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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
mit Ladungskompensationsstruktur. Halbleiterbauelemente mit Ladungskompensationsstruktur
sind seit längerer Zeit
bekannt und werden bspw. von der Firma Infineon Technologies AG
unter der Marke Coolmos
® vertrieben. Die grundlegenden
Mechanismen der Ladungskompensationsstruktur sind bspw. in der
US 4,754,310 , der
US 5,216,275 sowie in der
US 6,551,909 eingehend beschrieben.
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Das
Ladungskompensationsprinzip bei Halbleiterbauelementen beruht im
wesentlichen auf einer gegenseitigen Kompensation von Ladungen in
Gebieten innerhalb der Driftzone zwischen Anode und Kathode der
jeweiligen Halbleiterbauelemente, über denen die Spannung abfällt.
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Diese
in der jeweiligen Driftregion vorliegenden n- und p-dotierten Gebiete
sind dabei räumlich so
angeordnet, daß das
Wegintegral über
die Dotierung entlang bspw. einer vertikal zum pn-Übergang verlaufenden
Linie jeweils unterhalb der Durchbruchsladung des verwendeten Halbleitermaterials bleibt.
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Bei
den Halbleiterbauelementen, bei denen das Ladungskompensationsprinzip
in Betracht kommt, kommen sowohl laterale Bauelemente als auch vertikale
Bauelemente in Betracht. Bei einem Vertikalbauelement, bspw. einem
vertikalen Mosfet, sind dann in der Driftzone eine Vielzahl von
vertikal ausgerichteten in dem Halbleitersubstrat vergrabenen ersten
Zonen eines ersten Leitungstyps und eine Vielzahl von vertikal ausgerichteten
vergrabenen zweiten Zonen eines zweiten Leitungstyps angeordnet.
Die Majoritätsladungsträger werden
durch das Anlegen einer äußeren Spannung
aus der Driftstrecke ausgeräumt.
Die dabei entstehende Raumladungszone nimmt dann die angelegte Spannung
auf. Die Dotierung der Driftstrecke wird dabei so gewählt, daß die kritische
Feldstärke
des verwendeten Halbleitermaterials in der Raumladungszone bis zu
einer spezifizierten Durchbruchsspannung des Halbleiterbauelements
nicht erreicht wird.
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Durch
das Konzept der Ladungskompensation kann die selbe Raumladungszone
bei einer wesentlich höheren
Grunddotierung der Driftstrecke aufgespannt werden. Die dadurch
erzielte Spannungsfestigkeit entspricht der Spannungsfestigkeit herkömmlicher
Halbleiterbauelemente. Im aufgesteuerten Zustand jedoch zeichnen
sich diese Halbleiterbauelemente im Vergleich zu den herkömmlichen
Halbleiterbauelementen durch eine wesentlich höhere Leitfähigkeit bzw. durch einen wesentlich
kleineren Einschaltwiderstand aus.
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Die
Ladungskompensation der Driftstreckenladung im Sperrfall wird dabei
durch parallel zur Driftstrecke angeordnete Gebiete mit zur Driftstreckendotierung
entgegengesetzter Dotierung erzielt. Diese Gebiete sind in der Driftzone
verschachtelt. Dieses Prinzip läßt sich
sowohl bei vertikalen Halbleiterbauelementen als auch bei lateralen
Halbleiterbauelementen verwirklichen.
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Die
Dotierung der einzelnen Gebiete darf dabei das Doppelte der Durchbruchsladung
nicht überschreiten.
Die erzielte sehr hohe Leitfähigkeit
wird durch die Parallelanordnung sehr vie ler solcher Gebiete erreicht.
Eine auftretende Schwierigkeit bei der Herstellung solcher Ladungskompensationsstrukturen
besteht in der für
die Ladungskompensationsstruktur unerläßlichen Genauigkeit der Dotierstoffkonzentrationen
in den ineinander verschachtelten Gebieten.
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Bisher
wurden bspw. mehrere Epitaxieschichten auf ein Halbleitersubstrat
aufgebracht, wobei nach jeder epitaktischen Abscheidung eine maskierte
Implantation von entgegengesetzt dotierten Gebieten vorgenommen
wurde, die nach der späteren
Ausdiffusion die zusammenhängenden
Kompensationsgebiete für
die Ladungskompensationsstruktur innerhalb der Driftstrecke bilden.
