[go: up one dir, main page]

DE10302665A1 - Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem - Google Patents

Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem Download PDF

Info

Publication number
DE10302665A1
DE10302665A1 DE2003102665 DE10302665A DE10302665A1 DE 10302665 A1 DE10302665 A1 DE 10302665A1 DE 2003102665 DE2003102665 DE 2003102665 DE 10302665 A DE10302665 A DE 10302665A DE 10302665 A1 DE10302665 A1 DE 10302665A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
purge gas
gas flow
projection
light source
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2003102665
Other languages
English (en)
Inventor
Otto Dipl.-Ing. Hahnemann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE2003102665 priority Critical patent/DE10302665A1/de
Priority to PCT/EP2004/000330 priority patent/WO2004066455A2/de
Publication of DE10302665A1 publication Critical patent/DE10302665A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Eine Projektionsbelichtungsanlage (1) ist mit einer Beleuchtungseinrichtung (3) mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht imitierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv (7), mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle (5) angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer (2) angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektivs (7) und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene, versehen. Wenigstens eine Einrichtung (25, 32, 33, 27) zur Überwachung wenigstens eines Spülgasstromes, die bei Unterschreiten einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge die Strahlung der Lichtquelle zu dem Projektionsobjektiv (7) unterbricht, ist vorgesehen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht emittierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv, mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektives und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene.
  • Eine Projektionsbelichtungsanlage dieser Art ist z.B. aus der EP 0660188 B1 bekannt. Da insbesondere UV-Licht beim Bestrahlen dazu führt, dass Verunreinigungen in der Luft zu Ablagerungen auf den optischen Elementen in der Projektionsbelichtungsanlage führen, z.B. in Verbindung mit Entspiegelungsschichten zur Salzbildung, was zu starken Beeinträchtigungen und letztlich zu einem Ausfall der Projektionsbelichtungsanlage führt. Aus diesem Grunde muss dafür gesorgt werden, dass derartige Ablagerungen vermieden werden. Dies wird durch ein oder mehrere Spülgassysteme erreicht. Da das Projektionsobjektiv selbst der besonders gefährdete Teil der Anlage ist, ist es bekannt dessen Innenraum vollständig zu spülen. Hierzu wird an einer Stelle über entsprechende Zuleitungen Spülgas zugeführt und an einer anderen, von der Einleitung entfernten Stelle das Spülgas derart abgeführt, dass der komplette Innenraum oder wenigstens der Bereich, in welchem sich optische Elemente befinden, gespült wird.
  • Aus dem Patent Abstract of Japan 200124109 A ist es bekannt, die Sauerstoffkonzentration im Spülgas zu überwachen und ggf. bei Überschreitung von Grenzwerten die Strahlung zu unterbrechen.
  • Bekannt ist es auch über die Reticle-Ebene und über die Wafer- Ebene Spülgas strömen zu lassen. Da es sich dabei um äußere Bereiche der Anlage handelt, wird hier eine offene Spülung mit einer oder mehreren Zuführdüsen verwendet, wobei die Abfuhr von Spülgas mehr oder weniger „unkontrolliert" erfolgt. Es ist aber auch bereits hier vorgeschlagen worden, diese beiden Ebenen abzukapseln und gezielt mit Spülgas zu versorgen. Voraussetzung für die Vermeidung von Ablagerungen auf optischen Elementen ist dabei eine einwandfreie Funktion des Spülgassystemes.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, bei einer Projektionsbelichtungsanlage der eingangs erwähnten Art Maßnahmen vorzusehen, die bei fehlerhaft arbeitenden Spülgassystemen Ablagerungen an optischen Elementen verhindern.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch wenigstens eine Einrichtung zur Überwachung wenigstens eines Spülgasstromes mit einem Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht emittierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv, mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektives und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene.
  • Durch die wenigstens eine erfindungsgemäße Einrichtung zur Überwachung des Spülgasstroms wird auf diese Weise ein Überwachungssystem geschaffen, das dafür sorgt, dass die Projektionsbelichtungsanlage durch Unterbrechung der Strahlung der Lichtquelle mehr oder weniger funktionslos geschaltet wird. Auf diese Weise wird vermieden, dass trotz Ausfall oder Beeinträchtigung des Spülgasstromes die Projektionsbelichtungsanlage weiter betrieben wird und es zu Ablagerungen an optischen Elementen kommen kann, welche nur auf umständliche Weise wieder entfernt werden können.
