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DE1186951B - Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung

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Publication number
DE1186951B
DE1186951B DET18339A DET0018339A DE1186951B DE 1186951 B DE1186951 B DE 1186951B DE T18339 A DET18339 A DE T18339A DE T0018339 A DET0018339 A DE T0018339A DE 1186951 B DE1186951 B DE 1186951B
Authority
DE
Germany
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attached
semiconductor body
semiconductor
carrier plate
conductive strips
Prior art date
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Pending
Application number
DET18339A
Other languages
English (en)
Inventor
Jack St Clair Bilby
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOlI
Deutsche Kl!: 21g-11/02
Nummer: 1186 951
Aktenzeichen: T 18339 VIII c/21j
Anmeldetäg: 6. Mai 1960
Auslegetag: 11. Februar 1965
Anmelder:
Texas Instruments Incorporated, Dallas, Tex.
(V. St. A.) Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Prinz und Dr. rer. nat. G. Hauser, Patentanwälte, München-Pasing, Ernsbergerstr. 19
Als Erfinder benannt:
Jack St. Clair Bilby, Dallas, Tex. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 6. Mai 1959 (811470) - -
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verfahren zum Herstellen einer hermetisch
Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halb- eingeschlossenen Halbleiteranordnung
leiteranordnung, bei welchem ein Halbleiterkörper
auf einem Trägerplättchen befestigt wird, die zur
Vervollständigung der Halbleiteranordnung aus dem 5 Halbleiterkörper erforderlichen Verfahrensmaßnahmen durchgeführt werden und dann der hermetische Einschluß der Halbleiteranordnung vervollständigt wird, von dem das Trägerplättchen einen Teil bildet.
Es ist bereits bekannt, eine hermetisch eingeschlos- io
sene Halbleiteranordnung, beispielsweise einen Transistor, dadurch herzustellen, daß ein Halbleiterplättchen auf einer leitenden Fläche eines mit einer
öffnung versehenen leitenden oder isolierenden Trägers befestigt wird, dann die Gestalt des Halbleiter- 15
plättchens verändert wird, Elektrodenanschlüsse an
den beiden Seiten des Halbleiterplättchens angebracht
werden und schließlich der hermetische Einschluß
der Halbleiteranordnung vervollständigt wird. Die
leitende Fläche des Trägers dient dabei als elektrische 20
Verbindung zum Hauptteil des Halbleiterplättchens,
und deshalb muß die Befestigung mit einem elektrisch gut leitenden Bindemittel, vorzugsweise durch
Löten, erfolgen. Diese Lösung eignet sich daher nur «
für einfache Halbleiterbauelemente, weil bei einer 25 *
integrierten Halbleiteranordnung mit mehreren im leiterkörper bereits vor der Durchführung der erfor-Halbleiterkörper gebildeten Schaltungselementen die liehen Verfahrensmaßnahmen, wie Ätzen, Bildung leitende Trägerfläche zwangläufig Kurzschlüsse ver- von pn-Übergängen, Anbringen von ohmschen Konursachen würde. Andererseits muß die leitende Trä- takten und Anschlußleitern usw. auf dem endgültigen gerfläche gegen andere Schaltungsteile und nach 30 Trägerplättchen so angebracht werden kann, daß außen isoliert werden; sie kann deshalb nicht als Teil dieses später einen Teil des hermetischen Einschlusdes hermetischen Gehäuses herangezogen werden. ses bilden kann.
Andererseits ist es bekannt, eine Halbleiteranord- Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht,
nung, beispielsweise einen gezogenen Flächentransi- daß der Halbleiterkörper auf einer isolierenden stör, auf eine isolierende, mit gedruckten Leitungen 35 Fläche des Trägerplättchens mit einem isolierenden versehene Trägerplatte aufzulöten. Bei diesem be- Klebstoff befestigt wird, dessen Wärmeausdehnungskannten Verfahren wird der Halbleiterkörper zu- koeffizient in der gleichen Größenordnung wie dernächst auf eine isolierende Unterlage aufgeklebt, jenige des Halbleiterkörpers und der ihn tragenden damit die erforderlichen Bearbeitungsmaßnahmen, Fläche liegt und der gegen die am Halbleiterkörper beispielsweise die Änderung der Gestalt durch Ätzen, 40 durchgeführten Verfahrensmaßnahmen unempfindvorgenommen werden können; dann wird der Halb- Hch ist.
