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Die Erfindung bezieht sich auf eine MIM-Kondensatorstruktur
und auf einen integrierten Schaltkreis mit einer MIM-Kondensatorstruktur.
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Da integrierte Schaltkreiskondensatoren
in einer Vielzahl integrierter Schaltkreisbauelemente verwendet
werden, sind sie mit einer relativ hohen Geschwindigkeit und/oder
relativ großen
Kapazität wünschenswert.
Wie dem Fachmann allgemein bekannt, beinhaltet ein integrierter
Schaltkreiskondensator eine erste (untere) und eine zweite (obere) Elektrode
auf einem integrierten Schaltkreissubstrat mit einem Kondensatordielektrikum
dazwischen. Allgemein kann die Frequenzabhängigkeit durch Reduzieren des
Widerstands der Kondensatorelektroden verringert werden, um Kondensatoren
mit hoher Geschwindigkeit zu realisieren. Außerdem kann zur Realisierung
von Kondensatoren mit relativ hoher Kapazität die Dicke einer dielektrischen
Schicht zwischen Kondensatoreleketroden reduziert werden, es kann ein
stark dielektrisches Material für
die dielektrische Schicht verwendet werden, und/oder die Fläche der Elektroden
kann vergrößert werden.
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Kondensatoren, die in integrierten
Schaltkreisbauelementen verwendet werden, können in Kondensatoren mit einer
Metall-Oxid-Halbleiter(MOS)-Struktur, Kondensatoren mit einer pn-Übergangsstruktur,
Kondensatoren mit einer Polysilicium-Isolator-Polysilicium-(PIP-)Struktur
und Kondensatoren mit einer Metall-Isolator-Metall(MIM)-Struktur
klassifiziert werden. Einkristallines Silicium oder polykristallines
Silicium kann als wenigstens ein Elektrodenmaterial in Kondensatoren
aller vorstehenden Strukturen mit Ausnahme der MIM-Struktur verwendet
werden. Aufgrund der physikalischen Eigenschaften von einkristallinem
Silicium oder polykristallinem Silicium können jedoch Beschränkungen
bei der Reduzierung des Widerstands der Kondensatorelektrode auftreten.
Folglich kann ein MIM-Kondensator, der Kondensatorelektroden aus
Metall mit einem geringen Widerstand bereitstellen kann, bei Anwendungen
verwendet werden, die Hochgeschwindigkeits-Kondensatoreigenschaften erfordern.
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1A zeigt
einen herkömmlichen MIM-Kondensator 10. 1B zeigt ein Ersatzschaltbild
des MIM-Kondensators von 1A.
Der MIM-Kondensator 10 von 1A beinhaltet eine untere
Metallschicht 11, eine dielektrische Schicht 12 und
eine obere Metallschicht 13. Die dielektrische Schicht 12 ist
zwischen der unteren Metallschicht 11 und der oberen Metallschicht 13 angeordnet.
Im Allgemeinen kann die obere Metallschicht 13 mit einem Leistungsanschluss
zum Zuführen
einer Spannung V mit einem vorgegebenen Pegel verbunden werden, und
die untere Metallschicht 11 kann geerdet, d.h. mit einem
Masseanschluss verbunden werden. Der MIM-Kondensator 10 weist
eine vorgegebene Kapazität
C auf, wie in 1B gezeigt. Idealerweise
sollte die Kapazität
C auch bei Schwankungen der Spannung V einen konstanten Wert aufweisen.
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2 zeigt
graphisch die Spannungs-Kapazitäts-Charakteristik
eines MIM-Kondensators der Art von 1A.
Wie in 2 gezeigt, kann
die Kapazität C
des herkömmlichen
MIM-Kondensators 10 in der Praxis variieren, wenn die Spannung
V variiert wird. Die Variation kann in zwei Fälle klassifiziert werden: einen
Fall, durch eine Kennlinie 21 veranschaulicht, bei dem
die Kapazität
C mit zunehmender Spannung V erhöht
wird, und einen Fall, durch eine Kennlinie 22 veranschaulicht,
bei dem die Kapazität
C mit zunehmender Spannung V verringert wird.
