DE1170553B

DE1170553B - Verfahren zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehaeuse

Info

Publication number: DE1170553B
Application number: DEL27232A
Authority: DE
Inventors: Dr Phil Enno Arends
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1957-03-27
Filing date: 1957-03-27
Publication date: 1964-05-21

Description

Verfahren zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse, bei dem mindestens eine mechanisch nachgiebige, als Zuleitung zu der Halbleiteranordnung vorgesehene Kabellitze durch ein metallisches, in die Gehäusewandung hermetisch eingebautes Rohr nach außen geführt wird.
Ein bekanntes Gehäuse für eine kühlbare Halbleiteranordnung besteht aus einem zylindrischen Kupferkörper, der radiale Kühlfahnen und eine zentrale Bohrung zur Aufnahme der Halbleiteranordnung aufweist. Der aus M4terialien wie Germanium oder Silizium bestehende Halbleiterkörper der Halbleiter-Gleichrichteranordnung ist am Boden der Bohrung in dem als eine elektrische Zuleitung dienenden Kupferkörper in elektrisch und Wärme gut leitendem Kontakt befestigt. Eine mechanisch nachgiebige Kabellitze ist an der Gleichrichteranordnung angelötet und durch einen zylindrischen Ring hindurchgeführt, der durch einen den Abschluß des Gehäuses der Gleichrichteranordnung bildenden Glasring mit dem Kupferkörper über einen Flansch aus einem für eine Glaseinschmelzung geeigneten Metall verbunden ist. Die mechanisch nachgiebige Kabellitze ist mit dem sie umgebenden und mit dem übrigen Gehäuseteil durch den Glasring verbundenen zylindrischen Ring durch Lötung dicht verbunden.
Die hermetische Verbindung von Kabellitzen mit anderen Metallteilen durch Lötung hat den Nachteil, daß die Kabellitze das flüssige Lot wie ein Docht aufsaugt und nach dem Erstarren des Lotes ihre Biegsamkeit in einem so großen Teil verliert, wie sie Lot aufgenommen hat.
Gemäß der Erfindung wird zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse so verfahren, daß der aus der Gehäusewandung nach der Gehäuseaußenseite austretende Teil des Rohres und der darin befindliche Teil der Kabellitze mindestens bis zum Fließen der Kabellitze zusammengepreßt werden.
Durch das Verfahren gemäß der Erfindung wird der genannte Nachteil vermieden. Des weiteren ist das Verfahren gemäß der Erfindung auch in anderer Hinsicht vorteilhaft. Durch das Pressen über die Fließgrenze hinaus wird eine hermetische Abdichtung des Gehäuses und zugleich eine gute elektrische Kontaktierung bewirkt. Es brauchen dabei keine höheren Temperaturen und keine Flußmittel verwendet zu werden, so daß die Gefahr der Verunreinigung der Halbleiteranordnung unterbunden ist. Die Kabellitze behält ihre Biegsamkeit, weil kein Lot verwendet wird. Dies ist von besonderem Vorteil für die Verwendung von kurzen Kabellitzen für Gehäuse kleinerer Abmessung.
Für den Einbau nach dem Verfahren gemäß der Erfindung eignet sich eine Kabellitze aus Kupfer besonders.
Zweckmäßig wird nach dem Pressen der über den gepreßten Rohrteil etwa hinausragende Teil der Kabellitze entfernt und der gepreßte Rohrteil als ösen- oder gabelförmiger Polschuh ausgebildet.
Vorteilhaft wird die Kabellitze an der Halbleiteranordnung durch eine Schweißverbindung befestigt. Insbesondere wird die Kabellitze mit einem festen, an der Halbleiteranordnung angelöteten Metallteil verschweißt.
An Hand der F i g. 1 bis 4, die in zum Teil schematischer Darstellung Schnitt und Ansicht von Gehäuse, Halbleiteranordnung und eine Zuleitung zeigen, wird das Verfahren gemäß der Erfindung des weiteren erläutert.
Die Figuren zeigen in zum Teil schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel des Gehäuses sowie des Verfahrens gemäß der Erfindung.
F i g. 1 zeigt eine Halbleiteranordnung 1, die z. B, auf eine kreisförmige, metallische, zugleich die eine Zuleitung bildende Trägerscheibe 2 montiert ist. Für die andere Zuleitung ist ein Stück Kabellitze 3 vorgesehen. Der übrige Teil des Gehäuses, der überall kreisringförmigen Querschnitt hat, besteht aus einem metallischen Zylinder 4, der an einem Ende zwecks Befestigung auf der Trägerscheibe 2 mit einem Flansch 5 versehen ist. In das andere Ende des Zylinders 4 ist unter Einfügung eines Isolierringes 6 ein metallisches Rohr 7 eingebaut. Die beiden Teile 2 und 4 werden, wie in F i g. 2 dargestellt, zusammengefügt. Die Naht 8 zwischen den Teilen 2 und 4 kann in bekannter Weise durch Bördeln, Stumpfschweißen oder Löten verschlossen werden. Der austretende Teil des Rohres 7 mit der darin enthaltenen Kabellitze 3 wird zwischen den Backen 9 und 10 einer Presse bis zum Fließen des Litzenmaterials gepreßt.
F i g. 3 zeigt das verschlossene Gehäuse. Die Trägerplatte 2 kann mit einer bereits vor der Verarbeitung angeformten Schraube 11 versehen sein. Der gepreßte Teil des Rohres 7 ist zu einem ösenförmigen Polschuh 12 verarbeitet. Der Polschuh kann auch die in F i g. 4 dargestellte Gabelform erhalten.

Claims

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Einbau einer Halbleiteranordnung in ein Gehäuse, bei dem mindestens eine mechanisch nachgiebige, als Zuleitung zu der Halbleiteranordnung vorgesehene Kabellitze durch ein metallisches, in die Gehäusewandung hermetisch eingebautes Rohr nach außen geführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der aus der Gehäusewandung nach der Gehäuseaußenseite austretende Teil des Rohres und der darin befindliche Teil der Kabellitze mindestens bis zum Fließen der Kabellitze zusammengepreßt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kabellitze aus Kupfer verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der gepreßte Teil des Rohres als ösen- oder gabelförmiger Polschuh ausgebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kabellitze an der Halbleiteranordnung durch eine Schweißverbindung befestigt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet. daß die Kabellitze mit einem festen, an der Halbleiteranordnung angelöteten Metallteil verschweißt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 2 752 541; Rost, »Kristallodentechnik«, 2. Auflage, Berlin 1956, S. 106 und 107.