DE1154950B - Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben oder Rohren mit ueber 50 mm Durchmesser - Google Patents
Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben oder Rohren mit ueber 50 mm DurchmesserInfo
- Publication number
- DE1154950B DE1154950B DEW23569A DEW0023569A DE1154950B DE 1154950 B DE1154950 B DE 1154950B DE W23569 A DEW23569 A DE W23569A DE W0023569 A DEW0023569 A DE W0023569A DE 1154950 B DE1154950 B DE 1154950B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- rods
- melting
- melt
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicon nitride Chemical compound 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052851 sillimanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
- Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Stäben oder Rohren mit über 50 mm Durchmesser Das bekannte tiegellose Zonenschmelzen gestattet auf Grund der Eigenschaften einer sich selbst tragenden Schmelzzone nur die Herstellung und Reinigung verhältnismäßig dünner Stäbe. Die obere Grenze dürfte bei einem Durchmesser von 25 bis 30 mm liegen.
- In der Halbleitertechnik und Metallurgie besteht jedoch das Bedürfnis, auch Stäbe von über 50 mm Durchmesser tiegellos zonenzuschmelzen. Es gelang bisher nicht, derartig dicke Stäbe nach dem genannten Verfahren herzustellen, weil die dafür erforderliche Schmelzzone sich nicht mehr selbst trägt. Ihre Eigenkräfte sind zu klein, und sie fließt nach unten ab.
- Es wurde nun ein Verfahren gefunden zum tiegellosen Zonenschmelzen von aufrecht angeordneten, nur an den Enden gehalterten Stäben oder Rohren von über 50 mm Dicke, insbesondere aus Metallen, wobei die sich nicht mehr durch ihre Eigenkräfte selbst tragende Schmelzzone am Umfang durch einen konzentrisch angeordneten Zylinder oder Ring aus einem Material gestützt ist, das die Schmelze nicht verunreinigt. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß ein frei auf der Schmelze schwimmender Zylinder aus einem bei höherer Temperatur als das Werkstück schmelzendem Stoff, den man gegebenenfalls unmittelbar auf den zonenzuschmelzenden Stäben oder Rohren durch chemische Reaktion erzeugt, verwendet wird.
- Es ist zwar bekannt, Metalle dadurch zu reinigen, daß nur eine innere Schicht aufgeschmolzen wird, während der äußere Teil fest bleibt. In diesem Fall kann nur der aufgeschmolzene Teil zonengereinigt werden, während der äußere feste Mantel seine Verunreinigungen behält.
- Außerdem ist es dabei nicht möglich, mit einem definierten Impfling das Kristallwachstum zu steuern, weil die Schmelzzone vollständig von festem Material umgeben ist. Diese Maßnahme beeinfiußt beim Erstarren der Schmelze das Kristallwachstum, und man erhält polykristallines Material.
- Diese Mängel werden durch das erfindungsgemäße Verfahren beseitigt.
- Um den Vorgang des Zonenschmelzens durchführen zu können, ist es notwendig, daß der konzentrisch angeordnete Zylinder mit der Schmelzzone wandert, was durch bekannte Maßnahmen bewirkt wird. Achtet man nicht auf die genannten Bedingungen, so erhält man Stäbe mit ungleichmäßigen Durchmessern, und es besteht die Gefahr, daß der Zylinder an einem der festen Stabenden anwächst.
- Um das zonenzuschmelzende Material zum Schmelzen zu bringen, kann die Wärmezufuhr je nach den Erfordernissen der verwendeten Materialien gewählt werden. In manchen Fällen kann es z. B. vorteilhaft sein, die Erhitzung des Materials direkt durchzuführen, z. B. durch direkten Stromdurchgang. Bei indirekter Erhitzung der Schmelzzone kann die Halterung als Wärmeüberträger dienen. Wird z. B. Hochfrequenzenergie als Heizstrom verwendet, dann wird die Haltevorrichtung vorteilhaft aus einem Material angefertigt, das in ausreichendem Maße elektrische Hochfrequenzenergie aufnehmen kann. Aber auch einige Windungen eines elektrisch geheizten Widerstandsdrahtes,:auf der Haltevorrichtung untergebracht, können als Heizquelle dienen. Die Beheizung kann aber auch unabhängig von elektrischer Energie durchgeführt werden, so z. B. mittels erhitzten Flüssigkeiten oder heißen Gasen oder auch etwa durch Bestrahlung mit Licht und Wärme sowie Elektronenstrahlen.
- Das Verfahren ist anwendbar bei allen Stoffen, die sich zonenschmelzen lassen, insbesondere bei Metallen, jedoch auch bei Legierungen, Nichtmetallen und organischen sowie anorganischen Verbindungen, wobei ein geeigneter Werkstoff für die Haltevorrichtung verwendet werden muß. Als Werkstoff für die Haltevorrichtung eignen sich: Gläser, wie Quarzglas oder Gerätegläser, Carbide, wie Siliciumcarbid, Nitride, wie Siliciumnitrid, Oxyde, wie Aluminium- und Magnesiumoxyd, Keramische Massen, wie Porzellan und Sillimanit, und Metalle, sofern sie mit der Schmelzzone keine Legierungen bilden. Es eignen sich ferner alle jene Stoffe, die keine Verunreinigungen direkt oder indirekt an die Schmelze abgeben.
- Den Aufbau der Haltevorrichtung zeigt die Abbildung.
- Die Schmelzzone 3 steht zwischen dem oberen Stabende 1 und dem unteren Stabende 2. Der Zylinder 4 schwimmt frei auf der Schmelze und begrenzt ihren Durchmesser. Die Haftkräfte der Schmelze an der Innenwand des Zylinders 4 bewirken, daß die Schmelze nicht nach unten abfließt.