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Ob die Kapazität C mit zunehmender Spannung
V erhöht
oder verringert wird, kann von dem zur Bildung der dielektrischen
Schicht 12 verwendeten Material abhängen. Wenn die dielektrische
Schicht 12 des MIM-Kondensators 10 z.B.
aus Siliciumnitrid (SixNy)
besteht, kann die Kapazität
C mit zunehmender Spannung V abnehmen. In jedem Fall kann diese tatsächliche
Variation der Kapazität
als Funktion der Spannung die Leistungsfähigkeit eines integrierten Schaltkreisbauelements
negativ beeinflussen, bei dem ein solcher MIM-Kondensator verwendet
wird.
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Der Erfindung liegt als technisches
Problem die Bereitstellung einer integrierten Schaltkreisstruktur
und einer zugehörigen
MIM-Kondensatorstruktur mit verbessertem Aufbau zugrunde, um die
vorstehend erwähnten
Schwankungen der Kapazität
zu verringern.
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Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung
einer Metall-Isolator-Metall-Kondensatorstruktur
mit den Merkmalen der Ansprüche
1, 2 oder 7 und eines integrierten Schaltkreisbauelements mit den
Merkmalen des Anspruchs 12.
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Vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung sind in den Unteransprüchen
angegeben.
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Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene
Ausführungsformen
der Erfindung und das zu deren besserem Verständnis oben erläuterte,
herkömmliche Ausführungsbeispiel
sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
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1A einen
herkömmlichen
Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensator,
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1B ein
Ersatzschaltbild des MIM-Kondensators von 1A,
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2 eine
graphische Darstellung der Spannungs-Kapazitäts-Charakteristik des MIM-Kondensators
von 1A,
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3A eine
erfindungsgemäße Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensatorstruktur,
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3B ein
Ersatzschaltbild der MIM-Kondensatorstruktur von 3A,
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4 eine
Layout-Ansicht einer Verdrahtung der MIM-Kondensatorstruktur von 3A,
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5A eine
Querschnittansicht eines erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreisbauelements entlang
einer Linie A-A' von 4,
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5B eine
Querschnittansicht des integrierten Schaltkreisbauelements entlang
einer Linie B-B' von 4 und
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6 eine
graphische Darstellung der Spannungs-Kapazitäts-Charakteristik der MIM-Kondensatorstruktur
von 3A.
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Die Erfindung wird im Folgenden unter
Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen vollständiger beschrieben,
in denen Ausführungsformen der
Erfindung gezeigt sind. In den Zeichnungen können die Dicken von Schichten
und Bereichen zwecks Deutlichkeit übertrieben dargestellt sein.
Außerdem umfasst
jede hierin beschriebene, und dargestellte Ausführungsform ebenso ihre Ausführungsform
vom komplementären
Leitfähigkeitstyp.
Gleiche Bezugszeichen beziehen sich überall auf sich entsprechende
Elemente. Es versteht sich, dass wenn ein Element, wie eine Schicht,
ein Bereich oder ein Substrat, als "auf" einem anderen Element bezeichnet
wird, dieses sich direkt auf dem anderen Element befinden kann oder
auch zwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Weiter versteht sich,
dass wenn ein Teil eines Elements, wie eine Oberfläche einer
leitfähigen
Leitung, als ein "äußerer" bezeichnet
wird, dieser sich dichter an der Außenseite des integrierten Schaltkreises
befindet als andere Teile des Elements. Des Weiteren können relative
Ausdrücke,
wie "unterhalb", hierin verwendet werden, um eine Beziehung einer
Schicht oder eines Bereichs zu einer anderen Schicht oder einem
anderen Bereich relativ zu einem Substrat oder einer Basisschicht
zu beschreiben, wie in den Figuren dargestellt. Es versteht sich, dass
diese Ausdrücke
dazu gedacht sind, verschiedene Orientierungen des Bauelements zusätzlich zu der
in den Figuren dargestellten Orientierung einzuschließen. Schließlich bedeutet
der Ausdruck "direkt", dass keine zwischenliegenden Elemente vorhanden
sind.
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3A zeigt
eine erfindungsgemäße Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensatorstruktur,
und 3B zeigt ein Ersatzschaltbild
der MIM-Kondensatorstruktur
von 3A. Bezugnehmend
auf die 3A und 3B beinhaltet diese Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensatorstruktur
einen ersten Kondensator 310 und einen zweiten Kondensator 320,
die antiparallel elektrisch miteinander verbunden sind. Der erste
Kondensator 310 beinhaltet eine erste untere Metallschicht 311,
eine erste dielektrische Schicht 312 und eine erste obere
Metallschicht 313. Die erste dielektrische Schicht 312 ist
zwischen der ersten unteren Metallschicht 311 und der ersten
oberen Metallschicht 313 angeordnet. Der zweite Kondensator 320 beinhaltet
eine zweite untere Metallschicht 321, eine zweite dielektrische
Schicht 322 und eine zweite obere Metallschicht 323.
