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DE1170553B - Method for installing a semiconductor device in a housing - Google Patents

Method for installing a semiconductor device in a housing

Info

Publication number
DE1170553B
DE1170553B DEL27232A DEL0027232A DE1170553B DE 1170553 B DE1170553 B DE 1170553B DE L27232 A DEL27232 A DE L27232A DE L0027232 A DEL0027232 A DE L0027232A DE 1170553 B DE1170553 B DE 1170553B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
cable strand
semiconductor device
installing
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL27232A
Other languages
German (de)
Inventor
Dr Phil Enno Arends
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL27232A priority Critical patent/DE1170553B/en
Publication of DE1170553B publication Critical patent/DE1170553B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W76/60
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10W72/00
    • H10W76/10
    • H10W76/17

Landscapes

  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Description

Verfahren zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse, bei dem mindestens eine mechanisch nachgiebige, als Zuleitung zu der Halbleiteranordnung vorgesehene Kabellitze durch ein metallisches, in die Gehäusewandung hermetisch eingebautes Rohr nach außen geführt wird.Method for installing a semiconductor device in a housing The invention relates to a method for installing a semiconductor device in a housing in which at least one mechanically flexible, as a supply line to the Semiconductor arrangement provided cable strand through a metallic, in the housing wall Hermetically installed pipe is led to the outside.

Ein bekanntes Gehäuse für eine kühlbare Halbleiteranordnung besteht aus einem zylindrischen Kupferkörper, der radiale Kühlfahnen und eine zentrale Bohrung zur Aufnahme der Halbleiteranordnung aufweist. Der aus M4terialien wie Germanium oder Silizium bestehende Halbleiterkörper der Halbleiter-Gleichrichteranordnung ist am Boden der Bohrung in dem als eine elektrische Zuleitung dienenden Kupferkörper in elektrisch und Wärme gut leitendem Kontakt befestigt. Eine mechanisch nachgiebige Kabellitze ist an der Gleichrichteranordnung angelötet und durch einen zylindrischen Ring hindurchgeführt, der durch einen den Abschluß des Gehäuses der Gleichrichteranordnung bildenden Glasring mit dem Kupferkörper über einen Flansch aus einem für eine Glaseinschmelzung geeigneten Metall verbunden ist. Die mechanisch nachgiebige Kabellitze ist mit dem sie umgebenden und mit dem übrigen Gehäuseteil durch den Glasring verbundenen zylindrischen Ring durch Lötung dicht verbunden.There is a known housing for a coolable semiconductor arrangement from a cylindrical copper body, the radial cooling fins and a central bore for receiving the semiconductor arrangement. The one made from materials like germanium or silicon existing semiconductor body of the semiconductor rectifier arrangement is at the bottom of the bore in the copper body serving as an electrical lead attached in electrically and heat-conductive contact. A mechanically yielding one Cable strand is soldered to the rectifier assembly and through a cylindrical Ring passed through the end of the housing of the rectifier assembly forming glass ring with the copper body via a flange from a for a glass seal suitable metal is connected. The mechanically flexible cable strand is with the surrounding them and connected to the rest of the housing part by the glass ring cylindrical Ring tightly connected by soldering.

Die hermetische Verbindung von Kabellitzen mit anderen Metallteilen durch Lötung hat den Nachteil, daß die Kabellitze das flüssige Lot wie ein Docht aufsaugt und nach dem Erstarren des Lotes ihre Biegsamkeit in einem so großen Teil verliert, wie sie Lot aufgenommen hat.The hermetic connection of cable strands with other metal parts by soldering has the disadvantage that the cable strand the liquid solder like a wick absorbs and after the solidification of the solder their flexibility in such a large part loses as she picked up Lot.