Ein solches Verfahren ist der
DE 101 32 136 C1 zu entnehmen.
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Ein
alternatives Verfahren dazu geht aus der
US 6,551,909 hervor, bei der mehrere
undotierte oder schwachdotierte Epitaxieschichten auf ein Halbleitersubstrat
abgeschieden werden. Nach jeder einzelnen Epitaxie erfolgt durch
eine erste Maske eine Implantation von n-Gebieten, welche die Driftstreckendotierung
bilden, und durch eine zweite Implantationsmaske eine Implantation
von p-Gebieten (Kompensationsgebieten).
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Der
Nachteil bei diesen bekannten Herstellungsverfahren liegt darin,
daß die
Genauigkeit der Dotierstoffkonzentrationen und damit die Genauigkeit
der "Ladungskompensation" sowohl von der Epitaxiedotierung
als auch von den Öffnungen
der verwendeten Implantationsmasken (Lacköffnungsmaßen) abhängt und starken Schwankungen
unterliegt.
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Schwankt
bspw. die Epitaxiedotierung um ±10 %, so kann die Erhöhung der
Driftstreckendotierung gegenüber
einem herkömmli chen
Bauelement maximal einen Faktor von etwa 10 betragen. Die absolute
Genauigkeit der Öffnungsmaße der verwendeten
Implantationsmasken muß demnach
umso genauer sein, je kleiner die zu implantierenden Strukturen
sind.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zum Herstellen
eines Halbleiterbauelements mit einer Ladungskompensationsstruktur
bereitzustellen, das unabhängig
von den Schwankungen in den Öffnungsmaßen der
verwendeten Implantationsmasken ist, mit dem des weiteren eine sehr
hohe Genauigkeit erzielt werden kann, so daß auch sehr "filigrane" Ladungskompensationsstrukturen
erzeugt werden können.
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Erfindungsgemäß wird diese
Aufgabe durch ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
mit einer Ladungskompensationsstruktur mit folgenden Schritten gelöst:
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- a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats
mit einer Oberseite und mit einer Rückseite;
- b) Aufbringen einer ein vorbestimmtes Muster vorgebenden Implantationsmaske
auf einer Oberfläche
des Halbleitersubstrats;
- c) Aufschießen
eines ersten Strahls von Dotanden von einem ersten Leitungstyp unter
einer ersten Einschußrichtung
r auf die mit der Implantationsmaske versehene Oberfläche des
Halbleitersubstrats zur selektiven Implantation eines ersten Bereichs
von Dotierstoffen vom ersten Leitungstyp in das Halbleitersubstrat;
- d) Aufschießen
eines zweiten Strahls von Dotanden von einem zweiten Leitungstyp
unter einer zweiten Einschußrichtung
r' auf die mit der
Implantationsmaske versehene Oberfläche des Halbleitersubstrats
zur selektiven Implantation eines zweiten Bereichs von Dotierstoffen
vom zweiten Leitungstyp in das Halbleitersubstrat,
wobei die
erste Einschußrichtung
r durch einen ersten Polwinkel θ zu
der Oberfläche
zwischen 30° und
60° und
durch einen ersten Azimutwinkel φ definiert
ist, und die zweite Einschußrichtung
r' durch einen zweiten
Polwinkel θ' zu der normalen zwischen
30° und
60° und
einen zweiten Azimutwinkel φ' definiert ist, und
wobei der Absolutbetrag der Differenz des ersten Azimutwinkels φ von dem zweiten
Azimutwinkel φ' zwischen 90° und 180° beträgt;
- e) Erzeugen von ersten vergrabenen Zonen vom ersten Leitungstyp
und von zweiten vergrabenen Zonen vom zweiten Leitungstyp durch
Diffundieren der beiden implantierten Bereiche von Dotierstoffen
in dem Halbleitersubstrat, wobei die beiden vergrabenen Zonen die
Ladungskompensationsstruktur bilden.
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Das
grundlegende Prinzip der vorliegenden Erfindung liegt darin, daß durch
das Verwenden einer einzelnen Implantationsmaske die Schwankungen
in den Dotierstoffkonzentrationen gleichermaßen auf die erzeugten Zonen
vom ersten Leitungstyp und die Zonen vom zweiten Leitungstyp, die
die Ladungskompensationsstruktur innerhalb der Driftzone bilden,
weitergegeben werden.
