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DE10302665A1 - Projection exposure system with a lighting system - Google Patents

Projection exposure system with a lighting system Download PDF

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Publication number
DE10302665A1
DE10302665A1 DE2003102665 DE10302665A DE10302665A1 DE 10302665 A1 DE10302665 A1 DE 10302665A1 DE 2003102665 DE2003102665 DE 2003102665 DE 10302665 A DE10302665 A DE 10302665A DE 10302665 A1 DE10302665 A1 DE 10302665A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
purge gas
gas flow
projection
light source
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2003102665
Other languages
German (de)
Inventor
Otto Dipl.-Ing. Hahnemann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE2003102665 priority Critical patent/DE10302665A1/en
Priority to PCT/EP2004/000330 priority patent/WO2004066455A2/en
Publication of DE10302665A1 publication Critical patent/DE10302665A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

Eine Projektionsbelichtungsanlage (1) ist mit einer Beleuchtungseinrichtung (3) mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht imitierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv (7), mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle (5) angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer (2) angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektivs (7) und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene, versehen. Wenigstens eine Einrichtung (25, 32, 33, 27) zur Überwachung wenigstens eines Spülgasstromes, die bei Unterschreiten einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge die Strahlung der Lichtquelle zu dem Projektionsobjektiv (7) unterbricht, ist vorgesehen.A projection exposure system (1) has an illumination device (3) with a light source, in particular a laser that imitates UV light, with a projection objective (7), with a reticle plane in which a reticle (5) is arranged, with a wafer -Level in which a wafer (2) is arranged and provided with a purge gas system for purging the interior of the projection objective (7) and / or the outer areas, in particular the reticle level and the wafer level. At least one device (25, 32, 33, 27) for monitoring at least one purge gas flow, which interrupts the radiation from the light source to the projection objective (7) when the purge gas flow falls below a predetermined value, is provided.

Description

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht emittierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv, mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektives und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene.The invention relates to a projection exposure system with an illumination system with a light source, in particular a UV light emitting laser, with a projection lens, with a reticle plane in which a reticle is arranged with a wafer level, in which a wafer is arranged, and with one purge gas system for rinsing the interior of the projection lens and / or the outer areas, especially the reticle level and the wafer level.

Eine Projektionsbelichtungsanlage dieser Art ist z.B. aus der EP 0660188 B1 bekannt. Da insbesondere UV-Licht beim Bestrahlen dazu führt, dass Verunreinigungen in der Luft zu Ablagerungen auf den optischen Elementen in der Projektionsbelichtungsanlage führen, z.B. in Verbindung mit Entspiegelungsschichten zur Salzbildung, was zu starken Beeinträchtigungen und letztlich zu einem Ausfall der Projektionsbelichtungsanlage führt. Aus diesem Grunde muss dafür gesorgt werden, dass derartige Ablagerungen vermieden werden. Dies wird durch ein oder mehrere Spülgassysteme erreicht. Da das Projektionsobjektiv selbst der besonders gefährdete Teil der Anlage ist, ist es bekannt dessen Innenraum vollständig zu spülen. Hierzu wird an einer Stelle über entsprechende Zuleitungen Spülgas zugeführt und an einer anderen, von der Einleitung entfernten Stelle das Spülgas derart abgeführt, dass der komplette Innenraum oder wenigstens der Bereich, in welchem sich optische Elemente befinden, gespült wird.A projection exposure system of this type is, for example, from the EP 0660188 B1 known. Since UV light in particular when irradiated leads to impurities in the air leading to deposits on the optical elements in the projection exposure system, for example in conjunction with anti-reflective layers for salt formation, which leads to severe impairments and ultimately to failure of the projection exposure system. For this reason, it must be ensured that such deposits are avoided. This is achieved through one or more purge gas systems. Since the projection lens itself is the most vulnerable part of the system, it is known to completely rinse its interior. For this purpose, purging gas is fed in at one point via corresponding supply lines and the purging gas is discharged at another point away from the introduction such that the entire interior or at least the area in which optical elements are located is purged.

