DE1117164B - Speicherkernmatrize mit einem Isolierrahmen - Google Patents
Speicherkernmatrize mit einem IsolierrahmenInfo
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- DE1117164B DE1117164B DEN17399A DEN0017399A DE1117164B DE 1117164 B DE1117164 B DE 1117164B DE N17399 A DEN17399 A DE N17399A DE N0017399 A DEN0017399 A DE N0017399A DE 1117164 B DE1117164 B DE 1117164B
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Informationsspeicherkernmatrize,
die aus einer Vielzahl ringförmiger Magnetkerne besteht, durch die je mindestens
zwei Leiter hindurchgeführt sind und die in zueinander parallel verlaufenden Zeilen mit zueinander
parallel verlaufenden Spalten angeordnet sind, wobei ein sogenannter X-Draht durch die Kerne jeder
Zeile und ein sogenannter Y-Draht durch die Kerne jeder Spalte hindurchgeführt ist und an den Enden der
X- und Y-Drähte entsprechende Anschlüsse befestigt sind, die auf einem die Matrize umgebenden isolierenden
Rahmen angebracht sind.
Bei einem bekannten Verfahren zum Befestigen der X- und Y-Drähte einer derartigen Speicherkernmatrize
finden Reihen kleiner kupferner Anschlußstreifen Anwendung, die durch das gedruckte Bedrahtungsverfahren
auf dem Isolierrahmen angebracht sind. Die X- und Y-Drähte sind straff gespannt,
und ihre Enden sind durch Bohrungen geringen Durchmessers, die unter rechtem Winkel zur
Drahtachse im Isolierrahmen vorgesehen sind, und durch anschließende Löcher in den entsprechenden
Anschlüssen hindurchgeführt. Die Enden der Drähte werden einzeln an die Anschlußstreifen angelötet.
Dieses Verfahren hat mehrere Nachteile. Eine Vielzahl einzelner kleiner Verbindungen mit den Anschlüssen
müssen durch Löten hergestellt werden. Diese Arbeit ist langwierig und umständlich. Auch
verbindet das Lot häufig zwei oder mehrere benachbarte Anschlüsse. Außerdem wird jeder Draht unter
einem rechten Winkel abgebogen, so daß er örtlichen Spannungen ausgesetzt ist. Die Drahtenden müssen
mit einem Lötkolben verlötet werden, der eine optimale Temperatur von nahezu 400 ± 20° C aufweisen
soll; diese Temperatur ist dadurch bestimmt, daß der bei der Herstellung von Speicherkernmatrizen
verwendete Draht mit einem isolierenden Überzug versehen ist, der auch als Lötflußmittel dient und bei
einer Temperatur von etwa 380° C schmilzt. Dies ist ein Nachteil, weil die Güte der so hergestellten Verbindungen
nicht konstant und von vielen Faktoren abhängig ist, z. B. vom Winkel, unter dem der Lötkolben
gehalten wird, von der Konstanz der Temperatur des Lötkolbens, von den Luftströmungen im
Arbeitsraum, von der bei der Verbindung verwendeten Lotmenge, von der Geschwindigkeit, mit der
der Kolben entfernt wird, nachdem der eutektische Punkt erreicht ist, während außerdem die Temperatur,
bei der die Verbindung hergestellt ist, häufig kontrolliert werden muß (ζ. Β. durch elektropyrometrische
Messung).
Die vorliegende Erfindung bezweckt, diese Nach-Speicherkernmatrize
mit einem Isolierrahmen
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dipl.-Ing. K. Lengner, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 23. Oktober 1958 (Nr. 33 949/58)
Großbritannien vom 23. Oktober 1958 (Nr. 33 949/58)
Leonard James Foreman, Twickenham, Middlesex
(Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
teile zu verringern und eine Bauart einer Speicherkernmatrize zu schaffen, bei der gerade X- und
Y-Drähte rasch eingefädelt werden können und die sich für eine Massenfertigung eignet.
Gemäß der Erfindung ist bei einer Speicherkernmatrize eingangs erwähnter Art der Isolierrahmen in
der Ebene der Matrize in zwei Einzelrahmen unterteilt, die mit zusammenpassenden Flächen aufeinander
befestigt sind, wobei die Paßfläche mindestens eines Einzelrahmens in an sich bekannter Weise Vertiefungen
zur Aufnahme einer Vielzahl von Anschlußgliedern in bestimmten Abständen voneinander
aufweist, die aus einheitlichen Hülsen rohrförmiger oder nahezu rohrförmiger Gestalt bestehen,
in denen die Enden der Anschlußdrähte befestigt sind, wobei jede Hülse mit einer Zunge zur Verbindung
mit einer entsprechenden Anschlußzunge einer benachbarten Matrize versehen ist.
