DE1198860B - Speichermatrix und Verfahren zum Speichern und Ablesen einer Imformation - Google Patents
Speichermatrix und Verfahren zum Speichern und Ablesen einer ImformationInfo
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 126
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 40
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 20
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 81
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006145 Eagle's minimal essential medium Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
H 03 k
Deutsche Kl.: 21 al-37/60
Nummer: 1198 860
Aktenzeichen: N12056IX c/21 al
Anmeldetag: 4. April 1956
Auslegetag: 19. August 1965
Die Erfindung bezieht sich auf eine Speichermatrix, die aus einer Anzahl statischer magnetischer
Speicherelemente besteht, die derart in Zeilen und Spalten angeordnet sind, daß die Speicherelemente
einer jeden Zeile und einer jeden Spalte induktiv mit je einem gemeinsamen Eingangsleiter gekoppelt sind.
Die statischen magnetischen Speicherelemente bestehen bei bekannten Ausführungen aus einem ringförmigen
Kern aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungscharakteristik. Dieser
Kern ist mit den erforderlichen Einschreibwicklungen, Abfragewicklungen und Lesewicklungen versehen.
In manchen Ausführungen sind die Einschreibe- und Abfragewicklungen zu einer gemeinsamen Wicklung
vereinigt, und das Einschreiben und Abfragen wird durch Impulse entgegengesetzter Polarität in dieser
einen Wicklung bewirkt. Eine solche Wicklung heißt dann einfach Eingangswicklung. Die Polarität des
remanenten magnetischen Flusses ist kennzeichnend für die Art der dem Speicherelement zugeführten Information.
Diese Information, die in einem Binärkode enthalten ist, wird dem magnetischen Kreis in Form
von Stromimpulsen zugeführt, die mindestens einen mit dem Speicherelement gekoppelten Leiter durchfließen.
Speicherelemente, die ein zerstörungsfreies Auslesen der Information gestatten, sind an sich bekannt, aber
man hat mit derartigen Elementen noch keine Matrix aufgebaut.
Die Anwendung des bekannten Koinzidenzprinzips, bei dem dieselbe Öffnung eines Elementes sowohl mit
einem Spaltenleiter als auch mit einem Reihenleiter gekoppelt ist, hat den Nachteil, daß das Material eine
sehr gute rechteckige Hysteresisschleife haben muß und daß die Impulse einen genau definierten Wert
haben müssen. Bei Elementen mit bevorzugten (leichten und schweren) Magnetisierungsrichtungen ist es
noch schwieriger, weil die effektive Hysteresisschleife sehr ungünstig ist insofern, als die verschiedenen möglichen
Flußwege um ein Loch hierbei verschiedene Länge haben.
Bei den aus den bekannten Vorrichtungen aufgebauten Speichermatrizen erfolgt das Einspeichern
oder Einschreiben der kodierten Information in ein bestimmtes Speicherelement, von einem für sämtliche
Elemente gleichen Anfangszustand ausgehend, dadurch, daß dem Eingangsleiter der diesem Speicherelement
zugeordneten Zeile und dem Eingangsleiter der diesem Element zugeordneten Spalte je ein Stromimpuls
zugeführt wird. Die Größe dieser Stromimpulse ist derart gewählt, daß sie zusammen den
Remanenzzustand des Kernes von einer Polarität in Speichermatrix und Verfahren zum Speichern
und Ablesen einer !information
und Ablesen einer !information
Anmelder:
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven
(Niederlande)
Vertreter:
Dr. rer. nat. H. Scholz, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Jacob Fredrik Klinkhamer,
Emmasingel, Eindhoven (Niederlande)
Jacob Fredrik Klinkhamer,
Emmasingel, Eindhoven (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 7. April 1955 (196 377)
die andere Polarität zu bringen vermögen, daß sie jedoch bei den anderen in der betreffenden Zeile und
Spalte vorhandenen Speicherelementen, die also nur von einem einzigen Stromimpuls erregt werden, die
Polarität nicht zu ändern vermögen.
Das Abfragen der Information aus einem bestimmten Speicherelement erfolgt dadurch, daß den beiden
genannten Eingangsleitern je ein Stromimpuls entgegengesetzter Polarität zugeführt wird, dessen Größe
derjenigen der beim Einspeichern verwendeten Stromimpulse entspricht. Je nachdem das betreffende
Speicherelement sich in dem einen oder in dem anderen Remanenzzustand befindet, tritt auf einem mit sämtlichen
Speicherelementen induktiv gekoppelten Leseleiter (Ausgangsleiter) ein großer oder ein kleiner
Spannungsimpuls auf, dessen Größe eine Anzeige über die Information darstellt, die das betreffende
Speicherelement enthält.
Solchen Speichermatrizen haften Nachteile an. Die Charakteristiken der verschiedenen Kerne sollen für
eine richtige Wirkungsweise der Matrix möglichst
5u rechteckig sein und außerdem möglichst übereinstimmen.
Die Größe der zuzuführenden Stromimpulse ist kritisch, und es zeigt sich, daß die Ausgangs-
509 657/153
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spannungen, die bei denjenigen Speicherelementen leiter zugeführter negativer Stromimpuls bei anauftreten,
die nur von einem einzigen Stromimpuls steigender Flanke dieses Stromimpulses eine Flußerregt werden, einen störenden Einfluß auf die Wir- änderung Φ3 — Φ1 und bei absteigender Flanke eine
kungsweise der Matrix haben. Das Speichern und Ab- Flußänderung Φ2 — Φ3 herbeiführen, die ebenfalls
lesen der einzelnen Speicherwerte kann nur nach- 5 auf dem anderen Leiter Spannungen hervorrufen, von
einander erfolgen, und außerdem geht beim Ablesen denen die bei der ansteigenden Flanke des Stromdie
in den Speicherelementen enthaltene Information impulses auftretende erste Spannungsspitze beträchtverloren.
lieh größer als die erste Spannungsspitze ist, die in dem
Die Erfindung zielt darauf ab, die Betriebssicherheit Zustand Φ2 des Kreises auftritt. Hierbei sei bemerkt,
solcher Speichermatrizen durch Beseitigung der ge- ίο daß bei der erwähnten Impulsgröße, d. h. bei dem
nannten Mangel beträchtlich zu steigern. Strom Z1, der Kreis stets, nachdem dem erstgenannten
Eine Speichermatrix nach der Erfindung weist zu Leiter ein negativer Stromimpuls zugeführt worden
diesem Zweck das Merkmal auf, daß jedes Speicher- ist, in den Zustand Φ2 gelangt, der mithin einer »0«
glied zwei Kerne besitzt, von denen der eine induktiv der kodierten Information entspricht. Das Festlegen
mit mindestens einem Eingangsleiter gekoppelt ist, 15 einer »1«, was bedeutet, daß der Kreis in den Zu-
welcher der Zeile zugeordnet ist, in der das Speicher- stand Φχ gerät, erfolgt dadurch, daß dem erstgenann-
glied liegt, und der andere Kern induktiv mit dem ten Leiter ein positiver Stromimpuls zugeführt wird,
Eingangsleiter gekoppelt ist, welcher der Spalte zu- dessen Größe mindestens gleich Z1 ist.
geordnet ist, in der das Speicherglied liegt, und außer- Der Unterschied zwischen einer »1« und einer »0«
dem beide Kerne durch eine gesonderte Wicklung ao beim Ablesen beruht also auf der Differenz zwischen
induktiv miteinander gekoppelt sind. den Spannungsspitzen auf dem genannten anderen
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen bei- Leiter und ist dem Unterschied der Flußänderungen
spielsweise näher erläutert. Φ3 — (P1 und Φ3 — Φ2 zu verdanken.