Aus dem Patent Abstract of Japan 200124109 A ist es bekannt, die Sauerstoffkonzentration im Spülgas zu überwachen und ggf. bei Überschreitung von Grenzwerten die Strahlung zu unterbrechen.From the Patent Abstract of Japan 200124109 A it is known to monitor the oxygen concentration in the purge gas and if necessary if exceeded to interrupt the radiation by limit values.

Bekannt ist es auch über die Reticle-Ebene und über die Wafer- Ebene Spülgas strömen zu lassen. Da es sich dabei um äußere Bereiche der Anlage handelt, wird hier eine offene Spülung mit einer oder mehreren Zuführdüsen verwendet, wobei die Abfuhr von Spülgas mehr oder weniger „unkontrolliert" erfolgt. Es ist aber auch bereits hier vorgeschlagen worden, diese beiden Ebenen abzukapseln und gezielt mit Spülgas zu versorgen. Voraussetzung für die Vermeidung von Ablagerungen auf optischen Elementen ist dabei eine einwandfreie Funktion des Spülgassystemes.It is also known about the Reticle level and over the wafer level purge stream allow. Since these are external areas system, there is an open flush with one or more Feed nozzles used, taking the purge gas more or less "uncontrolled". It is but these two levels have already been proposed here encapsulate and targeted with purge gas to supply. Requirement for Avoiding deposits on optical elements is one of them perfect functioning of the purge gas system.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, bei einer Projektionsbelichtungsanlage der eingangs erwähnten Art Maßnahmen vorzusehen, die bei fehlerhaft arbeitenden Spülgassystemen Ablagerungen an optischen Elementen verhindern.The present invention lies therefore the task is based on a projection exposure system the one mentioned at the beginning Kind of measures to provide the deposits in the case of faulty purging gas systems prevent optical elements.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch wenigstens eine Einrichtung zur Überwachung wenigstens eines Spülgasstromes mit einem Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht emittierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv, mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektives und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene.According to the invention, this object is achieved by at least one device for monitoring at least a purge gas flow with an illumination system with a light source, in particular a UV light emitting laser, with a projection lens, with a reticle plane in which a reticle is arranged with a wafer level, in which a wafer is arranged, and with one purge gas system for rinsing the interior of the projection lens and / or the outer areas, especially the reticle level and the wafer level.

Durch die wenigstens eine erfindungsgemäße Einrichtung zur Überwachung des Spülgasstroms wird auf diese Weise ein Überwachungssystem geschaffen, das dafür sorgt, dass die Projektionsbelichtungsanlage durch Unterbrechung der Strahlung der Lichtquelle mehr oder weniger funktionslos geschaltet wird. Auf diese Weise wird vermieden, dass trotz Ausfall oder Beeinträchtigung des Spülgasstromes die Projektionsbelichtungsanlage weiter betrieben wird und es zu Ablagerungen an optischen Elementen kommen kann, welche nur auf umständliche Weise wieder entfernt werden können.By the at least one device according to the invention for surveillance of the purge gas flow in this way a surveillance system created that for that ensures that the projection exposure system by interruption the radiation of the light source switched more or less without function becomes. In this way it is avoided that despite failure or impairment of the purge gas flow Projection exposure system continues to operate and there is deposits can come on optical elements, which are only cumbersome Way can be removed again.

Die Überwachung des oder der Spülgasströme kann auf vielfältige Weise erfolgen. Eine Möglichkeit hierfür besteht zum Bei spiel in dem Einsatz von Sensoren, die die Spülgasdurchflussmenge oder den Druck des Spülgases messen. Hierfür sind zum Beispiel Massendurchflussmesser oder auch Druckabfallerkennungsgeräte, wie Drucksensoren, geeignet.The monitoring of the purge gas flow or flows can to diverse Way. A possibility therefor consists, for example, in the use of sensors that determine the purge gas flow rate or the pressure of the purge gas measure up. Therefor are, for example, mass flow meters or pressure drop detection devices such as Pressure sensors, suitable.

