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DE1141689B - Verfahren zur Verbesserung der Leistungsfaehigkeit von galvanischen Primaerelementen - Google Patents

Verfahren zur Verbesserung der Leistungsfaehigkeit von galvanischen Primaerelementen

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Publication number
DE1141689B
DE1141689B DEE18867A DEE0018867A DE1141689B DE 1141689 B DE1141689 B DE 1141689B DE E18867 A DEE18867 A DE E18867A DE E0018867 A DEE0018867 A DE E0018867A DE 1141689 B DE1141689 B DE 1141689B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chelating agent
elements
metal ions
performance
traces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEE18867A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WER MVL 1998 Ltd
Original Assignee
Ever Ready Co Great Britain Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ever Ready Co Great Britain Ltd filed Critical Ever Ready Co Great Britain Ltd
Publication of DE1141689B publication Critical patent/DE1141689B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/04Cells with aqueous electrolyte
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/50Methods or arrangements for servicing or maintenance, e.g. for maintaining operating temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Primary Cells (AREA)

Description

  • Verfahren zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit von galvanischen Primärelementen Die Erfindung betrifft Verbesserungen bei galvanischen Elementen.
  • Bei galvanischen Elementen werden durch die Gegenwart von Spuren an Fremdmetallionen wie etwa Kupfer, Kobalt oder Nickel eine Reihe unerwünschter Wirkungen hervorgebracht. Beispielsweise wird die Lebensdauer der Platten eines Elementes durch die Anwesenheit einiger ppm (Teile pro Million, 1 ppm = 0,0001 Gewichtsprozent) derartiger Fremdmetalle wesentlich verkürzt. Es ist häufig sehr schwierig, die Anwesenheit derartiger Spurenmetalle nachzuweisen und praktisch unmöglich, die Spurenmetalle aus dem Element zu entfernen.
  • Es ist bereits bekannt, die Wirkung solcher oder ähnlicher Fremdstoffe durch Zusatz von Quecksilber(I)- oder Quecksilber(II)-Verbindungen wie z. B. HgC12 zu vermindern bzw. zu beseitigen. Durch solche Zusätze wird die Zinkelektrode der Zellen amalgamiert. Weiterhin ist vorgeschlagen worden, korrosive Beschädigungen der Zinkelektroden durch Zusatz von Barium-Alkali-Doppelchromaten - entweder allein oder in Verbindung mit Quecksilbersalzen - zu unterdrücken. Derartige Verfahren sind jedoch zum Teil vergleichsweise teuer, nicht von der angestrebten vollen Wirksamkeit, nur durch antikorrosive Wirkung ausgezeichnet bzw. ohne durchgreifenden Einfluß auf die genannten in Spuren anwesenden Fremdmetallionen.
  • Gemäß der Erfindung wird die Leistungsfähigkeit galvanischer Elemente dadurch eerbessert, indem die spurenweise vorhandenen Freninetallionen im Element in einen Zustand übergefühlt werden, in welchem sie hinsichtlich der wesentlichen in dem Element ablaufenden chemischen Reaktionen unwirksam sind. Dies geschieht dadurch, daß die Fremdmetallionen durch Einbringen einer geeigneten Verbindung, die zur Ausbildung von Metallchelaten mit den genannten Spurenmetallen befähigt ist (nachfolgend einfach »Chelatbildner«), unwirksam gemacht werden. Der Chelatbildner wird mindestens in solcher Menge zugesetzt, daß alle in Spuren vorhandenen Fremdmetallionen in Form der Metallchelate gebunden werden können. Vorzugsweise wird der Chelatbildner in schwammige, saugfähige Separatoren eingebracht. Die Anwendung solcher Chelatbildner kann die Zugabe einer Quecksilber(I)- oder Quecksilber(11)-Verbindung in einem Trockenelement überhaupt unnötig machen.
  • Normalerweise wird ein Überschuß des Chelatbildners über die für die Chelatbiidung mit den Fremdmetallionen erforderliche Menge in das Element eingebracht. Nach Wunsch kann auch eine Mischung geeigneter Chelatbildner verwendet werden.
  • Als Chelatbildner können gemäß der Erfindung Verbindungen vom Typ der Äthylendiamin-tetraessigsäure und ihrer Salze verwendet werden. Es sind jedoch auch andere Aminocarbonsäuren mit ein oder mehreren Aminogruppen und ein oder mehreren Carboxylgruppen sowie deren Salze mit Erfolg einzusetzen. Die Quecksilbersalze derartiger Säuren sind besonders geeignet, da sie eine Amalgamierung der Zinkelektrode zusätzlich zu der Chelatbildung bewirken.
  • Chelatbildner der genannten Art haben die Eigenschaft, mit den meisten mehrwertigen Metallionen unter Bildung von komplexen Metallchelaten zu reagieren; diese sind im allgemeinen sehr leicht in Wasser löslich und enthalten die Fremdmetallionen als Teil eines Ringsystems, in welchem die Metalle ihre charakteristischen chemischen und ionogenen Eigenschaften verloren haben. Sie können sich daher auf der Zinkelektrode einer galvanischen Zelle nicht mehr abscheiden und die genannten unerwünschten Wirkungen ausüben.
  • In manchen Fällen zeigen Chelatbildner eine selektive Wirkung hinsichtlich einer bevorzugten Komplexbildung mit bestimmten Metallen vor anderen ebenfalls anwesenden Metallionen. Das Ausmaß der eintretenden Chelatbildung hängt von einer Reihe Faktoren ab, z. B. der Art und Wertigkeit der komplex zu bindenden Metallionen, dem pH-Wert des Elektrolyten, der Gegenwart von Anionen und anderen Metallen und der Temperatur. Als allgemeine Regel gilt: je höher die Wertigkeitsstufe und der pH-Wert, desto größer ist die Neigung zur Ausbildung einer Chelatbildung. Eisen, Chrom, Kobalt und Nickel reagieren leicht zu starken komplexen Chelatverbindungen.
