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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbesserung einer Wärmeabstrahlungseigenschaft in einem Leistungsmodul.
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Stand der Technik
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Herkömmlicherweise wurde eine Verdrahtung auf einem Halbleiter-Chip durch ein Verbinden unter Verwendung eines Metalldrahtes in einem Leistungsmodul ausgeführt. Wenn der Metalldraht für die Verdrahtung auf dem Halbleiter-Chip verwendet wird, können unterschiedliche Arten eines Halbleiter-Chips, bei welchem eine Größe oder eine Elektrodenform des Halbleiter-Chips verändert wird, im gleichen Gehäuse eingesetzt werden, indem eine Form der Verdrahtung verändert wird.
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Patentdokument 1 offenbart eine Technik zu Erhöhung einer Wärmeabstrahlungseigenschaft in einer Verbindung an einer unteren Seite eines Halbleiter-Chips. Patentdokument 2 offenbart eine Technik zum Erhöhen einer Wärmeabstrahlungseigenschaft eines Versiegelungsmaterials.
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Stand der Technik Dokumente
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Patentdokumente
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- Patentdokument 1: Japanische Patentanmeldungsveröffentlichungs-Nr. 2019-096731
- Patentdokument 2: Japanische Patentanmeldungsveröffentlichungs-Nr. 2017-108046
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Zusammenfassung
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Durch die Erfindung zu lösendes Problem
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Eine Temperatur einer Drahtverteilung nimmt zu, wenn ein Strom am Leistungsmodul anliegt, aufgrund einer Zunahme des Stroms oder einer Verkleinerung des Leistungsmoduls. Wenn die Temperatur der Drahtverteilung zunimmt, besteht ein Problem dahingehend, dass eine Lebensdauer des Halbleiter-Chips und eine Drahtbondverbindung durch einen Temperaturzyklus aus einer Wärmeerzeugung und einer Abkühlung reduziert wird, oder dass die Drahtverteilung selbst geschmolzen oder unterbrochen wird.
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Die vorliegende Erfindung wurde daher getätigt, um die obigen Probleme zu lösen, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Wärmeabstrahlungseigenschaft eines Metalldrahtes auf einem Halbleiter-Chip in einem Leistungsmodul zu verbessern.
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Mittel zur Lösung des Problems
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Ein Leistungsmodul gemäß der vorliegenden Erfindung weist auf: eine Grundplatte; ein isolierendes Substrat, welches auf der Grundplatte bereitgestellt ist und wenigstens eine Schaltungsstruktur aufweist; wenigstens einen Halbleiter-Chip, der auf der Schaltungsstruktur des isolierenden Substrats montiert ist; eine Vielzahl von Metalldrähten, welche mit einer Fläche des Halbleiter-Chips verbunden sind; und eine thermisch leitfähige Platte, die in Kontakt mit dem Metalldraht von einer oberen Seite steht, wobei der Metalldraht aufweist: wenigstens einen ersten Metalldraht, welcher eine Fläche des Halbleiter-Chips und die Schaltungsstruktur verbindet; und wenigstens einen zweiten Metalldraht, welcher zwei Punkte auf der Fläche des Halbleiter-Chips verbindet und welcher dasselbe Potential aufweist wie der erste Metalldraht, wobei die thermisch leitfähige Platte eine Graphitplatte aufweist, und wobei eine Plattenoberfläche der thermisch leitfähigen Platte in Kontakt mit dem wenigstens einen ersten Metalldraht und dem wenigstens einen zweiten Metalldraht steht.