leiterkörper von dieser Unterlage gelöst und auf die Die Befestigung des Halbleiterkörpers auf einer
endgültige Trägerplatte aufgelötet, worauf die An- isolierenden Fläche des Trägerplättchens mit dem Ordnung vervollständigt wird. Die Verwendung ver- angegebenen besonderen Klebstoff ergibt die Vorschiedener Unterlagen und Bindemittel einerseits zur 45 teile, daß der Halbleiterkörper während aller folgen-Vorbehandlung und andererseits zur Fertigstellung den Verfahrensmaßnahmen leicht gehandhabt werden der Anordnung erfordert einen erheblichen Zeit- und kann und daß anschließend ohne Zwischenschritte, Materialaufwand, der die Herstellung verteuert. wie Ablösen des Halbleiterkörpers und Anbringen
Demgegenüber ist das Ziel der Erfindung die auf einem endgültigen Träger, sowie ohne zusätzliche Schaffung eines Verfahrens zum Herstellen einer 50 Teile unmittelbar das Einschließen der fertigen hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung der Halbleiteranordnung erfolgen kann. Da das Trägereingangs angegebenen Art, bei welchem der Halb- plättchen zugleich einen Teil des Einschlusses bildet,
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sind Materialaufwand, Raumbedarf und Gewicht gering. Da ferner der Halbleiterkörpe» von dem Trägerplättchen isoliert ist, kann das Verfahren bei jeder beliebigen Halbleiteranordnung angewendet werden, insbesondere auch für integrierte Halbleiteranordnungen mit mehreren Schaltungselementen.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung beispielshalber erläutert. Darin zeigt
Fig. 1 eine Oberansicht eines Halbleiterbauelements, das auf einem keramischen Trägerplättchen befestigt ist, auf dem leitende Anschlüsse gebildet sind,
Fig. 2 einen Schnitt durch die vervollständigte Anordnung von Fig. 1, wobei das keramische Trägerplättchen als Teil eines das Halbleiterbauelement umgebenden hermetischen Einschlusses verwendet wird,
F i g. 3 einen Schnitt durch eine andere Ausführungsform der in F i g. 2 gezeigten Anordnung,
F i g. 4 ein Schaltbild einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, die nach dem erfmdungsgemäßen Verfahren hergestellt und eingeschlossen werden kann,
Fig. 5 eine Oberansicht der integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, die dem Schaltbild von F i g. 4 entspricht, während einer Stufe der Herstellung und
Fig. 6 einen Schnitt entlang der Linie 6-6 von Fig. 5.
Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung enthält einen isolierenden Träger in Form einer Keramikscheibe 1, auf der ein kleines, rechteckiges Stäbchen 2 aus Halbleitermaterial mittels eines Klebstoffs befestigt ist. Das Stäbchen 2 kann unmittelbar nach dem Zurechtschneiden auf die gewünschten Abmessungen auf der Scheibe 1 befestigt werden, und alle weiteren Herstellungsstufen werden durchgeführt, während es auf der Scheibe 1 gehalten wird.
Zu diesen Herstellungsstufen, die an dem Halbleiterstäbchen 2 vorgenommen werden, können Ätzen, Erhitzen, Aufdampfen und andere Verfahren, die für die Bildung von Übergängen und Kontakten an dem Halbleiter angewendet werden, gehören.
Der Klebstoff, der zum Befestigen des Halbleiterkörpers auf dem keramischen Träger verwendet wird, muß notwendigerweise allen Behandlungsstufen ausgesetzt werden, denen auch der Halbleiterkörper unterworfen wird, und deshalb verschiedene strenge Forderungen erfüllen. Insbesondere muß der verwendete Klebstoff den Ätzlösungen widerstehen können, die zum Ätzen der Oberfläche des Halbleiterkörpers verwendet werden, und er muß Behandlungstemperaturen bis zu 400° C aushalten können. Ferner muß der Wärmeausdehnungskoeffizient des Klebstoffs in der gleichen Größenordnung wie derjenige des Halbleiterkörpers und des keramischen Trägers liegen, damit größere mechanische Spannungen oder das Auftreten von Sprüngen in der Anordnung verhindert werden. Ein geeigneter Klebstoff ist in der USA.-Patentschrift 2 642633 beschrieben; es handelt sich dabei um einen bei niedriger Temperatur wärmehärtbaren Klebstoff, der feinzerteiltes Glas der folgenden Zusammensetzung enthält: 70 bis 80% PbO, 5 bis 20% B2O3, 5 bis 15% Al2O3 und gegebenenfalls bis zu 10VoSiO2, wobei die Summe von PbO, B8O3, Al2O3 und SiO2 mehr als 90% beträgt. Es sind jedoch auch viele andere im Handel erhältliche Stoffe als Klebstoff für diesen Zweck geeignet.