Vorzugsweise erfolgen bei einem Verfahren zum Herstellen von Speicherkernmatrizen der geschilderten
Art folgende Arbeitsgänge: Ein isolierender Einzelrahmen mit einer Paßfläche mit Vertiefungen für
die Anschlußhülsen wird auf einer geeigneten Lehre angeordnet, in deren Aussparungen Magnetkerne in
Reihen und Spalten in Flucht mit den Hülsenvertiefungen des Einzelrahmens angebracht werden. Vier
Kämme, die je aus Hülsen, Zungen und einem ge-
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meinsamen Verbindungsstück bestehen, werden so
angeordnet, daß die Hülsen in den Vertiefungen des Einzelrahmens liegen und das Verbindungsstück und
die Zungen über den Einzelrahmen vorstehen. Darauf wird ein zweiter Einzelrahmen auf die Paßfläche des
ersten Einzelrahmens gelegt und werden Anschlußdrähte durch jede Reihe und Spalte von Kernen und
durch die mit diesen fluchtenden Hülsen hindurchgeführt und gespannt. Die Hülsen werden dann zugedrückt
und verlötet.. Schließlich werden die Verbindungsstücke entfernt, so daß die Zungen einzeln
hervorstehen.
Es sei noch erwähnt, daß das Anbringen von Anschlußgliedern
in Vertiefungen in einander zugewandten Paßflächen einer zweiteiligen Klemmleiste
für Transformatoren an sich bekannt ist. Es handelt sich hierbei aber nicht um Rahmen für Speicherkernmatrizen,
und es sind keine Maßnahmen vorgesehen, um die Anschlußglieder zweier Klemmleisten
miteinander zu verbinden. Die Anschlußglieder ragen nämlich aus den Klemmleisten nicht
hervor.
Eine Ausführungsform der Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der
Fig. 1 in auseinandergezogener Anordnung die Anschlüsse, die Einzelrahmen und die Vakuumlehre
vor dem Zusammenbau darstellt;
Fig. 2 zeigt die X- und Y-Drähte nach ihrer Einfädelung und den zweiten Einzelrahmen vor seiner
Befestigung;
Fig. 3 zeigt, wie die Zungen nach oben und nach unten abgebogen werden;
Fig. 4 zeigt, wie solche Zungen nach der Übereinanderschichtung verbunden werden, und
Fig. 5 stellt eine Ecke einer Anzahl von Informationsspeicherflächen
in Aufeinanderschichtung dar.
In den Figuren bezeichnet 1 elektrische Anschlüsse, die je aus drei einheitlichen Teilen bestehen, und
zwar aus einer mehr oder weniger rohrförmigen, geschlitzten Hülse 5, an die ein Draht angelötet werden
soll, aus einer flachen Öse oder Zunge 6, die später mit einer ähnlichen Zunge einer benachbarten Matrize
bei Aufeinanderschichtung von Matrizen verbunden werden soll, und aus einem dritten einheitlichen
Stück, nämlich einem Metallstreifen 8, der die Anschlüsse kammartig miteinander verbindet. Jede
Hülse 5 ist innen geriffelt, so daß sie den Draht besser hält. Je kleiner der Innendurchmesser der
Hülse ist, um so leichter steigt beim Eintauchen in ein Lötbad in der Hülse das geschmolzene Lot an
infolge der Kapillarwirkung zwischen der Metallhülse und dem ansteigenden geschmolzenen Lot. Dadurch
wird die Verbindung gegen die Außenluft abgeschlossen. Spätere Oxydation und Korrosion
werden damit verhindert.
Die Hauptbefestigungsglieder für die Anschlüsse der Speicherkernmatrize sind zwei rechteckige, durch
Kunstharz miteinander verbundene Einzelrahmen 2 und 4, die aus zusammengeklemmten Teilen bestehen.
Jeder Einzelrahmen hat eine Reihe von Vertiefungen? in der Mitte jeder der vier Innenseiten
des Rahmens; dies sind die Vertiefungen, in denen die Hülsen 5 der Anschlüsse festgeklemmt werden.
Die Einzelrahmen werden so angebracht, daß sie sich genau aneinander anschließen, so daß entsprechende
Vertiefungen zusammenkommen und Öffnungen bilden, in denen die Hülsen 5 gehalten
werden.
Die ringförmigen Ferritkerne werden auf einer geeigneten Lehre3, z.B. einer Vakuumlehre nach
der britischen Patentschrift 777 676, in ihrer richtigen gegenseitigen Lage gehalten, wonach der erste Ein-S
zelrahmen 2 in die endgültige Lage gebracht wird. In einer Reihe von Vertiefungen 7 sind die Hülsen 5
eines Anschlußkammes 1 angeordnet. Die Hülsen jedes Kammes können wenigstens während der Montage
mittels eines in den Vertiefungen angebrachten
ίο Klebemittels in der richtigen Lage gehalten werden.