  • Die Überwachung des oder der Spülgasströme kann auf vielfältige Weise erfolgen. Eine Möglichkeit hierfür besteht zum Bei spiel in dem Einsatz von Sensoren, die die Spülgasdurchflussmenge oder den Druck des Spülgases messen. Hierfür sind zum Beispiel Massendurchflussmesser oder auch Druckabfallerkennungsgeräte, wie Drucksensoren, geeignet.
  • Über derartige Sensoren können Änderungen der Spülgasdurchflussmenge an eine Steuereinrichtung weitergegeben werden, die beim Unterschreiten des vorgegebenen Wertes ein Abschaltsignal an das Beleuchtungssystem mit der Lichtquelle gibt.
  • In einer sehr vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die Steuereinrichtung mit einer Zeitschalteinrichtung versehen ist, die erst nach Überschreiten einer vorgegebenen Zeit den Abschaltimpuls an das Beleuchtungssystem mit der Lichtquelle weitergibt. Auf diese Weise wird vermieden, dass es auch bei einer kurzfristigen Unterbrechung oder bei einem kurzfristigen Abfall der Spülgasdurchflussmenge bereits zu einem Abschalten der Lichtquelle oder einer Unterbrechung des Strahlenganges zu dem Projektionsobjektiv kommt.
  • Zusätzlich kann noch vorgesehen sein, dass vor Einleitung des ersten Schrittes vor einer Aktivierung des einführbaren Shutters ein Warnsignal, z.B. eine optische oder akustische Warneinrichtung aktiviert wird, um dem Bedienungs-/oder Wartungspersonal die Möglichkeit zu geben eine begonnene Belichtung auf dem Wafer noch abzuschließen. Erst anschließend wird entsprechend zeitverzögert der Shutter in den Strahlengang eingeführt.
  • Zusätzlich zu der vorstehend genannten Zeitschalteinrichtung oder alternativ dazu kann an einer beliebigen Stelle in den Strahlengang ein Shutter als Abdeckblende in den Strahlengang eingebracht werden, wodurch der weitere Strahlengang zu den gefährdeten optischen Elementen unterbrochen wird. Erst dann, wenn sich ergeben sollte, dass es sich bei der Störung des Spülgasstromes nicht nur um eine kurzzeitige Unterbrechung handelt oder dass diese nicht innerhalb kurzer Zeit behoben werden kann, kommt es in einem zweiten Schritt zur Abschaltung des Lasers.
  • Auf diese Weise wird der Aufwand bei einem nur kurzfristigem Ausfall oder einer kleinen Störung im Spülgassystem, der durch ein erneutes Einschalten und Anfahren der Lichtquelle verursacht würde, gegebenenfalls reduziert.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus dem nachfolgend anhand der Zeichnung prinzipmäßig beschriebenen Ausführungsbeispiel.
  • Die einzige Figur zeigt eine Prinzipdarstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, welche zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtete Wafer verwendbar ist.
  • Dargestellt ist eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Diese dient zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend aus Silizium besteht und als Wafer 2 bezeichnet wird, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Computerchips.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 besteht dabei im wesentlichen aus einer Beleuchtungseinrichtung 3, einer Einrichtung 4 zur Aufnahme und exakten Positionierung einer mit einer gitterartigen Struktur versehenen Maske, einem sogenannten Reticle 5, durch welches die späteren Strukturen auf dem Wafer 2 bestimmt werden, einer Einrichtung 6 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 2 und einer Abbildungseinrichtung nämlich einem Projektionsobjektiv 7 mit mehreren optischen Elementen, wie z.B. Linsen 8, die über Fassungen 9 in einem Objektivgehäuse 10 des Projektionsobjektives 7 gelagert sind.
  • Das grundsätzliche Funktionsprinzip sieht dabei vor, dass die in das Reticle 5 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 2 mit einer Verkleinerung der Strukturen belichtet werden.
  • Nach einer erfolgten Belichtung wird der Wafer 2 in Pfeilrichtung weiterbewegt, so dass auf demselben Wafer 2 eine Vielzahl von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle 5 vorgegebenen Struktur, belichtet wird. Aufgrund der schrittweisen Vorschubbewegung des Wafers 2 in der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird diese häufig auch als Stepper bezeichnet.