Die Keramikscheibe 1 dient zugleich zum leichten Anschluß von äußeren Leitungen an dem Halbleiterstäbchen 2. Zu diesem Zweck sind auf der das Halbleiterstäbchen 2 berührenden Oberfläche der Scheibe 1 eine Anzahl von leitenden Streifen 3, 4, 6 und 7 gebildet, die sich teilweise bis unter das Stäbchen 2 erstrecken. Bei der Anordnung von Fig. 1 erstrecken sich die leitenden Streifen 3, 4 und 6 bis unter das Stäbchen 2, so daß nach dem Aufkleben ίο des Stäbchens auf die Scheibe 1 ein ohmscher Kontakt zwischen dem Stäbchen 2 und den Leitern 3, 4 und 6 mittels eines Lötmittels oder eines leitenden Klebstoffs 5 hergestellt werden kann. Dagegen erstreckt sich der Streifen 7 nicht bis unter das Stäbchen2; er dient zur Herstellung eines Kontaktes über eine Leitung 9 mit einer auf der Oberseite des Stäbchens 2 gebildeten Zone 8. Die Zone 8 bildet mit dem Rest des Halbleiterstäbchens 2 eine Halbleiterdiode, und der Anschluß an die Elektroden der Diode erfolgt über die Streifen 4 und 7.
Das ganze Halbleiterstäbchen 2 der in F i g. 1 dargestellten Anordnung bildet eine integrierte Halbleiterschaltungsanordnung, die einen zwischen den Streifen 3 und 6 angeschlossenen Widerstand enthält, der durch das Halbleitermaterial gebildet wird, das sich zwischen diesen Streifen erstreckt, und eine Flächendiode, die zwischen dem Streifen 4, einer Mittelanzapfung des Widerstands und dem Streifen 7 liegt.
In F i g. 2 ist die Vervollständigung der in F i g. 1 gezeigten Anordnung dargestellt. Hier ist ein hermetischer Einschluß rings um das Halbleiterstäbchen 2 geformt, und die Scheibe 1 ist als ein Teil des hermetischen Einschlusses ausgenutzt. Zu diesem Zweck ist ein Metallring 11 vorgesehen, der an der Unterseite und an den unteren Teilen der Seitenflächen eine nichtleitende Glasur 12 trägt. Die Scheibe 1 ist mit einem Ring aus einer bei niedriger Temperatur schmelzenden nichtleitenden Glasur 13 versehen, dessen Innendurchmesser etwas kleiner und dessen Außendurchmesser etwas größer als die entsprechenden Durchmesser des Ringes 11 sind. Der Ring 11 wird auf die Scheibe 1 so aufgelegt, daß die Glasur 12 die auf der Scheibe gebildete Glasur 13 berührt, und die Anordnung wird erhitzt, bis die Glasur 13 eine Bindung mit der Glasur 12 eingeht. Da die Glasur 12 an dem Metallring 11 an einer von dem Halbleiterstäbchen 2 entfernten Stelle angebracht wird, kann dieser Vorgang bei einer höheren Temperatur erfolgen, als sie zur Herstellung der Bindung zwischen den beiden Glasuren 12 und 13 erforderlich ist. In der Praxis können die Glasuren 12 und 13 aus verschiedenen Glaspulverstoffen bestehen, so daß die Schmelztemperatur und der Wärmeausdehnungskoeffizient jedes dieser Stoffe besser den entsprechenden Weiten des Materials entspricht, mit dem der Stoff direkt verhaftet wird, bevor er mit der anderen Glasur verschmolzen wird. Bei einer anderen Ausführungsform kann die Glasur 13 durch den zuvor erwähnten Klebstoff ersetzt werden, wodurch jede unzulässige Wärmeeinwirkung auf das Halbleiterstäbchen 2 vollständig vermieden wird. Durch die Anwendung der beiden Glasuren 12 und 13 kann im übrigen die Wärmeeinwirkung durch sorgfältige Kontrolle der Temperatur und der Dauer des Verbindungsvorganges weitgehend herabgesetzt werden. Anschließend kann eine Metallplatte 14 zur Vervollständigung des Einschlußvorganges an der Oberseite