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Effekte der Erfindung
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In dem Leistungsmodul der vorliegenden Erfindung steht die Plattenoberfläche der thermisch leitfähigen Platte, welche die Graphitplatte aufweist, in Kontakt mit wenigstens einem ersten Metalldraht und wenigstens einem zweiten Metalldraht. Dementsprechend wird Wärme des zweiten Metalldrahtes über die Graphitplatte an den ersten Metalldraht übertragen, um Wärme vom ersten Metalldraht an die Schaltungsstruktur abzustrahlen, wodurch eine Temperaturzunahme des zweiten Metalldrahtes verhindert werden kann. Auf diese Weise wird die Wärmeabstrahlungseigenschaft des Metalldrahtes auf dem Halbleiter-Chip verbessert. Diese und weitere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den begleitenden Figuren deutlicher.
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Figurenliste
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- 1 Eine Querschnittsansicht eines Leistungsmoduls gemäß einer Ausführungsform 1.
- 2 Eine isometrische Figur eines Leistungsmoduls gemäß einer Ausführungsform 2.
- 3 Eine Draufsicht eines Leistungsmoduls gemäß der Ausführungsform 2.
- 4 Eine isometrische Figur des Leistungsmoduls gemäß der Ausführungsform 2, von welchem eine Graphitplatte ausgenommen ist.
- 5 Eine Figur, welche eine Konfiguration einer thermisch leitfähigen Platte in einem Leistungsmodul gemäß einer Ausführungsform 3 veranschaulicht.
- 6 Eine Draufsicht eines Leistungsmoduls gemäß einer Ausführungsform 4.
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Beschreibung der Ausführungsform(en)
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<A. Ausführungsform 1 >
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1 ist eine Querschnittsansicht eines Leistungsmoduls 101 gemäß einer Ausführungsform 1. Das Leistungsmodul 101 umfasst eine Grundplatte 1, ein isolierendes Substrat 7, einen Dioden-Chip 81, Transistor-Chips 9a1 und 9b1, Metalldrähte 10a, 10b, und 10c, eine Graphitplatte 11, ein Gehäuse 12, und ein Versiegelungsmaterial 13.
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Das isolierende Substrat 7 ist auf einer oberen Fläche der Grundplatte 1 ausgebildet. Das isolierende Substrat 7 umfasst ein isolierendes Basismaterial 4, eine Struktur 2 einer unteren Fläche, welche aus einem Metall ausgebildet ist, dass mit einer unteren Fläche des isolierenden Basismaterials 4 durch ein Verbindungsmaterial 3 verbunden ist, und Schaltungsstrukturen 6a, 6b und 6c, welche aus Metall ausgebildet sind, die mit einer oberen Fläche des isolierenden Basismaterials 4 durch ein Verbindungsmaterial 5 verbunden sind. Die Struktur 2 der unteren Fläche des isolierenden Substrats 7 ist auf der oberen Fläche der Grundplatte 1 ausgebildet.
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Der Dioden-Chip 81 und die Transistor-Chips 9a1 und 9b1 sind mit der Schaltungsstruktur 6b durch Löten oder durch ein Verbindungsmaterial wie ein Sintermaterial verbunden. Der Dioden-Chip 81 fungiert als Rückflussdiode für die Transistor-Chips 9a1 und 9b1. Hier sind der Dioden-Chip 81 und die Transistor-Chips 9a1 und 9b1 Beispiele für Halbleiter-Chips. Der andere Halbleiter-Chip kann auf dem Leistungsmodul 101 montiert sein, anstelle dieser Halbleiter-Chips, oder es kann ein Halbleiter-Chip darauf montiert sein.
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Eine Drahtverteilung durch einen Metalldraht wird auf einer oberen Fläche des Halbleiter-Chips ausgeführt. Ein Metalldraht, welcher den Dioden-Chip 81 und die Schaltungsstruktur 6a in den Metalldrähten verbindet, die mit der oberen Fläche des Halbleiter-Chips verbunden sind, wird als Metalldraht 10a bezeichnet. Der Metalldraht 10a wird auch als erster Metalldraht bezeichnet. Ein Metalldraht, der zwei Punkte auf dem Dioden-Chip 81, den Dioden-Chip 81 und den Transistor-Chip 9a1, zwei Punkte auf dem Transistor-Chip 9a1, den Transistor-Chip 9a1 und den Transistor-Chip 9a2, und zwei Punkte auf dem Transistor-Chip 9a2 verbindet, wird als Metalldraht 10b bezeichnet. Der Metalldraht 10b wird auch als zweiter Metalldraht bezeichnet. Der Transistor-Chip 9a2 und die Schaltungsstruktur 6c sind durch einen Metalldraht 10c verbunden.
