DE1136423B - Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-elektrodensystems mit einer Huelle mit eingeschmolzenen Zufuehrungsdraehten, insbesondere eines Transistors oder einer Kristalldiode, und Sperrschichtelektrodensystem, das durch dieses Verfahren hergestellt ist - Google Patents

Description

DEUTSCHES

PATENTAMT

N10962Vmc/21g

ANMELDETAG: 20. JULI 1955

BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UND AUSGABE DER

AUSLEGESCHRIFT: 13. SEPTEMBER 1962

Es ist bekannt, ein Sperrschichtelektrodensystem, das einen halbleitenden Körper enthält, insbesondere eine Kristalldiode oder einen Transistor, in einer Hülle unterzubringen und eine Anzahl von Stromzuführungsdrähten in diese meistens aus Glas bestehende Hülle einzuschmelzen. Die Hülle kann jedoch auch aus keramischem Werkstoff oder aus keramischem Werkstoff und Glas bestehen. Ein Teil der Hülle kann sogar aus Metall bestehen.

Es ist bekannt, daß die verwendeten, halbleitenden Werkstoffe insbesondere Germanium und Selen, zu einem geringen Ausmaß auch Silicium, gegen Wärme empfindlich sind, so daß Vorkehrungen getroffen werden müssen, damit der halbleitende Körper beim Einschmelzen der Leitungen nicht zu stark erhitzt wird.

Es ist andererseits erwünscht, daß die während des Betriebs des Systems durch den Stromdurchgang im halbleitenden Körper entwickelte Wärme gut abgeführt wird.

Diese zwei Anforderungen lassen sich schwer gleichzeitig erfüllen: zum Einschmelzen wäre es erwünscht, die Zuführungsleitungen lang und dünn zu machen, so daß sie wenig Wärme auf den halbleitenden Körper übertragen; während des Betriebes ist es jedoch vorteilhaft, wenn diese Leitungen kurz und stark sind, so daß sie die Wärme gut abführen können.

Die Erfindung hat die Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung solcher Systeme zu schaffen, das beide Anforderungen erfüllt, und sie bezieht sich außerdem auf die durch diese Verfahren hergestellte Bauart.

Bei einem Verfahren zum Anbringen wärmeableitender Mittel an den Zuführungsleitungen eines in einer Hülle untergebrachten Sperrschichtelektrodensystems, insbesondere eines Transistors oder einer Kristalldiode, bei dem als in die Hülle einzuschmelzende Zuführungsleitungen lange und dünne Drähte verwendet werden, werden gemäß der Erfindung der oder die betriebsmäßig thermisch belasteten Zuführungsdrähte außerhalb der Hülle auf einem an die Hülle angrenzenden Teil nach dem Einschmelzen mit einem Metallüberzug versehen. Dies findet bei einer Temperatur statt, die den halbleitenden Körper nicht gefährdet. Dieser Überzug läßt sich auf sehr einfache Weise auf galvanischem Wege oder nach dem Schoop'schen Verfahren anbringen. Der Überzug kann auch aus einem Metalldraht- oder einer Metallbandwicklung bestehen.

Die Erfindung wird an Hand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert, die in einer Zeichnung dargestellt sind.

Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichtelektrodensystems mit einer Hülle
mit eingeschmolzenen Zuführungsdrähten,
insbesondere eines Transistors

oder einer Kristalldiode,

und Sperrschichtelektrodensystem,

das durch dieses Verfahren hergestellt ist

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 23. Juli 1954 (Nr. 189 441)

Frits Weil, Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden

Die Figuren zeigen Transistoren in einer Ansicht in vergrößertem Maßstab.

Diese Transistoren sind mit Glashüllen versehen, die aus einem an einem Ende verschlossenen Glasröhrchen 1 mit einem angeschmolzenen Glasdeckel 2 bestehen. In jedem Deckel ist eine Anzahl Stromzuführungsdrähte 3 eingeschmolzen, die innnerhalb der Hülle zu einem Elektrodensystem führen, das auf einem halbleitenden Körper 4 angebracht ist. Solche Transistoren sind an sich bekannt; die Stromzuführungsdrähte sind verhältnismäßig dünn, so daß die beim Anschmelzen des Glasdeckels 2 angewandte Erhitzung im halbleitenden Körper nicht mehr als eine zulässige Temperaturerhöhung hervorruft.

Die Erfindung besteht darin, daß mindestens einer der außerhalb der Hülle liegenden Drähte mit einem Metallüberzug versehen wird.

Bei dem Transistor nach Fig. 1 ist dieser Überzug auf allen Drähten auf galvanischem Wege angebracht. Er besteht aus einer Kupferschicht 5.

Bei dem Transistor nach Fig. 2 ist der an die Hülle grenzende Teil der Drähte nach dem Schoop'schen

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Verfahren mit einer aufgespritzten Aluminiumschicht 6 versehen. Die Enden der Drähte sind nicht überzogen, so daß das Anbringen der Lötverbindungen nicht erschwert wird.

Bei dem Transistor nach Fig. 3 ist auf den zu einer Elektrode führenden Zuführungsdraht ein Kupferdraht 7 aufgewickelt. Es wird dabei angenommen, daß in dieser Elektrode die größte Wärme entwickelt wird. Dieser Draht 7 kann darauf am Zuführungsdraht 3 festgelötet werden, wodurch der Wärmekon- takt verbessert wird. Die bei dem Löten auftretende Temperaturerhöhung ist gering im Vergleich zu der beim Einschmelzen auftretenden Erhöhung.

Claims (4)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Verfahren zum Anbringen wärmeableitender Mittel an den Zuführungsleitungen eines in einer Hülle untergebrachten Sperrschichtelektrodensystems, insbesondere eines Transistors oder einer Kristalldiode, bei dem als in die Hülle ein- ao zuschmelzende Zuführungsleitungen lange und dünne Drähte verwendet werden, dadurch ge kennzeichnet, daß der oder die betriebsmäßig thermisch belasteten Zuführungsdrähte außerhalb der Hülle auf einem an die Hülle angrenzenden Teil nach dem Einschmelzen mit einem Metallüberzug versehen werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug auf galvanischem Wege angebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug nach dem Schoop'schen Verfahren angebracht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug durch Umwickeln mit Metalldraht- oder Metallband angebracht wird.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 367 628.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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