F i g. 1 zeigt eine Speichermatrix, die in bekannter In F i g. 1 sind die Kerne 1 bis 9 durch die Ein-
Weise aus einem zweidimensionalen Muster ring- 25 gangswicklungen α bis / und die Ausgangswicklung g
förmiger Kerne aufgebaut ist, miteinander gekoppelt; diese Wicklungen sind als
F i g. 2 eine Magnetisierungscharakteristik, wie sie einfache Leiter ausgebildet, die nur einmal durch den
für eine solche Anwendung nötig ist, von einem solchen Kern gebildeten Ring hindurch-
F i g. 3 ein schematisch dargestelltes Ausführungs- gezogen sind,
beispiel einer Speichermatrix nach der Erfindung, 30 Im Falle, daß sämtliche Kerne 1 bis 9 sich im Zu-
F i g. 4 ein schematisch dargestelltes Speicher- stand Φ2 befinden, erfolgt das Speichern einer »1«,
element, das bei einer Speichermatrix nach F i g. 3 durch den Zustand Φχ gekennzeichnet, in einem be-
zur Verwendung kommt, und stimmten Kern dadurch, daß den mit diesem Kern
F i g. 5 ebenfalls ein schematisch dargestelltes Aus- gekoppelten Stromleitern je ein Stromimpuls von der
SpeichermatriX nach der Er- 35 GrOBe^z1 (F i g. 2) zugeführt wird. So wird z.B. in
F i g. 1 zeigt eine Speichermatrix, bei der die ein- 8 eine »1« dadurch eingespeichert, daß durch die
zelnen statischen magnetischen Speicherelemente in Stromleiter e und c ein Impuls geschickt wird. Die
bekannter Weise aus je einem ringförmigen Kern auf- Kerne 2, 5, 7 und 9 werden dann von einem Strom-
gebaut sind, der aus einem Material mit möglichst 40 .^ 1 D- . fe fa {fM wh[
rechteckiger Magnetisierungscharaktenstik besteht. F 2 * s s
Die verschiedenen Kerne sind in Form eines zwei- der Magnetisierungscharakteristik gerade zu klein,
dimensionalen Gitters angeordnet, und jeder Kern um einen Übergang von Φ2 nach Φ1 zu bewirken,
bildet mit den ihm zugeordneten Stromleitern ein Die Abfrage erfolgt, wie an Hand von F i g. 2
statisches magnetisches Speicherelement. 45 beschrieben, nur wird jetzt der Abfrageimpuls -Z1
F i g. 2 zeigt mit ausgezogenen Linien die Hyste- durch zwei in zwei Leitern zugleich auftretende Strom-
resisschleife eines solchen Kernes, bei der der Fluß Φ ■ , . .-, ..„ 1 . , .,, .
τ τ-, , .. j . ·* j Tr ι ij. impulse von der Große — -=- Z1 gebildet,
als Funktion des einen mit dem Kern gekoppelten ^ 2 1 &
Leiter durchfließenden Stromes Z aufgetragen ist. Es leuchtet ein, daß in diesem Fall das »Ein-
Unter einer möglichst rechteckigen Magnetisierungs- 50 schreiben« einer »0« einfach dadurch erfolgt, daß man
charakteristik ist eine solche zu verstehen, bei der das den Kern den ursprünglichen Zustand beibehalten
Verhältnis zwischen dem bei i =—=-Z1 (F i g. 2) auf- a„',. , .^ TTJ 1-· 11. 1 * · * j·
2 1K 6 ' Wie bereits an Hand von F1 g. 2 bemerkt, ist die
tretenden Fluß04 und dem bei Z = Z1 auftretenden Flußänderung Φ3 — Φ2 nicht Null; ebenfalls sind die
Fluß Φ5 möglichst gleich 1 ist. In der Praxis liegt 55 Flußänderungen Φ4 — Φ% und Φ4' — Φ8 nicht Null,
dieses Verhältnis zwischen 0,7 und 1. Bei Z = O gibt , „ , ,. . Pi . , l .
es zwei Remanenzzustände, nämlich den remanenten so daß auch die von emem StromimPuls - y h ^ Έ^ΒΦ1 und den remanenten ¥1\ιΒΦ2. Der Zu- regten Kerne 2, 5, 7 und 9 Spannungen auf dem standΦχ entspricht z.B. einer »1« der kodierten In- Leseleiterg· liefern. Diese unerwünschten Störspanformation, Φ2 entspricht dann einer »0«. Wird an- 60 nungen beeinflussen die Größe der auf dem Leiterggenommen, daß sich der Kreis in dem Zustand Φ2 auftretenden gewünschten Nutzspannung, wodurch befindet, so wird ein dem mit dem Kern verbundenen sich bekanntlich der Unterschied zwischen einer »0« Stromleiter zugeführter negativer Stromimpuls von und einer »1« nur schwierig bestimmen läßt. Durch einem Absolutwert Z1 Flußänderungen Φ3 — Φ2 und die Verwendung von Kernen mit einer möglichst Φ2 — Φ3 in dem Kern hervorrufen, die auf einem 65 rechteckigen Magnetisierungscharakteristik und durch anderen, mit dem Kern induktiv gekoppelten Leiter geeignete Wahl des Wickelsinnes des Leiters g in Spannungen erzeugen. Befindet sich der Kreis im bezug auf die verschiedenen Kerne (F i g. 1) kann Zustand Φΐ5 so wird ein dem erstgenannten Strom- bekanntlich der Einfluß der Störspannungen beträcht-
es zwei Remanenzzustände, nämlich den remanenten so daß auch die von emem StromimPuls - y h ^ Έ^ΒΦ1 und den remanenten ¥1\ιΒΦ2. Der Zu- regten Kerne 2, 5, 7 und 9 Spannungen auf dem standΦχ entspricht z.B. einer »1« der kodierten In- Leseleiterg· liefern. Diese unerwünschten Störspanformation, Φ2 entspricht dann einer »0«. Wird an- 60 nungen beeinflussen die Größe der auf dem Leiterggenommen, daß sich der Kreis in dem Zustand Φ2 auftretenden gewünschten Nutzspannung, wodurch befindet, so wird ein dem mit dem Kern verbundenen sich bekanntlich der Unterschied zwischen einer »0« Stromleiter zugeführter negativer Stromimpuls von und einer »1« nur schwierig bestimmen läßt. Durch einem Absolutwert Z1 Flußänderungen Φ3 — Φ2 und die Verwendung von Kernen mit einer möglichst Φ2 — Φ3 in dem Kern hervorrufen, die auf einem 65 rechteckigen Magnetisierungscharakteristik und durch anderen, mit dem Kern induktiv gekoppelten Leiter geeignete Wahl des Wickelsinnes des Leiters g in Spannungen erzeugen. Befindet sich der Kreis im bezug auf die verschiedenen Kerne (F i g. 1) kann Zustand Φΐ5 so wird ein dem erstgenannten Strom- bekanntlich der Einfluß der Störspannungen beträcht-
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lieh herabgesetzt werden, sofern die Kerne außerdem Kern q im Zustand Φ2 befindet, und mit (0,1) die Lage,
möglichst gleiche Magnetisierungscharakteristiken ha- bei der sich der Kern/; im Zustand Φ2 und der Kern q
ben. im Zustand Φ1 befindet.