Die zweite dielektrische Schicht 322 ist zwischen der zweiten unteren
Metallschicht 321 und der zweiten oberen Metallschicht 323 angeordnet.
Die erste und die zweite untere Metallschicht befinden sich auf
einem integrierten Schaltkreissubstrat, z.B. einem Halbleitersubstrat,
wie nachfolgend dargestellt.
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In entsprechenden Ausführungen
beinhalten die erste untere Metallschicht 311, die erste
obere Metallschicht 313, die zweite untere Metallschicht 321 und
die zweite obere Metallschicht 323 jeweils eine Metall schicht
mit einem geringen Widerstandswert. Die erste dielektrische Schicht 312 kann
eine SiO2-Schicht, eine SixNy-Schicht, eine SixOyFz Schicht, eine
SixOyNz Schicht
und/oder eine SixOyHz Schicht beinhalten. In gleicher Weise kann
die zweite dielektrische Schicht 322 eine SiO2- Schicht,
eine SixNy-Schicht,
eine SixOyFz Schicht, eine SixOyNZ-Schicht und/oder
eine SixOyHz Schicht beinhalten.
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In entsprechenden Ausführungsformen
sind die erste untere Metallschicht 311 des ersten Kondensators 310 mit
der zweiten oberen Metallschicht 323 des zweiten Kondensators 320 elektrisch
verbunden und die erste obere Metallschicht 313 des ersten
Kondensators 310 mit der zweiten unteren Metallschicht 321 des
zweiten Kondensators 320 elektrisch verbunden. In entsprechenden
Ausführungen
ist eine Spannung V an die erste obere Metallschicht 313 des
ersten Kondensators 310 und an die zweite untere Metallschicht 321 des
zweiten Kondensators 320 angelegt, indem diese Schichten
mit einem betreffenden Spannungsanschluss verbunden sind. Des Weiteren
können
die erste untere Metallschicht 311 des ersten Kondensators 310 und
die zweite obere Metallschicht 323 des zweiten Kondensators 320 geerdet
sein, indem diese Schichten mit einem Masseanschluss verbunden sind.
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Auf diese Weise ist die Gesamtkapazität CT der MIM-Kondensatorstruktur, bei welcher
der erste Kondensator 310 und der zweite Kondensator 320 antiparallel
miteinander verbunden sind, gleich der Summe der Kapazität C1 des ersten Kondensators 310 und
der Kapazität
C2 des zweiten Kondensators 320.
Die Kapazität
C1 des ersten Kondensators 310 variiert,
wenn sich die Spannung V ändert.
In ähnlicher
Weise variiert auch die Kapazität
C2 des zweiten Kondensators 320,
wenn sich die Spannung V ändert.
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6 zeigt
eine graphische Darstellung der Spannungs-Kapazitäts-Charakteristik
für die MIM-Kondensatorstruktur
von 3A. Wie daraus er sichtlich,
weist das Paar von MIM-Kondensatoren 310, 320,
die antiparallel elektrisch verbunden sind, eine geringere Kapazitätsschwankung
in Abhängigkeit
von der Spannung auf als jeder der einzelnen MIM-Kondensatoren 310, 320.
Genauer gesagt variieren gemäß 6 bei sich ändernder
Spannung V die Kapazität
C1 des ersten Kondensators 310 und die
Kapazität
C2 des zweiten Kondensators 320 invers.
In einer möglichen
Ausführungsform
nimmt die Kapazität
C1 des ersten Kondensators 310 mit
zunehmender Spannung V graduell ab, während die Kapazität C2 des zweiten Kondensators 320 graduell zunimmt.