Ein zweiter ähnlicher Einzelrahmen 4 wird dann
in die endgültige Lage gebracht und befestigt. Die X- und Y-Querdrähte werden durch die Hülsen und
Kerne hindurchgeführt. Die X- und Y-Drähte werden gespannt und die Hülsen zusammengedrückt. Diagonal
verlaufende Ablesedrähte werden eingefädelt und befestigt. Die Zungen 6 und die benachbarten einheitlichen
Hülsenenden werden dann Seite für Seite in ein Ultraschallötbad eingetaucht. Wenn mit einem
ao Flußmittel überzogene Drähte benutzt werden, ist
die Temperatur des flüssigen Lotes vorzugsweise 400° C, so daß das isolierende Flußmittel schmilzt
und eine gute elektrische Verbindung hergestellt wird. Das Verbindungsstück 8 der Anscblußhülsen 5
»5 wird nunmehr durch ein Schneidewerkzeug abgeschnitten.
Die Matrize kann dann in einer Ubereinandersehichtung befestigt werden (Fig. 5), die aus einer
Vielzahl ähnlicher Matrizen besteht, wonach die verzinnten Zungen 6, die über den Hülsen 5 vorstehen,
wechselweise nach oben und nach unten angebogen werden, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist, so daß sie
mit den Zungen der nächsten Matrize verbunden werden können (Fig. 4). Die Zungen der gesamten
Anordnung können dann zum Herstellen der endgültigen Verbindungen Seite für Seite in ein Lötbad
getaucht werden.
Unter »rohrförmigen Hülsen« sind in diesem Zusammenhang auch Hülsen zu verstehen, die durch
Biegen eines Metallstreifens in die Form eines Rohres oder Zylinders mit einer Stoßnaht hergestellt sind,
während unter »nahezu rohrförmigen Hülsen« auch solche Hülsen verstanden werden sollen, bei denen
eine solche Stoßnaht durch einen Spalt ersetzt ist, dessen Breite jedoch kleiner als der Durchmesser des
verwendeten Drahtes ist, so daß der Draht nicht durch ihn entweichen kann.
Claims (5)
1. Speicherkernmatrize mit einem Isolierrahmen, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierrahmen
in der Ebene der Matrize in zwei Einzelrahmen (2 und 4) unterteilt ist, die mit zusammenpassenden
Flächen aufeinander befestigt sind, wobei die Paßfläche mindestens eines Einzelrahmens
in an sich bekannter Weise Vertiefungen (7) zur Aufnahme einer Vielzahl von Anschlußgliedern
in bestimmten Abständen voneinander aufweist, die aus einheitlichen Hülsen (5) rohrförmiger
oder nahezu rohrförmiger Gestalt bestehen, in denen die Enden der Anschlußdrähte
befestigt sind, wobei jede Hülse mit einer Zunge (6) zur Verbindung mit einer entsprechenden
Anschlußzunge einer benachbarten Matrize versehen ist.
2. Speicherkernmatrize nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Hülse (S) innen
geriffelt ist.
3. Verfahren zur Herstellung einer Speicherkernmatrize nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß ein isolierender Einzelrahmen (2), der eine Paßfläche mit Vertiefungen
(7) für die Anschlußhülsen (5) aufweist, auf einer Lehre (3) mit Aussparungen angeordnet wird,
in denen in an sich bekannter Weise in Zeilen und Spalten Magnetkerne in Flucht mit den
Hülsenvertiefungen des erwähnten Einzelrahmens angebracht werden, worauf vier Kämme (1), die
je aus Hülsen (5), Zungen (6) und einem gemeinsamen Verbindungsstück (8) bestehen, so angeordnet
werden, daß die Hülsen in den Vertiefungen im Einzelrahmen liegen und das Verbindungsstück
und die Zungen über den Einzelrahmen vorstehen, worauf ein zweiter Einzelrahmen (4) auf die Paßfläche des ersten Einzelrahmens
gelegt wird und Anschlußdrähte durch jede Reihe und Spalte von Kernen und durch die mit den Reihen und Spalten fluchtenden
Hülsen hindurchgeführt und gespannt werden, worauf die Hülsen zum Befestigen der Drähte
zusammengedrückt und verlötet und danach die Verbindungsstücke (8) entfernt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Anschlüsse auf einer
Seite des Rahmens gleichzeitig in ein Lötbad eingetaucht werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Tauchlöten in einem Ultraschallötbad
erfolgt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 029 875.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 029 875.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 109 739/277 11.61
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| GB3394958A GB843077A (en) | 1958-10-23 | 1958-10-23 | Improvements in or relating to memory matrices |
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Family
ID=10359463
Family Applications (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US3178802A (en) | 1965-04-20 |
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