- Es ist auch möglich, z. B. einen Haltering unmittelbar auf der Schmelzzone zu erzeugen. Bei Silicium wird eine kleine Strecke des noch festen Siliciums mit Sauerstoff, Stickstoff oder kohlenstoffabgebenden Substanzen, z. B. Gasen, behandelt. .Wird anschließend der Stab an der Stelle aufgeschmolzen, an der ein entsprechender Ring erzeugt wurde, so schwimmt dieser frei auf der Schmelze und hält das flüssige Silicium zusammen.
- Man kann ferner einen Ring aus. zwei oder mehreren Teilen herstellen, z. B. aus zwei halbkreisförmigen Schalen, die, von einer gesonderten Vorrichtung getragen oder gehalten, die Schmelzzone begrenzen.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zum tiegellosenZonenschmelzen von aufrecht angeordneten, nur an den Enden gehalterten Stäben oder Rohren von über 50 mm Dicke, insbesondere aus Metallen, wobei die sich nicht mehr durch ihre Eigenkräfte selbst tragende Schmelzzone am Umfang durch einen konzentrisch angeordneten Zylinder oder Ring aus einem Material gestützt ist, das die Schmelze nicht verunreinigt, dadurch gekennzeichnet, daß ein frei auf der Schmelze schwimmender Zylinder aus einem bei höherer Temperatur als das Werkstück schmelzendem Stoff, der gegebenenfalls unmittelbar auf den zonenzuschmelzenden Stäben oder Rohren durch chemische Reaktion erzeugt wird, verwendet wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Französische Patentschrift Nr. 1148 962.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEW23569A DE1154950B (de) | 1958-06-25 | 1958-06-25 | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben oder Rohren mit ueber 50 mm Durchmesser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEW23569A DE1154950B (de) | 1958-06-25 | 1958-06-25 | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben oder Rohren mit ueber 50 mm Durchmesser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1154950B true DE1154950B (de) | 1963-09-26 |
Family
ID=7597611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEW23569A Pending DE1154950B (de) | 1958-06-25 | 1958-06-25 | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben oder Rohren mit ueber 50 mm Durchmesser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1154950B (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3960511A (en) * | 1971-07-15 | 1976-06-01 | Preussag Aktiengesellschaft | Zone melting process |
| US4325777A (en) * | 1980-08-14 | 1982-04-20 | Olin Corporation | Method and apparatus for reforming an improved strip of material from a starter strip of material |
| FR2723967A1 (fr) * | 1994-08-31 | 1996-03-01 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Dispositif pour la croissance de cristaux. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1148962A (fr) * | 1955-03-30 | 1957-12-18 | Westinghouse Electric Corp | Procédé d'affinage local d'un corps métallique allongé |
-
1958
- 1958-06-25 DE DEW23569A patent/DE1154950B/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1148962A (fr) * | 1955-03-30 | 1957-12-18 | Westinghouse Electric Corp | Procédé d'affinage local d'un corps métallique allongé |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3960511A (en) * | 1971-07-15 | 1976-06-01 | Preussag Aktiengesellschaft | Zone melting process |
| US4325777A (en) * | 1980-08-14 | 1982-04-20 | Olin Corporation | Method and apparatus for reforming an improved strip of material from a starter strip of material |
| FR2723967A1 (fr) * | 1994-08-31 | 1996-03-01 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Dispositif pour la croissance de cristaux. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1132097B (de) | Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einer Schmelze | |
| DE2263589B1 (de) | Verfahren zum herstellen von hohlzylindern, insbesondere von rohren, aus quarzglas und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
| DE1187098B (de) | Verfahren zum Herstellen von Koerpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial | |
| DE2229229A1 (de) | Verfahren zum herstellen von aus silizium oder siliziumcarbid bestehenden formkoerpern | |
| DE1458155A1 (de) | Vorrichtung zum kontinuierlichen Strangziehen von vielkristallinem Material | |
| DE1292640B (de) | Vorrichtung zum Abscheiden von hochreinem Silicium aus einem hochreinen, eine Siliciumverbindung enthaltenden Reaktionsgas | |
| CH497200A (de) | Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdstoffen in Halbleiterkörper | |
| DE2117933A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial von beliebiger Länge | |
| DE1154950B (de) | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben oder Rohren mit ueber 50 mm Durchmesser | |
| DE1444530A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstaeben | |
| DE1941968B2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen | |
| DE2340225A1 (de) | Verfahren zum herstellen von aus halbleitermaterial bestehenden, direkt beheizbaren hohlkoerpern | |
| DE1953306A1 (de) | Vertikaler Rohrofen fuer hohen Arbeitsdruck | |
| DE1905470B2 (de) | Anordnung zur gleichzeitigen durchfuehrung der diffusion einer die leitfaehigkeit bestimmenden verunreinigung in einer mehrzahl von halbleiterscheiben | |
| DE3220338A1 (de) | Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe | |
| DE1519881B2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines stabfoermigen halbleiterkristalls mit konstantem durchmesser | |
| DE1245917B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung fotochemischer Reaktionen | |
| DE2253410C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Rohren für Diffusionsprozesse in der Halbleitertechnik | |
| DE1106732B (de) | Verfahren zur Zonenreinigung von polykristallinen schmelzbaren Halbleitern | |
| DE2717360C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid | |
| DE2147117A1 (de) | Ofen zum Herstellen von Hohlteilen aus Quarzglas | |
| AT225860B (de) | Verfahren zum Schmelzen und Gießen | |
| DE2113543C3 (de) | Rohrofen zur Herstellung einer Diffusionsbindung beim Drucksintern | |
| AT225750B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitermaterial | |
| DE1105396B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Reinstsilicium |