  • Die vorliegende Erfindung ist besonders geeignet zur Verbesserung der Lebensdauer von galvanischen Trockenelementen vom Leclanche-Typ infolge günstiger Gegebenheiten hinsichtlich der Verunreinigungen, wie sie im allgemeinen in der in solchen Zellen verwendeten Depolarisationsmischung vorliegen. Der Chelatbildner kann zum Elektrolyten oder zur Depolarisationsmischung solcher Elemente zugesetzt werden. Es kann sich um Stabelemente mit Kohlenstift, Depolarisationsmischung, Separator, Elektrolyt, z. B. in Form einer haste, und Zinkbecher oder um Stapelbatterien aus plattenförmigen Elementen vom Leclanche-Typ, handeln, beispielsweise um Einheiten mit Duplexelektrode, Separator und Depolarisatormasse. Im Falle der plattenförmigen Elemente ist der Elektrolyt in jeder Einheit durch einen umgebenen Mantel aus einem inerten dehnbaren Material -abgesondert.
  • Die Anwendung der Erfindung ist besonders vorteilhaft bei der Herstellung von Trockenelementen als Mittel gegen die schädliche Wirkung von Verunreinigungen, insbesondere wenn diese Verunreinigungen von Schwermetallen in löslicher Form gebildet werden.
  • In den folgenden Beispielen werden zwei verschiedene Arten von Chelatbildnern verwendet, und,zwar: a) Als Chelatbildner A bezeichnete Verbindung sei N,N-Di-(oxyäthyl)-glycin bzw. eines ihrer Salze, z. B. von der Formel genannt. b) Als Chelatbildner B bezeichnete Verbindung sei Äthylendiamin-tetraessigsäure bzw. eines ihrer Salze; z. B. von der Formel aufgeführt. Es ist festgestellt worden, daß bei der Auswahl der Art des Chelatbildners auf die Ausbildung und die chemischen Bestandteile des Elementes, in dem der Chelatbildner Verwendung finden soll, Rücksicht genommen werden sollte. Beispielsweise ist der Chelatbildner B besonders wirksam in plattenförmigen Elementen; er ist jedoch völlig ungeeignet zur Einbringung in Stabelemente mit einem mit Stärke verdickten Elektrolyten, da er dort zu einer unerwünschten Steigerung des inneren Widerstandes der Zelle beim Altern Anlaß gibt. Bei der letztgenannten Art von Elementen hat sich der Chelatbildner A als gut wirksam erwiesen.
  • Beispiel 1 Ein gewöhnliches Stabelement von etwa 33 mm Durchmesser und 61 mm Höhe kann bis zu 0,004 g Kupfer und Nickel in löslicher Form in der Depolarisationsmischung enthalten. Die für die vollständige Chelatbildung dieser Menge an metallischen Verunreinigungen theoretisch erforderliche Menge an Mononatriumsalz des N,N-dioxyäthylglycins beträgt 0,067 g. Um einen Überschuß zu gewährleisten, wird die doppelte Menge zugefügt, nämlich 0,134g. Bei Verwendung einer 50gewichtsprozentigen wäßrigen Lösung sind das 0,27 ml pro Zelle.
  • Die 50o/oige wäßrige Lösung kann während irgendeiner Stufe der Herstellung der Elektrolytpaste dem Wasser zugesetzt werden. Beispiel 2 Bei der Herstellung eines plattenförmigen Elementes wird die erforderliche Menge an Chelatbildner B in den Separator des Elementes eingebracht.
  • Beispiel 3 Dies Beispiel verdeutlicht, wie die Fabrikprüfung von Elementen und Batterien erleichtert und der Prozentsatz an Ausschußelementen und -batterien durch Einbringen eines Chelatbildners in das Element verringert wird infolge der erzielten Vermeidung von Unterschieden der EMK, wie sie sonst infolge Gegenwart unterschiedlicher Mengen an verunreinigenden Metallen in unterschiedlichen Abständen von der Zinkelektrode auftreten.
  • Es wurden zwei Gruppen von Batterien einer leistungslosen Spannungsmessung unterzogen. Die eine Gruppe war in normaler Weise gefertigt, die andere Gruppe enthielt eine hinreichende Menge Chelatbildner A, um die in Spuren anwesenden Fremdmetallionen in unwirksame Form zu überführen. Es zeigte sich, daß die EMK-Werte in der Gruppe der Normalbatterien weit streuten, so daß in praxi ein unerwünscht großer Anteil als minderwertige Qualität hätte zurückgewiesen werden müssen. Dagegen gaben alle Batterien der Gruppe mit zugesetztem Chelatbildner A mit nur einer Ausnahme identische EMK-Werte; die herausfallende Batterie zeigte eine um 0,4 Volt geringere Spannung als die übrigen. Eine Untersuchung ergab, daß diese einzige defekte Batterie einen mechanischen Fehler in einer Zelle aufwies.
  • Die folgenden beiden Beispiele veranschaulichen die durch die Erfindung erzielte Verbesserung der Lagerfähigkeit. Beispiel 4 Es wurden eine Reihe von Versuchen mit 22;5-Volt-Stapelbatterien durchgeführt, und zwar unter teilweiser Zugabe von Kupfer und Nickel (Gesamtmenge an Kupfer und Nickel 0,5 mg pro Zelle) und Chelatbildner B. Der Entladungstest erfolgte über 150 Ohm pro Element, 2 Stunden täglich bis zu einem Endpunkt von 0,75 Volt pro Zelle. Die Batterien wurden neu und nach 6monatiger Lagerung entladen, die Ergebnisse in Vergleich mit dem normalen Standard Produkt waren wie folgt:
    Leistungsstunden
    Neu 6 Monate
    Standard .................. 70,8 69,9
    Zusatz von Cu, Ni ....... . . . 54,0 17,1
    Zusatz von Chelat B ........ 69,3 66,8
    Zusatz von ChelatB und Cu, Ni 67,1 66,8
    Beispiel s Eine gleichartige Versuchsreihe unter Verwendung von Chelatbildner A wurde an 90-Volt-Batterien mit 60 Stabelementen in Serie durchgeführt. Sie führte zu einer Bestätigung der aus Beispiel 4 zu ziehenden Folgerungen.
  • Zusammenfassend darf gesagt werden, daß die ungünstigen Wirkungen der Gegenwart von metallischen Verunreinigungen in galvanischen Trockenelementen durch die vorliegende Erfindung im wesentlichen ausgeschaltet werden.