Auch zeigt es sich in der Praxis, daß der Wert I1 Die Batterien Nx und Ny liefern bei Verbindung mit
ziemlich kritisch ist. Bei einem zu großen I1-WeIt 5 den Leitern χ und y Ströme von der Größe — i; die
, . . T, . ._. , . · Cl . , l . Batterie Px liefert bei Verbindung mit dem Leiter χ
geht ein Kern bereits bei einem Stromimpuls von y I1 ^n Strom yon einem Wert + . ^n Strömen kann
von dem einen Remanenzzustand in den anderen ein impulsförmiger Charakter verliehen werden,
über; bei einem zu geringen Z1-WeIt verbleibt der indem die Schalter Sx und Sy nur zeitweise eine
Kern bei einem Stromimpuls dieser Größe in dem io Batterie einschalten. Der Absolutwert dieser Ströme
gleichen Remanenzzustand auch dann, wenn die ist mindestens gleich Z1 (F i g. 2).
Polarität des Stromimpulses einer Änderung des Re- Mit [ip, ig] ist im folgenden angedeutet, daß im
manenzzustandes entspricht. Leiter χ zeitweilig ein Strom ip auftritt und zugleich
Daß das Ablesen der einzelnen Speicherelemente im Leiter y ein Strom ig. Sowohl iP als auch iq können
nur nacheinander erfolgen kann und daß außerdem 15 also den Wert — 1 und 0 haben, ip außerdem noch
hierbei die in den Speicherelementen festgelegte den Wert i.
Information verlorengeht, leuchtet nach dem oben Mit (α, β) [ip, ig] = (γ, δ) ist angedeutet, daß das
Geschilderten ein. Speicherelement sich ursprünglich im Zustand («, ß)
F i g. 3 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel befindet (λ und β sind also gleich 1 oder 0), daß zu-
einer Speichermatrix nach der Erfindung. Jedes der so gleich in den Leitern χ und y impulsförmige Ströme ip
Speicherelemente besteht hier aus zwei Kernen: lp bzw. ig erzeugt werden und daß das Speicherelement
und Iq, 2P und 23 usw. Die Leiter a, b und c sind hierbei sich nach Ablauf dieser Ströme in dem Zustand (γ, δ)
mit den /;-Kernen gekoppelt und die Leiter d, e und / befindet (y und δ sind also ebenfalls gleich 1 oder 0).
mit den ^-Kernen. Jeder /7-Kern ist außerdem mittels Die verschiedenen sich bei der Speichermatrix
einer Kurzschlußwicklung 10 mit dem entsprechenden 25 nach F i g. 3 ergebenden Fälle werden im folgenden
^-Kern induktiv gekoppelt. nacheinander betrachtet:
Bevor auf die Wirkungsweise der Speichermatrix ^ q\ r_ 2· q-i _ /q ^.
nach F i g. 3 näher eingegangen wird, werden an Hand '
von F i g. 4 die Wirkungsweise und die Eigenschaften Das Speicherelement befindet sich also ursprünglich
eines einzelnen Speicherelementes beschrieben. Außer- 30 in dem Zustand, in dem der Kern ρ sich im Remanenz-
dem wird ein Bezeichnungssymbol festgelegt, das bei zustand Φχ befindet und der Kern q sich im Remanenz-
der Beschreibung nach F i g. 3 benutzt wird. zustand Φ2 befindet. Nur durch den Stromleiter χ
In F i g. 4 stellen ρ und q Kerne mit einer Magneti- wird ein Stromimpuls — i gesandt. Dies wird dadurch
sierungscharakteristik dar, von der einstweilen an- erreicht, daß der Schalter Sx kurzzeitig die Batterie Nx
genommen wird, daß sie die mit ausgezogenen Linien 35 einschaltet. Dieser Stromimpuls läßt primär den
in F i g. 2 abgebildete Form hat. Der Kern ρ ist mit Kern ρ vom Zustand Φ1 in den Zustand Φ2 übereinem
Leiter χ gekoppelt, der mittels eines Schalters Sx gehen (F i g. 2) und verursacht sekundär wegen der
mit der positiven Klemme einer Batterie Px oder mit bei diesem Übergang auftretenden Flußänderung
der negativen Klemme einer Batterie Nx verbunden einen beträchtlichen Stromimpuls in der Wicklung 10,
werden kann. Der Kern q ist mit einem Leiter y ge- 4° dieser Stromimpuls beeinflußt den Kern q in gleicher
koppelt, der mittels eines Schalters Sy mit der nega- Weise wie ein positiver Stromimpuls im Leiter y. Dies
tiven Klemme einer Batterie Ny verbunden werden bedeutet also, daß der Kern q von dem ursprünglichen
kann. Die Kernen und q sind außerdem mittels einer Zustand Φζ in den Zustand (P1 gelangt:
Kurzschlußwicklung 10 miteinander in der Form q q\ tq _f\ — η q\
gekoppelt, daß der aus Kern/? oben herausführende 45 ' ' '
Draht in den Kern q von unten hineinführt. Damit In diesem Fall bringt der Stromimpuls — i im ist der Wickelsinn dieser Wicklung 10 derart ge- Leiter y den Kern q von dem Remanenzzustand Φ2 troffen, daß, wenn dem Leiter χ ein negativer Impuls weiter in die negative Sättigung, so daß nach Ablauf zugeführt wird, die dabei auftretenden Flußänderungen des Stromimpulses der ursprüngliche Zustand aufim Kern ρ zu Strömen in der Kurzschlußwicklung 10 50 rechterhalten bleibt. Die dabei auftretenden Flußführen, deren Richtung derart ist, daß ihre Magnet- änderungen sind jedoch zu klein, um den Kern ρ zu felder im Kern q die gleiche Richtung wie die von beeinflussen. Auch im Kern ρ wird also der gleiche einem positiven Stromimpuls im Leiter y erzeugten Zustand aufrechterhalten:
Magnetfelder haben. Ebenfalls wird dann ein den q q·* ^ q-i _ ^ q\
Leiter y durchsetzender negativer Stromimpuls zu 55 ' ' '
Strömen in der Kurzschlußwicklung führen, deren In diesem Fall bringt der Stromimpuls +1 im Richtung derart ist, daß ihre Magnetfelder im Kern ρ Leiter χ den Kern ρ von dem Remanenzzustand Φ^ die gleiche Richtung haben wie die von einem posi- weiter in die positive Sättigung, so daß auch hier nach tiven Stromimpuls im Leiter χ erzeugten Magnet- Ablauf des Stromimpulses der ursprüngliche Zustand felder. 60 aufrechterhalten wird. Ebenfalls sind die hierbei auf-
Kurzschlußwicklung 10 miteinander in der Form q q\ tq _f\ — η q\
gekoppelt, daß der aus Kern/? oben herausführende 45 ' ' '
