[go: up one dir, main page]

DE1033335B - Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen

Info

Publication number
DE1033335B
DE1033335B DES53828A DES0053828A DE1033335B DE 1033335 B DE1033335 B DE 1033335B DE S53828 A DES53828 A DE S53828A DE S0053828 A DES0053828 A DE S0053828A DE 1033335 B DE1033335 B DE 1033335B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vapor
volatile component
component
temperature
vapor pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES53828A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Rer Nat Karl-Georg Guenther
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL224894D priority Critical patent/NL224894A/xx
Priority to NL103088D priority patent/NL103088C/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES53828A priority patent/DE1033335B/de
Priority to FR1194877D priority patent/FR1194877A/fr
Priority to GB17370/58A priority patent/GB852598A/en
Priority to US739577A priority patent/US2938816A/en
Publication of DE1033335B publication Critical patent/DE1033335B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10D64/011—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H10D62/854—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs further characterised by the dopants
    • H10P14/22—
    • H10P14/3414—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/049—Equivalence and options
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/158—Sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/169—Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/971—Stoichiometric control of host substrate composition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Description

DEUTSCHES
In der Halbleitertechnik werden oft dünne halbleitende Schichten benötigt. Bei Verwendung von halbierenden Elementen können solche Schichten in einfacher Weise durch Aufdampfen im Vakuum hergestellt werden. Bei halbleitenden Verbindungen, insbesondere bei solchen, deren Komponenten über der Schmelze einen wesentlich verschiedenen Dampfdruck aufweisen, bereitet das Auf dampf verfahren Schwierigkeiten. Dies trifft vor allem zu für einige AijtBv-Verbindungen.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren, das es erlaubt, dünne halbleitende Schichten auch aus solchen halbleitenden Verbindungen durch Aufdampfen herzustellen, deren Komponenten über der Schmelze einen wesentlich verschiedenen Dampfdruck aufweisen. Gemäß der Erfindung wird die Temperatur des Auffängers zwischen den Kondensationstemperaturen der leichtflüchtigen Komponente einerseits und der schwerflüchtigen Komponente andererseits gewählt und die Einfall-dichte des Dampfstrahles der leichtflüchtigen Komponente so bemessen, daß über dem Auffänger ein Überschuß an der leichtflüchtigen Komponente vorliegt.
Eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt.
Mit 1 und 2 sind zwei Verdampfergefäße bezeichnet, aus denen die Komponenten A bzw. B zur Bildung der Verbindung AB auf den Auffänger 3 aufgedampft werden·. Die gesamte Einrichtung ist in einem Vakuumgefäß angeordnet, das in der schematischen Darstellung der Zeichnung nicht angegeben ist. Die effektive Auffängerfläche liegt im Einfallsbereich beider Komponentenstrahlen; sie ist in der Zeichnung durch einen Doppelpfeil angegeben. Will man z. B. eine In-As-Halbleiterschicht aufdämpfen, so enthalten die Gefäße 1 und 2 die Komponenten As bzw In. Der Aufträger wird auf eine Temperatur von etwa 200° C aufgeheizt. Diese Temperatur liegt unter der Kondensationstemperatur der In-Komponente und der Verbindung In —As, jedoch über der Kondensationstemperatur der As-Komponente, wenn man eine Einfallsdichte des As-Dampfstrahles von 1017 bis 1018 Molekülen/cm2/sec zugrunde legt. Diese Bemessung hat zur Folge, daß der gesamte In-Dampfstrom auf dem Auffänger kondensiert. Bei der genannten Dimensionierung würde ohne In-Dampfstrom der As-Dampfstrom vollständig reflektiert werden. Im vorliegenden Falle jedoch bilden die einfallenden As-Moleküle mit den In-Molekülen die Verbindung In —As, die ebenfalls auf dem Auffänger kondensiert, und zwar in einem Umfang, wie er durch die Zahl der vorhandenen In-Moleküle vorgegeben ist. Die überschüssigen As-Moleküle werden in den Dampfraum reflektiert.
Verfahren zum Herstellen
dünner halbleitender Schichten
aus halbleitenden Verbindungen
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr. rer. nat. Karl-Georg Günther, Nürnberg,
ist als Erfinder genannt worden
Um sicherzustellen, daß sich auf die vorgenannte Weise eine stöchiometrisohe Aufdampfschicht der Verbindung bildet, dürfen die Einfallsdichten der Dampfstrahlen der Komponenten nicht beliebig stark voneinander abweichen. Ist nämlich im vorgenannten Beispiel die Einfallsdichte des As-Dampfstrahles erheblich größer als die Einfallsdichte des In-Dampf-Strahles, so tritt ein Einbau von As ein, und. zwar dadurch, daß As-Moleküle durch das kondensierende In—As zugedeckt werden. Es entstehen somit As-Einschlüsse, die nachteilige Einflüsse auf die Eigenschaften der Aufdampfschicht zur Folge haben können.
Andererseits ist die Einstellung des günstigen Verhältnisses der Einfallsdichten der Komponenten technisch nicht immer einfach zu beherrschen, insbesondere dann nicht, wenn die Dampfdruckunterschiede der Komponenten wie bei dem obengenannten In — As besonders groß sind. In solchen Fällen wird gemäß weiterer Erfindung die geometrische Anordnung der beiden Verdampfergefäße in bezug auf den Auffänger so gewählt, daß sich die Einfallsdichte der beiden Komponentenstrahlen längs des Auffängers in entgegengesetztem Sinne ändert. Diese Forderung kann ohne besonderen Aufwand, im Prinzip z. B. mit der oben beschrietaien, in der Zeichnung dargestellten Anordnung, realisiert werden. So nimmt z. B. die Einfallsdichte des von dem Gefäß 1 auftreffenden Dampf-Strahles von links nach rechts ab, bezogen auf die durch den Doppelpfeil angegebene effekte Auffängerfläche; umgekehrt sind die Verhältnisse bezüglich des von dem Gefäß 2 auftreffenden Dampfstrahles. Innerhalb des gesamten, vorher als effektive Auffänger-
809 559/336
fläche bezeichneten Bereiches wird ein Teilbereich sein, in dem ein günstiges Verhältnis der Emfällsdicbten der beiden Dampf strahlen vorliegt; dieser wird für die spätere Verwendung der Aufdampfschicht aus der Gesamtfläche herausgeschnitten.
In Fällen, bei denen es auf extreme Stöchiometrie ankommt, wird gemäß weiterer Erfindung die aufgedampfte Schicht im Dampf der leichtflüchtigen Komponente bei einer Temperatur dicht unter der Schmelztemperatur der Verbindung getempert und hierzu der Dampfdruck der leichtflüchtigen Komponente so* bemessen, daß er unterhalb des Dampfdruckes der reinen leichtflüchtigen Komponente, aber oberhalb des entsprechenden Dampfdruckes über der stöchiometnschen Verbindung bei der Tempertemperatur liegt. Hierdurch wird erreicht, daß eventuell in der Aufdampffläche mechanisch eingeschlossene Teilchen der leichtflüchtigen Komponente herausdampfen, da deren Dampfdruck dicht unterhalb der Schmelztemperatur der Verbindung wesentlich höher ist als der Partialdampfdruck dieser Komponente über der Verbindung. Wenn die Einschlüsse an der leichtflüchtigen Kompo- ' nente nicht zu groß sind, wird sich dann ein Gleichgewicht einstellen, das der streng stöchiometrischen Verbindung entspricht.

