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DE1175741B - Multistabiler Schaltkreis aus einer Reihen-schaltung mehrerer Tunneldioden mit unter-schiedlichen Huegelstroemen - Google Patents

Multistabiler Schaltkreis aus einer Reihen-schaltung mehrerer Tunneldioden mit unter-schiedlichen Huegelstroemen

Info

Publication number
DE1175741B
DE1175741B DEW33874A DEW0033874A DE1175741B DE 1175741 B DE1175741 B DE 1175741B DE W33874 A DEW33874 A DE W33874A DE W0033874 A DEW0033874 A DE W0033874A DE 1175741 B DE1175741 B DE 1175741B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
circuit
tunnel
multistable
switching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEW33874A
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Wessinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ELEKTR DATENERFASSUNG
Original Assignee
ELEKTR DATENERFASSUNG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ELEKTR DATENERFASSUNG filed Critical ELEKTR DATENERFASSUNG
Priority to DEW33874A priority Critical patent/DE1175741B/de
Publication of DE1175741B publication Critical patent/DE1175741B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H03K3/315Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

  • Multistabiler Schaltkreis aus einer Reihenschaltung mehrerer Tunneldioden mit unterschiedlichen Hügelströmen Die Erfindung betrifft einen multistabilen Schaltkreis aus einer Reihenschaltung mehrerer Tunneldioden mit unterschiedlichen Hügelströmen.
  • Es ist bekannt, eine derartige Tunneldiodenkette als Speicherschaltmittel mit mehreren durch die Anzahl der in der Kette angeordneten Tunneldioden gegebenen Schaltzuständen einzusetzen. Bekannte Speicherschaltungen dieser Art verwenden Tunneldioden mit annähernd gleicher Kennlinie. Da die Hügelströme der Tunneldioden doch stets etwas verschieden sind, werden bei Stromerhöhung in dieser Kette die Tunneldioden immer der Reihe nach umgesteuert werden. Für eine Speicherschaltung genügt es, wenn durch den Steuerimpuls der Hügelstrom einer Tunneldiode kurzzeitig überschritten wird. Es muß nur dafür gesorgt werden, daß durch den bei der Umsteuerung der Tunneldiode auftretenden Spannungssprung der Stromfluß durch die Kette wieder reduziert wird. Der Strom darf jedoch nicht voll abgeschaltet werden, da sonst der neue Schaltzustand der Tunneldiode nicht beibehalten wird. Es muß der Kette daher ein Strom eingeprägt werden, der etwas höher ist als der Talstrom der Tunneldioden. Bei einem derartigen Einsatz des multistabilen Schaltkreises treten noch keine besonderen Schwierigkeiten auf. Werden diese multistabilen Schaltkreise jedoch für einen Analog-Digital-Wandler oder einen Maximalwertanzeiger eingesetzt, dann müssen Bekannterweise Tunneldioden mit unterschiedlichen Hügelströmen in der Kette angeordnet werden. Die Hügelströme sind so ausgewählt, daß der gewünschte Strombereich der Steuergröße stufenweise erfaßbar wird. Diese bekannten multistabilen Schaltkreise weisen den Nachteil auf, daß der erfaßbare Strombereich nur sehr klein ist, obwohl es möglich ist, Tunneldioden mit Hügelströmen von einigen Milliampere bis zu einigen Ampere herzustellen. Dies rührt davon her, daß das Verhältnis von Hügelstrom zu Talstrom bei allen Dioden bestimmter Ausführung, unabhängig von der Größe des Hügelstromes, annähernd konstant ist. Ist dieses Verhältnis etwa durch einen Faktor k bestimmt, dann läßt sich der multistabile Schaltkreis nur in einem Strombereich betreiben, der durch den Machen Wert der ersten Anzeigestufe, d. h. etwa dem niedrigsten Hügelstrom der in der Kette angeordneten Dioden, gegeben ist. Der eingeprägte Grundstrom muß ja so gewählt sein, daß die Diode mit dem kleinsten Hügelstrom dadurch noch nicht umgesteuert wird und die