Dies liegt daran, dass die Spannung V an den ersten Kondensator 310 beziehungsweise
den zweiten Kondensator 320 mit entgegengesetzter Polung
angelegt ist. Das heißt,
im Fall des ersten Kondensators 310 ist die Spannung V
an die erste obere Metallschicht 313 angelegt, im Fall
des zweiten Kondensators 320 ist die Spannung V jedoch
an die zweite untere Metallschicht 321 angelegt. In ähnlicher Weise
ist die erste untere Metallschicht 311 im Fall des ersten
Kondensators 310 geerdet, im Fall des zweiten Kondensators 320 ist
jedoch die zweite obere Metallschicht 323 geerdet.
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Dadurch variieren bei sich ändernder
Spannung V die Kapazität
C1 des ersten Kondensators 310 und
die Kapazität
C2 des zweiten Kondensators 320 invers,
und die Variationsfunktion kann im Wesentlichen gleich sein. Wie
in 3B gezeigt und zuvor
beschrieben, sind der erste Kondensator 310 und der zweite
Kondensator 320 antiparallel elektrisch miteinander verbunden,
so dass die Gesamtkapazität
CT gleich der Summe aus der Kapazität C1 des ersten Kondensators 310 und
der Kapazität
C2 des zweiten Kondensators 320 ist.
Demzufolge kompensieren sich eine Abnahme der Kapazität C1 und eine Zunahme der Kapazität C2 wenigstens teilweise. Dadurch wird die
Gesamtkapazität
CT selbst bei Zunahme der Spannung V auf
einem relativ konstanten Pegel gehalten oder ändert sich nur relativ wenig
als Funktion der Spannung. Insbeson dere weist das Paar von Metall-Isolator-Metall-Kondensatoren 310, 320,
die antiparallel elektrisch verbunden sind, eine geringere Kapazitätsschwankung
als Funktion der Spannung auf als jeder der einzelnen. MIM-Kondensatoren 310, 320.
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Wiederum bezugnehmend auf 3A versteht es sich, dass
die erste untere Metallschicht 311 und die zweite untere
Metallschicht 321 aus einem ersten und einem zweiten, vom
ersten beabstandeten Bereich einer ersten Metallschicht auf einem
integrierten Schaltkreissubstrat bestehen können. Außerdem können die erste dielektrische
Schicht 312 und die zweite dielektrische Schicht 322 aus
einem ersten und einem zweiten Bereich einer isolierenden Schicht
bestehen, wobei sich jeweils eine derselben auf dem ersten bzw.
dem zweiten Bereich der ersten Metallschicht auf der dem integrierten
Schaltkreissubstrat entgegengesetzten Seite befindet. Schließlich können die
erste obere Metallschicht 313 und die zweite obere Metallschicht 323 aus
einem ersten und einem zweiten Bereich einer zweiten Metallschicht bestehen,
wobei sich der jeweilige Bereich derselben auf dem ersten bzw. dem
zweiten Bereich der isolierenden Schicht auf der dem ersten und
dem zweiten Bereich der ersten Metallschicht entgegengesetzten Seite
befindet.
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4 zeigt
ein Layout einer Elektrodenverdrahtung, wenn eine MIM-Kondensatorstruktur
gemäß der Erfindung
in einem integrierten Schaltkreis verwendet wird. Die 5A und 5B zeigen Querschnittansichten des integrierten
Schaltkreises entlang der Linien A-A' bzw. B-B' von 4.
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Bezugnehmend auf 4 ist zunächst die erste untere Metallschicht 311 des
ersten Kondensators 310 angeordnet, und die erste obere
Metallschicht 313 ist über
der ersten unteren Metallschicht 311 angeordnet. Wenngleich
in 4 nicht gezeigt, ist
die erste dielektrische Schicht zwischen der ersten unteren Metallschicht 311 und
der ersten oberen Metallschicht 313 angeordnet. Ähnlich zu
der Struktur des ersten Kondensators 310 ist zunächst die
zweite untere Metallschicht 321 des zweiten Kondensators 320 angeordnet,
und die zweite obere Metallschicht 323 ist über der
zweiten unteren Metallschicht 321 angeordnet. Wenngleich
nicht gezeigt, ist die zweite dielektrische Schicht zwischen der
zweiten unteren Metallschicht 321 und der zweiten oberen
Metallschicht 323 angeordnet.
