DE1242972B - Verfahren zum AEtzen von SiC - Google Patents
Verfahren zum AEtzen von SiCInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5361—Etching with molten material
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Description
DeutscheKl.: 48 dl-1/00
AUSLEGESCHRIFT
Nummer: 1242 972
Aktenzeichen: J 25392 VI b/48 dl
1 242 972 Anmeldetag: 6.Märzl964
Auslegetag: 22. Juni 1967
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von Silizium-Karbid.
Bei der Herstellung von Halbleiterelementen, wie Dioden, Transistoren od. dgl., wird im weitesten Umfang
die Ätztechnik verwendet, da sie es wie kaum eine andere Technik der Materialbearbeitung ermöglicht,
kleine und kleinste Körper in einfacher Weise zu bearbeiten. Ein besonderer Vorteil dieser Technik
ist darin begründet, daß bei Verwendung von ausschließlich oder bevorzugt mit bestimmten Materialien
reagierenden Ätzmitteln eine Bereichsselektion bei aus verschiedenen Substanzen bestehenden Körpern
oder bei Verwendung von aus geeigneten Substanzen bestehenden Masken möglich ist.
Für die zahlreichen bekanntgewordenen Halbleiter und für die verschiedenen bei ihrer Bearbeitung auftretenden
Aufgaben wurde eine Vielfalt von Ätzmitteln und Ätzverfahren angegeben, mit denen in den
einzelnen Aufgabenbereichen optimale Ergebnisse erzielt werden konnten. ao
Alle bisher bekanntgewordenen Ätzmittel und Ätzverfahren haben sich aber bei der Bearbeitung von
SiC als unbrauchbar erwiesen, da sie eine unsymmetrische Abtragung des dem Ätzverfahren ausgesetzten
Materials bewirken, die für die meisten Anwendungen nachteilig ist. Diese Nachteile treten auch bei den
besonders für SiC geeigneten Alkaliätzverfahren auf.
Um diese Nachteile zu vermeiden und eine rationelle Bearbeitung des in der Halbleitertechnik immer
mehr Bedeutung erlangenden SiC zu ermöglichen, wird gemäß der Erfindung ein Verfahren zum Ätzen
von Silizium-Karbid vorgeschlagen, bei dem die zu ätzenden Körper bzw. Flächen, nachdem sie durch
mechanische Mittel auf eine Rauhtiefe von vorzugsweise unter 1 μ poliert, im Ultraschall gereinigt, mit
HFHNO3 gewaschen und mit Aqua destillata und Alkohol gespült wurden, in eine aus Na2O2 und
NaNO2 bestehende Schmelze eingebracht werden.
Verfahren zum Ätzen von SiC
Anmelder:
IBM Deutschland Internationale
Büro-Maschinen Gesellschaft m. b. H.,
Sindelf ingen, Tübinger Allee 49
Büro-Maschinen Gesellschaft m. b. H.,
Sindelf ingen, Tübinger Allee 49
Als Erfinder benannt:
Ekkehard Ebert, Böblingen (Württ.);
Werner Spielmann,
Dachtal Post Deufringen (Württ.)
Als besonders vorteilhaft hat sich dabei der Temperaturbereich von 400 bis 600° C erwiesen. Als
günstig hat sich ein Mischungsverhältnis der genannten Substanz von 1:1 erwiesen, doch sind auch
andere Mischungsverhältnisse möglich, die für besondere Anwendungen unter Umständen weitgehend
vom Verhältnis 1:1 abweichen können. Die nach diesem Verfahren geätzten Silizium-Karbid-Körper
werden symmetrisch abgetragen und weisen vollkommen ebene Flächen auf.
Claims (2)
1. Verfahren zum Ätzen von Silizium-Karbid, dadurchgekennzeichnet, daß das Ätzen
in einer Schmelze aus NaNO2 und Na2O2, vorzugsweise
in einem Verhältnis von 1:1, vorgenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzen in einem Temperaturbereich
zwischen 400 und 600° C vorgenommen wird.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEJ25392A DE1242972B (de) | 1964-03-06 | 1964-03-06 | Verfahren zum AEtzen von SiC |
| GB4795/65A GB1023749A (en) | 1964-03-06 | 1965-02-12 | Improvements relating to methods of etching silicon carbide |
| AT159865A AT251651B (de) | 1964-03-06 | 1965-02-23 | Verfahren zum Ätzen von Siliziumkarbid |
| US436918A US3421956A (en) | 1964-03-06 | 1965-03-03 | Method of etching sic |
| FR7738A FR1439074A (fr) | 1964-03-06 | 1965-03-03 | Procédé d'attaque chimique de carbure de silicium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEJ25392A DE1242972B (de) | 1964-03-06 | 1964-03-06 | Verfahren zum AEtzen von SiC |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1242972B true DE1242972B (de) | 1967-06-22 |
Family
ID=7202205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ25392A Pending DE1242972B (de) | 1964-03-06 | 1964-03-06 | Verfahren zum AEtzen von SiC |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3421956A (de) |
| AT (1) | AT251651B (de) |
| DE (1) | DE1242972B (de) |
| FR (1) | FR1439074A (de) |
| GB (1) | GB1023749A (de) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3607448A (en) * | 1968-10-21 | 1971-09-21 | Hughes Aircraft Co | Chemical milling of silicon carbide |
| US3878005A (en) * | 1973-06-18 | 1975-04-15 | Rockwell International Corp | Method of chemically polishing metallic oxides |
| US4465550A (en) * | 1982-06-16 | 1984-08-14 | General Signal Corporation | Method and apparatus for slicing semiconductor ingots |
| US4981551A (en) * | 1987-11-03 | 1991-01-01 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
| US4946547A (en) * | 1989-10-13 | 1990-08-07 | Cree Research, Inc. | Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth |
| US5725413A (en) * | 1994-05-06 | 1998-03-10 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Apparatus for and method of polishing and planarizing polycrystalline diamonds, and polished and planarized polycrystalline diamonds and products made therefrom |
| WO2011068884A2 (en) | 2009-12-01 | 2011-06-09 | University Of Massachusetts | A system for producing patterned silicon carbide structures |
| CN104505338B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-11-07 | 国家电网公司 | 一种碳化硅晶片外延前预清洗方法 |
-
1964
- 1964-03-06 DE DEJ25392A patent/DE1242972B/de active Pending
-
1965
- 1965-02-12 GB GB4795/65A patent/GB1023749A/en not_active Expired
- 1965-02-23 AT AT159865A patent/AT251651B/de active
- 1965-03-03 FR FR7738A patent/FR1439074A/fr not_active Expired
- 1965-03-03 US US436918A patent/US3421956A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1439074A (fr) | 1966-05-20 |
| GB1023749A (en) | 1966-03-23 |
| AT251651B (de) | 1967-01-10 |
| US3421956A (en) | 1969-01-14 |
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