Diode mit dem größten Hügelstrom nach der Umsteuerung und Abschaltung des Steuerimpulses in dem neuen Schaltzustand bleibt. Es ist Aufgabe der Erfindung, einen neuen multistabilen Schaltkreis anzugeben; bei dem der Strombereich der in der Kette angeordneten Tunneldioden wesentlich größer sein kann und eigentlich nur durch die Tunneldiodenherstellung selbst bestimmt ist. Der multistabile Schaltkreis aus einer Reihenschaltung mehrerer Tunneldioden mit unterschiedlichen Hügelströmen ist dadurch gekennzeichnet, daß der eingeprägte Grundstrom der Tunneldiodenkette beim Umsteuern einer Tunneldiode in den hochohmigen Zustand in Abhängigkeit vom Schaltzustand der Tunneldioden, stufenweise und jeweils auf die Kennwerte der beim nächsten Schaltvorgang umzusteuernden Tunneldiode abgestimmt, verändert wird. Eingeleitet wird die Stromänderung über die zur überwachung und Anzeige des Schaltzustandes der Tunneldioden vorgesehenen Schaltmittel. Nach einer weiteren Ausgestaltung des multistabilen Schaltkreises besitzen diese üherwachungsschaltmittel einen Haltekreis, so daß die umgesteuerten Dioden jederzeit aus dem Speicherkreis ausgeschaltet werden können. Dies ist besonders dann von Vorteil, wenn der Strombereich sehr groß ist. Die großen Speicherströme werden dann von den Tunneldioden mit kleinem Hügelstrom ferngehalten. Der einfachste Weg ist der, die umgesteuerten Tunneldioden nach dem Ansprechen und Festhalten des zugeordneten überwachungsschaltmittels im Speicherkreis kurzzuschließen. Da die Tunneldioden einer bestimmten Ausführungsform beim Hügelstrom annähernd gleichen Spannungsabfall aufweisen und die Ein- und Ausschaltung der Tunneldioden so erfolgen kann, daß stets nur eine Tunneldiode im Speicherkreis wirksam ist, sieht eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen multistabilen Schaltkreises vor, daß zur Überwachung des Schaltzustandes der Tunneldiodenkette nur ein Indikator vorgesehen wird, der in Abhängigkeit von der Fortschaltung einer Kettenschaltung nacheinander zur Prüfung des Schaltzustandes aller Tunneldioden umgeschaltet wird. Dabei wird der eingeprägte Strom stufenweise so erhöht, daß in jedem Schaltzustand an der Tunneldiodenkette gleicher Spannungsabfall auftritt. Die Kettenschaltmittel sind so miteinander gekoppelt, daß sie der Reihe nach in den Ausgangskreis des gemeinsamen überwachungsschaltmittels eingeschaltet werden. Die Hügelströme der in der Kette angeordneten Tunneldioden sind nach den gewünschten Stromstufen, die angezeigt werden sollen, ausgewählt. Der Hügelstrom einer Tunneldiode wird aus der Summe des bei diesem Schaltzustand gegebenen eingeprägten Stromes und dem Wert des anzuzeigenden Stromes ermittelt. Im Ruhezustand des Schaltkreises ist nach einer weiteren Ausgestaltung nur die Tunneldiode mit dem kleinsten Hügelstrom in den Speicherkreis eingeschaltet. Die übrigen Tunneldioden werden über die Kettenschaltung der Reihe nach ein- und wieder ausgeschaltet. Die Tunneldiode mit dem höchsten Hügelstrom kann nach ihrer Einschaltung in den Speicherkreis auch nach ihrer Umsteuerung im Speicherkreis eingeschaltet bleiben. Die Rückstellung des multistabilen Schaltkreises in den Ruhezustand erfolgt erfindungsgemäß durch Abschaltung des eingeprägten Stromes.
  • Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen in ihren Einzelheiten erläutert. Es zeigt F i g. 1 die Kennlinien der Tunneldioden mit unterschiedlichen Hügelströmen, F i g. 2 ein Prinzipschaltbild zur Erläuterung des erfindungsgemäßen multistabilen Schaltkreises, F i g. 3 ein Ausführungsbeispiel mit mehreren Überwachungsschaltmitteln und F i g. 4 eine andersartige Weiterschalterschaltung des Speicherkreises und die Überwachung mit einem einzigen überwachungsschaltmittel.