Gemäß der Erfindung wird zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse so verfahren, daß der aus der Gehäusewandung nach der Gehäuseaußenseite austretende Teil des Rohres und der darin befindliche Teil der Kabellitze mindestens bis zum Fließen der Kabellitze zusammengepreßt werden.According to the invention is for installing a semiconductor device in a Move the housing so that the out of the housing wall to the outside of the housing exiting part of the pipe and the part of the cable strand located therein at least are pressed together until the cable strand flows.

Durch das Verfahren gemäß der Erfindung wird der genannte Nachteil vermieden. Des weiteren ist das Verfahren gemäß der Erfindung auch in anderer Hinsicht vorteilhaft. Durch das Pressen über die Fließgrenze hinaus wird eine hermetische Abdichtung des Gehäuses und zugleich eine gute elektrische Kontaktierung bewirkt. Es brauchen dabei keine höheren Temperaturen und keine Flußmittel verwendet zu werden, so daß die Gefahr der Verunreinigung der Halbleiteranordnung unterbunden ist. Die Kabellitze behält ihre Biegsamkeit, weil kein Lot verwendet wird. Dies ist von besonderem Vorteil für die Verwendung von kurzen Kabellitzen für Gehäuse kleinerer Abmessung.The above-mentioned disadvantage becomes due to the method according to the invention avoided. Furthermore, the method according to the invention is also in other respects advantageous. By pressing beyond the yield point, it becomes hermetic Sealing of the housing and at the same time a good electrical contact causes. No higher temperatures and no fluxes need to be used, so that the risk of contamination of the semiconductor device is suppressed. the Cable strands retain their flexibility because no solder is used. This is special Advantage of using short cable strands for housings with smaller dimensions.

Für den Einbau nach dem Verfahren gemäß der Erfindung eignet sich eine Kabellitze aus Kupfer besonders.For installation according to the method according to the invention is suitable a cable strand made of copper in particular.

Zweckmäßig wird nach dem Pressen der über den gepreßten Rohrteil etwa hinausragende Teil der Kabellitze entfernt und der gepreßte Rohrteil als ösen- oder gabelförmiger Polschuh ausgebildet.Appropriately after pressing the about the pressed pipe part protruding part of the cable strand removed and the pressed pipe part as an eyelet or formed fork-shaped pole piece.

Vorteilhaft wird die Kabellitze an der Halbleiteranordnung durch eine Schweißverbindung befestigt. Insbesondere wird die Kabellitze mit einem festen, an der Halbleiteranordnung angelöteten Metallteil verschweißt.The cable strand on the semiconductor arrangement is advantageously carried out by a Welded joint attached. In particular, the cable strand is secured with a solid, welded to the semiconductor assembly soldered metal part.

An Hand der F i g. 1 bis 4, die in zum Teil schematischer Darstellung Schnitt und Ansicht von Gehäuse, Halbleiteranordnung und eine Zuleitung zeigen, wird das Verfahren gemäß der Erfindung des weiteren erläutert.On the basis of FIG. 1 to 4, some in a schematic representation Show section and view of housing, semiconductor arrangement and a supply line, the method according to the invention is further explained.

Die Figuren zeigen in zum Teil schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel des Gehäuses sowie des Verfahrens gemäß der Erfindung.The figures show an exemplary embodiment in a partially schematic representation of the housing and of the method according to the invention.