Über derartige Sensoren können Änderungen der Spülgasdurchflussmenge an eine Steuereinrichtung weitergegeben werden, die beim Unterschreiten des vorgegebenen Wertes ein Abschaltsignal an das Beleuchtungssystem mit der Lichtquelle gibt.about such sensors can make changes the purge gas flow rate be passed on to a control device that falls below a switch-off signal to the lighting system of the predetermined value with the light source there.

In einer sehr vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die Steuereinrichtung mit einer Zeitschalteinrichtung versehen ist, die erst nach Überschreiten einer vorgegebenen Zeit den Abschaltimpuls an das Beleuchtungssystem mit der Lichtquelle weitergibt. Auf diese Weise wird vermieden, dass es auch bei einer kurzfristigen Unterbrechung oder bei einem kurzfristigen Abfall der Spülgasdurchflussmenge bereits zu einem Abschalten der Lichtquelle oder einer Unterbrechung des Strahlenganges zu dem Projektionsobjektiv kommt.In a very advantageous training The invention can provide that the control device with a time switch is provided, which only after exceeding the switch-off pulse to the lighting system at a predetermined time with the light source. This way you avoid that even if there is a short-term interruption or short-term drop in the purge gas flow rate already to switch off the light source or an interruption of the beam path comes to the projection lens.

Zusätzlich kann noch vorgesehen sein, dass vor Einleitung des ersten Schrittes vor einer Aktivierung des einführbaren Shutters ein Warnsignal, z.B. eine optische oder akustische Warneinrichtung aktiviert wird, um dem Bedienungs-/oder Wartungspersonal die Möglichkeit zu geben eine begonnene Belichtung auf dem Wafer noch abzuschließen. Erst anschließend wird entsprechend zeitverzögert der Shutter in den Strahlengang eingeführt.In addition, can also be provided be that before initiating the first step before activation of the importable Shutters a warning signal, e.g. an optical or acoustic warning device is activated to give the operating or maintenance personnel the option to give a started exposure on the wafer still complete. First subsequently is delayed accordingly the shutter is inserted into the beam path.

Zusätzlich zu der vorstehend genannten Zeitschalteinrichtung oder alternativ dazu kann an einer beliebigen Stelle in den Strahlengang ein Shutter als Abdeckblende in den Strahlengang eingebracht werden, wodurch der weitere Strahlengang zu den gefährdeten optischen Elementen unterbrochen wird. Erst dann, wenn sich ergeben sollte, dass es sich bei der Störung des Spülgasstromes nicht nur um eine kurzzeitige Unterbrechung handelt oder dass diese nicht innerhalb kurzer Zeit behoben werden kann, kommt es in einem zweiten Schritt zur Abschaltung des Lasers.In addition to the above-mentioned time switching device or alternatively, a shutter can be introduced into the beam path at any point in the beam path, as a result of which the further beam path to the endangered optical elements is interrupted. Only if it should emerge that the purging gas flow disturbance is not just a brief interruption or that it is cannot be remedied within a short time, the laser is switched off in a second step.

Auf diese Weise wird der Aufwand bei einem nur kurzfristigem Ausfall oder einer kleinen Störung im Spülgassystem, der durch ein erneutes Einschalten und Anfahren der Lichtquelle verursacht würde, gegebenenfalls reduziert.This way the effort in the event of a short-term failure or a minor malfunction in the purge gas, by switching the light source on again and moving on would be caused, if necessary reduced.

Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus dem nachfolgend anhand der Zeichnung prinzipmäßig beschriebenen Ausführungsbeispiel.Advantageous further training and Refinements of the invention result from the following the drawing described in principle Embodiment.

Die einzige Figur zeigt eine Prinzipdarstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, welche zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtete Wafer verwendbar ist.The only figure shows a schematic diagram a projection exposure system for microlithography, which for the exposure of structures with photosensitive materials coated wafer is usable.