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Der Metalldraht 10c ist ein Gate-Draht, welcher eine Gate-Elektrode des Transistor-Chips 9a2 und die Schaltungsstruktur 6c verbindet, und er weist dasselbe Potential auf wie die Gate-Elektrode (nachfolgend auch als „das Gate-Potential“ bezeichnet). Hingegen weisen der Metalldraht 10a und der Metalldraht 10b dasselbe Potential wie eine Emitterelektrode des Transistor-Chips 9a2 auf (nachfolgend auch als „das Emitterpotential“ bezeichnet).
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Die Graphitplatte 11 ist auf den Metalldrähten 10a und 10b bereitgestellt, die mit der oberen Fläche des Halbleiter-Chips verbunden sind, sodass eine Plattenoberfläche davon einen Kontakt mit den Metalldrähten 10a und 10b aufweist. Die Graphitplatte 11 ist ein anisotropes thermisch leitfähiges Material, welches eine geringe thermische Leitfähigkeit von 1W/mK in einer Dickenrichtung aufweist und eine hohe thermische Leitfähigkeit von 500W/mK in einer Ebenenrichtung aufweist. Demnach wird Wärme des Metalldrahtes 10b durch die Graphitplatte 11 zum Metalldraht 10a übertragen, und anschließend vom Metalldraht 10a zur Schaltungsstruktur 6a abgestrahlt. Dementsprechend kann eine Temperatur des Metalldrahtes 10b reduziert werden. Wie oben beschrieben, fungiert die Graphitplatte 11 im Leistungsmodul 101 als eine thermisch leitfähige Platte, welche die Wärme des Metalldrahtes 10b in einer ebenen Richtung leitet. Die Graphitplatte 11 steht aus dem Grund nicht in Kontakt mit dem Metalldraht 10c, da der Metalldraht 10c ein von den Metalldrähten 10a und 10b abweichendes Potential aufweist.
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Die Grundplatte 1 ist in das Gehäuse 12 eingefügt, und in dem Gehäuse 12 sind die Grundplatte 1, das isolierende Substrat 7, der Dioden-Chip 81, die Transistor-Chips 9a1 und 9b1, die Metalldrähte 10a, 10b, und 10c, und die Graphitplatte 11 untergebracht. Das Versiegelungsmaterial 13, welches aus einem Gel- oder einem Epoxidharz ausgebildet ist, füllt einen inneren Abschnitt des Gehäuses 12, und das Versiegelungsmaterial 13 versiegelt den Dioden-Chip 81, die Transistor-Chips 9a1 und 9b1, die Metalldrähte 10a, 10b, und 10c, und die Graphitplatte 11.
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In 1 steht die Graphitplatte 11 in Kontakt mit sämtlichen Metalldrähten 10b, jedoch kann ein oben beschriebener Wärmeabstrahlungseffekt erzielt werden, solange die Graphitplatte 11 in Kontakt mit dem Metalldraht 10a und wenigstens einem Metalldraht 10b steht, welcher dasselbe Potential wie der Metalldraht 10a aufweist. Wenn die Anzahl von Metalldrähten 10b, mit welchen die Graphitplatte 11 in Kontakt steht, zunimmt, kann mehr Wärme des Metalldrahtes 10b an die Schaltungsstruktur 6a abgestrahlt werden.