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Dadurch
kann es nicht zu Fehlern in der "Ladungskompensation" kommen, so daß die Sperrspannungsfestigkeit
wesentlich exakter eingestellt werden kann. Des weiteren zeichnet
sich das erfindungsgemäße Verfahren
dadurch aus, daß nur
eine einzelne Implantationsmaske verwendet werden muß. Gegenüber den
meisten anderen bekannten Herstellverfahren für Halbleiterbauelemente mit
Ladungskompensationsstrukturen ist das erfindungsgemäße Verfahren
demnach wesentlich wirtschaftlicher, da keine zweite Implantationsmaske
zur Bearbeitung einer Halbleiterschicht benötigt wird, wie es in der
US 6,551,909 der Fall ist.
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In
einer typischen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats
eine undotierte oder schwach dotierte Halbleiterschicht vom ersten
Leitungstyp epitaktisch abgeschieden bevor die erste Implantation stattfindet.
Dieses epitaktische Abscheiden mit anschließender Implantation wird so
lange iteriert, bis die Ladungskompensationsstruktur eine vorbestimmte
gewünschte
Dicke erreicht hat.
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In
bevorzugter Ausführungsform
ist der Absolutbetrag der Differenz des ersten Azimutwinkels φ von dem
zweiten Azimutwinkel φ' ungefähr 180° oder ungefähr 90°, d.h. die
Projektionen der Einschußrichtungen
r und r' auf die
Oberfläche
des Halbleitersubstrats stehen entweder senkrecht oder in einem 180°-Winkel zueinander.
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Ganz
besonders gute Ergebnisse werden mit Polwinkeln θ und θ' von ungefähr 45° erzielt.
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Mit
dem Verfahren können
Ladungskompensationsstrukturen aus einer Vielzahl von horizontal ausgerichteten
in dem Halbleitersubstrat vergrabenen ersten Zonen eines ersten
Leitungstyps und aus einer Vielzahl von horizontal ausgerichteten
in dem Halbleitersubstrat vergrabenen zweiten Zonen eines zweiten
Leitungstyps erzeugt werden, wobei die ersten Zonen und die zweiten
Zonen vertikal in einem vorbestimmten Muster alternierend angeordnet
sind. Damit können
Ladungskompensationsstrukturen erzeugt werden, die "sandwichartig" angeordnet sind und
sich zum Einsatz in Halbleiterbauelementen mit Lateralbauweise,
d.h. mit lateraler Driftstrecke, eignen.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung werden Ladungskompensationsstrukturen
erzeugt, die aus einer Vielzahl von vertikal ausgerichteten in dem
Halbleitersubstrat vergrabenen ersten Zonen eines ersten Leitungstyps
und aus einer Vielzahl von vertikal ausgerichteten in dem Halbleitersubstrat
vergrabenen zweiten Zonen eines zweiten Leitungstyps bestehen, wobei
die ersten Zonen und die zweiten Zonen horizontal in einem vorbestimmten
Muster alternierend angeordnet sind. Dabei kommen insbesondere hexagonale,
streifenförmige sowie
rechteckige Muster in Betracht, die von der verwendeten Implantationsmaske
vorgegeben werden.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
eignet sich gleicherweise zur Erzeugung von unipolaren und von bipolaren
Halbleiterbauelementen.
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Bei
unipolaren Halbleiterbauelementen wird in der Regel ein Halbleitersubstrat
bereitgestellt, das aus einer stark dotierten Schicht vom ersten
Leitungstyp und einer darauf befindlichen schwach dotierten Pufferschicht
vom ersten Leitungstyp besteht.
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Zur
Erzeugung von bipolaren Halbleiterbauelementen hingegen wird typischerweise
ein Halbleitersubstrat bereitgestellt, das aus einer stark dotierten
Schicht vom zweiten Leitungstyp und einer darauf befindlichen schwach
dotierten Pufferschicht vom ersten Leitungstyp besteht.
