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DE1148598B - Verstaerkeranordnung mit Transistoren - Google Patents

Verstaerkeranordnung mit Transistoren

Info

Publication number
DE1148598B
DE1148598B DET18755A DET0018755A DE1148598B DE 1148598 B DE1148598 B DE 1148598B DE T18755 A DET18755 A DE T18755A DE T0018755 A DET0018755 A DE T0018755A DE 1148598 B DE1148598 B DE 1148598B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitter
amplifier
base
resistor
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET18755A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Manfred Swars
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DET18755A priority Critical patent/DE1148598B/de
Publication of DE1148598B publication Critical patent/DE1148598B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Verstärkeranordnung mit Transistoren Die Erfindung betrifft eine Verstärkeranordnung mit Transistoren, die zumindest zwei galvanisch gekoppelte Stufen aufweist, von denen die erste zwischen Basis und Emitter gesteuert wird und die zweite in Kollektorschaltung arbeitet, und bei der der Emitter der zweiten über einen Widerstand mit der Basis der ersten Stufe und deren Eingang über zwei Widerstände mit einer wittengeerdeten Signalquelle verbunden ist. Eine solche Verstärkeranordnung kann z. B. als Leseverstärker für magnetische Aufzeichnungen verwendet werden.
  • Zweck der Erfindung ist es, die Wirkung von Störspannungen in der Verstärkeranordnung möglichst vollständig zu unterdrücken. Wenn im Verstärkereingang beispielsweise potentialgesteuerte Dioden liegen, mit deren Hilfe der Verstärker elektronisch ein- oder abgeschaltet werden soll, so können über deren Spannungszuführungen induzierte Störspannungen auf den Verstärker gelangen. Des weiteren können Störspannungen durch Welligkeit der Betriebsspannung des Verstärkers entstehen.
  • Zur Unterdrückung von Störspannungen der erstgenannten Art wird von dem an sich bekannten Prinzip einer Erdsymmetrierung des Eingangs Gebrauch gemacht. Um eine solche bei einer Verstärkeranordnung der genannten Art zu erreichen, sieht die Erfindung vor, daß für die Störspannungen eine Brücke gebildet ist, an deren einer Diagonale die Störspannung liegt, während in der anderen Diagonale die Emitter-Basis-Strecke des Eingangstransistors liegt, und deren Zweige gebildet sind aus den Widerständen in der Basiszuleitung, dem Widerstand in der Emitterzuleitung, dem Koppelwiderstand zwischen beiden Transistoren in Reihe mit dem aus der Parallelschaltung des Ausgangswiderstandes der Kollektorstufe mit dem Eingangswiderstand der nachfolgenden Verstärkerstufe gebildeten Widerstand und einem zusätzlichen Widerstand zwischen Emitter und Erde, mittels dessen die Brücke abgleichbar ist. Bei richtigem Brückenabgleich verschwindet dann für Störspannungen die Eingangsspannung zwischen Basis und Emitter des ersten Transistors. Es wird eine hohe Symmetrierdämpfung erzielt, die die Störspannungen unwirksam macht.
  • Um unter Vermeidung besonderer Siebmittel für die Glättung der Speisespannung die durch Welligkeit der Speisespannung entstehenden Störspannungen zu unterdrücken, ist weiterhin vorzugsweise vorgesehen, daß ein Teil der Speisespannung über einen Widerstand auf die Basis des Eingangstransistors derart wirkt, daß auch eine Brummkompensation herbeigeführt wird, und zwar in einer die Eigenschaften des Transistorverstärkers in Basisschaltung benutzenden Analogie zu der bei Röhren in Kathoden.-Basis-Schaltung bekannten Brummkompensation durch Aufprägung einer zu dem störenden Wechselstromanteil gegenphasigen Wechselspannung auf das Gitter.
  • Die Erfindung sei im folgenden an Hand der Figuren beschrieben.
  • Fig. 1 zeigt einen Gesamtplan der Verstärkeranordnung; Fig. 2 erläutert die Symmetrierung des Einganges. Die Verstärkeranordnung ist insgesamt mit vier Transistoren T1, T2, T3, T4 bestückt. Jeweils ein emittergesteuerter Transistor T1, T3 ist mit einem zweiten Transistor T2, T4 als Emitter-Folger zusammengeschaltet. Dadurch ist es möglich, mit nur einem Koppelkondensator C auszukommen. Die Speisespannung von beispielsweise -30 V wird über U zugeführt. Die Widerstände R1 bis R4, R7 bis R12 dienen zur Erzeugung der benötigten Vorspannungen. Die Einspeisung des Verstärkers erfolgt durch die Induktivität L des Magnetkopfes. Der Schalter S ermöglicht eine Umschaltung des Magnetkopfes auf den Schreibverstärker V.
  • Beim Umschalten des Schalters S auf den Schreibverstärker V gelangen die Dioden Dl und D, in Sperrichtung. Die Diode D3 hält beim Umschalten das Emitterpotential des Transistors T1 fest und sorgt dafür, daß sich das am Koppelkondensator C liegende Gleichspannungspotential nicht ändert. Beim Umschalten auf den Schreibverstärker V kommt der Transistor T1 in den leitenden Sättigungszustand. Wäre die Diode D3 nicht vorhanden, so würde das Emitterpotential des Transistors T" einen positiveren Wert annehmen, als dem normalen Verstärkerbetrieb entspricht. Dadurch würde sich auch das Gleichspannungspotential am Koppelkondensator C ändern. Beim Wiedereinschalten des Verstärkers über den Schalter S müßte der Koppelkondensator C auf seinen Betriebswert umgeladen werden. Um dies zu vermeiden, ist die Diode D3 mit Hilfe des Spannungsteilers Rg, R$ an ein festes negatives Potential gelegt. Dieses Potential ist so bemessen, daß beim Umschalten des Schalters S sich das Gleichspannungspotential am Koppelkondensator C nicht ändert. Aus Ersparnisgründen wird das Festpotential für die Diode D3 dem Spannungsteiler R8, R9, welcher auch das Basispotential des Transistors T3 festlegt, entnommen. Durch die Diode D3 wird eine sonst auftretende, besonders beim Umschalten von Schreiben auf Lesen störende unerwünschte Einschwingzeitkonstante des Verstärkers infolge Umladung des Koppelkondensators C vermieden, und der Verstärker ist unmittelbar nach der Umschaltung empfangsbereit.