Draht in den Kern q von unten hineinführt. Damit In diesem Fall bringt der Stromimpuls — i im ist der Wickelsinn dieser Wicklung 10 derart ge- Leiter y den Kern q von dem Remanenzzustand Φ2 troffen, daß, wenn dem Leiter χ ein negativer Impuls weiter in die negative Sättigung, so daß nach Ablauf zugeführt wird, die dabei auftretenden Flußänderungen des Stromimpulses der ursprüngliche Zustand aufim Kern ρ zu Strömen in der Kurzschlußwicklung 10 50 rechterhalten bleibt. Die dabei auftretenden Flußführen, deren Richtung derart ist, daß ihre Magnet- änderungen sind jedoch zu klein, um den Kern ρ zu felder im Kern q die gleiche Richtung wie die von beeinflussen. Auch im Kern ρ wird also der gleiche einem positiven Stromimpuls im Leiter y erzeugten Zustand aufrechterhalten:
Magnetfelder haben. Ebenfalls wird dann ein den q q·* ^ q-i _ ^ q\
Leiter y durchsetzender negativer Stromimpuls zu 55 ' ' '
Strömen in der Kurzschlußwicklung führen, deren In diesem Fall bringt der Stromimpuls +1 im Richtung derart ist, daß ihre Magnetfelder im Kern ρ Leiter χ den Kern ρ von dem Remanenzzustand Φ^ die gleiche Richtung haben wie die von einem posi- weiter in die positive Sättigung, so daß auch hier nach tiven Stromimpuls im Leiter χ erzeugten Magnet- Ablauf des Stromimpulses der ursprüngliche Zustand felder. 60 aufrechterhalten wird. Ebenfalls sind die hierbei auf-
Ein solches Speicherelement kann sich in ver- tretende Flußänderungen wieder zu klein, um den
schiedenen Zuständen befinden. Es können sich sowohl Kern q zu beeinflussen:
der Kern ρ als auch der Kern q im Remanenzzustand /1 q\ γ_· -1 _ /·η η\
Φχ oder Φ2 befinden. Im folgenden ist mit (1,1) die v ' ^ L ' J K ' ''
Lage angedeutet, bei der sich beide Kerne im Zu- 65 Infolge des Stromimpulses — 1 im Leiter χ geht der
stand Φ1 befinden, mit (0,0) die Lage, bei der sich Kern ρ vom Zustand Φ1 in den Zustand Φ2 über. Der
beide Kerne im Zustand Φ2 befinden, mit (1,0) die Einfluß des hierbei auftretenden Stromimpulses in der
Lage, bei der sich der Kern ρ im Zustand Φχ und der Wicklung 10 wird in diesem Fall durch den negativen
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Stromimpuls im Leiter y ausgeglichen, wodurch der und Ny tatsächlich negativ gegen Erde. Würde aber
Kern q den ursprünglichen Zustand Φ2 beibehält: die durch Pfeile angedeutete Richtung als negativ
(0 θ) Γ—ί 01 = (O 0) betrachtet werden, so müßten die nicht an Erde
' ' \ > >· gelegten Klemmen der genannten Batterien in Wirk-
Der Stromimpuls —i im Leiter χ bringt den Kern/? 5 lichkeit positiv gegen Erde sein.
aus dem Zustand Φ2 weiter in die negative Sättigung, Um eine komplizierte Beschreibung zu vermeiden,
so daß nach Ablauf des Stromimpulses der Ursprung- wird im folgenden, entsprechend dem oben Geschil-
liche Zustand beibehalten wird. Die hierbei auf- derten, ein Stromimpuls durch einen mit einem Kern
tretende Flußänderung ist wieder zu klein, um den gekoppelten Leiter als negativ bezeichnet, wenn dieser
Kern q zu beeinflussen: io Stromimpuls den Kern aus dem mit positiv bezeich-
(0 0) Γ0 —/1 = (0 O) neten Remanenzzustand in den als negativ bezeich-
' neten Remanenzzustand bringt. Außerdem wird die
Dieser Fall entspricht vollkommen dem voran- nicht an Erde gelegte Klemme der Batterie, die diesen
gehenden: Stromimpuls im Leiter liefert, als negativ betrachtet,
(0, 0) [i, O] = (I, 0). l5 obgleich dies in Wirklichkeit keineswegs der Fall zu
sein braucht.
Der positive Stromimpuls i im Leiter χ macht, daß Aus dem oben Geschilderten geht hervor, daß der
der Kern ρ vom Zustand Φ2 in den Zustand Φτ über- Absolutwert des einem Leiter zugeführten Stromgeht.
Infolgedessen wird in der Wicklung 10 ein impulses immer mindestens gleich ζ sein muß (F i g. 2).
Stromimpuls erzeugt, dessen Einfluß dem eines 20 Bedingung für eine richtige Wirkungsweise des
negativen Stromimpulses im Leiter y entspricht. Aus Speicherelementes nach F i g. 4 ist nur, daß bei einem
F i g. 2 geht wieder hervor, daß dann der Kern q Übergang eines Kernes von dem einen Remanenzden
ursprünglichen Zustand beibehält: zustand in den anderen die Flußänderung beträchtlich
(0 I) Γ0 —ζΊ — (I O) isi unc^ ^a^ beim Überführen eines Kernes aus einem
' ' 25 Remanenzzustand in den entsprechenden Sättigungs-
Dieser Fall entspricht vollkommen dem Fall bereich die Flußänderung gering ist. Dies bedeutet,
(1 ο) Γ—/ 01 = (0 ΐ) ^a^ ^as Material, aus dem die Kerne des Speicher-
elementes nach F i g. 4 bestehen, nur die Bedingung
in dem Sinne, daß die Kerne ρ und q und die Leiter χ zu erfüllen hat, daß das Verhältnis zwischen dem
und y ihre Rolle vertauscht haben: 30 Remanenzfluß [(P1 oder Φ2] und dem Sättigungsfluß
(0 Ϊ) \i 01 = (1 0) ^5 °^er ^ s*c^ soweit wie möglich dem Wert 1
' ' " nähert. Eine möglichst rechteckige Magnetisierungs-
Der Stromimpuls i im Leiter χ macht, daß der charakteristik, wie oben definiert, welche bei den
Kern ρ vom Zustand Φ2 in den Zustand Φχ übergeht. Speicherelementen einer Speichermatrix nach Fig. 1
Infolgedessen wird in der Wicklung 10 ein Stromimpuls 35 benötigt wird, ist also keineswegs erforderlich. Das
erzeugt, dessen Einfluß dem eines negativen Strom- Kernmaterial darf also eine Magnetisierungscharak-
impulses im Leiter y entspricht. Aus F i g. 2 geht teristik haben, wie sie in F i g. 2 strichpunktiert an-
hervor, daß der Kern q von dem ursprünglichen Zu- gedeutet ist.
stand Φχ in den Zustand Φ2 übergeht. In F i g. 3 sind die Leiter a, b und c mit den VorZusammenfassung:
40 richtungen v4, B und C verbunden, die je im ent-
n m r_· m — in η sprechenden Leiter einen positiven bzw. negativen
(1, U) [—ι, UJ — (U, IJ Stromimpuls von einem Wert i liefern können. Eine
(U 0) [0, — i] = (1, 0) solche Vorrichtung kann also z. B. aus zwei Batterien
(1,0) [i, 0] =(1,0) und einem Schalter bestehen, etwa wie bei Fig. 4.