  • In F i g. 1 sind die Kennlinien verschiedener Tunneldioden TD 1, TD 2, TD 3, TD 4 und TD n ge- zeigt. Alle Kennlinien weisen bei einer Spannung UH einen Maximalwert des Stromes auf, den sogenannten Hügelstrom IH 1, IH 2, IH 3, IH 4 und IH n. Beim Überschreiten dieses Stromwertes fällt die Kennlinie ab, und der Strom erreicht bei einer Spannung UT einen Minimalwert, den sogenannten Talstrom 1T 1, 1T 2, 1T 3. 1T 4 und 1T n. Bei diesen Kennlinien wird annähernd konstantes Schaltverhältnis vorausgesetzt, das mit gegeben ist. Um mit diesen Tunneldioden einen multistabilen Schaltkreis der bekannten Art aufzubauen, müßte der Kette ein Grundstrom eingeprägt werden, der größer als der Talstrom 1T n ist. Dadurch würde aber die Tunneldiode TD 1 mit dem Hügelstrom 1H1 stets im umgesteuerten Zustand (mit großem Spannungsabfall) sein und für den multistabilen Schaltkreis bedeutungslos sein. Bei den bekannten multistabilen Schaltkreisen dieser Art muß der größte Talstrom 1T n also immer kleiner als der kleinste Hügelstrom IH I sein, so daß über einen eingeprägten Strom multistabiles Verhalten über alle Tunneldioden der Kette erhalten wird. Aus diesem Grunde wird aber der Strombereich der Anordnung sehr stark eingeengt. Die Herstellung von Tunneldioden mit einem sehr großen Bereich der Hügelströme ist möglich, kann aber durch die bekannten Anordnungen nicht ausgenutzt werden. Der multistabile Schaltkreis nach der Erfindung hat nun einen stufenweisen Anstieg des eingeprägten Stromes. Ist keine Tunneldiode umgeschaltet, dann wird über einen Grundstrom 1E die Umsteuerung der Tunneldiode TD 1 vorbereitet. Dieser Strom braucht nur größer als der Talstrom 1T 1 und kleiner als der Hügelstrom 1H1 sein. Wird der Strom in der Kette kurzzeitig über den Hügelstrom IH l erhöht, dann geht die Tunneldiode TD 1 in ihren anderen stabilen Schaltzustand über. Damit diese Tunneldiode nach der Abschaltung des Steuerimpulses nicht wieder in den Ausgangszustand mit dem Spannungsabfall UE zurückgeht, muß der eingeprägte Strom 1E aufrechterhalten werden. Zur Vorbereitung des nächsten Schaltvorganges wird nunmehr der eingeprägte Strom auf den Wert 1E1 erhöht. Dieser Wert ist an die Kennwerte IH 2 und 1T 2 der Tunneldiode TD 2 angepaßt. Steigt der Steuerstrom in der Kette über den Hügelstrom 1H2, dann geht auch die Tunneldiode TD 2 in ihren anderen stabilen Arbeitsbereich über. Davon abgeleitet kann wiederum der eingeprägte Strom auf den Wert 1E2 erhöht werden, der auf die Kennwerte 1H3 und 1T 3 der Tunneldiode TD 3 ab- gestimmt ist usw. Dieses Schaltspiel wiederholt sich so lange, bis schließlich die Tunneldiode TD n umgesteuert ist. Da nunmehr der Endzustand des multistabilen Schaltkreises erreicht ist, braucht der eingeprägte Strom nicht mehr weiter erhöht werden, denn er wurde ja bereits beim Umsteuern der Tunneldiode TD n-1 auf die Werte der Tunneldiode TDn abgestimmt.
  • Fig. 2 zeigt ein Prinzipschaltbild, an Hand dessen die Wirkungsweise eines multistabilen Schaltkreises nach der Erfindung erklärt werden kann. Über den Widerstand R o wird der Tunneldiodenkette TD 1 ... TD n der eingeprägte Strom 1E zugeführt. Über die Entkopplungsdiode D wird dem Speicherkreis der Steuerstrom zugeführt. Will man erreichen, daß bei einem Stromwert I l die erste Änderung in dem Schaltzustand des multistabilen Schaltkreises auftritt, dann wird der Hügelstrom IH 1 so gewählt, daß er mit dem eingeprägten Strom 1E zusammen diesen Wert I l ergibt. Die Tunneldioden TD 1 ... TD n der Kette werden durch SchaltstufenSl ... Sn überwacht. Diese Schaltstufen sprechen erst an, wenn die überwachte Tunneldiode in den Schaltzustand mit größerem Spannungsabfall übergegangen ist. Diese Oberwachungsschaltmittel haben einen eigenen Haltekreis, so daß die steuernde Tunneldiode ohne weiteres abgeschaltet werden kann, ohne daß dadurch der erreichte Schaltzustand verlorengeht. Dies wird durch die Kontakte s ... 1I und s ... III angedeutet. Die Ausschaltung der Tunneldioden beim Weiterschalten der Kette hat den Vorteil, daß später folgende große Steuerströme nicht mehr über die Tunneldioden mit kleinem Hügelstrom geleitet werden müssen. Über den Schaltkontakt s ... I wird die Stromerhöhung eingeleitet, wie sie bei der F i g. 1 erläutert wurde. Der Widerstand R 1 ist z. B. so zu bemessen, daß die Ströme über die angeschalteten Widerstände Ro und R 1 den eingeprägten Strom 1E1 ergeben. Diese Bemessungsvorschrift ist sinngemäß anzuwenden bis zur Dimensionierung des Widerstandes R n-1. Bei der Auslegung der Schaltung können jedoch auch die Schaltstufen S1 ... Sn so verkoppelt sein, daß stets nur eine Schaltstufe aktiviert ist, dann müssen die eingeprägten Ströme eben über die bei dieser Schaltstellung angeschalteten Widerstände eingestellt werden.
