DE10321889A1

DE10321889A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung der Oberfläche eines flächigen Substrats

Info

Publication number: DE10321889A1
Application number: DE2003121889
Authority: DE
Inventors: Christian Schmid
Original assignee: Gebrueder Schmid GmbH and Co
Current assignee: Gebrueder Schmid GmbH and Co
Priority date: 2003-05-07
Filing date: 2003-05-07
Publication date: 2004-12-02
Also published as: TWI269672B; TW200424025A

Abstract

Die Verwendung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer Luftionisationseinrichtung (11), einer Elektrode (13) und einer im Abstand dazu angeordnete Gegenelektrode (16) sieht vor, dass zwischen den Elektroden Leiterplatten (20) durchgeführt werden. Die Leiterplatten können Sacklöcher (124) oder Bohrungen (126) aufweisen. Die Elektrode (13) wird mit einer hochfrequenten Hochspannung beaufschlagt, während die Gegenelektrode (16) geerdet ist. So bildet sich dazwischen eine elektrische Entladung, welche zu einer Plasmawolke (22) führt, mit der die Oberfläche der Leiterplatte (20) behandelt wird. Dabei kann insbesondere in Vertiefungen (124) oder Bohrungen (126) in der Leiterplatte (120) eine Reinigung erfolgen.

Description

Anwendungsgebiet und Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung einer Oberfläche eines flächigen Substrats mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1, eine Vorrichtung zur Behandlung der Oberfläche eines flächigen Substrats mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 4 sowie eine Verwendung einer Luftionisationseinrichtung zur Behandlung der Oberfläche eines flächigen Substrats.

Flächige Substrate, insbesondere Glas- oder Leiterplatten, müssen beispielsweise vor Beschichtungsverfahren oder anderen Bearbeitungen gereinigt werden. Insbesondere müssen Verunreinigungen von der Oberfläche entfernt werden. Diese Verunreinigungen können organische Rückstände sein, beispielsweise Fett. Bei Leiterplatten geht es insbesondere darum, Harzoberflächen oder Harzverunreinigungen aufzurauhen oder abzutragen oder Verunreinigungen aus Bohrungen entfernen. Des weiteren wird die Benetzbarkeit sowohl von Oberflächen und Boh rungen von Leiterplatten als auch von Glassubstraten, welche anschließend beschichtet werden sollen, verbessert.

Aufgabe und Lösung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein eingangs genanntes Verfahren, eine eingangs genannte Vorrichtung sowie eine eingangs genannte Verwendung zu schaffen, mit denen jeweils die Probleme des Standes der Technik gelöst werden können und insbesondere die Oberflächen von Substraten, wie beispielsweise Leiterplatten oder Glasplatten, behandelt, gereinigt oder konditioniert werden können, wobei dies auch in Bohrungen gründlich möglich sein soll.

Gelöst wird diese Aufgabe einerseits durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Vorteilhafte sowie bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der weiteren Ansprüche und werden im folgenden näher erläutert. Der Wortlaut der Ansprüche wird durch ausdrückliche Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.

Erfindungsgemäß wird die Oberfläche eines flächigen Substrates, insbesondere auch an Vertiefungen oder Bohrungen bzw. Löchern, mit Luftionisation bzw. Plasmaentladung behandelt. Hierzu wird eine elektrische Entladung einer hochfrequenten Hochspannung zwischen wenigstens einer Elektrode und wenigstens einer Gegenelektrode erzeugt, wobei diese Luftionisation oder Plasmaentladung nahe der Oberfläche des Substrats erzeugt wird. Dabei wird die Luft zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode unter die hochfrequente Hochspannung gesetzt. Steigt die Hochspannung dabei über einen Wert an, der von verschiedenen Faktoren wie Luftspalt zwischen den Elektroden oder Luftfeuchtigkeit abhängt, so wird die Luft leitfähig. Dabei fällt die Spannung stark ab. Beim kontinuierlichen Entladevorgang wird die Luft zwischen den Elektroden ionisiert und es entsteht eine Ionenstrahlung. Die Ionen wie derum werden durch die Spannung zwischen den Elektroden stark beschleunigt. Sie treffen so zumindest unter anderem derart angeregt auf die Oberfläche eines Substrats, dass die Oberfläche gereinigt, angerauht oder abgetragen wird. Eine solche Plasmabehandlung wird auch als Corona-Behandlung bezeichnet. Eine Reinigungswirkung wird auch in Vertiefungen oder Bohrungen erzielt.

