorgespannten pin-Halbleiterkoerper und mit einer injizierenden Elektrode und einer nicht injizierenden Modulator-Elektrode auf der i-Zone

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