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Im in 4 oberen
Teil des Layouts steht die erste obere Metallschicht 313 über die
erste untere Metallschicht 311 hinaus vor, und in gleicher
Weise steht die zweite untere Metallschicht 321 über die zweite
obere Metallschicht 323 hinaus vor. Ein vorstehender Bereich
der ersten oberen Metallschicht 313 und ein vorstehender
Bereich der zweiten unteren Metallschicht 321 überlappen
einander und kontaktieren einander über einen Kontaktbereich 524'. Im
in 4 unteren Teil des
Layouts steht die erste untere Metallschicht 311 über die
erste obere Metallschicht 313 hinaus vor, und in gleicher
Weise steht die zweite obere Metallschicht 323 über die
zweite untere Metallschicht 321 hinaus vor. Ein Bereich
der ersten unteren Metallschicht 311 und ein vorstehender
Bereich der zweiten oberen Metallschicht 323 überlappen
einander und kontaktieren einander über einen Kontaktbereich 523'.
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Die zweite untere Metallschicht 321 und
die zweite obere Metallschicht 323 des zweiten Kondensators 320 beinhalten
Bereiche, die an verschiedenen Stellen vorstehen. Ein Kontaktgebiet 521' existiert
in dem vorstehenden Bereich der zweiten oberen Metallschicht 323,
und die zweite obere Metallschicht 323 kontaktiert dort
zum Beispiel das Substrat. In gleicher Weise existiert auch ein
Kontaktgebiet 522' in dem vorstehenden Bereich der zweiten
unteren Metallschicht 321, und die zweite untere Metallschicht 321 kontaktiert
dort zum Beispiel das Substrat.
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Die obige Kontaktstruktur wird unter
Bezugnahme auf die 5A und 5B detaillierter beschrieben.
Eine erste dielektrische Zwischenschicht (ILD-Schicht) 511 ist
auf einem integrierten Schaltkreissubstrat ausgebildet, wie einem
Halbleitersubstrat 500. In dem Halbleitersubstrat 500 kann
ein Störstellenbereich
enthalten sein, und verschiedene Schichten oder Bereiche können zwischen
das Halbleitersubstrat 500 und die erste ILD-Schicht 511 eingefügt sein,
wie dem Fachmann allgemein bekannt ist. Auf einem ersten Niveau
L1, das sich auf der Oberfläche
der ersten ILD-Schicht 511 befindet, sind voneinander beabstandete
Metallschichtstrukturen ausgebildet. Die voneinander beabstandeten
Metallschichtstrukturen bilden die erste untere Metallschicht 311 bzw.
die zweite untere Metallschicht 321. Eine zweite ILD-Schicht 512 ist
lateral zwischen der ersten unteren Metallschicht 311 und
der zweiten unteren Metallschicht 321 angeordnet, so dass
die erste untere Metallschicht 311 und die zweite untere
Metallschicht 321 elektrisch voneinander isoliert sind.
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Voneinander lateral beabstandete
dielektrische Schichtstrukturen sind auf der ersten unteren Metallschicht 311,
der zweiten unteren Metallschicht 321 und der zweiten ILD-Schicht 512 ausgebildet
und bilden die erste dielektrische Schicht 312 beziehungsweise
die zweite dielektrische Schicht 322. Eine dritte ILD-Schicht 513 unterscheidet
sich in entsprechenden Ausführungsformen
von der ersten dielektrischen Schicht 312 und der zweiten
dielektrischen Schicht 322 und ist lateral zwischen der
ersten dielektrischen Schicht 312 und der zweiten dielektrischen
Schicht 322 angeordnet. So sind die erste dielektrische
Schicht 312 und die zweite dielektrische Schicht 322 elektrisch
voneinander isoliert. Die erste dielektrische Schicht 312 kann
z.B. eine SiO2-Schicht, eine SixNy-Schicht,
eine SixOyFz-Schicht, eine SixOyNZ Schicht und/oder
eine Si-xOyHz-Schicht
beinhalten. In gleicher Weise kann die zweite dielektrische Schicht 322 eine
z.B. SiO2-Schicht, eine SixNy-Schicht, eine Si-xOyFz Schicht, eine SixOyNz Schicht und/oder
eine SixOyHz-Schicht beinhalten.
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Voneinander beabstandete Metallschichtstrukturen
sind des Weiteren auf einem zweiten Niveau L2 ausgebildet, das sich
auf den Oberflächen
der ersten dielektrischen Schicht 312, der zweiten dielektrischen
Schicht 322 und der dritten ILD-Schicht 513 befindet.
Die voneinander beabstandeten Metallschichtstrukturen bilden die
erste obere Metallschicht 313 bzw. die zweite obere Metallschicht 323.