Des weiteren wird durch die Entladung Ozon aus der Luft erzeugt. Hier ist es möglich, durch die Ionenstrahlung Verbindungen zwischen Molekülen, insbesondere organischen Molekülen, aufzutrennen. Die Bestandteile daraus oxidieren mit dem stark reaktiven atomaren Sauerstoff des Ozons. So können die Verunreinigungen gasförmig gemacht und eliminiert werden. Des weiteren wird durch die Behandlung der Oberfläche der Substrate mit ionisierter Luft ihre Benetzbarkeit wesentlich erhöht. So wird beispielsweise die Adhäsion von Beschichtungen verbessert.

Vorteilhaft ist eine Elektrode auf einer Seite eines Substrats und eine Gegenelektrode auf der anderen Seite vorgesehen. Vor allem sollte die Elektrode auf der zu behandelnden Seite des Substrats angeordnet sein.

Als vorteilhaft wird eine kontinuierliche Entladung der Hochspannung angesehen. Dieser Vorgang sollte zumindest so lange andauern, bis eine Oberfläche bzw. ein Substrat fertig behandelt ist. Des weiteren ist es möglich, die Luftionisation kontinuierlich zu erzeugen und Substrate quasi kontinuierlich oder ebenso kontinuierlich an der Luftionisation vorbeizuführen.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 4 löst ebenso die eingangs genannte Aufgabe. Die Vorrichtung weist eine Luftionisationseinrichtung auf mit einem Hochfrequenzgenerator und/oder einem Hochspannungstransformator. Diese dienen zur Erzeugung der hochfrequenten Hochspannung für die Plasmabehandlung.

Es ist von Vorteil, wenn die Substrate, insbesondere bei sehr dünnen Leiterplatten, flach liegend transportiert werden durch die Vorrichtung bzw. an der Vorrichtung vorbei. Dabei ist die Anordnung der Elektroden bezüglich des Substrats insbesondere derart, dass die Elektrode über und die Gegenelektrode unter den Substraten angeordnet sind.

Die Gegenelektrode ist vorteilhaft geerdet. Die Elektrode wiederum ist vorteilhaft nach außen hin elektrisch isoliert. Eine Elektrode kann länglich oder stabförmig ausgebildet sein. Sie kann quer zu einer Richtung verlaufen, entlang derer die Substrate transportiert werden. So ist eine Art Durchlaufbetrieb möglich. Für eine gleichmäßige Plasmabehandlung sollte eine Elektrode bei durchlaufenden Substraten mindestens die Breite der Substrate aufweisen. So können auch Randbereiche ausreichend behandelt werden.

Die Gegenelektrode kann einerseits feststehend sein. Dabei kann sie einerseits ortsfest sein und unbeweglich. Andererseits kann sie zwar ortsfest, aber rotierend ausgebildet sein, beispielsweise als Rolle. Des weiteren ist es möglich, dass sie flächig ausgebildet ist und unter oder zwischen einer Transporteinrichtung der Substrate angeordnet ist. Diese Transporteinrichtung ist vorteilhaft in Form von Transportwalzen ausgebildet, auf welchen die Substrate liegend transportiert werden nach Art von Rollenbahnen oder dergleichen. Eine fest angeordnete Gegenelektrode ist technisch relativ leicht zu realisieren.

Alternativ ist es möglich, dass wenigstens eine Gegenelektrode nicht starr bzw. bewegbar ist. Besonders vorteilhaft ist eine drehende Transportwalze als Gegenelektrode ausgebildet. So kann sie neben ihrer Funktion als Gegenelektrode dazu dienen, die Substrate durch die Vorrichtung zu transportieren.