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Herkömmlicherweise wird Wärme am Halbleiter-Chip des Leistungsmoduls über eine Verbindung unterhalb des Halbleiter-Chips zur Grundplatte 1 übertragen, und von der Grundplatte 1 an eine Kühlrippe abgestrahlt. Wenn jedoch ein am Leistungsmodul angelegter Strom zunimmt, wird eine Temperatur des Metalldrahtes aufgrund eine Wärmeübertragung vom Halbleiter-Chip oder einer Wärmeübertragung, welche durch eine Stromleitung im Metalldraht selbst bewirkt wird, hoch. Im Leistungsmodul 101 gemäß der Ausführungsform 1 hingegen wird die Wärme des Metalldrahtes 10b in einer Richtung parallel zur Fläche der Grundplatte 1 durch die Graphitplatte 11 abgestrahlt, wodurch eine Temperaturzunahme des Metalldrahtes 10b reduziert wird.
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Wie oben beschrieben, umfasst das Leistungsmodul 101 gemäß der Ausführungsform 1 die Grundplatte 1, das isolierende Substrat 7, welches auf der Grundplatte 1 bereitgestellt ist und die Schaltungsstrukturen 6a, 6b, und 6c aufweist, den Dioden-Chip 81 und die Transistor-Chips 9a1 und 9b1 als die Halbleiter-Chips, welche auf der Schaltungsstruktur 6b des isolierenden Substrats 7 montiert sind, die Vielzahl von Metalldrähten, die mit der Oberfläche des Halbleiter-Chips verbunden sind, und die thermisch leitfähige Platte, die von einer oberen Seite in Kontakt mit dem Metalldraht steht. Der Metalldraht umfasst den Metalldraht 10a als wenigstens einen ersten Metalldraht, welcher die Fläche des Dioden-Chips 81 und die Schaltungsstruktur 6a verbindet und den Metalldraht 10b als wenigstens einen zweiten Metalldraht, welcher zwei Punkte auf der Fläche des Halbleiter-Chips verbindet und welcher dasselbe Potential aufweist wie der Metalldraht 10a. Die thermisch leitfähige Platte weist die Graphitplatte 11 auf, und die Plattenoberfläche der thermisch leitfähigen Platte steht in Kontakt mit wenigstens einem Metalldraht 10a und wenigstens einem Metalldraht 10b. Dementsprechend wird die Wärme des Metalldrahtes 10b über die Graphitplatte 11 zum Metalldraht 10a übertragen und vom Metalldraht 10a an die Schaltungsstruktur 6a abgestrahlt, wodurch eine Temperaturzunahme des Metalldrahtes 10b verhindert werden kann.
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<B. Ausführungsform 2>
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2 ist eine isometrische Figur eines Leistungsmoduls 102 gemäß einer Ausführungsform 2. 3 ist eine Draufsicht des Leistungsmoduls 102. 4 ist eine isometrische Figur, welche einen Zustand zeigt, bevor die Graphitplatte 11 des Leistungsmoduls 102 angeordnet wird.
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Das Leistungsmodul 102 weist Dioden-Chips 82 bis 88 und Transistor-Chips 9a2 bis 9a8 und 9b2 bis 9b8 zusätzlich zur Konfiguration des Leistungsmoduls 101 gemäß der Ausführungsform 1 auf. Mit anderen Worten sind acht Gruppen von Halbleiter-Chips, welche aus einem Dioden-Chip 8n und zwei Transistor-Chips 9an und 9bn ausgebildet sind, parallel auf dem Leistungsmodul 102 montiert. „n“ steht für eine natürliche Zahl von 1 bis 8. Ein Verbindungszustand des Metalldrahtes in jeder Gruppe von Halbleiter-Chips ist der gleiche wie die anderen. Der Transistor-Chip ist in einer Region 14 in 13 angeordnet, und der Dioden-Chip ist in einer Region 15 angeordnet.
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In 2 bis 4 sind die Metalldrähte 10a und 10b als Banddraht veranschaulicht, jedoch ist auch ein Fadendraht anwendbar. Der Fadendraht weist eine geringere Einschränkung hinsichtlich einer Chip-Größe auf als der Banddraht, und er kann in einer schrägen Richtung verbunden werden.