Die erste obere Metallschicht 313 und die zweite obere
Metallschicht 323 sind elektrisch voneinander isoliert.
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Die zweite obere Metallschicht 323 kontaktiert
das Halbleitersubstrat 500, zum Beispiel einen aktiven
Bereich desselben, mittels eines ersten leitfähigen Kontakts 521,
der die erste ILD-Schicht 511, die zweite ILD-Schicht 512 und
die dritte ILD-Schicht 513 durchdringt. Die zweite untere
Metallschicht 321 kontaktiert das Halbleitersubstrat 500,
zum Beispiel einen aktiven Bereich desselben, mittels eines zweiten
leitfähigen
Kontakts 522, der die erste ILD-Schicht 511 durchdringt.
Die zweite obere Metallschicht 323 und die erste untere
Metallschicht 311 sind mittels eines dritten leitfähigen Kontakts 523 miteinander
verbunden, der die dritte ILD-Schicht 513 durchdringt.
Außerdem
sind die erste obere Metallschicht 313 und die zweite untere
Metallschicht 321 mittels eines vierten leitfähigen Kontakts 524 miteinander
verbunden, der die dritte ILD-Schicht 513 durchdringt.
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Demgemäß beschreiben die 4, 5A und 5B auch
Ausführungsformen
der Erfindung, bei denen die erste dielektrische Schicht 512 auf
einem integrierten Schaltkreissubstrat vorgesehen ist und der erste
Bereich 311 und der zweite, vom ersten beabstandete Bereich 321 der
ersten Metallschicht in der ersten dielektrischen Schicht 512 vorgesehen
sind. Die zweite dielektrische Schicht 513 ist auf der
ersten dielektrischen Schicht 512 vorgesehen. Der erste
Bereich 312 und der zweite, vom ersten Bereich 312 beabstandete
Bereich 322 der dielektrischen Kon densatorschicht sind
in der zweiten dielektrischen Schicht 513 vorgesehen, wobei
sich jeweils einer auf dem ersten bzw. dem zweiten Bereich 311, 321 der ersten
Metallschicht befindet. Außerdem
sind der erste Bereich 313 und der zweite, vom ersten beabstandete
Bereich 323 der zweiten Metallschicht vorgesehen, wobei
sich jeweils einer auf dem ersten bzw. dem zweiten, vom ersten beabstandeten
Bereich 322 der dielektrischen Kondensatorschicht befindet.
Der dritte leitfähige
Kontakt 523 verbindet den ersten Bereich 311 der
ersten Metallschicht elektrisch mit dem zweiten Bereich 323 der
zweiten Metallschicht über
die zweite dielektrische Schicht 513. Der vierte leitfähige Kontakt 524 verbindet
den zweiten Bereich 321 der ersten Metallschicht elektrisch mit
dem ersten Bereich 313 der zweiten Metallschicht über die
zweite dielektrische Schicht 513. Der erste leitfähige Kontakt 521 verbindet
den zweiten Bereich 323 der zweiten Metallschicht elektrisch
mit dem integrierten Schaltkreissubstrat 500 über die
erste und die zweite dielektrische Schicht 512 und 513.
Der zweite leitfähige
Kontakt 522 verbindet den zweiten Bereich 321 der
ersten Metallschicht elektrisch mit dem integrierten Schaltkreissubstrat 500.
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Wie vorstehend beschrieben, sind in MIM-Kondensatorstrukturen gemäß Ausführungsformen
der Erfindung die untere und die obere Elektrode eines ersten Kondensators
mit der oberen bzw. unteren Elektrode eines zweiten Kondensators
verbunden. Dadurch wird eine Schwankung der Kapazität, die durch
eine Änderung
von an beiden Enden eines Kondensators angelegten Spannungen verursacht
wird, wenigstens teilweise durch den ersten Kondensator und den
zweiten Kondensator kompensiert, und es kann eine konstantere Kapazität als Funktion
der Spannung erhalten werden. Somit gibt es nur eine geringe oder
keine Schwankung der Kapazität,
die durch eine Änderung
der Spannung verursacht wird, selbst wenn ein Halbleiterbauelement, das
die MIM-Kondensatorstruktur
beinhaltet, in Präzisionsanwendungen
eingesetzt wird, was die Stabilität des integrierten Schaltkreises
verbessern kann.