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zum Herstellen dünner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen, deren Komponenten im geschmolzenen Zustand einen wesentlich verschiedenen Dampfdruck aufweisen, durch gleichzeitiges Aufdampfen der einzelnen Komponenten, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur des Auffängers zwischen den Kondensationstemperaturen der leichtflüchtigen Komponente einerseits und der schwerflüchtigen Komponente und der Verbindung andererseits gewählt wird und daß die Einfallsdichte des Dampfstrahles der leichtflüchtigen Komponente so bemessen wird, daß über dem Auffänger ein Überschuß an der leichtflüchtigen Komponente vorliegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die geometrische Anordnung der beiden Verdampfungsgefäße in bezug auf den Auffänger so gewählt wird, daß sich die Einfallsdichte der beiden Komponentendampfstrahlen längs des Auffängers in entgegengesetztem Sinne ändert.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgedampfte Schicht im Dampf der leichtflüchtigen Komponente bei- einer Temperatur dicht unter der Schmelztemperatur der Verbindung getempert wird und hierzu der Dampfdruck der leichtflüchtigen Komponente so bemessen wird, daß er unterhalb des Dampfdruckes der reinen leichtflüchtigen Komponente und oberhalb des Dampfdruckes dieser Komponente über der stöchiometrischen Verbindung bei dar Tempertemperatur liegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809 559/336 6.58
DES53828A 1957-06-08 1957-06-08 Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen Pending DE1033335B (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL224894D NL224894A (de) 1957-06-08
NL103088D NL103088C (de) 1957-06-08
DES53828A DE1033335B (de) 1957-06-08 1957-06-08 Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen
FR1194877D FR1194877A (fr) 1957-06-08 1958-04-18 Procédé de fabrication de couches minces semi-conductrices réalisées en composés semi-conducteurs
GB17370/58A GB852598A (en) 1957-06-08 1958-05-30 Improvements in or relating to the production of semi-conducting layers from semi-conducting compounds
US739577A US2938816A (en) 1957-06-08 1958-06-03 Vaporization method of producing thin layers of semiconducting compounds

