DE1037016B

DE1037016B - Halbleitereinrichtung, wie Transistor, Legierungsdiode od. dgl. und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE1037016B
Application number: DER22226A
Authority: DE
Inventors: John Torkel Wallmark
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1956-12-06
Filing date: 1957-11-23
Publication date: 1958-08-21
Also published as: GB882076A; FR1188659A; US2875384A; BE562973A

Description

DEUTSCHES

Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitereinrichtungen, wie Transistoren, Legierungsdioden od. dgl., insbesondere auf die Stabilisation der elektrischen Charakteriken und den Schutz solcher Einrichtungen. Es ist bekannt, daß die Betriebswerte von Halbleitereinrichtungen, die eine Scheibe aus halbleitendem Material enthalten, sehr stark von der Art und der Beschaffenheit der Scheibenoberfläche abhängen. Ein wichtiger Kennwert eines Transistors ist beispielsweise das Stromübertragungsverhältnis, das gewöhnlich mit dem Symbol a_cb bezeichnet und als der Kollektor - Basis - Kurzschlußstromverstärkungsfaktor definiert ist. Bei den meisten Anwendungsgebieten soll der a_c&-Wert der Transistoren sowohl hoch als auch stabil sein. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß es schwierig ist, Halbleitereinrichtungen herzustellen, bei denen a_cb nicht durch Alterung absinkt. Bei vielen Transistoren verändert sich der a_c6-Wert während der ersten 10 Stunden nach der Herstellung um bis zu einem Drittel, wenn sie bei 70° C gelagert werden. Bei Zimmertemperatur sinkt der a_c&-Wert während 200 Stunden etwa 21 % ab. Man nimmt an, daß das Absinken von a_cb durch langsame Oxydation der Halbleiteroberfläche verursacht wird und von der Temperatur und der Feuchtigkeit abhängt, bei denen die Erzeugnisse gelagert werden. Ein anderer, von der Feuchtigkeit abhängiger Parameter ist die Durchschlagsspannung, die rapide absinkt, wenn die Umgebungsfeuchtigkeit steigt.

Die Arbeitsweise der meisten Halbleitereinrichtungen wird ferner von der Geschwindigkeit beeinflußt, mit welcher negative Ladungsträger (Elektronen) und positive Ladungsträger (Defektelektronen, Löcher) an der Oberfläche des Halbleitermaterials rekombinieren, also der sogenannten Rekombinationsgeschwindigkeit. Bei den meisten Halbleitereinrichtungen ändert sich die Rekombinationsgeschwindigkeit, was zu unerwünschten Schwankungen der Betriebswerte führt. Es hat sich herausgestellt, daß es schwierig ist, Halbleitereinrichtungen herzustellen, bei denen die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit konstant ist, insbesondere wenn die Stabilisation bei niedrigen Rekombinationsgeschwindigkeiten erfolgen soll.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Halbleitereinrichtungen, wie Transistoren, Legierungsdioden od. dgl., zu schaffen, die verbesserte, stabilisierte Oberflächeneigenschaften besitzen, so daß sie ohne Nachteil über erheblich längere Zeiten gelagert bzw. betrieben werden können, auch wenn sie höheren Temperaturen oder Feuchtigkeitsgraden ausgesetzt werden. Da es in der Praxis unmöglich ist, die Oxydation der Oberfläche eines Halbleiters völlig zu verhindern, befindet sich bei der vorliegenden Halbleitereinrichtung gemäß der Erfindung auf der Oberfläche Halbleitereinrichtung, wie Transistor,

Legierungsdiode od. dgl.
und Verfahren zu deren Herstellung

Anmelder:

Radio Corporation of America,
New York, N .Y. (V. St. A.)