Dargestellt ist eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Diese dient zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend aus Silizium besteht und als Wafer 2 bezeichnet wird, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Computerchips.A projection exposure system is shown 1 for microlithography. This serves for the exposure of structures on a substrate coated with photosensitive materials, which generally consists predominantly of silicon and as a wafer 2 is referred to for the production of semiconductor components, such as computer chips.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 besteht dabei im wesentlichen aus einer Beleuchtungseinrichtung 3, einer Einrichtung 4 zur Aufnahme und exakten Positionierung einer mit einer gitterartigen Struktur versehenen Maske, einem sogenannten Reticle 5, durch welches die späteren Strukturen auf dem Wafer 2 bestimmt werden, einer Einrichtung 6 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 2 und einer Abbildungseinrichtung nämlich einem Projektionsobjektiv 7 mit mehreren optischen Elementen, wie z.B. Linsen 8, die über Fassungen 9 in einem Objektivgehäuse 10 des Projektionsobjektives 7 gelagert sind.The projection exposure system 1 consists essentially of a lighting device 3 , a facility 4 for recording and exact positioning of a mask with a grid-like structure, a so-called reticle 5 , through which the later structures on the wafer 2 be determined, a facility 6 for holding, moving and exact positioning of this wafer 2 and an imaging device namely a projection lens 7 with several optical elements, such as lenses 8th who have versions 9 in a lens housing 10 of the projection lens 7 are stored.

Das grundsätzliche Funktionsprinzip sieht dabei vor, dass die in das Reticle 5 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 2 mit einer Verkleinerung der Strukturen belichtet werden.The basic principle of operation is that the reticle 5 introduced structures on the wafer 2 can be exposed with a reduction in the size of the structures.

Nach einer erfolgten Belichtung wird der Wafer 2 in Pfeilrichtung weiterbewegt, so dass auf demselben Wafer 2 eine Vielzahl von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle 5 vorgegebenen Struktur, belichtet wird. Aufgrund der schrittweisen Vorschubbewegung des Wafers 2 in der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird diese häufig auch als Stepper bezeichnet.After exposure is complete, the wafer 2 moved in the direction of the arrow so that on the same wafer 2 a variety of individual fields, each with the one through the reticle 5 given structure, is exposed. Due to the gradual feed movement of the wafer 2 in the projection exposure system 1 this is often referred to as a stepper.

Die Beleuchtungseinrichtung 3 stellt einen für die Abbildung des Reticles 5 auf dem Wafer 2 benötigten Projektionsstrahl 11, beispielsweise Licht oder eine ähnliche elektromagnetische Strahlung, bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in der Beleuchtungseinrichtung 3 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 11 beim Auftreffen auf das Reticle 5 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.The lighting device 3 provides one for mapping the reticle 5 on the wafer 2 required projection beam 11 , for example light or a similar electromagnetic radiation. A laser or the like can be used as the source for this radiation. The radiation is in the lighting device 3 shaped over optical elements so that the projection beam 11 when hitting the reticle 5 has the desired properties with regard to diameter, polarization, shape of the wavefront and the like.

Über den Projektionsstrahl 11 wird ein Bild des Reticles 5 erzeugt und von dem Projektionsobjektiv 7 entsprechend verkleinert auf den Wafer 2 übertragen, wie bereits vorstehend erläutert wurde. Das Projektionsobjektiv 7 weist eine Vielzahl von einzelnen refraktiven und/oder diffraktiven optischen Elementen, wie z.B. Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen auf.About the projection beam 11 becomes an image of the reticle 5 generated and from the projection lens 7 reduced accordingly to the wafer 2 transferred, as already explained above. The projection lens 7 has a large number of individual refractive and / or diffractive optical elements, such as, for example, lenses, mirrors, prisms, end plates and the like.

