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DE1168973B - Schaltungsanordnung zum UEberlastungsschutz von Transistoren bei Transistorverstaerkerstufen - Google Patents

Schaltungsanordnung zum UEberlastungsschutz von Transistoren bei Transistorverstaerkerstufen

Info

Publication number
DE1168973B
DE1168973B DES76054A DES0076054A DE1168973B DE 1168973 B DE1168973 B DE 1168973B DE S76054 A DES76054 A DE S76054A DE S0076054 A DES0076054 A DE S0076054A DE 1168973 B DE1168973 B DE 1168973B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
output
voltage
amplifier stage
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES76054A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Ratschitzky
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to BE623080D priority Critical patent/BE623080A/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES76054A priority patent/DE1168973B/de
Priority to SE1049262A priority patent/SE311539B/xx
Publication of DE1168973B publication Critical patent/DE1168973B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung zum Überlastungsschutz von Transistoren bei Transistorverstärkerstufen Die Erfindung betrifft eine Transistorverstärkerstufe mit als überlastungsschutz wirkender Begrenzerschaltung, bei der die Emitter-Kollektor-Strecke eines Schutztransistors derart in Reihe zu einer der beiden von der Gleichstromquelle kommenden Stromversorgungsleitungen der Transistorverstärkerstufe geschaltet ist, daß der Kollektor des Schutztransistors mit dem von der Gleichstromquelle kommenden und der Emitter mit dem zur Transistorstufe führenden Ende der einen Versorgungsleitung verbunden sind, und bei der ein Gleichrichter, dessen Ausgangsspannung proportional zur Ausgangswechselspannung der Transistorverstärkerstufe ist, mit dem einen Pol seines Ausgangs an die Basis des Schutztransistors geführt ist.
  • Es sind bereits Begrenzerschaltungen bekannt, in denen durch geeignete Maßnahmen der Strom in einer Transistorverstärkerstufe auf einen maximal zulässigen Wert begrenzt wird.
  • In F i g. 1 ist die bekannte Schaltung eines selektiven Transistorverstärkers mit einer Endstufe in Gegentakt-B-Betrieb dargestellt, wie er vorzugsweise bei Trägerstromquellen zur Speisung von Vielkanal-Trägerfrequenzsystemen verwendet wird. Die an der Wicklung 1 am Ausgangsübertrager 2 des Verstärkers 'anstehende Teilwechselspannung wird durch den Gleichrichter 3 gleichgerichtet, mittels Ladekondensator 4 geglättet und über die Zenerdiode 5 als versteilerndes Glied der Basis-Emitter-Strecke des Trantistors 6 der Eingangsstufe zugeleitet. Dadurch ist die Ausgangsamplitude des Verstärkers selbsttätig geregelt, so daß sie in gewissen Grenzen unabhängig ist vom Lastwiderstand des Verstärkers, von Schwankungen seiner Versorgungsspannung und der Aussteuerung der Eingangsstufe. Da die selbsttätige Regelung den Endverstärker bei Kurzschluß so weit aussteuern würde, wie es der Verstärkungsreserve der Vorstufe entspricht, muß man die Aussteuerung der Endstufe definiert begrenzen, um die Transistoren 7, 8 der Endstufe zu schützen. Durch den Widerstand 9 in der Kollektorleitung des Transistors 6 der Vorstufe kann die Aussteuerung und damit der Strom in der Endstufe scharf auf den für maximale Last zulässigen Wert begrenzt werden.
  • Der Nachteil dieser Schaltung liegt jedoch darin, daß in Fällen, in denen mit einem länger anhaltenden Kurzschluß am Ausgang des Verstärkers zu rechnen ist, der Strom in der Endstufe auf denjenigen Wert begrenzt werden muß, der auch beim totalen Kurzschluß am Ausgang des Verstärkers die Transistoren der Ausgangsstufe bei der maximal vorkommenden Batteriespannung nicht überlastet. Dadurch ist die maximal entnehmbare Ausgangsleistung auf einen Wert beschränkt, der weit unterhalb dem liegt, der zugelassen werden könnte, wenn nur auf die Verlustleistung Rücksicht genommen zu werden brauchte, die im Normalbetrieb auftritt.