Gemäß einer weiteren Alternative kann die Gegenelektrode an den Substraten elektrisch kontaktierend anliegen. Dabei ist sie vorzugsweise eine drehende Rolle, insbesondere eine Transportrolle zum Transport der Substrate durch die Vorrichtung. So bildet die Oberfläche der Substrate, jedenfalls soweit sie leitfähig ist, die Gegenelektrode für die Entladung und kann geerdet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungen der Erfindung ist es möglich, die Substrate einseitig oder auch beidseitig zu behandeln, möglichst vorteilhaft in einem Durchlauf. Dies kann durch verschiedene Zusammenstellungen der Anordnung der Elektrode und Gegenelektrode erfolgen. Darauf wird nachstehend bei der Besprechung der Figuren genauer eingegangen.

Des weiteren ist es Bestandteil der Erfindung, eine Luftionisationseinrichtung mit einem Hochfrequenzgenerator und/oder einem Hochspannungstransformator zur Erzeugung einer hochfrequenten Hochspannung für die Entladung zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode zur Behandlung der Oberfläche eines flächigen Substrats zu verwenden, wie es die Merkmale des Anspruchs 12 vorsehen. Mit einer solchen Luftionisationseinrichtung können durch Plasma- bzw. Corona-Behandlung die Oberflächen insgesamt, insbesondere im Bereich der Wandungen von Bohrungen, Sacklöchern oder Durchgangslöchern, beispielsweise bei Leiterplatten, verbessert behandelt werden. Insbesondere die Prozesse der Plating Through Hole (PTH)-Technik und Microvia-Technik, die zur Durchkontaktierung einer Leiterplatte erforderlich sind, können durch eine Corona-Behandlung unterstützt werden. Somit können als neue Verwendung nicht nur plane Oberflächen in einer äußeren Ebene behandelt werden, sondern auch Wandungen an Stellen, die tiefer in den Substraten liegen.

Hier ist es einerseits möglich, Harzoberflächen oder Harzverunreinigungen bei Leiterplatten aufzurauhen bzw. davon abzutragen, insbesondere auch komplett. Anstelle von Harz können auch andere dielektrische Schichten abgetragen werden. Dies kann vor nasschemischen Prozessen gemacht werden, insbesondere sogenannten Desmear-Prozessen, bei denen die Oberfläche und/oder Harz mit Permanganat angeätzt werden. Ebenso kann eine solche Luftionisations-Behandlung für andere dielektrische Zwischenschichten in dem gesamten Bereich der Leiterplattentechnik verwendet werden.

Des weiteren ist es möglich, Oberflächen von beispielsweise Leiterplatten durch Luftionisation zu reinigen, wodurch die Benetzbarkeit sowie Haftung von anschließend aufgetragenen Beschichtungen verbessert werden. Dies gilt vor allem für Kupferbeschichtungen, welche beispielsweise sogenannte chemische Kupferbeschichtungen sein können oder ein sogenannter Direct-Plate-Prozess bzw. Direktmetallisierungs-Prozess.

Die erfindungsgemäße Anwendung kann vor den Desmear-Prozessen und/oder vor dem Prozess zur Herstellung der Leitfähigkeit stattfinden.

Des weiteren ist es noch möglich, vor einer Galvanisierung von beispielsweise Leiterplatten mit Basiskupfer sowie leitfähigen Schichten, welche dünne Palladium- oder Kupferschichten sein können, in Bohrungen oder Löchern von Leiterplatten die erfindungsgemäße Anwendung durchzuführen. Dadurch wird die Benetzbarkeit der Leiterplatte mit Elektrolyt für die Galvanisierung an sich verbessert. Des weiteren wird die Haftung der galvanisierten Schicht auf dem Basiskupfer oder der leitfähigen Schicht verbessert.