Im Bereich einer Stirnseite des Projektionsobjektives 7, zum Beispiel in der Nähe des Eingangsbereiches des Strahlenganges, befindet sich eine Zuleitung 20, die mit einer nicht näher dargestellten Druckquelle 21 verbunden ist. Durch die Druckquelle 21 wird Spülgas in das Innere des Projektionsobjektives 7 eingeleitet. An dem der Eingangsseite gegenüberliegenden Ende des Projektionsobjektives 7, im vorliegenden Falle im Ausgangsbereich der zu dem Wafer 2 führenden Belichtungsstrahlung, befindet sich eine Ausgangsleitung 22 für das Spülgas. Auf die genaue Spülgasführung im Innenraum des Projektionsob jektives 7 wird hier nicht näher eingegangen, da diese aus dem Stand der Technik bekannt ist. Bei der Spülung des Innenraumes wird dafür gesorgt, dass die sich darin befindenden optischen Elemente 9 von dem Spülgasstrom überstrichen werden. Als Spülgas wird neben Luft häufig auch für eine höhere Reinhaltung Stickstoff oder Helium verwendet.In the area of one end of the projection lens 7 For example, there is a feed line near the entrance area of the beam path 20 that with a pressure source not shown 21 connected is. Through the pressure source 21 becomes purge gas inside the projection lens 7 initiated. At the end of the projection lens opposite the input side 7 , in the present case in the exit area to the wafer 2 leading exposure radiation, there is an output line 22 for the purge gas. On the precise purge gas flow in the interior of the projection lens 7 is not discussed in detail here, since this is known from the prior art. When flushing the interior, it is ensured that the optical elements located therein 9 are swept by the purge gas stream. In addition to air, nitrogen or helium is often used as the purge gas for higher purity.

Zur Spülung des Bereiches um das Reticle 5 und um den Wafer 2 sind Spülgasleitungen 23 und 24 vorgesehen, die mit einer oder mehreren Austrittsdüsen versehen sind, durch die Spülgas in den Bereich der Reticle-Ebene und in den Bereich der Wafer-Ebene eingebracht wird. Zur Einleitung von Spülgas sind hier ebenfalls separate Druckquellen 21 oder auch eine gemeinsame Druckquelle vorgesehen.For flushing the area around the reticle 5 and around the wafer 2 are purge gas lines 23 and 24 provided, which are provided with one or more outlet nozzles through which purge gas is introduced into the area of the reticle level and into the area of the wafer level. There are also separate pressure sources for introducing purge gas 21 or provided a common pressure source.

Zur Überwachung auf eine einwandfreie Funktion des Spülgassystemes bezüglich der Einhaltung einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge findet sich im Ausgangsbereich des Projektionsobjektives 7, zum Beispiel in der Ausgangsleitung 22 ein Massendurchflussmesser 25 als Sensor. Der Massendurchflussmesser 25 ist über eine Steuerleitung 26 mit einer Kontroll- und Steuereinrichtung 27 verbunden, welche wiederum über eine Steuerleitung 28 mit einer Abschalteinrichtung 29 für die Lichtquelle der Beleuchtungseinrichtung für deren Aktivierung verbunden ist. Eine weitere Steuerleitung 30 führt von der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 zu einem Shutter 31, welches in dem Strahlengang 11 der Projektionsbelichtungsanlage 1 bei dessen Aktivierung über ein nicht näher dargestelltes Betätigungsglied eingeschoben werden kann.To monitor the proper functioning of the purge gas system with regard to compliance with a predetermined purge gas flow rate, there is in the exit area of the projection lens 7 , for example in the output line 22 a mass flow meter 25 as a sensor. The mass flow meter 25 is via a control line 26 with a control device 27 connected, which in turn via a control line 28 with a shutdown device 29 is connected to the light source of the lighting device for its activation. Another control line 30 leads from the control device 27 to a shutter 31 which is in the beam path 11 the projection exposure system 1 when activated, it can be inserted via an actuator, not shown.