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Der Dioden-Chip 8n fungiert als Rückflussdiode für die Transistor-Chips 9an und 9bn. Die Konfiguration, dass die Halbleiter-Chips parallel montiert sind, wird durch die Veranschaulichung in 4 angedeutet, in welcher der Metalldraht 10c als ein Gate-Draht mit jedem der Transistor-Chips 9a1 bis 9a8 von derselben Schaltungsstruktur 6c verbunden ist.
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Die Vielzahl von Halbleiter-Chips, die parallel montiert sind, sind durch den Metalldraht verbunden, um einen elektrischen Schaltkreis auszubilden. Zum Beispiel sind in 4 der Transistor-Chip 9b1 und der Transistor-Chip 9b2 durch den Metalldraht 10b1 verbunden, und der Transistor-Chip 9b2 und der Transistor-Chip 9a3 sind durch den Metalldraht 10b1 verbunden. Diese Metalldrähte 10b1 weisen dasselbe Potential auf wie der Metalldraht 10a, und sie werden auch als die zweiten Metalldrähte bezeichnet, in einer ähnlichen Weise wie der Metalldraht 10b. Ein Strom wird gleichzeitig an die Vielzahl parallel montierter Halbleiter-Chips angelegt, und es kann ein hoher Strom an das Leistungsmodul 102 angelegt werden. Jedoch wird in einem Verbindungspunkt im Metalldraht 10b1, der oben beschrieben ist, aus dem Grund Wärme erzeugt, da ein Strom an die Halbleiter-Chips an beiden Enden zur gleichen Zeit angelegt wird, wodurch, wenn der Strom an den Metalldraht 10b1 selbst angelegt wird, die Temperatur des Metalldrahtes 10b1 höher ist als eine Region des Halbleiter-Chips.
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In diesem Punkt ist die Graphitplatte 11 im Leistungsmodul 102 auf einem oberen Abschnitt des Metalldrahtes 10b1 ausgebildet, welcher die Gruppe von Transistor-Chips 9a1 und 9b1 und den Dioden-Chip 81 und die Gruppe von Transistor-Chips 9a2 und 9b2 und den Dioden-Chip 82 verbindet, um zusätzlich zu dem Merkmal in der Ausführungsform 1 in Kontakt mit dem Metalldraht 10b1 zu stehen.
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Wie oben beschrieben, umfasst das Leistungsmodul 102 gemäß der Ausführungsform 2 die Transistor-Chips 9b1 bis 9b8 als die Vielzahl von Halbleiter-Chips, in welchen ein Gate-Anschluss als ein Steueranschluss mit derselben Schaltungsstruktur 6a oder der Schaltungsstruktur mit demselben Potential verbunden ist; und die Plattenoberfläche der thermisch leitfähigen Platte steht in Kontakt mit dem Metalldraht 10b1 als der zweite Metalldraht, welcher die Transistor-Chips 9b1 bis 9b8 verbindet. Es wird ein Strom an die Halbleiter-Chips 9b1 bis 9b8 an beiden Enden des Metalldrahtes 10b1 zur gleichen Zeit angelegt, und die Halbleiter-Chips 9b1 und 9b8 erzeugen Wärme, wodurch die Temperatur des Metalldrahtes 10b1 in einigen Fällen höher ist als eine Region der Halbleiter-Chips 9b1 bis 9b8. Jedoch wird die Wärme des Metalldrahtes 10b1 über die Graphitplatte 11 zum Metalldraht 10a übertragen und vom Metalldraht 10a an die Schaltungsstruktur 6a abgestrahlt, wodurch eine Temperaturzunahme des Metalldrahtes 10b1 unterbunden werden kann. Dementsprechend kann eine Produktlebensdauer des Leistungsmoduls 102 erweitert werden.