  • Es ist außerdem eine Schaltungsanordnung bekannt, die für Regelzwecke einsetzbar ist. Die Transistoren sind dabei mit ihrer Emitter-Kollektor-Strecke in eine Versorgungszuleitung eingeschaltet. Der Gleichrichter ist unmittelbar mit dem Ausgang des Transistorverstärkers über eine Ausgangsspule der letzten Stufe verbunden. Die Regelschaltung dient dazu, die Ausgangswechselspannung des Transistorverstärkers trotz verschiedener Einflüsse konstant zu halten. Die Regelschaltung ist deshalb so ausgelegt, daß beim Anwachsen der Spannung am Ausgang des Transistorverstärkers die Kollektor-Emitter-Strecke der Transistoren immer hochohmiger wird, wodurch die den Transistoren des Transistorverstärkers zugeführte Kollektorgleichspannung verringert wird. Man erreicht dadurch, daß beim Anwachsen der Ausgangswechselspannung der Verstärkungsfaktor kleiner wird und erhält als Ergebnis eine konstante Ausgangsspannung. Die Ausgangswechselspannung wird hierbei annähernd proportional zur Versorgungsgleichspannung des Transistorverstärkers geregelt. Da die Verstärkertransistoren bei Anwachsen der überlast, bzw. Kurzschluß immer weiter geöffnet werden, tritt schließlich eine überlastung dieser Transistoren ein, die zu ihrer vollständigen Zerstörung führen kann.
  • Es gibt bereits Schutzschaltungen, die eine bessere Ausnutzung der Transistoren gestatten und bei denen Kurzschlußsicherheit gewährleistet ist. Sie beruhen alle darauf, daß kurzzeitig ein höherer Strom in der Endstufe zugelassen wird als der Nennlast entspricht. Tritt Überstrom auf, so dient er als Kriterium für Überlast oder Kurzschluß am Verstärkerausgang und schaltet die Versorgungsspannung ab (Sicherung, Schutzrelais). Abgesehen davon, daß bei diesen Schutzschaltungen zuerst geprüft werden inuß, ob die Überlast oder der Kurzschluß entfernt ist, und dann von Hand auf Betrieb geschaltet werden muß, ist die Ausnutzung des Verstärkers bei Anwendung dieser Schutzschaltungen dadurch begrenzt, daß einerseits mit Schwankungen der Versorgungsspannung gerechnet werden muß und andererseits damit, daß im Betrieb die Ausgangsspannung nicht immer genau auf den Sollwert eingestellt ist. Der Wirkungsgrad des Verstärkers fällt aber sehr schnell ab, wenn das Verhältnis aus dem Scheitelwert der Kollektorwechselspannung zurVersorgungsgleichspannung von 100 % aus zu kleineren Werten absinkt. Dieses Absinken des Wirkungsgrades muß bei den bisherigen Verstärkern trotz aller Schutzschaltungen um so mehr in Kauf genommen werden, je größer die genannten Toleranzen sind.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine bessere Ausnutzung der jeweils eingesetzten Transistoren zu erreichen, ohne dabei auf einen Überlastschutz, der auch noch im Kurzschlußfalle wirksam ist, verzichten zu müssen.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe ist die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung so ausgebildet, daß die Emitter-Kollektor-Strecke eines Schutztransistors derart in Reihe zu einer der beiden von einer Gleichstromquelle kommenden Stromversorgungszuleitungen der Transistorverstärkerstufe geschaltet ist, daß der Kollektor des Schutztransistors mit dem von der Gleichstromquelle kommenden und der Emitter mit dem zur Transistorstufe führenden Ende der einen Versorgungsleitung verbunden ist, während ein Gleichrichter, dessenAusgangsspannung proportional zur Ausgangswechselspannung der Transistorverstärkerstufe ist, mit dem einen Pol seines Ausgangs mit der Basis des Schutztransistors und mit dem anderen Pol seines Ausgangs mit der anderen von der Gleichstromquelle kommenden Versorgungszuleitung der Transistorverstärkerstufe und die Basis des Schutztransistors mit dem Emitter desselben durch einen Widerstand verbunden ist, so daß beim Anwachsen der Überlast am Ausgang der Transistorverstärkerstufe die Kollektor-Emitter-Strecke des Schutztransistors immer hochohmiger und die zwischen dem Emitter des Schutztransistors und der gegenpoligen Versorgungszuleitung der Transistorverstärkerstufe liegende, als Versorgungsspannung der Transistorverstärkerstufe dienende Spannung annähernd proportional zur Ausgangswechselspannung heruntergeregelt wird.