  • Ein Ausführungsbeispiel eines derartigen multistabilen Schaltkreises ist in F i g. 3 dargestellt. Als Überwachungsschaltmittel sind Transistorschaltstufen Trl ... Trn mit nachgeschalteten Relais S1 ... Sn eingesetzt. Der Steuerkreis der Transistoren ist so ausgelegt, daß diese Schaltstufen nur ausgesteuert werden, wenn die steuernde Tunneldiode TD 1 ... TD n großen Spannungsabfall, d. h. größer als die Spannung UH, bringt. Spricht das nachgeschaltete Relais an, dann hält es sich über den eigenen Kontakt s ... III, während die Kontakte s ... II den Kurzschluß der Tunneldiode übernehmen. Die Verkopplung der Schaltmittel S1 ... Sn ist so, daß jeweils die den umgesteuerten Tunneldioden zugeordneten Schaltmittel erregt sind. Daraus läßt sich auch der Schaltzustand des multistabilen Schaltkreises aufrechterhalten, obwohl die einmal umgesteuerten Tunneldioden nicht mehr wirksam in den Speicherkreis eingeschaltet sind. Die Widerstände R 1 bis bis R n-1 sind so zu dimensionieren, daß der eingeprägte Strom stufenweise von 1E über 1E 1 bis IE rc - 1 erhöht wird.
  • Werden die Tunneldioden in der in. F i g. 4 gezeigten Weise im Speicherkreis geschaltet, dann läßt sich mit einem einzigen überwachungsschaltmittel Tr die gesamte Kette überwachen. Im Ausgangszustand ist nur die Tunneldiode TD 1 mit dem niedrigsten Hügelstrom IH 1 eingeschaltet. Bei dem eingeprägten Strom 1E fällt im Steuerkreis des Transistors Tr die Spannung UE an, bei der der Transistor noch nicht ausgesteuert wird, da er im Emitterkreis entsprechend vorgespannt ist. Wird der über den Eingang K zugeführte Steuerstrom über den Hügelstrom IH1 erhöht, dann steigt der Spannungsabfall an der Diode TD 1 sprungartig an. Der Transistor Tr wird leitend, und das nachgeschaltete Schaltmittel P 1 spricht an, hält sich selber und betätigt seinen Kontakt p 1. Die Tunnneldiode TD 1 wird kurzgeschlossen und die Tunneldiode TD 2 eingeschaltet. Gleichzeitig wird in nicht dargestellter Weise der eingeprägte Strom auf 1E 1 erhöht und in den Ausgangskreis das Schaltmittel P2 eingeschaltet. Übersteigt der Steuerstrom mit dem eingeprägten Strom zusammen auch den Hügelstrom 1H2, dann wird auch die Tunneldiode TD 2 umgesteuert. Das Schaltmittel P 2 spricht an, der eingeprägte Strom wird auf 1E2 er- ; höht und das Schaltmittel P3 angeschaltet. Die Kettenschaltung P 1 . . . P 4 kann dabei so ausgelegt werden, daß beim Ansprechen des Schaltmittels P2 das Schaltmittel P 1 wieder in die Ruhelage zurückkehrt. Diese Art der Kettenschaltung wirkt sich nur t in der Anzeige des erreichten Schaltzustandes aus und bedingt wieder eine entsprechende Dimensionierung der zusätzlich eingeschalteten Stromzweige für den eingeprägten Gesamtstrom. Ist schließlich das Schaltmittel P 3 aktiviert, dann wird beim Ansprechen des Schaltmittels P 4 der Speicherkreis nicht mehr verändert. Es kann jedoch auch die Tunneldiode TD4 beim Ansprechen des Schaltmittels P4 aus dem Speicherkreis ausgeschaltet werden, wenn die Steuerströme sehr groß sind und lange Zeit anliegen.