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Es
können
gleichermaßen
Feldeffekt-gesteuerte Halbleiterbauelemente, bspw. Mosfets, Igbts sowie
Feldeffekt-gesteuerte Thyristoren, hergestellt werden. Es ist jedoch
auch möglich mit
dem Verfahren Bipolartransistoren, Leistungsdioden, Schottkydioden
sowie klassische Thyristoren herzustellen.
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Typischerweise
werden bei der Implantation die Implantationsenergien so gewählt, daß die jeweils
implantierten Bereiche im wesentlichen in der gleichen Tiefe liegen.
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Ein
besonders schnelles und effizientes Herstellverfahren läßt sich
durch die Verwendung von Dotierstoffen vom ersten Leitungstyp und
von Dotierstoffen vom zweiten Leitungstyp erzielen, die ein ähnliches,
d.h. insbesondere ein gleich schnelles, Diffusionsverhalten im Halbleitersubstrat
aufweisen.
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Die
Erfindung wird im folgenden anhand der beiliegenden Figuren in Form
mehrerer Ausführungsbeispiele
dargestellt. Dabei zeigen:
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1(a) bis (d) Querschnitte
durch ein Halbleiterbauelement, die die einzelnen Schritte beim Herstellen
eines Halbleiterbauelements mit einer Ladungskompensationsstruktur
nach der vorliegenden Erfindung zeigen;
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2(a) und (b) Querschnitte
durch ein Halbleiterbauelement, die weitere Schritte aus dem erfindungsgemäßen Verfahren
zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Ladungskompensation
zeigen; und
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3(a) bis (c) verschiedene
Draufsichten, auf die Oberflächen
von Halbleitersubstraten, die mit verschiedenen Implantationsmasken
nach dem vorliegenden erfindungsgemäßen Verfahren maskiert werden.
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Wie
der 1(a) zu entnehmen
ist, wird als erster Verfahrensschritt ein Halbleitersubstrat 1 mit einer
Oberseite 2 und mit einer Rückseite 3 bereitgestellt.
Das Halbleitersubstrat 1 besteht im vorliegenden Fall aus
einer n+-dotierten Schicht 11 aus
Silizium, auf der epitaktisch eine n–-dotierte
Pufferschicht 12 aufgewachsen ist.
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Die
Pufferschicht 12 weist eine Dicke Io auf. Auf
die Oberfläche 6 dieses
Halbleitersubstrats 1 wird anschließend eine Implantationsmaske 4 aufgebracht.
Die gezeigte Implantationsmaske 4 besteht hier aus einem
Photoresist, der über
einen Ätzschritt strukturiert
worden ist. Durch das Strukturieren weist die Implantationsmaske 4 Öffnungen 13 auf.
Durch diese Öffnungen 13 werden
Dotanden vom n-Leitungstyp unter der Einschußrichtung r auf die mit der Implantationsmaske 4 versehene
Oberfläche 6 des Halbleitersubstrats 1 aufgeschossen.
Durch dieses Aufschießen
findet eine selektive Implantation eines ersten n-dotierten Bereichs 7 in
der Oberseite 2 des Halbleitersubstrats 1 statt.
Im vorliegenden Fall werden Phosphor-Ionen mit einer Beschleunigungsspannung
von 50 keV unter einer Oberflächendosis von
1 × 1013 cm–2 implantiert.
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Das
Aufschießen
der Dotierstoffe findet aus der Einschußrichtung r statt, die durch
einen Polwinkel θ zu
der Normalen z zu der Oberfläche 6 (Flächennormalen)
von 45° definiert
ist.
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In
einem anschließenden
Schritt, der in der 1(b) gezeigt
wird, wird dann ein zweiter Strahl von Dotanden vom p-Leitungstyp unter
einer zweiten Einschußrichtung
r' auf die mit derselben
Implantationsmaske 4 versehene Oberfläche 6 des Halbleitersubstrats 1 aufgeschossen.
Durch dieses Aufschießen
findet eine weitere selektive Implantation im Halbleitersubstrat
statt, wobei ein zweiter Bereich 8 implantiert wird.
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Im
vorliegenden Fall werden hierbei Bor-Ionen unter einer Beschleunigungsspannung
von 50 keV und einer Oberflächendosis
von 1 × 1013 cm–2 implantiert.
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Das
Aufschießen
dieses zweiten Strahls von Dotanden findet aus der Einschußrichtung
r' ebenfalls unter
einem Polwinkel θ' zu der Normalen
z von ca. 45° statt.