Selbstverständlich kann der Massendurchflussmesser 25 auch in der Leitung 20 angeordnet sein. Seine Anordnung in der Ausgangsleitung 22 hat jedoch den Vorteil, dass damit sicher erkannt wird, ob durch das gesamte Projektionsobjektiv 7 die vorgegebene Spülgasdurchflussmenge fließt. Bei einer Anordnung in der Zulaufleitung würden sich eventuelle Störungen, wie zum Beispiel Leckagen, in dem Projektionsobjektiv 7, welche die geforderte Spülgasdurchflussmenge reduzieren, nicht erkennen lassen. Wenn in den Spülgasleitungen 23 und 24 ebenfalls Sensoren, zum Beispiel in Form von Massendurchflussmesser 32 und 33 angeordnet sind, welche ebenfalls über Steuerleitungen 34 und 35 mit der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 verbunden sind, ist das gesamte Spülgassystem überwacht.Of course, the mass flow meter 25 also on the line 20 be arranged. Its arrangement in the output line 22 has the advantage, however, that it reliably detects whether through the entire projection lens 7 the predetermined purge gas flow rate flows. If there were an arrangement in the supply line, any faults, such as leaks, would occur in the projection lens 7 , which reduce the required purge gas flow rate, cannot be identified. If in the purge gas lines 23 and 24 also sensors, for example in the form of mass flow meters 32 and 33 are arranged, which are also via control lines 34 and 35 with the control device 27 the entire purge gas system is monitored.

Anstelle von Massendurchflussmesser als Sensoren können selbstverständlich auch andere Messglieder verwendet werden, die Störungen in der Spülgasdurchflussmenge erkennen und diese entsprechend weitermelden. Eine weitere Möglichkeit hierfür sind zum Beispiel Druckabfallerkennungsgeräte, die in den Spülgasleitungen angeordnet sind. Ebenso können auch die Druckquellen 21 hinsichtlich einer einwandfreien Funktion für diesen Zweck überwacht werden.Instead of mass flow meters as sensors, it is of course also possible to use other measuring elements that detect disturbances in the purge gas flow rate and report them accordingly. Another possibility for this are, for example, pressure drop detection devices which are arranged in the purge gas lines. The pressure sources can also be used 21 be monitored for proper functioning for this purpose.

Zusätzlich kann die Kontroll- und Steuereinrichtung 27 noch mit einer Zeitschalteinrichtung 36 versehen sein.In addition, the control and control device 27 still with a timer 36 be provided.

Erkennt nun einer der Massendurchflussmesser 25, 32 oder 33 einen Abfall in der Spülgasdurchflussmenge, so wird eine akustische oder optische Warneinrichtung aktiviert, wodurch das Bedien-/oder Wartungspersonal eine eventuell begonnene Belichtung auf dem Wafer noch abschließen kann. Anschließend wird in der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 bei Unterschreiten der vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge in einem ersten Schritt das Shutter 31 derart aktiviert, dass es in den Strahlengang 11 der Lichtquelle eingeschoben wird. Befindet sich dabei das Shutter 31 im Strahlengang vor der Reticle-Ebene, so ist der gesamte nachfolgende Bereich vor den schädigenden UV-Strahlen geschützt. Wird die Störung in der Spülgasdurchflussmenge nicht innerhalb einer vorgegebenen Frist beseitigt, so kommt es in einem zweiten Schritt zu einer Betätigung der Abschalteinrichtung 29 für die Lichtquelle.Now recognize one of the mass flow meters 25 . 32 or 33 a drop in the purge gas flow rate, an acoustic or optical warning device is activated, whereby the operating or maintenance personnel can still complete any exposure on the wafer that may have started. Then in the control and control facility 27 if the purge gas flow rate falls below the predetermined value, the shutter in a first step 31 activated so that it is in the beam path 11 the light source is inserted. There is the shutter 31 in the beam path in front of the reticle level, the entire subsequent area is protected from the damaging UV rays. If the disturbance in the purge gas flow rate is not remedied within a predetermined period of time, the shutdown device is actuated in a second step 29 for the light source.