Vertreter: Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
München 23, Dunantstr. 6

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 6. Dezember 1956

John Torkel Wallmark, Princeton, N, J. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden

eine Stabilisierungsschicht, die aus einer Schicht des Monoxydes des Halbleitermaterials auf der Einrichtung besteht, ferner ein Schutzfilm über der Monoxydschicht, der aus dem Dioxyd des Halbleitermaterials besteht. Dadurch ist eine derartige Vor-Oxydation der Oberfläche vorgesehen, daß eine etwaige spätere Oxydation nur mehr einen vernachlässigbaren kleinen Einfluß auf die Stabilität der Oberfläche ausüben kann. Die Oberflächeneigenschaften und die Stabilität von Halbleiterscheiben werden insbesondere durch die Bildung einer Schicht des Halbleitermonoxydes auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers und durch einen, die Monoxydschicht schützenden Film des Halbleiterdioxydes erheblich verbessert.

Die Erfindung soll nun in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert werden; dabei bedeutet Fig. 1 eine schematische Darstellung der einzelnen Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Behandlung von Halbleiterscheiben,

Fig. 2 eine graphische Darstellung der Änderungen von i_cb in Abhängigkeit von der Zeit für erfindungsgemäß vorbehandelte Halbleiter, die bei 110⁰C gelagert wurden (Kurvet). Zum Vergleich sind auch Kurven [B-E) von unbehandelten Einrichtungen eingetragen, die bei verschiedenen Temperaturen gemessen wurden.

Fig. 3 zeigt die Änderung von <x_cb in Abhängigkeit von der Zeit für Triodentransistoren, die nach dem vorliegenden Verfahren behandelt und in ein Kunstharz eingebettet wurden (Kurve A). Zum Vergleich

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sind Kurven für ähnliche, jedoch unbehandelte Ein- schicht ist jedoch nicht stabil. Man nimmt an, daß die

richtungen eingetragen, die ebenfalls in Kunstharz äußersten Teile der Monoxydschicht in Luft oder in

eingebettet worden waren (Kurven B und C). einer anderen sauerstoffhaltigen Umgebung zu Ger-

Fig. 4 zeigt die graphische Darstellung des KoI- maniumdioxyd weiter oxydiert werden.
lektor-Basis-Rückstromes in Mikroampere bei einer 5 Der nächste Verfahrensschritt besteht darin, die

in Sperrichtung angelegten Spannung von 1 Volt in gewaschene und getrocknete Einrichtung in ein elek-

Abhängigkeit von der Zeit bei drei Elektroden- trolytisches Bad aus Eisessig einzutauchen, welcher

transistoren der beschriebenen Art, die nach dem er- gelöstes Natriumazetat-Anhydrit enthält. Die genaue

findungsgeniäßen Verfahren behandelt und in Kunst- Menge an gelöstem Natriumazetat ist nicht kritisch,

harz eingebettet worden waren. Zum Vergleich ist die io da es nur dazu dient, das Bad besser leitend zu

entsprechende KurveB für gleichartige, unbehandelte machen; der Einfachheit halber kann jedoch das Bad

Transistoren dargestellt, die in dasselbe Kunstharz mit Natriumazetat gesättigt werden. Die Kathode

eingebettet worden waren. kann aus einem dünnen Platinblech bestehen, das von

Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch einen vor- den verwendeten Chemikalien nicht angegriffen wird, behandelten Transistor, der in einen Kunststoff ein- 15 Die zu behandelnde Einrichtung wird als Anode gegebettet ist. schaltet, und ein Strom von ungefähr 60 Mikro-