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Die
beiden Einschußrichtungen
r' und r sind von
einander räumlich
getrennt und sind neben ihren Polwinkeln θ und θ' durch ihre Azimutwinkel φ und φ' (nicht gezeigt)
definiert. Das Aufschießen
des zweiten Strahls von Dotanden findet dabei derart statt, daß der Absolutbetrag
der Differenz des ersten Azimutwinkels φ von dem zweiten Azimutwinkel φ' zwischen 90° ≤ Δ φ 180° beträgt.
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Das
in der 1(a) und 1(b) gezeigte Ausführungsbeispiel
zeigt das Aufschießen
von Strahlen von Dotanden mit Azimutwinkeldifferenzen Δφ von ca.
180°, d.h.
die Projektion der Einschußrichtungen r
und r' auf die Oberfläche 6 des
Halbleitersubstrats 1 bilden einen 180°-Winkel.
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Die 1(c) zeigt die erzeugten
Bor-dotierten Bereiche 8 und die erzeugten Phosphor-dotierten Bereiche 7.
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Im
gezeigten Ausführungsbeispiel
wird danach die Implantationsmaske 4 entfernt und es wird eine
weitere n-dotierte Halbleiterschicht 14 mit der Dicke I1 epitaktisch auf der Oberfläche 6 des
Halbleitersubstrats 1 abgeschieden. Danach wird wieder eine
Implantationsmaske 4 (nicht gezeigt) aufgebracht und das
eben geschilderte Verfahren iteriert. Die 1(d) zeigt das Ergebnis von insgesamt
4 Iterationen des geschilderten Implantierens. Wie der 1(d) zu entnehmen ist, liegen
nun eine Vielzahl von Phosphor-dotierten Bereichen 7 und
eine Vielzahl von Bor-dotierten Bereichen 8 vor. Die Phosphor-dotierten Bereiche 7 sind
dabei übereinander gestapelt,
wohingegen die Bor-dotierten Bereiche 8 ebenfalls übereinander
gestapelt sind. Die Implantationsenergien für die einzelnen Implantationsschritte wurden
dabei so ausgewählt,
daß die
Phosphordotierten Bereiche 7 und die Bor-dotierten Bereiche 8 innerhalb
einer Epitaxieschicht 14 im wesentlichen in der gleichen
Tiefe angeordnet sind. Die Dicken der einzelnen epitaktisch abgeschiedenen
Schichten 14 sind in der 1(d) durch
I1 gekennzeichnet. Im Anschluß daran
werden die implantierten Bereiche 7 und 8 durch
eine Wärmebehandlung
ausdiffundiert. Die Wärmebehandlung
wird beispielsweise bei einer Temperatur von 1150° C bei einer
Dauer von mehreren Stunden durchgeführt. Die eingebrachten Dotierstoffe
an Phosphor und Bor diffundieren dabei in einem Bereich von ungefähr 3 μm und bilden
dann die Phosphor-dotierten vergrabenen Zonen 9 und die Bor-dotierten
vergrabenen Zonen 10. Die Phosphor- dotierten Zonen 9 und
die Bor-dotierten Zonen 10 bilden dabei letztendlich die
Ladungskompensationsstruktur.
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Die
Verwendung von Bor und Phosphor als Dotierstoffe ist bei diesem
thermischen Diffundieren besonders günstig, da Bor und Phosphor
ein ähnliches
Diffusionsverhalten zeigen, d.h. die Diffusionsgeschwindigkeiten
von Bor und Phosphor in Silizium liegen in der selben Größenordnung.
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In
einem anschließenden
Schritt, der in der 2(b) gezeigt
wird, werden nun in die Oberfläche des
soweit prozessierten Halbleiterbauelements gegebenenfalls eine n-dotierte
Kanalzone 16, eine p-dotierte Basiszone 17, n+-dotierte Sourcezonen 18 und p+-dotierte Elektrodenanschlußzonen 19 eingebracht,
entweder durch Eindiffundieren oder vorzugsweise durch Implantieren,
wobei diese Schritte den Herstellungsschritten aus den herkömmlichen
Herstellverfahren entsprechen, die zur Herstellung von konventionellen
vertikalen Mosfets, verwendet werden.