F i g. 1 zeigt eine Halbleiteranordnung 1, die z. B, auf eine kreisförmige, metallische, zugleich die eine Zuleitung bildende Trägerscheibe 2 montiert ist. Für die andere Zuleitung ist ein Stück Kabellitze 3 vorgesehen. Der übrige Teil des Gehäuses, der überall kreisringförmigen Querschnitt hat, besteht aus einem metallischen Zylinder 4, der an einem Ende zwecks Befestigung auf der Trägerscheibe 2 mit einem Flansch 5 versehen ist. In das andere Ende des Zylinders 4 ist unter Einfügung eines Isolierringes 6 ein metallisches Rohr 7 eingebaut. Die beiden Teile 2 und 4 werden, wie in F i g. 2 dargestellt, zusammengefügt. Die Naht 8 zwischen den Teilen 2 und 4 kann in bekannter Weise durch Bördeln, Stumpfschweißen oder Löten verschlossen werden. Der austretende Teil des Rohres 7 mit der darin enthaltenen Kabellitze 3 wird zwischen den Backen 9 und 10 einer Presse bis zum Fließen des Litzenmaterials gepreßt.F i g. 1 shows a semiconductor device 1, e.g. B, is mounted on a circular, metallic carrier disk 2 which at the same time forms a feed line. A piece of stranded cable 3 is provided for the other supply line. The remaining part of the housing, which has a circular cross-section everywhere, consists of a metallic cylinder 4 which is provided with a flange 5 at one end for the purpose of fastening on the carrier disk 2. In the other end of the cylinder 4 , a metallic tube 7 is installed with the insertion of an insulating ring 6. The two parts 2 and 4 are, as in FIG. 2 shown, assembled. The seam 8 between the parts 2 and 4 can be closed in a known manner by flanging, butt welding or soldering. The exiting part of the tube 7 with the cable strand 3 contained therein is pressed between the jaws 9 and 10 of a press until the strand material flows.

F i g. 3 zeigt das verschlossene Gehäuse. Die Trägerplatte 2 kann mit einer bereits vor der Verarbeitung angeformten Schraube 11 versehen sein. Der gepreßte Teil des Rohres 7 ist zu einem ösenförmigen Polschuh 12 verarbeitet. Der Polschuh kann auch die in F i g. 4 dargestellte Gabelform erhalten.F i g. 3 shows the closed housing. The carrier plate 2 can be provided with a screw 11 already formed before processing. Of the The pressed part of the tube 7 is processed into an eyelet-shaped pole piece 12. Of the Pole shoe can also be the one shown in FIG. 4 obtained fork shape shown.

Claims (5)

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse, bei dem mindestens eine mechanisch nachgiebige, als Zuleitung zu der Halbleiteranordnung vorgesehene Kabellitze durch ein metallisches, in die Gehäusewandung hermetisch eingebautes Rohr nach außen geführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der aus der Gehäusewandung nach der Gehäuseaußenseite austretende Teil des Rohres und der darin befindliche Teil der Kabellitze mindestens bis zum Fließen der Kabellitze zusammengepreßt wird. Claims: 1. A method for installing a semiconductor device in a housing, in which at least one mechanically flexible, as a supply line to the semiconductor arrangement provided cable strand through a metallic, in the housing wall Hermetically installed pipe is led to the outside, characterized in that the part of the pipe emerging from the housing wall to the outside of the housing and the part of the cable strand located therein at least until the cable strand flows is compressed. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kabellitze aus Kupfer verwendet wird. 2. The method according to claim 1, characterized in that a stranded wire made of copper is used. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der gepreßte Teil des Rohres als ösen- oder gabelförmiger Polschuh ausgebildet wird. 3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the pressed part of the tube as an eyelet or fork-shaped Pole shoe is formed. 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kabellitze an der Halbleiteranordnung durch eine Schweißverbindung befestigt wird. 4. The method according to claim 1, 2 or 3, characterized in that that the cable strand is attached to the semiconductor device by a welded connection will. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet. daß die Kabellitze mit einem festen, an der Halbleiteranordnung angelöteten Metallteil verschweißt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 2 752 541; Rost, »Kristallodentechnik«, 2. Auflage, Berlin 1956, S. 106 und 107.5. The method according to claim 4, characterized. that the cable strand is welded to a solid metal part soldered to the semiconductor device. References considered: U.S. Patent No. 2,752,541; Rost, "Kristallodentechnik", 2nd edition, Berlin 1 956, pp. 106 and 107.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2752541A (en) * 1955-01-20 1956-06-26 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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