  • Es sind nur einige Beispiele für die Fortschaltung und Überwachung des multistabilen Schaltkreises nach der Erfindung gezeigt. Andere Anordnungen lassen sich aufbauen, und stets wird durch die Tunneldioden keine Einschränkung gegeben sein, wenn man die erfindungsgemäße Anpassung des Grundstromes entsprechend der Weiterschaltung des multistabilen Schaltkreises wählt. Auch rein elektronische Auswerte- und überwachungsschaltkreise sind ausführbar, ohne den Erfindungsgedanken zu verlassen.

Claims (11)

  1. Patentansprüche: 1. Multistabiler Schaltkreis aus einer Reihenschaltung mehrerer Tunneldioden mit unterschiedlichen Hügelströmen, d a d u r c h g e -kennzeichnet, daß der eingeprägte Grundstrom (1E, 1E 1 ... 1E n) der Tunneldiodenkette (TD 1 ... TD n) beim Umsteuern einer Tunneldiode (z. B. TD 1) in den hochohmigen Zustand in Abhängigkeit vom Schaltzustand der Tunneldioden, stufenweise und jeweils auf die Kennwerte (1H2, 1T 2) der beim nächsten Schaltvorgang umzusteuernden Tunneldiode (z. B. TD 2) abgestimmt, verändert wird.
  2. 2. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromänderung über die zur Überwachung und Anzeige des Schaltzustandes der Tunneldioden vorgesehenen Schaltmittel (S1, S2 ... Sn) eingeleitet wird.
  3. 3. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltmittel (S1, S2 ... Sn) über einen eigenen Haltekreis gehalten werden und daß die umgesteuerten Tunneldioden aus dem Speicherkreis ausgeschaltet werden.
  4. 4. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Tunneldioden (TD 1, TD 2, TD 3, TD 4) durch die ihnen zugeordneten überwachungsschaltmittel (S1, S2, S3) im Speicherkreis kurzgeschlossen werden.
  5. 5. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Überwachung des Schaltzustandes der Tunneldiodenkette nur ein Indikator (Tr) vorgesehen wird, der in Abhängigkeit von der Fortschaltung einer Kettenschaltung (P 1 ... P4) nacheinander zur Prüfung des Schaltzustandes aller Tunneldioden (TD 1 ... TD 4) umgeschaltet wird (F i g. 4).
  6. 6. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der eingeprägte Strom (1E ... IEn) stufenweise so weit erhöht wird, daß in jedem Schaltzustand an der Tunneldiodenkette gleicher Spannungsabfall (UE) auftritt.
  7. 7. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kettenschaltmittel (P 1 ... P4) der Reihe nach in den Ausgangskreis des gemeinsamen überwachungsschaltmittels Jr) eingeschaltet werden. B.
  8. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Hügelstrom (IH 1 ... IHn) der umzusteuernden Tunneldiode (TD 1 ... TD n) aus der Summe des jeweils eingeprägten Stromes (1E ... IEn-1) und der gewünschten Stromstufe (11 ... 1 n) ermittelt wird.
  9. 9. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß im Ruhezustand des Schaltkreises nur die Tunneldiode (TD 1) mit dem kleinsten Hügelstrom (IH 1) in den Speicherkreis eingeschaltet wird und daß die übrigen Tunneldioden (TD 2 ... TD n) über die Kettenschaltung (P 1 ... P4) der Reihe nach in den Speicherkreis ein- und wieder ausgeschaltet werden (F i g. 4).
  10. 10. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Tunneldiode (TDn) mit dem höchsten Hügelstrom (IHn) nach der Einschaltung in den Speicherkreis auch nach ihrer Umsteuerung nicht mehr aus dem Speicherkreis ausgeschaltet wird.
  11. 11. Multistabiler Schaltkreis nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Schaltkreis durch Abschaltung des eingeprägten Stromes (1E ... IEn-1) in den Ausgangszustand zurückgestellt wird.
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