In Fig. 1 sind schematisch die Schritte des Verfah- ampere wird für etwa 30 Minuten durch jede Vorrichrens dargestellt, durch die einer Halbleiterscheibe die tung geleitet. Dadurch wird durch anodische Oxydation erwähnten, verbesserten elektrischen Eigenschaften ein kontinuierlicher Film aus Germaniumdioxyd über verliehen werden sollen. Das Verfahren ist ins- 20 der Germaniummonoxydschicht gebildet. Die so gebesondere für monoatomare Halbleiter geeignet, d. h. bildete Dioxydschicht ist schätzungsweise 10 bis Halbleitermaterialien, die aus einer einzigen Atomart 10000 Ängströmeinheiten dick, je nach der verwendebestehen, wie z. B. Scheiben, die aus Germanium- oder ten Stromstärke und der Behandlungsdauer in dem Siliziumeinkristallen oder aus Legierungen von Ger- Bad. Obwohl der Dioxydfilm verhältnismäßig dünn manium oder Silizium bestehen. Die Stabilisation von 25 ist, bildet er eine wirksame Schutzschicht gegen Säuerst, ₆ ist bei Scheiben des P-Leitungstyps genauso mög- stoff und den Wasserdampf der Atmosphäre. Weitere lieh wie des N-Leitungstyps oder bei eigenleitenden Veränderungen des chemischen Zustandes der Ger-Scheiben. Ebenso kann die Stabilisation der Ober- maniumoberfläche werden dadurch verhindert oder flächenrekombinationsgeschwindigkeit bei N-leitenden gehen extrem langsam vor sich. Nach diesem Ver- oder P-leitenden oder auch eigenleitenden Scheiben vor- 30 fahrensschritt wird die Einrichtung getempert, wogenommen werden. Soll jedoch die Stabilisation von a_cb durch a_cb absinkt. Wenn die Einrichtungen 5 Minuten bei hohen Werten und von ί (Oberfläcbenrekombi- oder länger bei 110° C behandelt werden, sinkt a_ci, im nationsgeschwindigkeit) bei niedrigen Werten erfol- Mittel um ungefähr 18% ab. Da der a_f&-Wert durch gtn, so wird das Verfahren am besten auf N-leitende den ersten Verfahrensschritt um etwa 5 bis 10% geScheiben angewendet. Für P-leitende Scheiben ergibt 35 steigert worden war, sinkt a_cb im Mittelwert im auch ein verhältnismäßig dicker Film des Dioxydes ganzen um ungefähr 10% ab. a_cb wird jedoch durch iiitein gute Ergebnisse. dieses Verfahren stabilisiert. Dies ist aus einer Be-

Zur bequemeren Handhabung werden die Halb- trachtung der Kurven in Fig. 2 ersichtlich, die die leiter mit Zuführungsdrähten versehen und auf einen Änderung von o._cb in Abhängigkeit von der Zeit für Isolierfuß montiert. Die Einrichtung wird zuerst für 40 behandelte und unbehandelte Transistoren zeigt. Die etwa 5 bis 60 Sekunden in ein oxydierendes Bad ein- Kurve für die behandelten Transistoren entspricht getaucht, je nachdem, wie dick die Monoxydschicht dem Mittelwert von fünf Vorrichtungen, während die werden soll. Das Bad kann durch Mischen von Kurven der unbehandelten Einrichtungen einen Mittel-8 Volumteilen konzentrierter Flußsäure (48% HF) wert von drei Vorrichtungen je Kurve darstellen. Der mit 4 Volumteilen destilliertem Wasser und 1 Volum- 45 Wert von a_c& ist bei den behandelten Vorrichtungen teil konzentriertem Wasserstoffperoxyd (30% H₂O₂) bemerkenswert stabil, auch wenn diese bei 110° C gehergestellt werden. Diese Werte sind jedoch nicht lagert werden. Die unbehandelten Einrichtungen kritisch. Die Konzentration des Wasserstoffperoxyds sinken rasch ab, auch in den Gruppen, die bei Tempein dem Bad kann gewünschtenfalls auf ein Zehntel raturen unterhalb 110° C gelagert werden.
άζά angegebenen Wertes verringert werden, die Ein- 50 Ein anderes Verfahren zur Herstellung des Dioxydrichtung wird dann länger in das Bad eingetaucht. Das films besteht darin, die Einrichtung 1 Stunde in Luft oben angegebene Mischungsverhältnis ist jedoch be- von 110° C aufzubewahren. Der Luftsauerstoff sonders günstig, da es gute Ergebnisse zeitigt und reagiert dabei mit der Monoxydschicht und bildet schnell wirkt. Während dieses Verfahrensschrittes einen Film aus Germaniumdioxyd, der durch eine wird die Germaniumscheibe an ihrer Oberfläche zu 55 Phasengrenzreaktion in seiner Dicke wächst. Diese Germaniummonoxyd oxydiert, das in dem verwende- Reaktion kann jedoch nicht über das Anfangsstadium ten Bad praktisch unlöslich ist. hinaus fortschreiten, da die Diffusion der Leerstellen