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des Ringes 11 angelötet oder angeschweißt werden. Streifen gebildet sind, die zunächst am Rand noch Der gesamte Vorgang findet vorzugsweise in einer zusammenhängen. Diese Streifen können durch trockenen, inerten oder evakuierten Kammer statt, so Ätzen eines sehr dünnen Bleches aus einem Material daß jede Feuchtigkeit aus dem Raum innerhalb des gebildet werden, dessen Ausdehnungskoeffizient hermetischen Einschlusses beseitigt wird. 5 ähnlich demjenigen von Silizium ist, beispielsweise
Wie aus F i g. 2 zu erkennen ist, wird der Glasur- einer Legierung aus Kobalt, Nickel und Eisen. Die ring 13 auf den Träger 1 erst dann aufgebracht, wenn Streifen entsprechen den Klemmen 18, 22, 28, 29, die leitenden Streifen 4 und 7 angebracht sind. Diese 32, 34 und 37 von F i g. 4 und sind in F i g. 5 durch Streifen können aus leitender Farbe bestehen oder die Funktion bezeichnet, die sie in dem Schaltbild Metallzungen sein; im letzten Fall dient die Glasur 13 io von Fig. 4 erfüllen. So entspricht der Streifen, der auch dazu, die Zungen auf dem Träger 1 fest- mit »Eing. Γ2« bezeichnet ist, der Klemme 29 von zuhalten. Fig. 4, die gleichfalls mit »Eing. T2« bezeichnet ist.
Die Scheibe 1 erfüllt somit drei Funktionen: Sie Die übrigen Streifen von Fig. 5 dienen den entdient als Träger für das Stäbchen 2, während dieses sprechenden Funktionen, die durch die Beschrifzur Erzielung der gewünschten körperlichen und 15 tungen angegeben sind. Es ist zu bemerken, daß sich elektrischen Eigenschaften bearbeitet wird, sie bildet alle Streifen mit Ausnahme des mit »Masse« bezeichden endgültigen Träger für das Halbleiterstäbchen neten Streifens bis unter das Halbleiterplättchen 39 und die Anschlußleiter, die zur Herstellung der ver- erstrecken und mit dieser einen Kontakt bilden, schiedenen Verbindungen zu dem fertigen Halb- nachdem das Halbleiterplättchen 39 mechanisch aufleiterelement dienen, und sie stellt schließlich einen 20 gelegt und anschließend auf der Oberseite der Strei-Teil des hermetischen Einschlusses rings um das fen legiert worden ist. Dann wird eine Unterlag-Halbleiterstäbchen 2 dar. scheibe 41 aus Keramik, Glas oder einem ähnlichen
In F i g. 3 der Zeichnung ist eine andere Ausfüh- Material mittels eines Klebstoffes 10 an der Rückrungsform des hermetischen Einschlusses für das seite der Folie 40 und des Halbleiterplättchens 39 Halbleiterelement 2 dargestellt, wobei gleichfalls die 35 befestigt, so daß sie einen Träger für diese sehr Scheibe 1 als Teil des Einschlusses dient. Bei dieser dünne leitende Folie und das daran befestigte HaIb-Ausführungsform wird ein Ring 16 aus einem nicht- leiterelement sowohl bei den weiteren Herstellungsleitenden keramischen Material direkt über eine stufen als auch im Betrieb bildet. Das Halbleiterplätt-Glasur 13 auf der Scheibe 1 befestigt, und die Ober- chen 39 ist ferner mit leitenden metallisierten Schichfläche des Ringes ist mit einer metallisierten Schicht 30 ten 42 und 43 versehen, die durch Aufdampfen an 17 versehen. Danach wird eine Metallplatte 14 an der gegenüberliegenden Enden des Halbleiterplättchens metallisierten Oberfläche 17 angeschweißt, angelötet auf der der Folie 40 abgewandten Fläche gebildet oder auf andere Weise befestigt, wodurch der her- sind. Die Schicht 42 wird auf thermischem Wege mit metische Einschluß des Halbleiterelements 2 vervoll- einem Leitungsdraht 44 verbunden und über diesen ständigt wird. 35 Leitungsdraht 44 an die Basisielektrode 27 des