  • Um die Brummspannung unschädlich zu machen, wird die Speisespannung über den Widerstand R6 an der Basis des Transistors T1 eingespeist. Die gleichphasig mit den Emitterpotentialen liegenden Störanteile werden durch die um 180° phasendrehende Basiseinkopplung gerade kompensiert. Dadurch ergibt sich eine brummarme Ausgangsspannung. Denn bei den niedrigen Frequezen, für die die Verstärkeranordnung vorgesehen ist, findet in den einzelnen Verstärkerstufen keine frequenzabhängige Phasendrehung statt. Die Schaltung ermöglicht es, eine Brutumspannung von 5 % praktisch vollständig zu unterdrücken.
  • Fig. 2 zeigt die Eingangsstufe der Verstärkeranordnung. Über die Schleife des Kontaktes S können Störspannungen U1 induziert werden. Diese Störspannungen werden in eine Brückenschaltung eingespeist, in deren Brückenzweig die Emitter-Basis-Strecke des Eingangstransistors Ti liegt. Die einzelnen Brückenzweige bestehen aus den Widerständen R, +R22 R3 ; R4, R5. Der Widerstand R3' wird dabei gebildet aus der Serienschaltung von R3 und der Parallelschaltung des Ausgangswiderstandes der Kollektorstufe (T2) mit dem Eingangswiderstand der nachfolgenden Verstärkerstufe. Der Widerstand RS ist so bemessen, daß die Abgleichbedingung für die Brücke (R1+R2)/R3` =R41R5 erfüllt ist. Bei niedrigen Frequenzen findet keine Phasendrehung in den Brückenzweigen statt. Daher verschwindet die Eingangsspannung des Verstärkers für Störspannungen U1. Die Induktivität L kann bei dieser Betrachtung vernachlässigt werden, da sie in der Mitte angezapft ist. Man erreicht durch diese erfindungsgemäße Maßnahme, daß die Stör-Ausgangswechselspannung U2 der ersten Verstärkerstufe vernachlässigbar klein ist. Der Widerstand RB kann für die Brückenbetrachtung vernachlässigt werden, da derselbe wesentlich größer als R, + R2 ist.
  • Die vorliegenden Maßnahmen können auch bei Transistorschaltungen angewandt werden, bei denen die einzelnen Verstärkerstufen in anderer, aus der Transistortechnik bekannter Weise miteinander gekoppelt sind. Es ist lediglich die Bedingung zu erfüllen, daß die Einkopplung der Brummspannung mit einer Phasenverschiebung von 180° gegenüber der Eingangsspannung erfolgt.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verstärkeranordnung mit Transistoren mit zumindest zwei galvanisch gekoppelten Stufen, von denen die erste zwischen Basis und Emitter gesteuert wird und die zweite in Kollektorschaltung arbeitet, bei der der Emitter der zweiten über einen Widerstand mit der Basis der ersten Stufe und deren Eingang über zwei Widerstände mit der wittengeerdeten Signalquelle verbunden ist, mit Unterdrückung von Störspannungen, die insbesondere über zur An- und Abschaltung des Verstärkers benutzte potentialgesteuerte Dioden od. dgl. und deren Spannungszuführung eingehen können, dadurch gekennzeichnet, daß für die Störspannungen eine Brücke gebildet ist, anderen einer Diagonale die Störspannung liegt, während in der anderen Diagonale die Emitter-Basis-Strecke des Eingangstransistors (T1) liegt, und deren Zweige gebildet sind aus den Widerständen (R1, R2) in der Basiszuleitung, dem Widerstand (R4) in der Emitterzuleitung, dem Koppelwiderstand (R3) zwischen beiden Transistoren (T1, T2) in Reihe mit dem aus der Parallelschaltung des Ausgangswiderstandes der Kollektorstufe (T2) mit dem Eingangswiderstand der nachfolgenden Verstärkerstufe gebildeten Widerstand und einem zusätzlichen Widerstand (R5) zwischen Emitter und Erde, mittels dessen die Brücke abgleichbar ist.
  2. 2. Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Speisespannung über einen Widerstand (RB) auf die Basis des Eingangstransistors (T1) derart wirkt, daß eine zusätzliche Brummkompensation herbeigeführt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: H. Pitsch, »Lehrbuch der Funkempfangstechnik«, 1948, S. 712; »Funkschau«, 1959, Heft 23, S. 555; »Wireless World«, 1950, Juni, S. 227 und 228.
DET18755A 1960-07-26 1960-07-26 Verstaerkeranordnung mit Transistoren Pending DE1148598B (de)

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DE1148598B true DE1148598B (de) 1963-05-16

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DET18755A Pending DE1148598B (de) 1960-07-26 1960-07-26 Verstaerkeranordnung mit Transistoren

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1219090B (de) * 1965-05-19 1966-06-16 Siemens Ag Verzerrungsarmer Transistorverstaerker grosser Leistung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1219090B (de) * 1965-05-19 1966-06-16 Siemens Ag Verzerrungsarmer Transistorverstaerker grosser Leistung

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