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES53828A DE1033335B (de) 1957-06-08 1957-06-08 Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1033335B true DE1033335B (de) 1958-07-03

Family

ID=7489466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES53828A Pending DE1033335B (de) 1957-06-08 1957-06-08 Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US2938816A (de)
DE (1) DE1033335B (de)
FR (1) FR1194877A (de)
GB (1) GB852598A (de)
NL (2) NL103088C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT381122B (de) * 1974-11-29 1986-08-25 Lohja Ab Oy Verfahren zum zuechten von verbindungs -duennschichten

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3082124A (en) * 1959-08-03 1963-03-19 Beckman Instruments Inc Method of making thin layer semiconductor devices
NL258863A (de) * 1959-12-11
US3245674A (en) * 1960-04-25 1966-04-12 Nat Res Corp Crucible coated with reaction product of aluminum and boron nitride coating
DE1211593B (de) * 1960-04-27 1966-03-03 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur tiegelfreien Herstellung hochreiner, elektrisch halbleitender, kristalliner Verbindungen
NL269855A (de) * 1960-10-04
US3101280A (en) * 1961-04-05 1963-08-20 Ibm Method of preparing indium antimonide films
US3152006A (en) * 1961-06-29 1964-10-06 High Temperature Materials Inc Boron nitride coating and a process of producing the same
US3211128A (en) * 1962-05-31 1965-10-12 Roy F Potter Vacuum evaporator apparatus
BE632506A (de) * 1962-05-31
US3301637A (en) * 1962-12-27 1967-01-31 Ibm Method for the synthesis of gallium phosphide
US3429295A (en) * 1963-09-17 1969-02-25 Nuclear Materials & Equipment Apparatus for producing vapor coated particles
US3388002A (en) * 1964-08-06 1968-06-11 Bell Telephone Labor Inc Method of forming a piezoelectric ultrasonic transducer
US3303067A (en) * 1963-12-26 1967-02-07 Ibm Method of fabricating thin film transistor devices
US3341364A (en) * 1964-07-27 1967-09-12 David A Collins Preparation of thin film indium antimonide from bulk indium antimonide
US3958931A (en) * 1965-03-18 1976-05-25 Ciba-Geigy Ag Wool dyeing with epihalohydrin or chloroacetamide quarternized polyglycolamine assisted dye solution
US3433682A (en) * 1965-07-06 1969-03-18 American Standard Inc Silicon coated graphite
US3469978A (en) * 1965-11-30 1969-09-30 Xerox Corp Photosensitive element
US3531335A (en) * 1966-05-09 1970-09-29 Kewanee Oil Co Method of preparing films of controlled resistivity
FR95985E (fr) * 1966-05-16 1972-05-19 Rank Xerox Ltd Semi-conducteurs vitreux et leur procédé de fabrication sous forme de pellicules minces.
US3520716A (en) * 1966-06-07 1970-07-14 Tokyo Shibaura Electric Co Method of vapor depositing multicomponent film
US3480484A (en) * 1966-06-28 1969-11-25 Loral Corp Method for preparing high mobility indium antimonide thin films
US3476593A (en) * 1967-01-24 1969-11-04 Fairchild Camera Instr Co Method of forming gallium arsenide films by vacuum deposition techniques
US3492509A (en) * 1967-07-24 1970-01-27 Bell Telephone Labor Inc Piezoelectric ultrasonic transducers
US3619283A (en) * 1968-09-27 1971-11-09 Ibm Method for epitaxially growing thin films
US3603285A (en) * 1968-11-05 1971-09-07 Massachusetts Inst Technology Vapor deposition apparatus
US3632439A (en) * 1969-04-25 1972-01-04 Westinghouse Electric Corp Method of forming thin insulating films particularly for piezoelectric transducer
US3865625A (en) * 1972-10-13 1975-02-11 Bell Telephone Labor Inc Molecular beam epitaxy shadowing technique for fabricating dielectric optical waveguides
DE2317797B2 (de) * 1973-04-09 1979-12-06 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Galliumphosphid
DE2358859C3 (de) * 1973-11-26 1981-08-06 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Aufzeichungsträger zum optischen Aufzeichnen von Informationen mittels sequentieller Signale
US4094269A (en) * 1974-06-14 1978-06-13 Zlafop Pri Ban Vapor deposition apparatus for coating continuously moving substrates with layers of volatizable solid substances
US4091138A (en) * 1975-02-12 1978-05-23 Sumitomo Bakelite Company Limited Insulating film, sheet, or plate material with metallic coating and method for manufacturing same
GB1528192A (en) * 1975-03-10 1978-10-11 Secr Defence Surface treatment of iii-v compound crystals
CA1055819A (en) * 1975-06-20 1979-06-05 Roelof P. Bult Stabilization of aluminum arsenide
JPS5331106A (en) * 1976-09-03 1978-03-24 Hitachi Ltd Information recording member
JPS5399762A (en) * 1977-02-12 1978-08-31 Futaba Denshi Kogyo Kk Device for producing compound semiconductor film
US4177298A (en) * 1977-03-22 1979-12-04 Hitachi, Ltd. Method for producing an InSb thin film element
CH626407A5 (de) * 1977-07-08 1981-11-13 Balzers Hochvakuum
US4436558A (en) 1980-12-15 1984-03-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Electrochemical photovoltaic cell having ternary alloy film
US4513031A (en) * 1983-09-09 1985-04-23 Xerox Corporation Process for forming alloy layer
US4523051A (en) * 1983-09-27 1985-06-11 The Boeing Company Thin films of mixed metal compounds
CN102452646B (zh) 2010-10-26 2013-10-09 清华大学 亲水性碳纳米管膜的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2759861A (en) * 1954-09-22 1956-08-21 Bell Telephone Labor Inc Process of making photoconductive compounds