Anschließend wird die Vorrichtung aus dem Oxy- (Germanium oder Sauerstoff) durch den Dioxydfilm

dierungsbad entnommen, mit destilliertem Wasser ge- extrem langsam erfolgt. Die anodische Oxydation der

waschen und in einem heißen Luftstrom getrocknet. 60 Monoxydschicht ist deshalb vorzuziehen, da sie

Nach dem Waschen und Trocknen können auf der schneller vor sich geht und genauer gesteuert werden

Scheibenoberfläche Interferenzfarben beobachtet wer- kann als die Oxydation in Luft.

den. Die Struktur der Oberfläche besteht nach dieser Nach dem Verfahrensschritt der anodischen Oxy-

Behandlung aus einer durchgehenden, haftenden dation wird die Vorrichtung mit einem Strahl Heiß-

Schicht aus Germaniummonoxyd auf dem Germanium- 65 luft behandelt. Waschen in Wasser soll unterbleiben,

körper, die etwa 100 bis 10000 Ängströmeinheiten da der Germaniumdioxydfilm wasserlöslich ist. Die

dick ist. Die Messungen von a_cb bei einer Gruppe von Einrichtung kann dann in bekannter Weise einge-

getrockneten Germaniumtransistoren vor und nach kapselt werden.

der Bildung der Monoxydschicht ergaben, daß a_cb im Ein Transistor, der ohne die Monoxydschicht her-

Mittel um 5 bis 10% gesteigert wurde. Die Monoxyd- 70 gestellt ist und nur einen Film aus Dioxyd auf der

Scheibenoberfläche besitzt, hat zwar einen stabilen a_Cft-Wert, dieser ist jedoch sehr klein. Bei den meisten Anwendungsgebieten ist es jedoch erwünscht, daß a_cb auf einen hohen Wert stabilisiert ist. Dadurch, daß zuerst eine Schicht aus Monoxyd niedergeschlagen wird, wird der a_c&-Wert hoch gehalten, er ist jedoch nicht stabil, wenn die Monoxydschicht nicht mit einem schützenden Film aus Dioxyd bedeckt wird. In manchen Fällen, wie z. B. bei Anwendungsgebieten, wo große Signalamplituden vorkommen, kann es wünschenswert sein, a_cb auf mittleren Werten zu stabilisieren. Dies kann dadurch erreicht werden, daß man eine Anordnung mit einer verhältnismäßig dünnen Schicht aus Germaniummonoxyd auf dem Halbleiterkörper bildet, die von einem verhältnismäßig dicken Film aus Germaniumdioxyd bedeckt ist. Die Dicke der Monoxydschicht kann durch Verminderung der Wasserstoffsuperoxydkonzentration im Oxydationsbad oder der Eintauchzeit in das Bad verringert werden. Die Dicke des Dioxydfilms kann durch Verlängerung der Dauer der anodischen Oxydation oder der Stromstärke gesteigert werden.