In Fig. 4 ist das Schaltbild einer Multivibrator- Transistors T2 angeschlossen; sie ist ferner über eine schaltung dargestellt, deren Aufbau und der Betrieb Leitung 46 mit dem Streifen verbunden, der mit nur so weit erläutert wird, wie zum Verständnis der »Eing. T 2« bezeichnet ist. Die leitende Schicht 43 in F i g. 5 und 6 gezeigten Realisierung dieser Schal- ist über eine Leitung 47 mit der Basiselektrode 26 des tung erforderlich ist. Die Multivibratorschaltung ent- 40 Transistors Tl verbunden und außerdem über eine hält zwei Transistoren Tl und TI sowie verschie- Leitung 48 an den mit »Eing. TI« bezeichneten dene äußere Anschlüsse für die Schaltung. Ein Streifen der Folie 40 angeschlossen. Die Emitteräußerer Masseanschluß 18 ist mit den Emitter- elektroden der Transistoren Tl und Γ 2 sind über elektroden 19 und 21 der Transistoren Π bzw. Tl einen Leitungsdraht 49 miteinander verbunden und verbunden, und eine äußere Klemme 22, die an eine 45 über eine Leitung 51 an den mit »Masse« bezeich-3-Volt-Quelle angeschlossen werden kann, ist über neten Streifen angeschlossen. Alle Leitungsdrähte, Widerstände 23 und 24 mit den Basiselektroden 26 die an die Streifen der Folie 40 angeschlossen sind, und 27 der Transistoren Tl bzw. T 2 verbunden. Die liegen innerhalb eines Ringes 52, der den Ringen 11 Basiselektrode 26 des Transistors Tl ist ferner an und 16 von Fig. 2 bzw. 3 entspricht. Der Ring 52 eine Eingangsklemme 28 für den Transistor Tl an- 50 kann aus Keramik oder Metall bestehen, und er ist geschlossen, und die Basiselektrode 27 ist mit einer in beiden Fällen dicht mit der Folie 40 und dem Eingangsklemme 29 für den Transistor T2 ver- Träger so verbunden, daß er das Halbleiterplättchen bunden. Die Kollektorelektrode 31 des Transi- 39 und die daran angebrachten Anschlüsse vollstorsTl ist an-eine Ausgangsklemme 32 des Tran- ständig umgibt. Nachdem der Ring 52 in geeigneter sistors Tl angeschlossen, und die Kollektorelektrode 55 Weise an der Folie 40 befestigt ist, wird eine Metall-
33 des Transistors T2 ist mit der Ausgangsklemme platte ähnlich der Platte 14 darauf angebracht, wo-
34 für den Transistor T 2 verbunden. Ferner ist die durch der Einschluß Vorgang vervollständigt wird.
Kollektorelektrode 31 des Transistors Tl über einen Die Folie 40 ist mit Führungslöchern versehen, die Widerstand 36 an eine Klemme 37 angeschlossen, mit 53 und 54 bezeichnet sind. Die Löcher 53 und 54 die an einer negativen Spannung von 4VoIt liegt, 60 stellen Führungspunkte dar, die auch durch Ein- und die Kollektorelektrode 33 des Transistors T2 ist buchtungen in der Folie 40 gebildet werden können; über einen Widerstand 38 gleichfalls mit der sie dienen zur Führung der Folie und des Halbleiter-Klemme 37 verbunden. plättchens mit dem angeklebten Träger 41 in allen
In F i g. 5 und 6 ist ein Halbleiterplättchen 39 Maschinen und Geräten, in welche die Folie 40 mit dargestellt, auf dem und in dem alle in F i g. 4 dar- 65 der Halbleiterscheibe 39 bei den verschiedenen Hergestellten Schaltungselemente gebildet sind. Die Stellungsstufen eingeführt wird. Diese Herstellungs-Halbleiterscheibe 39 ist auf einer dünnen Metallfolie stufen betreffen das Ätzen des Halbleiterplättchens 40 befestigt, aus der nach innen ragende leitende 39, die Bildung von Übergängen und Abschnitten
verschiedener Leitfähigkeit in dem Halbleitermaterial, die Bildung eines Schlitzes 56, durch den verschiedene funktionelle Abschnitte voneinander isoliert werden, die Bildung der leitenden Streifen 42 und 43 auf dem Halbleiter und die Anbringung der verschiedenen Zuleitungen. Die Führungspunkte 53 und 54 dienen auch dazu, die Folie 40 während des Aufbringens des Halbleiterplättchens festzuhalten, denn das Anbringen des Halbleiterplättchens ist kritisch, weil eine genaue Ausrichtung zwischen dem Plättchen und den leitenden Streifen der Folie 40 wesentlich ist, damit die richtigen Widerstandswerte zwischen den verschiedenen Anschlußpunkten erhalten werden.