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<C. Ausführungsform 3>
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In den Leistungsmodulen 101 und 102 gemäß den Ausführungsformen 1 und 2 ist die thermisch leitfähige Platte aus einer einzelnen Graphitplatte 11 ausgebildet. Unterdessen ist in einem Leistungsmodul gemäß der Ausführungsform 3, wie in 5 veranschaulicht, eine thermisch leitfähige Platte aus einem plattierten Material ausgebildet, in welchem die Graphitplatte 11 und eine Metalldünnschicht 16, wie in 5 veranschaulicht, einander überlappen. 5 veranschaulicht die Metalldünnschicht 16 als eine untere Schicht und die Graphitplatte 11 als eine obere Schicht, jedoch ist es auch anwendbar, dass die Graphitplatte 11 eine untere Schicht und die Metalldünnschicht 16 eine obere Schicht ist. Eine Konfiguration des Leistungsmoduls gemäß der Ausführungsform 3 ist ähnlich den Leistungsmodulen 101 und 102 gemäß der Ausführungsform 1 oder 2, mit Ausnahme der thermisch leitfähigen Platte.
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Die Graphitplatte 11 weist eine geringe Materialfestigkeit auf und ist zerbrechlich, folglich, falls die thermisch leitfähige Platte demnach aus der einzelnen Graphitplatte 11 ausgebildet wird, ändert sich deren Zustand bei der Handhabung zum Zeitpunkt einer Prozessierung einer Form oder eines Zusammenbaus, demzufolge bestehen Bedenken dahingehend, dass eine Ausbeute bei einem Zusammenbau von Produkten reduziert wird. Wenn die thermisch leitfähige Platte aus einem plattierten Material ausgebildet wird, in welchem die Graphitplatte 11 und die Metalldünnschicht 16 einander überlappen, kann die Form der thermisch leitfähigen Platte prozessiert werden oder die thermisch leitfähige Platte kann zusammengebaut werden, während eine hohe Festigkeit aufrechterhalten wird, die durch die Metalldünnschicht 16 bewirkt wird. Eine Wärmeerzeugung der Metalldrähte 10b und 10b1 wird unterdrückt durch die hohe Wärmeleitfähigkeit in einer Ebenenrichtung, welche durch die Graphitplatte 11 bewirkt wird.
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Vorzugsweise entspricht eine Dicke der Metalldünnschicht 16 100 µm, und eine Dicke der Graphitplatte 11 ist gleich oder größer als 100 µm und gleich oder kleiner als 400 µm. Auf diese Weise verfügt die thermisch leitfähige Platte über eine geeignete Dicke, wodurch eine Änderung einer Form oder einer Platzierung in Übereinstimmung mit dem Verdrahtungsmaterial auf einfache Weise ausgeführt werden kann.
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<D. Ausführungsform 4>
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6 ist eine Draufsicht eines Leistungsmoduls 104 gemäß einer Ausführungsform 4. Das Leistungsmodul 104 gemäß Ausführungsform 4 unterscheidet sich vom Leistungsmodul 102 gemäß der Ausführungsform 2 dahingehend, dass ein Loch 15, welches durch die Plattenoberfläche der Graphitplatte 11 verläuft, in der Graphitplatte 11 ausgebildet ist. Es sind acht Löcher 15 in 6 ausgebildet, es ist jedoch ausreichend, dass wenigstens ein Loch 15 ausgebildet ist.