(1,0) [—i,—i]=(0, 0) 45 In der Praxis werden die Schalter im allgemeinen
f0 0) Γ—ι 01 = (0 O) elektronisch ausgebildet, und die Batterien können
ff\ ci\ rn ' π rn n\ durch Impedanzen ersetzt sein, an denen von anderen
(U, D) [0, — ζ] = (U, U) Vorrichtungen stammende Spannungen auftreten.
(0, 0) [/, 0] = (1, 0) Die Leiter d, e und / sind mit Einrichtungen D, (0, 1) [0, —z] = (1,0) 50 E und F verbunden, die jedem entsprechenden Leiter (0, 1) [z, 0] = (1, 0) einen negativen Stromimpuls — i liefern können. Für
(0, 0) [/, 0] = (1, 0) Die Leiter d, e und / sind mit Einrichtungen D, (0, 1) [0, —z] = (1,0) 50 E und F verbunden, die jedem entsprechenden Leiter (0, 1) [z, 0] = (1, 0) einen negativen Stromimpuls — i liefern können. Für
die Einrichtungen D, E und F gilt ähnliches wie für
Aus dem oben Geschilderten geht hervor, daß der die Einrichtungen A, B und C.
Stromimpuls als negativ bezeichnet wird, wenn dieser Es wird angenommen, daß im folgenden eine »1«
Stromimpuls einen Kern derart beeinflußt, daß dieser 55 der kodierten Information durch die Lage (1, 0) der
von einem Zustand Φχ in einen Zustand Φ2 übergeht, Speicherelemente charakterisiert ist und eine »0«
wobei Φ1 den Fluß in einem Kern bei dem in F i g. 2 durch die Lage (0, 0).
als positiv bezeichneten Remanenzzustand darstellt Der Ausgangszustand der Speicherelemente sei für
und Φ2 den Fluß in einem Kern in dem in F i g. 2 als sämtliche Elemente die Lage (0, 0).
negativ bezeichneten Remanenzzustand darstellt. In 60 Weiter wird angenommen, daß die Information,
F i g. 2 hat ein solcher Stromimpuls eine Richtung, welche in die Speichermatrix eingeschrieben werden
die der negativen z-Achse entspricht. soll, die folgende Form hat:
Nun besteht in einem bestimmten Fall immer die )>1<( (>j<( )>υ<<
Freiheit, eine bestimmte Flußrichtung im Kern als >0<
>0< >1«
positiv und die andere als negativ zu bezeichnen. In 65 * ' * '
F i g. 4 ist die mit einem Pfeil angedeutete Richtung sl<<
>>ü<<
>>1<(
als positiv betrachtet. In diesem Fall sind z. B. die wobei ein Symbol »1« oder »0« im obengenannten
nicht an Erde gelegten Klemmen der Batterien Nx Schema in einer bestimmten Zeile und in einer be-
9 10
stimmten Spalte mit der gewünschten Information gänge, denen diese Speicherelemente unterliegen, wie
im entsprechenden Speicherelement der Speicher- folgt sind:
matrix nach F i g. 3 übereinstimmt. Für die Speicherelemente 6 und 9 nacheinander
Zunächst wird dem Leiter α ein positiver Impuls _
zugeführt. Für sämtliche Speicherelemente der ersten 5 ^υ' ^' LU' ~lJ ~~ 'U' 0^
Zeile gilt also der Vorgang ™ =
(0, 0) [i, 0] = (1, 0).
und für die Kerne 4, 5, 7 und 8 nur einmal der Vor-
Sämtliche Speicherelemente der ersten Zeile be- gang
finden sich also nach Ablauf des Stromimpulses in io (0, 0) [0, — i] = (0, 0).
der Lage (1, 0), die einer »1« der kodierten Information
der Lage (1, 0), die einer »1« der kodierten Information
entspricht. Es leuchtet ein, daß der letztgenannte negative
Anschließend wird den Leitern α und / zugleich Stromimpuls statt sämtlichen Spaltenleitern eigent-
ein negativer Stromimpuls zugeführt. Für die Speicher- lieh nur den Leitern d und e zugeführt zu werden
elemente 1 und 2 gilt also der Vorgang 15 braucht, gegebenenfalls sogar nacheinander, um die
Π m [—,· 01 = (0 11 gewünschte Wirkung zu erzielen. Der Stromimpuls
*■ ' ;L ' J y ' ' zu sämtlichen drei Spaltenleitern hat aber den Vorteil,
und für das Speicherelement 3 daß keine Wahl zwischen diesen drei Leitern getroffen,
(1 o) \—i —i] = (0 0) m werden braucht.
ao Dabei tritt auf dem Zeilenleiter ein negativer
Es sei bemerkt, daß, wenn die Spaltenleiter d und e Störimpuls auf, der aber unschädlich ist, weil er infolge
in diesem Fall keinen offenen Stromkreis bilden (was des hohen inneren Widerstandes der Impulsquelle A
dagegen der Fall ist, wenn die Vorrichtungen D und E zu gering ist, um einen störenden Einfluß auf die
entsprechend F i g. 4 als Schalter und Batterie aus- übrigen Kerne der Zeile auszuüben,
gebildet sind), die Übergänge der Kerne I1 und 2q 25 Anschließend wird die zweite Zeile gespeichert. Zuvom Zustand Φ2 in den Zustand Φ1 in diesen Leitern nächst wird dem Leiter b wieder ein positiver Impuls negative Stromimpulse herbeiführen. Die Speicher- zugeführt. Die Kerne 4, S und 6 befinden sich dann elemente in den betreffenden Spalten, die der zweiten im Zustand (1, 0).
gebildet sind), die Übergänge der Kerne I1 und 2q 25 Anschließend wird die zweite Zeile gespeichert. Zuvom Zustand Φ2 in den Zustand Φ1 in diesen Leitern nächst wird dem Leiter b wieder ein positiver Impuls negative Stromimpulse herbeiführen. Die Speicher- zugeführt. Die Kerne 4, S und 6 befinden sich dann elemente in den betreffenden Spalten, die der zweiten im Zustand (1, 0).