Die mit der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 verbundene Zeitschalteinrichtung 36 kann dabei dafür sorgen, dass es bei einer nur kurzfristigen Störung der Spülgasdurchflussmenge, bei der noch nicht die Gefahr bezüglich einer Schädigung der optischen Elemente 8 besteht, noch nicht zu einer Aktivierung des Shutters 31 und/oder der Abschalteinrichtung 29 kommt.The one with the control device 27 connected time switch device 36 can ensure that there is only a short-term disturbance in the purge gas flow rate, which does not yet pose a risk of damage to the optical elements 8th does not yet activate the shutter 31 and / or the shutdown device 29 comes.

Claims (8)

Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht emittierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv, mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektives und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene, gekennzeichnet durch wenigstens eine Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung wenigstens eines Spülgasstromes, die bei Unterschreiten einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge die Strahlung der Lichtquelle zu dem Projektionsobjektiv (7) unterbricht.Projection exposure system with an illumination system with a light source, in particular a UV light-emitting laser, with a projection objective, with a reticle plane in which a reticle is arranged, with a wafer plane in which a wafer is arranged, and with a purge gas system for rinsing the interior of the projection lens and / or the outer areas, in particular the reticle level and the wafer level, characterized by at least one device ( 25 . 32 . 33 ) for monitoring at least one purging gas flow, which, when falling below a predetermined purging gas flow rate, emits the radiation from the light source to the projection objective ( 7 ) interrupts. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung des Spülgasstromes über eine Steuereinrichtung (27) mit der Lichtquelle verbunden ist.Projection exposure system according to claim 1, characterized in that the device ( 25 . 32 . 33 ) for monitoring the purge gas flow via a control device ( 27 ) is connected to the light source. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 2, dadurch kennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (27) mit einer Zeitschalteinrichtung (36) versehen ist.Projection exposure system according to claim 2, characterized in that the control device ( 27 ) with a timer ( 36 ) is provided. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25) zur Überwachung des Spülgasstromes für den Innenraum des Projektionsobjektives (7) im Ausgangsbereich des Spülgasstromes angeordnet ist.Projection exposure system according to claim 1, characterized in that the device ( 25 ) for monitoring the purge gas flow for the interior of the projection lens ( 7 ) is arranged in the outlet area of the purge gas flow. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung des Spülgasstromes wenigstens einen Massendurchflussmesser aufweist.Projection objective according to claim 1, characterized in that the device ( 25 . 32 . 33 ) has at least one mass flow meter for monitoring the purge gas flow. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Überwachung des Spülgasstromes wenigstens eine Druckabfallerkennungseinrichtung aufweist.Projection exposure system according to claim 1, characterized characterized that the device for monitoring the purge gas flow has at least one pressure drop detection device. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung des Spülgasstromes bei Unterscheitung einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge über die Steuereinrichtung (27) in einem ersten Schritt ein in den Strahlengang der Lichtquelle einführbares Shutter (31) aktiviert und in einem zweiten Schritt zeitverzögert die Lichtquelle abschaltet.Projection exposure system according to claim 1, characterized in that the device ( 25 . 32 . 33 ) for monitoring the purging gas flow when a predetermined purging gas flow rate is not reached via the control device ( 27 ) in a first step, a shutter that can be inserted into the beam path of the light source ( 31 ) is activated and in a second step the light source is switched off with a time delay. Projektionsobjektiv nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass vor Aktivierung des einführbaren Shutters (31) eine optische Warneinrichtung aktivierbar ist.Projection objective according to claim 7, characterized in that before activation of the insertable shutter ( 31 ) an optical warning device can be activated.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1143491A1 (en) * 1998-11-19 2001-10-10 Nikon Corporation Optical device, exposure system, and laser beam source, and gas feed method, exposure method, and device manufacturing method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011643B2 (en) * 1996-01-05 2007-11-21 キヤノン株式会社 Semiconductor manufacturing equipment
KR20000034896A (en) * 1998-11-27 2000-06-26 오노 시게오 Optical system for exposure apparatus and exposure apparatus
WO2002054464A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-11 Nikon Corporation Method and system for exposure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1143491A1 (en) * 1998-11-19 2001-10-10 Nikon Corporation Optical device, exposure system, and laser beam source, and gas feed method, exposure method, and device manufacturing method

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