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Das Versiegelungsmaterial 13 füllt das Gehäuse 12 beim Ausbilden des Leistungsmoduls 104, wie in 1 veranschaulicht. Wenn das ausgehärtete Versiegelungsmaterial eine Luftblase in sich aufweist, wird eine Isolationsqualität des Leistungsmoduls in Abhängigkeit einer Position, an der die Luftblase auftritt, reduziert. In dem Leistungsmodul 104 kann die zwischen der Graphitplatte 11 und dem Halbleiter-Chip auftretende Luftblase durch das Loch 15 der Graphitplatte 11 zu einer oberen Seite der Graphitplatte 11 extrahiert werden, und sie kann darüber hinaus vom Versiegelungsmaterial 13 extrahiert werden. Ein Durchmesser des Lochs 15 ist vorzugsweise gleich oder größer als 1,0 mm, um die Luftblase zu extrahieren. Eine äußere Peripherie des Lochs 15 entspricht vorzugsweise 1,0 mm oder mehr weg von einer Position, die in Kontakt mit den Metalldrähten 10a und 10b der Graphitplatte 11 steht. Wenn das Loch 15 an einer Position angeordnet ist, an welcher die Luftblase besonders dazu neigt, zu verbleiben, kann der Effekt der Extrahierung der Luftblase auf einfache Weise erhalten werden.
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Die vorliegende Ausführungsform kann mit der Ausführungsform 3 kombiniert werden. Das heißt, es ist auch in der vorliegenden Ausführungsform umsetzbar, dass die thermisch leitfähige Platte aus einem plattierten Material aus der Graphitplatte 11 und der Metalldünnschicht 16 ausgebildet wird, und das Loch 15, welches die Graphitplatte 11 und die Metalldünnschicht 16 durchläuft, wird in der Plattenoberfläche der thermisch leitfähigen Platte ausgebildet. In diesem Fall weist die thermisch leitfähige Platte eine hohe Festigkeit auf, die durch die Metalldünnschicht 16 bewirkt wird, folglich wird die Prozessierung des Lochs 15 leicht ausgeführt, und ein Fehler eines Elements selbst kann unterbunden werden.
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Das heißt, das Leistungsmodul 104 gemäß der Ausführungsform 4 umfasst das Gehäuse 12, welches an der Grundplatte 1 montiert ist und in welchem das isolierende Substrat 7, die Halbleiter-Chips 81, 9a1, und 9b1, die Metalldrähte 10a und 10b, und die thermisch leitfähige Platte untergebracht sind und das Versiegelungsmaterial 13, welches den inneren Abschnitt des Gehäuses 12 füllt, um den Halbleiter-Chip, die Metalldrähte 10a und 10b, und die thermisch leitfähige Platte zu versiegeln, und das Loch 15, welches durch die Plattenoberfläche verläuft ist an einer Position in der thermisch leitfähigen Platte ausgebildet, welche die Metalldrähte 10a und 10b nicht überlappt. Dementsprechend kann die Luftblase, die zwischen der Graphitplatte 11 und dem Halbleiter-Chip auftritt und die einen Einfluss auf die Isolationsqualität des Leistungsmoduls hat, zur oberen Seite der Graphitplatte 11 extrahiert werden, und sie kann weiter aus dem Versiegelungsmaterial 13 extrahiert werden.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung kann jede Ausführungsform beliebig kombiniert werden, oder es kann jede Ausführungsform innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung in geeigneter Weise modifiziert oder ausgelassen werden. Die vorliegende Erfindung wurde im Detail gezeigt und beschrieben, die vorstehende Beschreibung ist in allen Aspekten veranschaulichend und nicht einschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen erdacht werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen.
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Bezugszeichenliste
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- 1
- Grundplatte,
- 2
- Schaltungsstruktur der unteren Fläche,
- 3, 5
- Verbindungsmaterial,
- 4
- isolierendes Basismaterial,
- 6a, 6b, 6c
- Schaltungsstruktur,
- 7
- isolierendes Substrat,
- 9a1 bis 9a8, 9b1 bis 9b8
- Transistor-Chip,
- 10a, 10b, 10b1, 10c
- Metalldraht,
- 11
- Graphitplatte,
- 12
- Gehäuse,
- 13
- Versiegelungsmaterial,
- 16
- Metalldünnschicht,
- 17
- Loch,
- 81-88
- Dioden-Chip,
- 101, 102, 104
- Leistungsmodul.