und dritten Zeile zugeordnet sind, befinden sich immer Dann wird den Leitern b, d und e zugleich ein
noch in der Lage (0, 0). 30 negativer Stromimpuls zugeführt. Infolgedessen ge-
Aus (0, 0) [0, — i] — (0, 0) geht aber hervor, daß langen die Speicherelemente 4 und 5 wieder in die
die genannten negativen Stromimpulse keinen Ein- Lage (0, 0) und das Speicherelement 6 in die Lage
fiuß auf diese Speicherelemente haben. (0, 1). Die Zuführung eines negativen Impulses zu den
Die Leiter werden z. B. keine offenen Zeilen bilden, drei Spaltenleitern bringt das Speicherelement 6 in die
wenn die von den Vorrichtungen A, B usw. stammen- 35 Lage (1, 0).
den Stromimpulse in diesen Leitern unter dem Es leuchtet wieder ein, daß auch nacheinander die
Einfluß von Spannungen erzeugt werden, die an Speicherelemente 4 und 5 in die Lage (0, 0) geführt
mit diesen Leitern verbundenen Impedanzen ent- werden können, indem zunächst den Leitern b und d
stehen. zugleich negative Stromimpulse zugeführt und danach
Ein Beispiel des letztgenannten ist der Fall, wenn 40 den Leitern b und e zugleich negative Slromimpulse
diese Spannungen der Primärwicklung eines Trans- zugeführt werden.
formators zugeführt werden, dessen Sekundärwick- Wie ist nun der Einfluß der negativen Stromimpulse
lung in Reihe mit einem solchen Leiter liegt. in den Spaltenleitern auf die Speicherelemente der
Das Speicherelement 3 enthält also nun eine »0«, ersten Zeile? Dafür gelten die Vorgänge
aber die Speicherelemente 1 und 2 befinden sich noch 45
nicht in dem richtigen Zustand. (1> °) [°= — ΖΊ = C1» °)
aber die Speicherelemente 1 und 2 befinden sich noch 45
nicht in dem richtigen Zustand. (1> °) [°= — ΖΊ = C1» °)
Zu diesem Zweck wird den Leitern d, e und / bzw.
nochmals ein negativer Stromimpuls zugeführt. Das (0, 0) [0, — i] = (0, 0),
Speicherelement 3 unterliegt also dem Vorgang
50 woraus hervorgeht, daß diese keinen Änderungen
(0, 0) [0, — i] = (0, 0) unter dem Einfluß der erwähnten Stromimpulse unterliegen,
und behält also die Information »0« bei. Das Speichern der gewünschten Information in die
und behält also die Information »0« bei. Das Speichern der gewünschten Information in die
Die Speicherelemente 1 und 2 unterliegen dem Vor- dritte Zeile ist nunmehr klar. Zunächst wird dem
gang 55 Leiter c ein positiver Stromimpuls zugeleitet. An-
(0, 1) [0, — i] = (1, 0) schließend werden den Leitern c und e negative
Impulse zugeführt, und schließlich wird ein negativer
und enthalten also hiernach gerade die richtige In- Impuls sämtlichen drei Spaltenleitern d, e und / zuformation
»1«. geleitet.
Der Übergang in einem ^-Kern vom Zustand Φ% 6o Aus dem oben Geschilderten geht hervor, daß jedes
in den Zustand Φχ verursacht im entsprechenden Speicherelement der Speichermatrix beim Speichern
Zeilenleiter, wenn dieser keinen offenen Stromkreis ähnlichen Vorgängen wie das Speicherelement nach
darstellt, ebenfalls einen negativen Stromimpuls. F i g. 4 unterliegt. Auch hier braucht ein Kern nicht
Auch dieser Impuls hat keinen Einfluß auf die übrigen, zwischen einem Stromimpuls I1 und einem Stromalso
in der Lage (0,0) befindlichen Speicherelemente, 65 . , 1 . , ., /t,. ολ _.. „, ,, ,
da ja (0, 0) [A 0] = (0, 0) gibt. impuls T h zu unterscheiden (F * S- 2). Die Wahl der
Die Speicherelemente 4, 5, 6, 7, 8 und 9 ver- bei der Speichermatrix nach F i g. 3 verwendeten
bleiben hierbei in der Lage (0, 0), da ja die Vor- Stromimpulse i und —i ist dann auch keineswegs
509 657/153
11 12
kritisch, und auch die Magnetisierungscharakte- Es ist auch möglich, zunächst sämtliche Zeilen ab-
ristiken brauchen nicht vollkommen gleich zu sein. zulesen und danach diese gemeinsam durch die
Ebenfalls leuchtet es ein, daß eine möglichst recht- Zufuhr negativer Impulse zu den Spaltenleitern in
eckige Magnetisierungscharakteristik der Kerne nicht den ursprünglichen Zustand zurückzuführen. Dabei
notwendig ist und es also zulänglich ist, daß das Ver- 5 treten beim Lesen in den Spalten Stromimpulse auf,
hältnis zwischen dem Remanenzfluß des Kern- welche die Speicherelemente von bereits vorher ab-
materials und dem Sättigungsfluß sich soweit wie gelesenen, aber noch nicht in den ursprünglichen
möglich dem Wert 1 nähert. Zustand zurückgeführten Zeilen, die sich ja nun im
Das Ablesen der Information geht wie folgt vor sich: Zustand (0, 1) befinden, in den Zustand (1,0) zurück-Dem
Leiter α wird ein negativer Stromimpuls zu- io führen, da ja
geführt. Die Speicherelemente 1 und 2, die sich beim ™ ,-, fn ■■, __ ,, n->
gewählten Beispiel im Zustand (1, 0) befinden, gehen K ' } L ' J K ' }
in den Zustand (0,1) über, da ja ist, was natürlich unbedenklich ist.
Π (Y>
Γ—" 01 — (0 Ώ ^s ze^ s*°k a^so' ^a^ ^m Gegensatz zu den ^e-
Kt)LhI-K)) 15 kanten Speichermatrizen die Information einer
ist, und das Speicherelement 3, das sich im Zustand ganzen Zeile zu gleicher Zeit abgelesen werden kann.
(0,0) befindet, verbleibt in diesem Zustand, da ja Gewünschtenfalls kann die Information natürlich
nacheinander erhalten werden, indem die genannten
(0, 0) [—ι, OJ = (0, 0) Vorgänge in einer bestimmten Zeile wiederholt und
bedeutet. 20 das eventuelle Auftreten der Spannungsimpulse in
Der Übergang der Speicherelemente 1 und 2 vom einem gemeinsamen Ausgangsleiter nacheinander auf-Zustand
(1,0) in den Zustand (0, 1) verursacht gezeichnet wird.