Diese und weitere Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können, für die hier Schutz beansprucht wird. Die Unterteilung der Anmeldung in einzelne Abschnitte sowie Zwischen-Überschriften beschränken die unter diesen gemachten Aussagen nicht in ihrer Allgemeingültigkeit.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen schematisch dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Dabei zeigen:
1 eine Vorrichtung zur Behandlung einer Leiterplatte mit Luftionisation mit bewegbarer Gegenelektrode,
2 eine abgewandelte Vorrichtung mit feststehender Gegenelektrode,
3 eine Vergrößerung aus 2 mit Sacklöchern und Durchgangslöchern in einer Leiterplatte und
4 eine weitere abgewandelte Vorrichtung mit zwei feststehenden Elektroden und als Transportrollen ausgebildeten geerdeten Gegenelektroden.
Detaillierte Beschreibung der Ausführungsbeispiele
In 1 ist schematisch eine erfindungsgemäße Luftionisationseinrichtung 11 dargestellt. Sie weist eine Elektrode 13 auf, welche von einer Isolation 14 umgeben ist. Die Elektrode 13, die Gegenelektrode 16 sowie die Transportrollen 18 sollten sich über die gesamte Breite der Sub strate 20 in die Zeichenebene hinein erstrecken. An der Elektrode 13 liegt eine hochfrequente Hochspannung 23 an. Diese kann beispielsweise durch eine Anordnung eines Hochfrequenzgenerators sowie eines Hochfrequenztransformators erzeugt werden.
Unterhalb der Elektrode 13 ist eine Gegenelektrode 16 angeordnet. Diese ist geerdet. Zwischen Elektrode 13 und Gegenelektrode 16 läuft, von Transportrollen 18 getragen, ein Substrat 20 von rechts nach links. Hierbei funktioniert die Gegenelektrode 16 als weitere Transportrolle derart, dass das Substrat 20 auf der Gegenelektrode 16 aufliegt und von ihr getragen und weitertransportiert wird. Hierzu ist eine entsprechende Synchronisierung der rotierenden Gegenelektrode 16 mit den Transportrollen 18 notwendig. Das Substrat 20 kann eine Leiterplatte oder eine Glasplatte sein. Besonders bevorzugt werden Leiterplatten, insbesondere auch weil hier in vielen Fällen Bohrungen vorhanden sind. Hier wird nun die der Elektrode zugewandten Seite des Substrats behandelt, also eine einseitige Behandlung.
In der 2 ist schematisch eine Luftionisationseinrichtung 111 gemäß einer Abwandlung dargestellt. Eine entsprechende Elektrode 113 ist, von einer Isolation 114 umgeben, fest angeordnet. Unterhalb der Elektrode 113 ist eine fest angeordnete und unbewegliche Gegenelektrode 116 angeordnet. Die Gegenelektrode 116 ist geerdet. Die Entladung findet auf beiden Seiten des Substrates statt, somit wird es auch beidseitig behandelt.
Des weiteren sind angetriebene Transportrollen 118 vorgesehen, auf welchen ein Substrat 120 horizontal liegend transportiert wird. Dabei läuft das Substrat 120 zwischen Elektrode 113 und Gegenelektrode 116 durch, entsprechend 1.