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Anschließend werden
noch ein Gateoxid und die Gateelektroden aufgebracht. Es findet
an der Rückseite 3 des
Halbleitersubstrats eine Metallisierung statt, mit der eine Drain-Elektrode
(nicht gezeigt) aufgebracht wird. Auf die Elektrodenanschlußzone 19 wird
schließlich
eine Source-Elektrodenmetallisierung (nicht gezeigt) aufgebracht,
so daß letztendlich ein
vertikaler Mosfet hergestellt ist.
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Die 3(a), 3(b) und 3(c) zeigen
verschiedene Ausführungsbeispiele,
mit denen Möglichkeiten erörtert werden,
verschiedene Muster (5) in das Halbleitersubstrat einzubringen.
In allen drei Figuren wird eine Implantationsmaske 4 gezeigt.
Die Implantationsmaske 4 ist in dem in der 3(a) gezeigten Ausführungsbeispiel streifenförmig. Sie
weist Öffnungen 13 auf
und das Aufschießen
der Strahlen von Dotanden erfolgt so, daß der Absolutbetrag der Differenzen des
ersten Azimutwinkels φ vom
zweiten Azimutwinkel φ' 180° beträgt, d.h.
die Projekti onen der Einschußrichtungen
r und r' bilden
einen 180°-Winkel auf
der Oberfläche 6 des
Halbleitersubstrats.
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Die 3(b) zeigt ein weiteres
Ausführungsbeispiel,
bei der die Implantationsmaske 4 quadratische Öffnungen 13 aufweist.
Das Einschießen
der Dotierstoffe zur selektiven Implantation von n-dotierten Bereichen 7 und
p-dotierten Bereichen 8 erfolgt wiederum unter einer Azimutwinkeldifferenz
|Δφ| = 180°. Im Gegensatz
zu dem in der 3(a) gezeigten
Ausführungsbeispiel
bildet die Projektion der Einschußrichtungen r und r' auf die Oberfläche 6 des Halbleitersubstrats 1 keinen
rechten Winkel zu den Kanten 21 der Öffnungen 13 der Implantationsmaske 4.
Im vorliegenden Fall ist der Winkel ungefähr 45°.
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Durch
dieses Vorgehen werden in den Implantationsöffnungen dotierte Bereiche 8 und 7 gebildet,
die jeweils ungefähr
quadratische Abmessungen haben und die ungefähr eckenverknüpft in der
jeweiligen Öffnung
vorliegen, wobei der Rest der Öffnung von
zwar in etwa eckenverknüpften
nicht-dotierten Teilbereichen 20 ausgefüllt wird.
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Das
in der 3(c) gezeigte
Ausführungsbeispiel
zeigt letztendlich Möglichkeit,
eine Implantationsmaske bereitzustellen, die senkrecht zueinander verlaufende
Streifen als Öffnungen
vorgibt.
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Die
Implantation aus den beiden Einschußrichtungen r bzw. r' der p-Dotierstoffe
bzw. der n-Dotierstoffe findet diesmal so statt, daß der Absolutbetrag
der Differenzen von erstem Azimutwinkel φ vom zweiten Azimutwinkel φ' ca. 90° ist.
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Als
Resultat liegen bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel eine Vielzahl
von parallel zueinander verlaufenden Streifen 7 vor, die
n-dotiert sind, und eine Vielzahl von senkrecht dazu und diese Bereiche 7 schneidenden
Streifen 8, die p-dotiert sind. Im Bereich der Schnittpunkte
kommt es zu einer Mischdotierung.
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- 1
- Halbleitersubstrat
- 2
- Oberseite
- 3
- Rückseite
- 4
- Implantationsmaske
- 5
- Muster
- 6
- Oberfläche
- 7
- erster
Bereich
- 8
- zweiter
Bereich
- 9
- erste
vergrabene Zone
- 10
- zweite
vergrabene Zone
- 11
- stark
dotierte Schicht
- 12
- Pufferschicht
- 13
- Öffnung
- 14
- epitaktische
Schicht
- 15
- Ladungskompensationsstruktur
- 16
- Kanalbereich
- 17
- Basiszone
- 18
- Sourcezone
- 19
- Elektrodenanschluß
- 20
- Schatten
- 21
- Kanten
der Implantationsmaske