Spannungsimpulse, die in den Ablesewicklungen g± Da das Ablesen in entsprechender Weise wie das
und gz entstehen, die mit den ^-Kernen dieser Speicher- Speichern erfolgt, besteht für die Stromimpulse kein
elemente gekoppelt sind und die einer in der Zeich- 25 kritischer Wert und ist für das Abfragen eine möglichst
nung nicht dargestellten Auswerteeinrichtung zu- große Gleichheit der Charakteristiken der Kerne keine
geführt werden. In der Ausgangswicklung ^3 tritt Hauptforderung ebensowenig wie eine absolute Rechtkein
Spannungsimpuls auf. eckigkeit der Charakteristiken.
Die Ablesewicklungen können im übrigen auch mit Außerdem zeigt es sich, daß die Information beim
den /»-Kernen gekoppelt sein. Kopplung mit den 30 Abfragen aus einer Speichermatrix nach der Erfindung
^-Kernen empfiehlt sich aber deshalb, weil, wenn ein nicht verlorengeht. Wenn nach dem Abfragen einer
Speicherelement sich im Zustand (0, 0) befindet, die oder mehrerer Zeilen sämtlichen Spaltenleitern ein
unter dem Einfluß des negativen Stromimpulses in negativer Stromimpuls zugeführt wird, ist der Zudem
Zeilenleiter trotzdem auftretenden Flußände- stand, wie er vor dem Ablesen war, vollkommen
rangen in den /J-Keraen (von Φζ zu Φ3 und zurück, 35 wiederhergestellt. Dies ist ein großer Unterschied im
F i g. 2) größer sind als die unter dem Einfluß der Vergleich zu den bekannten Vorrichtungen,
letztgenannten Flußänderungen auftretenden Fluß- Wünscht man danach neue Informationen in die
letztgenannten Flußänderungen auftretenden Fluß- Wünscht man danach neue Informationen in die
änderungen in den ^-Kernen, so daß der Unterschied Speichermatrix zu speichern, so könnte man, indem
zwischen den Ausgangsspannungen, die auftreten, sowohl den Spaltenleitern als auch den Zeilenleitern
wenn eine »1« gespeichert ist, und den Ausgangs- 40 ein negativer Impuls zugeführt wird, zunächst wieder
spannungen, die beim Speichern einer »0« auftreten, sämtliche Speicherelemente in den Zustand (0,0)
bei Kopplung mit den ^-Kernen größer als bei Kopp- bringen,
lung mit den p-Kerncn ist. Dies ist aber keinesfalls notwendig. Wie oben ge-
lung mit den p-Kerncn ist. Dies ist aber keinesfalls notwendig. Wie oben ge-
Es sei bemerkt, daß in den Leitern d und e — es sei schildert, wird beim Speichern der Information in
denn, daß diese Leiter beim Ablesen offene Strom- 45 einer Zeile zunächst dem der betreffenden Zeile zukreise
bilden — unter dem Einfluß dieser Übergänge geordneten Stromleiter ein positiver Stromimpuls
negative Stromimpulse auftreten, die aber die anderen zugeführt.
mit diesen Leitern gekoppelten Speicherelemente Ausgehend von einer Lage (0, 0) gelangt also jedes
nicht beeinträchtigen, da ja aus dem Vorgang Speicherelement in einen Zustand (1, 0), da
(1,0) [0, -i] = (1, 0) 50 (0, 0) [i, 0] = (1, 0).
und dem Vorgang Aber auch wenn ein Speicherelement sich im Zu-
(0 O) Γ0 — ü = CO O) stand (1, 0) oder (0,1) befindet, trifft dies zu, da ja
hervorgeht, daß sich die Zustände der anderen 55 (*>
^) I1'» 0] = (I10)
Speicherelemente nicht ändern. und
Indem nun sämtlichen Spaltenleitern d, e und / (o, 1) [/, O] = (I, 0).
negative Impulse zugeführt werden, gehen die Speicherelemente 1 und 2 vom Zustand (0, 1) wieder in den Es ist möglich, die Information einer Spalte ab-Zustand
(1,0) zurück; das Speicherelement 3 behält 60 zulesen, ohne daß diese verlorengeht, indem die
hierbei den ursprünglichen Zustand bei. Auf diese /7-Kerne der Speicherelemente, die einer bestimmten
Weise werden die vorher ausgelesenen Informationen Spalte zugeordnet sind, mit einem gesonderten
wieder zurückgeschrieben. Spaltenleiter gekoppelt werden, dem für das Ablesen
Das Ablesen der Zeilen 2 und 3 erfolgt in gleicher ein negativer Impuls zugeführt wird. Die Information
Weise. Auch hierbei können negative Stromimpulse 65 geht hierbei nicht verloren; die Wiederherstellung der
in den Spaltenleitern auftreten, die aber auf die in den Information kann z. B. dadurch erfolgen, daß dem
Zuständen (1,0) und (0,0) befindlichen Speicher- entsprechenden mit den ^-Kernen gekoppelten Spalelemente
keinen Einfluß ausüben. tenleiter ein negativer Stromimpuls zugeführt wird.
In F i g. 3 hat jedes Speicherelement eine eigene Lesewicklung glt g2 usw. Es ist aber auch möglich,
die Speicherelemente, die einer bestimmten Spalte zugeordnet sind, mit einer gemeinsamen Lesewicklung
zu versehen. Die Speicherelemente, die einem nicht von einem negativen Abfragestromimpuls erregten
Zeilenleiter zugeordnet sind, werden von diesen gemeinsamen Lesewicklungen in gleicher Weise
beeinflußt wie durch die Spaltenleiter im obenerwähnten Fall, wo jedes Speicherelement eine eigene
Lesewicklung hat; hieraus geht hervor, daß diese Beeinflussung sich nicht störend auswirkt.
Es ist sogar möglich, als Lesewicklung die Spaltenleiter selbst zu verwenden. Beim Abfragen sind die
Spaltenleiter nicht mehr mit den entsprechenden Batterien oder ähnlichen Spannungsquellen der Vorrichtungen
D, E und F verbunden, so daß die über einen solchen Leiter beim Abfragen auftretenden
Spannungen anderweitig benutzt werden können, indem der mit einem solchen Leiter verbundene
Schalter diese Leitung an die Eingangsklemme der Auswerteeinrichtung legt oder indem die an einer mit
diesem Leiter verbundenen Impedanz auftretende Spannung einer Auswerteeinrichtung zugeleitet wird.
F i g. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Speichermatrix, bei der die Spaltenleiter zugleich als Lesewicklungen
benutzt werden. Die Spaltenleiter sind zu diesem Zweck mit Schaltern Sa, Se und Sf verbunden,
welche die Leiter mit den Spannungsquellen Na, Ne oder JV/ bzw. mit den Auswerteeinrichtungen
Ga, Ge und Gf zu verbinden vermögen. Außerdem
sind beim dargestellten Ausführungsbeispiel in F i g. 5 die Zeilenleiter nicht einfach, entsprechend F i g. 4,
sondern doppelt ausgebildet, wobei der eine Satz Zeilenleiter au O1 und C1 nur negative Stromimpulse
und der Satz Zeilenleiter a2, b2 und c2 ausschließlich
positive Stromimpulse erhält. Die Zeilenleiter ax, bx
und C1 sind zu diesem Zweck mit Schaltern Sai,
Stn und Sn verbunden, welche die Leiter mit den
Spannungsquellen Na, Nj, und N0 verbinden können,
die negative Stromimpulse liefern; die Zeilenleiter a2,
bt und C2 sind mit Schaltern Sa%, Sb2 und SCi verbunden,
welche die Leiter mit den Spannungsquellen Pa, Pb bzw. Pc verbinden können, welche positive
Stromimpulse liefern. Es leuchtet ein, daß dies die Wirkung der Speichermatrix keineswegs beeinflußt.