In 3 ist schematisch in starker Vergrößerung aus 2 dargestellt, wie in der Leiterplatte 120 Sacklöcher 124 und Durchgangslöcher 126 vorgesehen sein können. Diese sind auf dem Gebiet von Leiterplatten bekannt, insbesondere zur Durchkontaktierung von Stapeln von aufeinandergelegten Leiterplatten 120. Sie können auf der Oberseite und auf der Unterseite der Leiterplatte vorgesehen sein. Des weiteren können sie sowohl in geraden Ausführungen als auch schräg oder zulaufend oder sich erweiternd ausgebildet sein.
Die Sacklöcher 124 und Durchgangslöcher 126 weisen Wandungen 128 auf. Die Sacklöcher 124 weisen auch noch Lochböden 130 auf, die an sich ja Wandungen sind. Auch diese Wandungen 128 und Lochböden 130 müssen von Verunreinigungen gereinigt werden. Wegen der oftmals geringen Durchmesser der Löcher 124 und 126 eignet sich die erfindungsgemäße Verwendung der Ionisation zur Reinigung sehr gut. Auch in den Löchern wirkt die Ionisation bzw. Plasmaentladung und treibt Verunreinigungen aus, insbesondere nachdem sie zergast worden sind.
Die 4 zeigt schematisch eine weitere Abwandlung einer Ionisationseinrichtung 211. Dabei sind zwei Elektroden 213 oberhalb und unterhalb der Substrate 220 angeordnet. Sie sind im Prinzip wie zuvor ausgebildet. An ihnen liegt die vorbeschriebene hochfrequente Hochspannung 223 an. Die Gegenelektroden haben eine Form der Transportwalzen 216 und sind geerdet. Durch Kontaktierung mit der Oberfläche der Leiterplatte 220 wird die Leiterplattenoberfläche geerdet und wirkt direkt als Gegenelektrode.
Eine Plasmawolke 222 bildet sich hier auch jeweils zwischen Elektrode 213 und Oberfläche der Leiterplatte 220. Somit wird in einem Durchlauf sowohl die Ober- als auch die Unterseite des Substrats behandelt, also eine beidseitige Behandlung.
Funktion
Beim Ausführungsbeispiel nach 1 wird nur eine Seite des Substrats behandelt. Bei Anordnungen nach 2 und 4 werden beide Seiten in einem Durchlauf behandelt.
Es wird auf an sich bekannte Art und Weise durch die an der Elektrode 13 anliegende hochfrequente Hochspannung 23 eine Luftionisation bzw. Plasmaentladung 22 zwischen Elektrode 13 und Gegenelektrode 16 an der Oberseite des Substrats erzeugt. Diese Plasmaentladung 22 findet auf der oberen Oberfläche des Substrats 20 statt bzw. wirkt auf diese ein. Ebenso wirkt sie auf Ausnehmungen in der Oberfläche wie Sacklöcher 124 oder Durchgangslöcher 126 ein. Dadurch werden die vorgenannten einseitigen Behandlungsmöglichkeiten für diese Oberfläche bzw. das Substrat ermöglicht.
Bei den 2 und 4 bildet sich eine Corona-Entladung auch zwischen der Unterseite der Elektrode 113 und der unteren Oberfläche des Substrats 120, welche zur Ionisation der dort befindlichen Luft und somit zu einer Art Plasmawolke 122 bzw. 222 führt. So entsteht eine beidseitige Behandlung. Diese Plasmawolke bewirkt die eingangs genannte Behandlung der Oberfläche und der Ausnehmungen der Substrate.
Für die Funktion der geerdeten Gegenelektrode 16, 116 bzw. 216 spielt es keine Rolle, ob sie feststehend oder rotierend ist oder sich anderweitig bewegt. Sie kann sogar an der Leiterplattenoberfläche anliegen und diese somit selber zur Gegenelektrode machen bzw. erden.