Ein wichtiges Merkmal dieses Verfahrens besteht darin, daß es wieder möglich ist, die Halbleitereinrichtungen in synthetischen Harzen oder Kunststoffen einzubetten. Das Verfahren, Halbleiter in Kunststoffe oder synthetische Harze einzubetten, war anfangs in der Industrie weit verbreitet, nicht nur, weil es ein billiges und schnelles Verfahren zum Kapseln von Halbleitereinrichtungen darstellte, sondern auch, weil dadurch die Teile der Einrichtungen an Ort und Stelle festgelegt wurden, so daß Erschütterungen und Beschleunigungen die mechanische Anordnung der Teile der Einrichtung nicht beeinflussen konnten. Es hatte sich jedoch herausgestellt, daß die Kunststoffe feuchtigkeitsdurchlässig sind, wodurch eine solche Verschlechterung der Einrichtungen während der Lagerung eintrat, daß die meisten Firmen ein Einschließen in Kunststoff aufgaben und zu langsameren und teueren Verfahren übergingen, wie z. B. die einzelnen Vorrichtungen in ein Metallgehäuse mit einer besonderen Atmosphäre oder im Vakuum einzubauen. Es hat sich gezeigt, daß die Einrichtungen, die nach dem vorliegenden Verfahren behandelt wurden, verhältnismäßig unempfindlich gegenüber Feuchtigkeitseinflüssen sind. Derart behandelte Vorrichtungen wurden in übliche synthetische Harze oder thermoplastische Kunststoffe eingebettet, und der Abfall von a_cb wurde gemessen. Die Änderung des a_cb-Wertes in Abhängigkeit von der Zeit bei Zimmertemperatur und 100% Luftfeuchtigkeit für so behandelte Vorrichtungen ist in der graphischen Darstellung in Fig. 3 dargestellt. Die Kurve A stellt einen Mittelwert von drei solchen Einrichtungen dar. Zum Vergleich sind Kurven B und C für unbehandelteVorrichtungen, die in Kunstharz eingebettet und in einer Atmosphäre mit 100% Feuchtigkeit bei Zimmertemperatur gelagert wurden, eingezeichnet. Die behandelten Vorrichtungen haben einen höheren Anfangswert von a_cb und zeigen an Stelle des üblichen Abfalles von a_cb sogar einen Anstieg des Wertes während einer Zeitdauer bis zu 5000 Stunden. Unbehandelte Einrichtungen, die in denselben Kunststoff eingebettet sind, zeigen einen niedrigeren Anfangswert von a_cb und einen scharfen Abfall nach ungefähr 350 Stunden.

Fig. 5 zeigt den Aufbau eines Transistors, der nach dem vorliegenden Verfahren behandelt, in Kunststoff eingebettet und für die Messungen verwendet wurde, die in den Fig. 2 bis 4 dargestellt sind. Die Einrichtungen sind oberflächenlegierte P-N-P-Dreielektrodentransistoren. Eine Scheibe 10 aus einem N-leitenden Germaniumeinkristall ist auf einem Nickelanschlußblechstreifen 12 befestigt und trägt an den gegenüberliegenden Hauptflächen eine Emitterpille 14 und eine Kollektorpille 16 aus Indium, welche auflegiert sind und die Sperrschicht bilden. An der Emitterelektrode 14, der Kollektorelektrode 16 und dem Basisblech 12 sind jeweils Zuführungsdrähte IS, 20 bzw. 22 befestigt. Die Zuführungsdrähte erstrecken sich durch einen Isolierfuß 24, der z. B. aus Glas bestehen kann. Die Einrichtung kann dann am Fuß 24 gefaßt werden und wird gemäß dem in Fig. 1 graphisch dargestellten Verfahren behandelt, so daß auf der freien Oberfläche des Scheibchens 10 eine Schutzschicht aus Germaniummonoxyd, die von einem Germaniumdioxydfilm überzogen ist, entsteht. Die Scheibe 10 wird dann in einen viskosen Lack, z. B. Polystyrol, eingetaucht, so daß ein unregelmäßig geformter Klumpen 26 aus Lack die Scheibe und die benachbarten Leitungsteile umgibt. Der Lackklumpen 26 verhindert eine unerwünschte direkte Berührung des Kapselmaterials mit der Scheibe 10. Die Einheit wird dann gekapselt, indem die Scheibe 10 und der Fuß 24 in eine Form (nicht gezeichnet) eingesetzt wird, die mit einem flüssigen, synthetischen Harz oder einem Kunststoff, wie z. B. Methylmethacrylat, gefüllt wird. Das synthetische Harz verfestigt sich und bildet die Schutzhülle 28.

Die nach dem vorliegenden Verfahren behandelten Einrichtungen zeigen auch ein verbessertes Verhalten in bezug auf den Rückstrom. Wie aus Fig. 4 ersichtlich, zeigen die so behandelten und in Kunststoff eingebetteten Transistoren nur einen sehr geringen Anstieg des Rückstromes. Nach 5000 Stunden wuchs der Rückstrom bei einer Gegenspannung von 1 Volt bei drei geprüften Transistoren nur von 1 Mikroampere auf 1,8 Mikroampere (Kurvet). Im Gegensatz dazu stieg der Rückstrom bei unbehandelten Transistoren, die in gleicher Weise gekapselt waren, von 1,4 Mikroampere bei 300 Stunden rapide auf 10 Mikroampere bei 400 Stunden an (Kurve B).