  • Durch diese Maßnahmen wird die gestellte Aufgabe in einfacher Weise gelöst. Ein wesentlicher Vorteil der Anordnung liegt darin, daß durch die annähernd proportionale Regelung der Versorgungsspannung der Transistorstufe zur Ausgangswechselspannung die zulässige Verlustleistung der jeweiligen Transistoren in sämtlichen Betriebsfällen einschließlich des Kurzschlußfalles niemals überschritten wird, so daß eine solche Transistorstufe stets für die bei einem bestimmten Betriebsfall maximal erreichbare Ausgangsleistung ausgelegt werden kann. Hinzu kommt noch, daß die Transistorverstärkerstufe stets mit annähernd konstantem, genau bestimmbarem Wirkungsgrad arbeitet, demjenigen hohen Wirkungsgrad nämlich, der durch das Verhältnis des Scheitelwerts der Kollektorwechselspannung zur Versorgungsgleichspannung gegeben ist. Wegen des geringen Durchgriffes des Kollektorkreises auf dem Emitterkreis werden bei der Art der Anordnung der vorliegenden Schutzschaltung auch Batteriespannungsschwankungen weitgehend ausgeregelt.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann ein Widerstand parallel zur Emitter-Kollektor-Strecke des Schutztransistors geschaltet werden. Dadurch wird erreicht, daß auch in Betriebsfällen, in denen noch keine Ausgangswechselspannung vorhanden ist - z. B. bei Übergang vom Kurzschlußfall zum Normalbetrieb oder beim Einschalten der Batteriespannung - und deshalb die Emitter-Kollektor-Strecke des Schutztransistors sehr hochohmig ist, eine selbsttätige Einregelung auf den gewünschten Betriebsfall erfolgt. Die Schaltungsanordnung ist völlig unabhängig von der Kurvenform der Ausgangsspannung und gleichermaßen für den A-, B- und C-Betrieb geeignet, gleichgültig, ob es sich um Ein- oder Gegentaktstufen handelt. Die spezielle Schutzschaltung kann mit gleichem Erfolg auch bei Oszillatorschaltungen oder ähnlichen Anordnungen benutzt werden.
  • Die Erfindung wird an Hand der in den F i g. 2 bis 6 schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele und an Hand des Diagramms nach F i g. 7 näher erläutert.
  • Die Schaltung nach F i g. 2 unterscheidet sich von derjenigen nach F i g. 1 durch die zusätzliche Wicklung 11 des Ausgangsübertragers 2, durch eine Gleichrichterschaltung, bestehend aus der Diode 12 und dem Kondensator 13, den Schutztransistor 10, dessen Kollektor-Emitter-Strecke in Reihe zur negativen Versorgungszuleitung geschaltet ist, und den parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des Schutztransistors 10 liegenden Widerstand 17. Durch die parallel zur Batterie B liegende Reihenschaltung des Widerstandes der Kollektor-Emitter-Strecke des Schutztransistors 10 und des an den Klemmen 14-15 sich als Quotient der Verstärkerspeisespannung U= zwischen den Klemmen 14-15 und dem Versorgungsgleichstrom I= darstellenden Widerstandes wird die Batteriespannung B im Verhältnis dieser beiden Widerstände aufgeteilt.
  • Die Schaltungsanordnung arbeitet folgendermaßen: Bei Änderung der Ausgangswechselspannung U.-durch Laständerungen oder andere Einflüsse folgt die Spannung an der Wicklung 11 und damit die am Kondensator 13 anstehende Gleichspannung, die als Steuerspannung für den Schutztransistor 10 dient, getreu der Ausgangswechselspannung der Endstufe. An den Klemmen 14-15 stellt sich dabei eine Spannung ein, die um den nur wenige zehntel Volt betragenden Spannungsabfall an der Emitter-Basis-Strecke des Schutztransistors 10 geringer ist als die Steuerspannung. Die an den Klemmen 14-15 anstehende, als Verstärkerversorgungsspannung dienende Gleichspannung ist durch diese Steuerung in jedem Augenblick proportional der Ausgangswechselspannung. Durch geeignete Übersetzung im Ausgangsübertrager 2 zwischen der an dem Transistor 7, 8 liegenden Kollektorwicklung 22 und der Steuerwicklung 11 wird erreicht, daß die Verstärkerspeisespannung geringfügig größer ist, als der Scheitelwert der Kollektorwechselspannung. Der Verlauf des Versorgungsstromes, der Versorgungsspannung und der Verstärkerausgangswechselspannung in Abhängigkeit vom Lastwiderstand des Verstärkers ist aus dem Diagramm nach F i g. 7 zu ersehen. Bei der Aufnahme der Kurven des Diagramms wurde die Ausgangswechselspannung hierbei innerhalb des Betriebsbereiches zur Unterstützung der Verstärkerregelung auf den Nennwert 10 Volt nachgestellt, um die Wirkungsweise der Schutzschaltung übersichtlich darzustellen.
  • Bei überlast tritt die Begrenzung durch den Widerstand 9 in Kraft. Der Versorgungsstrom 1-steigt nicht mehr weiter an. Da nun die Ausgangswechselspannung U;:::#- abfällt, regelt die Schutzschaltung die Versorgungsspannung U= annähernd proportional mit herunter. Die Tatsache, daß die Versorgungsgleichspannung U= rascher als die Ausgangswechselspannung Urz# abfällt, liegt in den Kennlinien des Transistors 10 begründet und führt dazu, daß bei sehr kleinen Lastwiderständen 20 am Verstärkerausgang, wie sie bei Kurzschlüssen auftreten, die Steuerspannung am Transistor 10 nicht mehr ausreicht, um die Versorgungsspannung an den Klemmen 14-15 zu erhalten, die dem bestimmten überlastfall entspricht; dadurch sinkt die Ausgangswechselspannung U,-: und damit die Steuerspannung für den Schutztransistor 10 noch mehr, so daß der Schutztransistor die Versorgungszuleitung fast völlig sperrt, womit der im Diagramm ersichtliche, von einem bestimmten Zeitpunkt an sehr rasche Abfall des Versorgungsstromes 1= seine Erklärung findet. Ein gewisser Reststrom und damit auch eine Restspannung bleiben erhalten, da der Widerstand der Emitter-Kollektor-Strecke des Schutztransistors 10 nicht unendlich groß ist. Würde die Schutzschaltung die Versorgungssspannung U= genau proportional zur Ausgangswechselspannung U.-; steuern, dann würde die Schutzschaltung im überlastbereich bis zum totalen Kurzschluß den beim Begrenzungsfall maximal erreichbaren konstanten Versorgungsstrom 1= beibehalten. In diesem Falle bleiben die Endtransistoren 7, 8 voll ausnutzbar, da sie im Kurzschluß nur eine sehr geringe Versorgungsspannung speisen würde. Der Schutztransistor 10 nimmt dabei die volle Verlustleistung auf, die die Endtransistoren in einem Gegentakt-B-Verstärker aufnehmen müßten, der keinerlei Schutzschaltung außer dem Begrengungswiderstand 9 besitzt. Es erfolgt also eine Verlagerung der Verlustleistung von den teuren Hochfrequenztransistoren der Endstufe zu einem Transistor sehr niedriger Grenzfrequenz, der mit hoher zulässiger Verlustleistung günstiger herstellbar ist. Im Diagramm nach F i g. 7 ist die Verlustleistung des Transistors 10 für diesen Fall mit N"' bezeichnet. Im Gegensatz zu dieser theoretischen Betrachtung entsteht jedoch im Betrieb, wegen der nur annähernd proportionalen Regelung der Versorgunsgleichspannung U= in Abhängigkeit von der Ausgangswechselspannung U@ und der damit . verbundenen weitgehenden Sperrung der Versorgungszuleitung beim Erreichen desienigen Belastungsfalles, von dem ab die Steuerspannung nicht mehr ausreicht, um die für den Betriebszustand notwendige Versorgungsgleichspannung U= aufrechtzuerhalten, der zusätzliche Vorteil, daß von diesem Zeitpunkt an die Verlustleistung am Schutztransistor 10 ebenfalls abnimmt. Der Verlauf der bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 auftretenden Verlustleistung N" in Abhängigkeit von der Belastung des Verstärkerausganges ist im Diagramm 7 ebenfalls ersichtlich. Der Widerstand 17 parallel zur Kollektor-Emitterstrecke des Schutztransistors garantiert in den Fällen, in denen keine Ausgangswechselspännung existiert und dadurch die Kollektor-Emitter-Strecke des Schutztransistors praktisch nicht leitend ist, den Mindeststrom in der Versorgungszuleitung, der nötig ist, um den Verstärker selbsttätig auf den Betriebsfall einzuregeln. Der Strom, der im FaJ1 des Kurzschlusses am Verstärkerausgang durch den Widerstand 17 fließt, ist weitaus kleiner als der in diesem Fall für die Transistoren 7, 8 der Ausgangsstufe zulässige: In F i g. 3 ist die Schaltungsanordnung der Schutzschaltung nochmals gesondert herausgezeichnet. Der Widerstand 16 ist dabei der Ersatzwiderstand für den im Betrieb auftretenden, sich aus dem Quotienten der Versorgungsgleichspannung U= an den Klemmen 14-15 und den den Versorgungsgleichstrom 1= darstellenden Widerstandes.
  • In F i g. 4 ist eine Begrenzerschaltung gezeigt, bei der dem Schutztransistor 10 eine Gleichstromverstärkerstufe mit dem Transistor 18 vorgeschaltet ist. Dadurch wird eine wesentlich geringere Belastung der Gleichrichterstufe 11, 12, 13 und damit des Verstärkerausganges erreicht.
  • Bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 5 erfolgt die Einspeisung der Steuerspannung parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Schutztransistors 10. Besonders vorteilhaft ist dabei im Vergleich zur Schaltungsanordnung nach F i g. 3, daß nur die geringe Emitter-Basis-Spannung zur Steuerung aufgebracht zu werden braucht.
  • Bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 6 ist die Zenerdiode 19 zwischen den Ausgang des einen Pols der Gleichrichterschaltung und der Basis des Schutztransistors 10 geschaltet.
  • Auch hierbei ist die Steuerspannung für den Schutztransistor 10, trotz des zusätzlichen Spannungsabfalles an der Zenerdiode 19, kleiner als bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 3.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Transistorverstärkerstufe mit als Überlastungsschutz wirkender Begrenzerschaltung, bei der die Emitter-Kollektor-Strecke eines Schutztransistors derart in Reihe zu einer der beiden von der Gleichstromquelle kommenden Stromversorgungsleitungen der Transistorverstärkerstufe geschaltet ist, daß der Kollektor des Schutztransistors mit dem von der Gleichstromquelle kommenden und der Emitter mit dem zur Transistorstufe führenden Ende der einen Versorgungsleitung verbunden sind, und bei der ein Gleichrichter, dessen Ausgangsspannung proportional zur Ausgangswechselspannung der Transistorverstärkerstufe ist, mit dem einen Pol seines Ausgangs an die Basis des Schutztransistors geführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Schutztransistors mit dem Emitter desselben durch einen Widerstand verbunden ist, daß der andere Pol des Gleichrichters an die andere von der Gleichstromquelle kommende Versorgungsleitung der Transistorverstärkerstufe geführt ist und daß der Gleichrichter so geschaltet ist, daß bei einem Anwachsen der Überlast im Ausgang der Verstärkerstufe die Kollektor-Emitter-Strecke des Schutztransistors immer hochohmiger und die zwischen dem Emitter des Schutztransistors und der gegenpoligen Versorgungsleitung d'erTransistorverstärkerstufe liegende, als Versorgungsspannung der Transistorverstärkerstufe dienende Spannung annähernd proportional zur Ausgangswechselspannung heruntergeregelt wird.
  2. 2. Transistorverstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand parallel zur Emitter-Kollektor-Strecke des Schutztransistors geschaltet ist.
  3. 3. Transistorverstärkerstufe nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem Schutztransistor eine oder mehrere Gleichstromverstärkerstufen vorgeschaltet sind.
  4. 4. Transistorverstärkerstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die der Ausgangswechselspannung proportionale Gleichspannung zwischen Emitter und Basis des Schutztransistors eingespeist wird.
  5. 5. Transistorverstärkerstufe nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Basis des Steuertransistors und einem Pol des Ausgangs des Gleichrichters eine Zenerdiode geschaltet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 2 751446.
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