Claims

Verfahren zur Behandlung der Oberfläche eines flächigen Substrats (20, 120, 220), insbesondere einer Leiterplatte, zur Beseitigung von Verunreinigungen von der Oberfläche oder zur Verbesserung der Benetzbarkeit der Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche mit einer Luftionisation (22, 122, 222) durch elektrische Entladung einer Hochspannung zwischen wenigstens einer Elektrode (13, 113, 213) und wenigstens einer Gegenelektrode (16, 116, 216) behandelt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Entladung der Hochspannung kontinuierlich ist, mindestens für eine Oberfläche bzw. ein Substrat (20, 120, 220), wobei insbesondere zur Behandlung mehrerer Substrate hintereinander die Entladung kontinuierlich fortläuft.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Entladung in Luftatmosphäre mit normaler Luftfeuchtigkeit stattfindet, wobei im Bereich der Oberfläche des Substrats (20, 120, 220) Ozon erzeugt wird und daraus stark reaktiver atomarer Sauerstoff erzeugt wird, der die Bestandteile von Molekülen von Verunreinigungen an dem Substrat (20, 120, 220) oxidiert und gasförmig macht.
Vorrichtung zur Behandlung der Oberfläche eines flächigen Substrats (20, 120, 220), insbesondere einer Leiterplatte, zur Beseitigung von Verunreinigungen von der Oberfläche oder zur Verbesserung der Benetzbarkeit der Oberfläche, insbesondere mit einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Luftionisationseinrichtung (11, 111, 211) mit einer Elektrode (13, 113, 213) und einer Gegenelektrode (16, 116, 216), in deren Bereich sich das Substrat befindet, wobei die Luftionisationseinrichtung einen Hochfrequenzgenerator und/oder einen Hochspannungstransformator aufweist zur Erzeugung einer hochfrequenten Hochspannung für eine Entladung (22, 122, 222) der Hochspannung zwischen Elektrode und Gegenelektrode.
Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen Transport des Substrats (20, 120) flachliegend durch die Vorrichtung, wobei die Elektrode (13, 113) auf einer Seite und die Gegenelektrode (16, 116) auf der anderen Seite des Substrats angeordnet ist, insbesondere die Elektrode über der zu behandelnden Seite des Substrats und die Gegenelektrode unter dem Substrat oder anliegend an der Unterseite des Substrats.
Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektrode (116) derart mit Abstand unter dem Substrat (120) angeordnet ist, dass eine Behandlung durch Entladung (122) auch an der Unterseite des Substrats erfolgt.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektrode (116) feststehend ist, wobei sie vorzugsweise flächig ausgebildet ist und insbesondere unter oder zwischen Transportrollen (118) der Vorrichtung zum Transport des Substrats (120) durch die Vorrichtung angeordnet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektrode (16, 216) bewegbar ist, wobei sie vorzugsweise eine drehende Transportrolle zum Transport des Substrats (20, 220) durch die Vorrichtung ist.
Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektrode (16, 216) derart an dem Substrat (20, 220) anliegt, dass eine Behandlung durch Entladung (22, 222) zwischen Elektrode (13, 213) und einer Oberfläche des Substrats erfolgt,
Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektrode (16, 216) an einem Substrat (20, 220) elektrisch kontaktierend anliegt, wobei sie vorzugsweise eine drehende Rolle ist, insbesondere eine Transportrolle zum Transport des Substrats durch die Vorrichtung (11, 211).
Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (213) und die Gegenelektrode (216) auf derselben Seite des Substrats (220) angeordnet sind, wobei insbesondere eine solche Anordnung an der Oberseite und eine solche Anordnung an der Unterseite des Substrats vorgesehen ist zur beidseitigen Behandlung des Substrats.
Verwendung einer Luftionisationseinrichtung, insbesondere nach einem der Ansprüche 4 bis 11, zur Behandlung der Oberfläche eines flächigen Substrats (20, 120, 220), insbesondere einer Leiterplatte, zur Beseitigung von Verunreinigungen von der Oberfläche oder zur Verbesserung der Benetzbarkeit der Oberfläche.
Verwendung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine Behandlung der leitfähigen Oberfläche einer Leiterplatte (20, 120, 220), insbesondere Kupferoberfläche, vor einer Galvanisierung der Leiterplatte bzw. der Oberfläche.
Verwendung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Behandlung von Substraten vor Beschichtungspro zessen, insbesondere chemischem Kupfer oder Direktmetallisierung, sowie vor Desmear-Prozessen vorgesehen ist.
Verwendung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass Harz oder andere dielektrische Zwischenschichten an einer Substratoberfläche aufgerauht oder abgetragen werden.
Verwendung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate (20, 120, 220) Ausnehmungen (124, 126) in einer oder beiden Seiten aufweisen und die Wände (128) und/oder Böden (130) der Ausnehmungen von der Entladung (22, 122) erreicht werden zur Beseitigung von Verunreinigungen daran.
Verwendung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmungen Sacklöcher (124) oder Bohrungen (126) sind, insbesondere zylindrisch bzw. gerade.