Außerdem sind in F i g. 5 die #-Kerne einer jeden Zeile mit einem gesonderten Zeilenleiter versehen,
d. h. durch die Leiter r, s und t. Sowohl beim Einspeichern von Informationen in eine bestimmte Zeile
als auch beim Abfragen von Informationen aus einer bestimmten Zeile werden zweckmäßig sämtlichen
drei Spaltenleitern gleichzeitig negative Stromimpulse zugeführt. In beiden Fällen dient dies dazu, die
Speicherelemente der betreffenden Zeile, die beim Einspeichern oder beim Abfragen in den Zustand (0,1)
gelangt sind, in den Zustand (1, 0) zurückzuführen.
Indem nun dem jeder Zeile zugeordneten, mit den ^-Kernen gekoppelten Zeilenleiter ein negativer Stromimpuls
zugeführt wird, wird das gleiche Ergebnis erzielt, wobei aber der Vorteil entsteht, daß hierbei
der Einfluß auf die Speicherelemente der nicht angesteuerten Zeilen beträchtlich geringer ist (und, falls
die Spaltenleiter in offenen Stromkreisen liegen, sogar Null ist), sodaß die Anforderung, daß das Verhältnis
zwischen Remanenzfluß und Sättigungsfluß des Kernmaterials soweit wie möglich an den Wert 1
heranrücken soll, etwas weniger streng sein kann.
Die Leiter r, s und / sind mit Schaltern iSV, Ss und
St verbunden, welche die Leiter mit den Spannungsquellen Nr, Ns und Nt verbinden können, die negative
Stromimpulse liefern.
Es leuchtet ein, daß im vorstehenden Text die Wörter »Spalte« und »Zeile« vertauschbar sind, ohne
daß sich an der Wirkungsweise etwas ändert.
Schließlich sei noch bemerkt, daß die Anzahl von je drei Speicherelementen in einer Zeile und in einer
ίο Spalte nur beispielsweise gewählt ist und außerdem die Anzahl Speicherelemente in einer Zeile nicht der
Anzahl Speicherelemente in einer Spalte zu entsprechen braucht.
Claims (10)
1. Speichermatrix, bestehend aus einer Anzahl in Zeilen und Spalten angeordneter statischer
magnetischer Speicherglieder mit Kernen aus ferromagnetischem Material, bei dem das Verhältnis
zwischen Remanenzfluß und Sättigungsfluß sich soweit wie möglich dem Wert 1 nähert, wobei
die Speicherglieder jeder Zeile und jeder Spalte induktiv mit je einem gemeinsamen Eingangsleiter
gekoppelt sind, dadurch gekennzeichnet,
daß jedes Speicherglied zwei Kerne besitzt, von denen der eine induktiv mit mindestens einem
Eingangsleiter gekoppelt ist, welcher der Zeile zugeordnet ist, in der das Speicherglied liegt, und
der andere Kern induktiv mit dem Eingangsleiter gekoppelt ist, welcher der Spalte zugeordnet ist,
in der das Speicherglied liegt, und außerdem beide Kerne durch eine gesonderte Wicklung induktiv
miteinander gekoppelt sind.
2. Speichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß den Zeilenleitern sowohl
positive als auch negative Stromimpulse und den Spaltenleitern nur negative Stromimpulse zuführbar
sind.
3. Speichermatrix nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede Zeile zwei mit den
gleichen Kernen gekoppelte Zeilenleiter besitzt, von denen der eine nur positive Stromimpulse und
der andere ausschließlich negative Stromimpulse führt (F i g. 5).
4. Speichermatrix nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Spaltenleitern
gekoppelten Kerne mit Ablesewicklungen versehen sind.
5. Speichermatrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Speicherglied eine gesonderte
Ablesewicklung besitzt.
6. Speichermatrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherglieder, die einer
bestimmten Spalte zugeordnet sind, eine gemeinsame Ablesewicklung haben.
7. Speichermatrix nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als gemeinsame Ablesewicklung
die Spaltenleiter dienen (F i g. 5).
8. Verfahren zum Speichern einer Information bei einer Speichermatrix nach einem der Ansprüche
1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zum Speichern einer bestimmten Information in eine
bestimmte Zeile zunächst ein positiver Stromimpuls einem dieser Zeile zugeordneten Zeilenleiter zugeführt
wird, wodurch alle Speicherglieder dieser Zeile in denselben Informationszustand (1,0)
gelangen, und anschließend ein negativer Strom-
impuls einem der dieser Zeile zugeordneten, mit den gleichen Kernen gekoppelten Zeilenleiter
zugeleitet und zugleich ein negativer Stromimpuls denjenigen Spaltenleitern zugeführt wird, denen
die Speicherglieder angehören, die den Informationszustand (0,0) erhalten sollen, sodann
anschließend ein negativer Impuls allen Spaltenleitern gleichzeitig oder in Nacheinanderfolge
zugeführt wird.
9. Verfahren zum Speichern einer Information nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
der letzte, allen Spaltenleitern zuzuführende negative Impuls ersetzt wird durch einen negativen
Impuls auf einem zusätzlichen Zeilenleiter, der mit denjenigen Kernen der Speicherglieder gekoppelt
ist, die außerdem mit den Spaltenleitern gekoppelt sind (F i g. 5).
10. Verfahren zum Ablesen einer nach dem Verfahren nach Anspruch 8 gespeicherten Information
aus einer bestimmten Zeile, dadurch gekennzeichnet, daß einem der betreffenden Zeile zugeordneten
Zeilenleiter ein negativer Stromimpuls zugeführt wird, wodurch in mit den Kernen gekoppelten
Ablesewicklungen je ein das Ablesekriterium bildender und anschließend weiter verwertbarer
Induktionsimpuls erzeugt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 930 242;
britische Patentschrift Nr. 721 669;
»Journal of Applied Physics«, Vol. 21, Januar 1950, S. 49 bis 54;
»Transactions of the American Institute of Electric Engineering«, Januar 1954, S. 822 bis 830.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 657/153 8.65 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL196377 | 1955-04-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1198860B true DE1198860B (de) | 1965-08-19 |
Family
ID=19750702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN12056A Pending DE1198860B (de) | 1955-04-07 | 1956-04-04 | Speichermatrix und Verfahren zum Speichern und Ablesen einer Imformation |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE546767A (de) |
| CH (1) | CH342260A (de) |
| DE (1) | DE1198860B (de) |
| FR (1) | FR1153114A (de) |
| GB (1) | GB796525A (de) |
| NL (3) | NL241251A (de) |
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- BE BE546767D patent/BE546767A/xx unknown
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