Ein anderes wichtiges Merkmal besteht darin, daß mit dem Verfahren eine Möglichkeit gegeben ist, die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit zu steuern. Eine Steigerung von s (Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit) von ungefähr 200 cm/sec auf ungefähr 600 cm/sec verursacht einen Abfall des ^acb~Wertes um ungefähr 20% vom ursprünglichen Wert. Bei manchen Anwendungsgebieten, z. B. Vorrichtungen für große Signale, ist ein verhältnismäßig hoher Wert von ί wünschenswert, da dadurch a_cb bei niedrigen Strömen mehr reduziert wird als bei hohen Strömen, so daß sich die gesamte Änderung von a_cb mit dem Strom verringert. Vorrichtungen mit einem verhältnismäßig großen j-Wert können dadurch hergestellt werden, daß man auf die Germaniumscheibe eine relativ dünne Schicht von Monoxyd aufbringt und diese wiederum mit einem verhältnismäßig dicken Film aus Germaniumdioxyd durch eine verlängerte anodische Oxydation überzieht, wie bereits oben beschrieben wurde.

Ein verbesserter <z_e&-Wert und Stabilität von s kann für alle Arten von Halbleitervorrichtungen erreicht werden, die eine Basis aus Germanium oder Silizium enthalten; das Verfahren ist nicht auf den nur als Beispiel beschriebenen Triodentransistor beschränkt. In gleicher Weise können auch zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften Legierungsdioden, Tetroden, gezüchtete Flächenhalbleiter, Trifttransistoren.

unipolare Transistoren und photoelektrische Halbleitereinrichtungen behandelt werden.

Claims

Patentansprüche:

1. Halbleitereinrichtung, wie Transistor, Legierungsdiode od. dgl., gekennzeichnet durch eine auf der Oberfläche befindliche Stabilisierungsschicht, die aus einer Schicht des Monoxydes des Halblei termaterials auf der Einrichtung besteht, ferner aus einem Schutzfilm über der Monoxydschicht, der aus dem Dioxyd des Halbleitermaterials besteht.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Schutzhülle aus verfestigtem synthetischem Harz oder einem thermoplastischen Kunststoff über dem Dioxydfilm.

3. Einrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Lackschicht zwischen dem Dioxydfilm und der Schutzhülle.

4. Verfahren zur Herstellung einer stabilisierten und geschützten Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitereinrichtung in ein oxydierendes Säurebad eingetaucht wird, durch das die Monoxydschicht gebildet wird und anschließend als Anode in einem elektrolytischen Säurebad behandelt wird, um den Dioxydfilm über der Monoxydschicht zu erzeugen.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Eintauchen so lange erfolgt, bis eine Monoxydschicht mit einer Dicke von ungefähr 100 bis 10 000 Ängströmeinheiten entstanden ist.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrolytische Behandlung so lange erfolgt, daß ein Dioxydfilm mit einer Dicke von ungefähr 10 bis 10 000 Ängströmeinheiten entsteht.

7. Verfahren nach Anspruch 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung anschließend mindestens 5 Minuten bei ungefähr 110° C getempert wird.

8. Verfahren nach Anspruch 4, 5, 6 oder 7 mit Germanium als Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial in ein Oxydierungsbad, das ungefähr 8 Volumteile konzentrierter Flußsäure, ungefähr 1 Volumteil konzentriertes Wasserstoffperoxyd und ungefähr 4 Volumteile Wasser enthält, eingetaucht wird, daß die gebildete Monoxydschicht mit destilliertem Wasser gewaschen und anschließend getrocknet wird und daß weiterhin das Halbleitermaterial in ein Elektrolysebad, das zur Erzeugung des Dioxydfilms aus Eisessig besteht, in dem zum Leitfähigmachen genügend Natriumazetatanhvdrid gelöst ist, eingetaucht wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen