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DE1167319B - Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid aus Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im Lichtbogenofen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid aus Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im Lichtbogenofen

Info

Publication number
DE1167319B
DE1167319B DEC26818A DEC0026818A DE1167319B DE 1167319 B DE1167319 B DE 1167319B DE C26818 A DEC26818 A DE C26818A DE C0026818 A DEC0026818 A DE C0026818A DE 1167319 B DE1167319 B DE 1167319B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon carbide
arc
carbon
electrode
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEC26818A
Other languages
English (en)
Inventor
William Erik Kuhn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unifrax I LLC
Original Assignee
Carborundum Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carborundum Co filed Critical Carborundum Co
Publication of DE1167319B publication Critical patent/DE1167319B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • C01B32/914Carbides of single elements
    • C01B32/956Silicon carbide
    • C01B32/963Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/97Preparation from SiO or SiO2

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid aus Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im Lichtbogenofen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid mit mikrokristallinen Partikeln, bei dem das Endprodukt direkt aus den Rohmaterialien unter Benutzung eines Lichtbogens und einer sich verbrauchenden Elektrode erhalten wird.
  • Siliciumcarbid ist ein bekanntes und weitgehend verwendetes feuerfestes Material. Hauptsächlich wird es als Schleifmaterial und zur Herstellung elektrischer Heizelemente verwendet. Beide Verwendungsarten bedingen ein feinkörniges Carbid.
  • Bisher wird Siliciumcarbid in einem elektrischen Widerstandsofen hergestellt, in dem eine Mischung von Siliciumoxyd und Koks auf eine Temperatur von 2300° C etwa 36 Stunden lang erhitzt wird. Das sich ergebende Produkt ist eine Masse von sehr harten Kristallen. Selbst nach langer Zerkleinerung und Vermahlung, die sehr teuer sind, hat das Endprodukt noch eine verhältnismäßig große Korngröße. Man kann auf diese Weise nicht Siliciumcarbid mit mikrokristallinen Partikeln herstellen. Man hat manchmal schon Siliciumcarbid mit mikrokristallinen Partikeln für Versuchszwecke durch Zerkleinerung größerer Partikeln hergestellt, aber Solch ein Material ist im Handel nicht erhältlich, vielmehr ist die kleinste erhältliche Partikelgröße von Siliciumcarbid etwa 5 Mikron.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet die Herstellung von Siliziumcarbid in mikrokristalliner Partikelgröße direkt aus den Rohmaterialien, und zwar zu tragbaren Kosten. Das Verfahren besteht darin, daß man zwischen zwei Elektroden, von denen eine - als Stab ausgebildet - aus einem Gemisch von Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im stöchiometrischen Verhältnis gemäß der Gleichung Si02 -I- 3 C .-> SiC -I- 2 CO besteht, in einer nichtoxydierenden oder reduzierenden Atmosphäre einen Lichtbogen niedriger Intensität erzeugt und das sich infolge Verdampfens der Si02 C-Elektrode aus ihren Komponenten bildende Siliciumcarbid als mikrokristallines Carbid durch einen Gasstrom aus dem Ofen abführt.
  • Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung erläutert, die einen Schnitt durch einen Lichtbogenofen zur Ausführung des Verfahrens zeigt.
  • Der Lichtbogenofen besteht aus einer zylindrischen gasdichten Lichtbogenkammer 10, die verhältnismäßig klein ist und von Kühlschlangen 12 umgeben ist. In die Kammer 10 ragt die sich verbrauchende Elektrode 30, die in üblicher bekannter Weise aus den Rohstoffen Si02 und C unter Zusatz eines Bindemittels hergestellt wurde, hinein. Die Elektrode gleitet in einem Teil 14, der in einer seitlichen Öffnung der Lichtbogenkammer gelagert ist und mittels durch einen Flansch 18 gesteckte Bolzen 16 an der Kammer befestigt ist. Die Bolzen greifen in einen Flansch 20 der Kammer in der Nähe deren Öffnung ein. Das Anschlußstück ist uiit einer elektrischen Stromquelle verbunden und führt der sich verbrauchenden Elektrode die Energie zu. Durch eine nicht dargestellte Druckstange, wird die Elektrode mehr und mehr in die Lichtbogenkammer eingeführt, wobei sich dann die Elektrode fast ganz verbraucht. Die Druckstange kann von Hand oder automatisch bedient werden. Eine Vorderplatte 26 aus feuerfestem Material, wie beispielsweise Bornitrid, deckt das Anschlußstück vorn ab und stützt dessen Metallkomponenten vor dem Lichtbogen und verhindert das Entstehen eines zweiten Lichtbogens zwischen der Kathode und dem Gehäuse des Anschlußstückes. Ein Dichtungsring 22 macht die Kammer gasdicht, und durch eine Leitung 24 wird das Kontaktstück wassergekühlt.
  • In einer Graphitbüchse 34 wird eine Graphitkathode 32 gehalten, die ihrerseits von einer Isolierbüchse 36 gehalten wird. Diese Vorrichtung ist federnd in einem Gehäuse 38 angeordnet, das in eine Öffnung der Lichtbogenkammer eingesetzt ist, und zwar so, daß die Kathodenspitze sich in derselben senkrechten Ebene befindet wie die sich verbrauchende Elektrode, und zwar in einem Winkel von 45° unter der waagerechten Anodenebene. Die Kathode ist an eine Stromquelle angeschlossen und durch eine Isolierbuchse 36 elektrisch gegenüber der Lichtbogenkammer isoliert. Ein Dichtungsring 40 sichert die Gasdichtigkeit der Kammer.
  • Durch Gaseinlässe 42 in der Lichtbogenkammer treten atmosphärische Gase, Reinigungsgase oder Trägergase ein. Gegenüber dem Lichtbogenbereich ist ein Sichtfenster 44 angeordnet. Die Gaseinlässe und die Sichtfenster sind mit Dichtungsringen abgedichtet. Oben an der Lichtbogenkammer ist mit Bolzen 48 eine Übergangsleitung 46 angeschlossen, die mittels Kühlschlangen 50 wassergekühlt wird. Ein Dichtungsring 52 ergibt eine Gasdichtigkeit dieser Verbindung. Die Übergangsleitung 46 führt zu einem Auslaßrohr 54, das seinerseits zu einem nicht dargestellten Sammelbehälter, beispielsweise einem elektrostatischen Staubsammler oder einem Zyklonsammler führt.
  • Während des Betriebes wird in die Lichtbogenkammer eine neutrale oder reduzierende Atmosphäre eingeleitet. Zwischen der anodischen und sich verbrauchenden Elektrode und der Kathode wird durch Berührung der Elektrode mit der Kathodenspitze ein Gleichstrom-Lichtbogen erzeugt. Nach Überspringen des Lichtbogens wird die Elektrode zurückgezogen, und es verbleibt ein Lichtbogenspalt. Der Hochtemperatur-Lichtbogen verdampft die sich verbrauchende Elektrode und bildet Dampf aus Silicium, Kohlenstoff und Sauerstoff. Die Dämpfe reagieren miteinander und bilden Siliciumcarbid mit mikrokristalliner Partikelgröße. Die Lichtbogenlänge wird konstant gehalten.
  • Die Abführung der feinen Teilchen erfolgt durch ein neutrales oder durch ein reduzierendes Gas, das durch die Gaseinlässe in die Lichtbogenkammer eingeführt wird und von dort zum Ausflußrohr strömt, an das ein Abscheider, z. B. ein elektrostatischer Abscheider, angeschlossen ist. Das sich ergebende Produkt ist feinkörniges Siliciumcarbid mit vorwiegend mikrokristalliner Partikelgröße. Das rohe Reaktionsprodukt kann für verschiedene Zwecke verwendet werden, beispielsweise als Schleifmittel, Isoliermittel, Pigment für Farben, Filmmaterial, Mattierungsmittel, Katalysatorträger, Filtermedium, chemisches Zwischenprodukt und in der Metallurgie.
  • Für einige Anwendungsarten, die ein sehr reines Produkt erfordern, werden die Rohprodukte an sich bekannten Reinigungsoperationen, z. B. Waschen mit Säure unterzogen.
  • Ein Merkmal der Erfindung ist, daß der in dem Verfahren benutzte Lichtbogen nicht ein Lichtbogen mit sogenannter hoher Intensität ist. Ein solcher hochintensiver Lichtbogen hat einen plötzlichen Übergangspunkt, an dem sich der Verbrauch der Elektrode merkbar vergrößert. Bei dem Verfahren tritt das nicht ein. Der Verbrauch der Elektrode vergrößert sich allmählich entsprechend der sich vergrößernden Stromstärke. Der Verbrauch erreicht einen Höhepunkt, an dem sich vergrößernde Stromstärken nicht mehr den Verbrauch vergrößern, oder ein leichtes Absinken zur Folge haben.
  • Ein weiteres unterscheidendes Merkmal des Verfahrens ist, daß ein Verschlackungsverlust praktisch nicht entsteht, vielmehr wird eine fast 100o/oige Umwandlung der Elektrode in das Endprodukt erreicht.
  • Beispiel Eine Mischung von 71 Gewichtsprozent Siliciumoxyd und 29 Gewichtsprozent Graphit wurde etwa 1.0 Minuten lang in einem Mischer gemischt. Dann wurde langsam ein aus Maissyrup bestehendes Bindemittel zugesetzt, und das Mischen wurde 20 Minuten fortgesetzt. Der gesamte zugesetzte Anteil an Maissyrup betrug 43 Gewichtsprozent der aus Siliciumoxyd und Graphit bestehenden Mischung. Die Mischung wurde dann bei einem Druck von 21 kg/cm' zu einer Stange von 9 mm Durchmesser und 60 cm Länge stranggepreßt. Die Stangen wurden eine Stunde lang luftgetrocknet, dann bei 40° C 24 Stunden lang in einem Ofen getrocknet und schließlich bei 800° C 16 Stunden lang in einer reduzierenden Atmosphäre gebrannt. Die reduzierende Atmosphäre wurde durch eine Graphitpulverpackung erzeugt.
  • Eine Analyse der gebrannten Stangen zeigte einen Anteil von Siliciumoxyd von 65 Gewichtsprozent und einen Graphitanteil von 35 Gewichtsprozent. Der erhöhte Graphitanteil rührt von dem Kohlenstoff her, der sich beim Brennen von dem Maissyrup absetzt.
  • Die Stangen wurden als Anoden in einem Lichtbogenofen gemäß der obigen Beschreibung verwendet. Durch die Lichtbogenkammer wurde bei einem Druck von 0,07 kg/cmy Argon geleitet, dessen Menge 56,61/Minute betrug. Durch Berührung der Elektroden wurde ein Lichtbogen erzeugt, dessen Länge durch Zurückziehen der Elektroden auf 9 bis 12,5 mm gehalten wurde. Die Stromstärke, die Betriebsspannung, die Betriebszeit, der Gewichtsverlust der Elektrode, der dem erzeugten Carbid entspricht, waren wie folgt:
    Gewichtsverlust
    Stromstärke Spannung Zeit der SiO-C-
    iaSekunden Elektrode
    in Gramm
    85 38 130 11,8
    104 40 108 12,5
    112 40 90 11,6
    125 44 52 7,6
    132 45 80 12,2
    145 44 70 12,1
    155 41 68 12,0
    162 41 45 7,64
    177 42 30 5,52
    Argongas oder die bei den Reaktionen erzeugten Gase befördern das in der Lichtbogenkammer gebildete feinkörnige Material durch den Ausfluß zu einem elektrostatischen Abscheider, in dem sich das feinkörnige Siliciumcarbid sammelte.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid aus Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im Lichtbogenofen, dadurch gekennzeichnet, daß man zwischen zwei Elektroden, von denen eine - als Stab ausgebildet - aus einem Gemisch von Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im stöchiometrischen Verhältnis gemäß der Gleichung SiO@ T 3 C - SiC -I- 2 CO besteht, in einer nichtoxydierenden oder reduzierenden Atmosphäre einen Lichtbogen niedriger Intensität erzeugt und das sich infolge Verdampfens der SiO:,,-C-Elektrode aus ihren Komponenten bildende Siliciumcarbid als mikrokristallines Carbid durch einen Gasstrom aus dem Ofen abführt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es in einem mit Niederspannung betriebenen Ofen durchgeführt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 1660144.
DEC26818A 1961-05-01 1962-04-21 Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid aus Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im Lichtbogenofen Pending DE1167319B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1167319XA 1961-05-01 1961-05-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1167319B true DE1167319B (de) 1964-04-09

Family

ID=22368875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEC26818A Pending DE1167319B (de) 1961-05-01 1962-04-21 Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid aus Siliciumdioxyd und Kohlenstoff im Lichtbogenofen

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DE (1) DE1167319B (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1660144A (en) * 1925-11-23 1928-02-21 Fed Abrasives Company Process for the production of silicon carbide and calcium carbide

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1660144A (en) * 1925-11-23 1928-02-21 Fed Abrasives Company Process for the production of silicon carbide and calcium carbide

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