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT381122B (de) * 1974-11-29 1986-08-25 Lohja Ab Oy Verfahren zum zuechten von verbindungs -duennschichten

Also Published As

Publication number Publication date
NL103088C (de)
FR1194877A (fr) 1959-11-13
NL224894A (de)
US2938816A (en) 1960-05-31
GB852598A (en) 1960-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1033335B (de) Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen
DE1056746B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE2628366C3 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Einkristallschichten
DE1444496A1 (de) Epitaxialer Wachstumsprozess
DE2631881A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE872065C (de) Verfahren zur Herstellung von mit deformierbaren Folien versehenen Platten, fuer Fernsehapparate u. dgl.
DE2821539A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiter-bauelementen
DE919360C (de) Selen-Gleichrichter mit Tellur und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2252197A1 (de) Duennschicht-halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2161472C3 (de) Verfahren zum Aufwachsen einer polykristallinen Silicium-Schicht auf einer Halbleiterscheibe
DE1764282C3 (de) Halbleiteranordnung mit einer eine Aluminiumschicht tragenden, aus Siliziumoxid bestehenden Schicht
DE1041582B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters aus einer chemischen Verbindung aus mindestens zwei chemischen Elementen als Komponenten auf einem Traeger
DE1259670B (de) Verfahren zum Herstellen duenner, stoechiometrischer CdSe-Schichten durch Aufdampfenim Hochvakuum
DE907322C (de) Verfahren zur Metallbedampfung eines Dielektrikums, insbesondere zur Herstellung von Belagschichten fuer elektrische Kondensatoren
CH423729A (de) Verfahren zum Herstellen dünner, stöchiometrischer CdSe-Schichten
DE875968C (de) Elektrisch unsymmetrisch leitendes System
AT237683B (de) Verfahren zum epitaktischen Herstellen dünner einkristalliner Schichten aus halbleitenden Verbindungen
DE1101625B (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE1764282B2 (de) Halbleiteranordnung mit einer eine aluminiumschicht tragenden, aus siliziumoxid bestehenden schicht
DE1061906B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen vom entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp
DE1008088B (de) Verfahren zur Herstellung einer Loetverbindung zwischen zwei Koerpern, insbesondere an einem Flaechengleichrichter bzw. -transistor zwischen einer Systemelektrode und einer Abnahmeelektrode bzw. einer Anschlussleitung
DE1771918C (de) Verfahren zum Herstellen von Mischkristallschichten aus Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid durch Aufdampfen im Hochvakuum
DE1109795B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem Halogenzusatz
DE892022C (de) Verfahren zum Aufdampfen schwer kondensierbarer Stoffe im Vakuum auf insbesondere wärmieempfmdhche Unterlagen, insbesondere für die Herstellung von Kondensatoren
DE1077789B (de) Kuehleinrichtung fuer ein in einem Behaelter eingeschlossenes scheibenfoermiges Halbleiterelement mit mindestens einem pn-UEbergang