Claims (7)

  1. PATE NTAN$PRÜCHL: 1. Verfahren zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit von galvanischen Primärelementen durch Ausschaltung der Wirkung von in Spuren anwesenden Fremdmetallionen mittels Zusatz von Stoffen, dadurch gekennzeichnet, daß in das Element als Zusatz ein Chelatbildner eingebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Chelatbildner in solcher-Menge eingebracht wird, die mindestens zur Ausbildung von komplexen Metallchelaten mit allen in Spuren anwesenden Fremdmetallionen hinreicht.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Chelatbildner in den Separator des Elementes eingebracht wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Chelatbildner in den Elektrolyten eingebracht wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Chelatbildner in die Depolarisationsmischung eingebracht wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß man für Stabelemente als Chelatbildner N,N-dioxyäthylenglycin oder Dioxyäthylglycinsäure oder ein Salz dieser Verbindungen verwendet.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß man in Stapelbatterien aus plattenförmigen Elementen mit Duplexelektroden als Chelatbildner Äthylendiamin-tetraessigsäure oder eines ihrer Salze verwendet. B. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Chelatbildner ein Quecksilbersalz des Dioxyäthylglycins in das Element gebracht wird. In Betracht gezogene Druckschriften USA.-Patentschrift Nr. 2 612 536.
DEE18867A 1959-02-12 1960-02-10 Verfahren zur Verbesserung der Leistungsfaehigkeit von galvanischen Primaerelementen Pending DE1141689B (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1141689X 1959-02-12

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DE1141689B true DE1141689B (de) 1962-12-27

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ID=10877228

Family Applications (1)

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DEE18867A Pending DE1141689B (de) 1959-02-12 1960-02-10 Verfahren zur Verbesserung der Leistungsfaehigkeit von galvanischen Primaerelementen

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3048495A1 (de) * 1980-01-25 1981-09-10 Otoharu Tokyo Ishizaka "verfahren und vorrichtung zum erzeugen von elektrischer energie"

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2612536A (en) * 1951-05-05 1952-09-30 Burgess Battery Co Primary cell

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2612536A (en) * 1951-05-05 1952-09-30 Burgess Battery Co Primary cell

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3048495A1 (de) * 1980-01-25 1981-09-10 Otoharu Tokyo Ishizaka "verfahren und vorrichtung zum erzeugen von elektrischer energie"

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