DE1196933B

DE1196933B - Verfahren zum AEtzen von Silizium-Halbleiter-koerpern

Info

Publication number: DE1196933B
Application number: DET19889A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Mineraloge Horst Schaefer
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1961-03-30
Filing date: 1961-03-30
Publication date: 1965-07-15

Description

Verfahren zum Ätzen von Silizium-Halbleiterkörpern Die bekannten Ätzverfahren für Silizium-Halbleiterkristalle haben den Nachteil, daß die Oberfläche des Silizumkörpers nach dem Ätzprozeß noch eine zu große Rauhigkeit aufweist. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß bei den bekannten Verfahren die chemische Reaktion zu schnell abläuft, so daß eine Kontrolle des Ätzprozesses erschwert wird.
Zur Vermeidung dieser Nachteile wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß die Halbleiterkristalle mit einer Perchlorsäure enthaltenden Ätzlösung behandelt werden.
Es empfiehlt sich, als weitere Bestandteile der Ätzlösung Salpetersäure, Flußsäure und Essigsäure zu verwenden. Gute Ergebnisse wurden erzielt mit einer Ätzlösung, die 100 Teile Salpetersäure, 10 Teile Perchlorsäure, 10 Teile Flußsäure und 1.5 Teile Essigsäure enthält. Es hat sich bei diesen Versuchen herausgestellt, daß die Oberfläche des behandelten Siliziumkörpers nach dem Ätzen besonders glatt war.
Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Es handelt sich dabei um eine Dickenätzung eines Halbleiterkörpers aus Silizium, bei dem eine Abtragungsgeschwindigkeit von etwa 1 u pro Minute erzielt werden soll. Bei dieser Dickenätzung soll gleichzeitig eine ausgezeichnete Oberflächenqualität des behandelten Siliziumkörpers erreicht werden. Die gestellte Aufgabe wurde mit einer Ätzlösung erzielt, welche folgende Zusammensetzung hatte: 100 ml konz. Salpetersäure (HNO3, 65o/oig) + 10 ml Perchlorsäure (HC104, 70o/oig) -h 14 ml Eisessig (CH3COOH) -f- 10 ml Flußsäure (HF, 40o/oig) Soll eine schnellere Abtragung des Halbleitermaterials erfolgen, so empfiehlt es sich, die Lösung wie folgt abzuändern: 100 ml konz. Salpetersäure (HNO3, 65%ig) -h 15M1 Perchlorsäure (HC104, 60o/oig) -I- 14 ml Eisessig (CH3COOH) -i- 13 ml Flußsäure (HF, 40o/oig) Wie die Ausführungsbeispiele zeigen, läßt sich der Anteil der einzelnen Bestandteile je nach angestrebter Abtragungsgeschwindigkeit und Oberflächenglätte variieren.

Claims

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Ätzen von Silizium-Halbleiterkristallen,dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkristalle mit einer Perchlorsäure enthaltenden Ätzlösung behandelt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkristalle mit einer aus 100 ml 65o/oiger Salpetersäure, 10 ml 70o/oiger Perchlorsäure, 10 ml 40o/oiger Flußsäure und 14 ml Eisessig bestehenden Ätzlösung behandelt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkristalle mit einer aus 100 ml 65 o/oiger Salpetersäure, 15 ml 60 o/oiger Perchlorsäure, 13 ml 40o/oiger Flußsäure und 14 ml Eisessig bestehenden Ätzlösung behandelt werden. In Betracht gezogene Druckschriften: »Zeitschrift für Metallkunde«, 1955, S. 227.