Nachdem das Halbleiterplättchen 39 in seinem Behalter hermetisch eingeschlossen ist, wird die Folie 40 entlang den gestrichelten Linien 57 und 58 abgeschnitten, wodurch die fertige Anordnung erhalten wird, in der die leitenden Streifen der Folie 40 elektrisch voneinander isoliert sind. Dabei liegt ein ausreichender Abschnitt der Streifen außerhalb des Ringes 52, so daß ohne weiteres äußere Anschlußleitungen an den leitenden Streifen angeschlossen werden können oder die Anordnungen in Verbindungsstücke in Form gedruckter Schaltungen eingesetzt werden können.

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung, bei welchem ein Halbleiterkörper auf einem Trägerplättchen befestigt wird, die zur Vervollständigung der Halbleiteranordnung aus dem Halbleiterkörper erforderlichen Verfahrensmaßnahmen durchgeführt werden und dann der hermetische Einschluß der Halbleiteranordnung vervollständigt wird, von dem das Trägerplättchen einen Teil bildet, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper auf einer isolierenden Fläche des Trägerplättchens mit einem isolierenden Klebstoff befestigt wird, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient in der gleichen Größenordnung wie derjenige des Halbleiterkörpers und der ihn tragenden Fläche liegt und der gegen die am Halbleiterkörper durchgeführten Verfahrensmaßnahmen unempfindlich ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der isolierenden Fläche des Trägerplättchens vor dem Befestigen des Halbleiterkörpers leitende Streifen angebracht werden, daß der Halbleiterkörper auf der isolierenden Fläche so befestigt wird, daß wenigstens einer der leitenden Streifen im Abstand von dem Halbleiterkörper ist, und daß zu den Verfahrensmaßnahmen die Herstellung von einer oder mehreren ohmschen Verbindungen zwischen einem oder mehreren der leitenden Streifen und der der isolierenden Fläche abgewandten Fläche des Halbleiterkörpers gehört.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper so befestigt ist, daß er mit wenigstens einem der leitenden Streifen elektronisch unmittelbar verbunden wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß für die isolierende Fläche keramisches Material verwendet wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Vervollständigung der Halbleiteranordnung eine Haube auf dem Trägerplättchen zur Vervollständigung des hermetischen Einschlusses befestigt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der Haube ein Ring so auf dem Trägerplättchen befestigt wird, daß er den Halbleiterkörper umgibt und über diesen hinausragt, und daß dann auf der Oberseite des Ringes eine Platte befestigt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 2 und 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Haube so angebracht wird, daß die leitenden Streifen nach außen herausragen.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Verfahrensmaßnahmen, die an dem Halbleiterkörper durchgeführt werden, eine Halbleiterschaltungsanordnung mit wenigstens zwei verschiedenartigen Schaltungselementen gebildet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1044 287;
britische Patentschriften Nr. 599 341, 780251;
USA.-Patentschriften Nr. 2762 954, 2633 489;
schwedische Patentschrift Nr. 162 656.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 508/256 2.65 © Bundesdruckerei Berlin
DET18339A 1959-05-06 1960-05-06 Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung Pending DE1186951B (de)

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US46742865A 1965-06-28 1965-06-28
US60972067A 1967-01-13 1967-01-13

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