  • Die Beleuchtungseinrichtung 3 stellt einen für die Abbildung des Reticles 5 auf dem Wafer 2 benötigten Projektionsstrahl 11, beispielsweise Licht oder eine ähnliche elektromagnetische Strahlung, bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in der Beleuchtungseinrichtung 3 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 11 beim Auftreffen auf das Reticle 5 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
  • Über den Projektionsstrahl 11 wird ein Bild des Reticles 5 erzeugt und von dem Projektionsobjektiv 7 entsprechend verkleinert auf den Wafer 2 übertragen, wie bereits vorstehend erläutert wurde. Das Projektionsobjektiv 7 weist eine Vielzahl von einzelnen refraktiven und/oder diffraktiven optischen Elementen, wie z.B. Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen auf.
  • Im Bereich einer Stirnseite des Projektionsobjektives 7, zum Beispiel in der Nähe des Eingangsbereiches des Strahlenganges, befindet sich eine Zuleitung 20, die mit einer nicht näher dargestellten Druckquelle 21 verbunden ist. Durch die Druckquelle 21 wird Spülgas in das Innere des Projektionsobjektives 7 eingeleitet. An dem der Eingangsseite gegenüberliegenden Ende des Projektionsobjektives 7, im vorliegenden Falle im Ausgangsbereich der zu dem Wafer 2 führenden Belichtungsstrahlung, befindet sich eine Ausgangsleitung 22 für das Spülgas. Auf die genaue Spülgasführung im Innenraum des Projektionsob jektives 7 wird hier nicht näher eingegangen, da diese aus dem Stand der Technik bekannt ist. Bei der Spülung des Innenraumes wird dafür gesorgt, dass die sich darin befindenden optischen Elemente 9 von dem Spülgasstrom überstrichen werden. Als Spülgas wird neben Luft häufig auch für eine höhere Reinhaltung Stickstoff oder Helium verwendet.
  • Zur Spülung des Bereiches um das Reticle 5 und um den Wafer 2 sind Spülgasleitungen 23 und 24 vorgesehen, die mit einer oder mehreren Austrittsdüsen versehen sind, durch die Spülgas in den Bereich der Reticle-Ebene und in den Bereich der Wafer-Ebene eingebracht wird. Zur Einleitung von Spülgas sind hier ebenfalls separate Druckquellen 21 oder auch eine gemeinsame Druckquelle vorgesehen.
  • Zur Überwachung auf eine einwandfreie Funktion des Spülgassystemes bezüglich der Einhaltung einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge findet sich im Ausgangsbereich des Projektionsobjektives 7, zum Beispiel in der Ausgangsleitung 22 ein Massendurchflussmesser 25 als Sensor. Der Massendurchflussmesser 25 ist über eine Steuerleitung 26 mit einer Kontroll- und Steuereinrichtung 27 verbunden, welche wiederum über eine Steuerleitung 28 mit einer Abschalteinrichtung 29 für die Lichtquelle der Beleuchtungseinrichtung für deren Aktivierung verbunden ist. Eine weitere Steuerleitung 30 führt von der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 zu einem Shutter 31, welches in dem Strahlengang 11 der Projektionsbelichtungsanlage 1 bei dessen Aktivierung über ein nicht näher dargestelltes Betätigungsglied eingeschoben werden kann.
  • Selbstverständlich kann der Massendurchflussmesser 25 auch in der Leitung 20 angeordnet sein. Seine Anordnung in der Ausgangsleitung 22 hat jedoch den Vorteil, dass damit sicher erkannt wird, ob durch das gesamte Projektionsobjektiv 7 die vorgegebene Spülgasdurchflussmenge fließt. Bei einer Anordnung in der Zulaufleitung würden sich eventuelle Störungen, wie zum Beispiel Leckagen, in dem Projektionsobjektiv 7, welche die geforderte Spülgasdurchflussmenge reduzieren, nicht erkennen lassen. Wenn in den Spülgasleitungen 23 und 24 ebenfalls Sensoren, zum Beispiel in Form von Massendurchflussmesser 32 und 33 angeordnet sind, welche ebenfalls über Steuerleitungen 34 und 35 mit der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 verbunden sind, ist das gesamte Spülgassystem überwacht.
  • Anstelle von Massendurchflussmesser als Sensoren können selbstverständlich auch andere Messglieder verwendet werden, die Störungen in der Spülgasdurchflussmenge erkennen und diese entsprechend weitermelden. Eine weitere Möglichkeit hierfür sind zum Beispiel Druckabfallerkennungsgeräte, die in den Spülgasleitungen angeordnet sind. Ebenso können auch die Druckquellen 21 hinsichtlich einer einwandfreien Funktion für diesen Zweck überwacht werden.
  • Zusätzlich kann die Kontroll- und Steuereinrichtung 27 noch mit einer Zeitschalteinrichtung 36 versehen sein.
  • Erkennt nun einer der Massendurchflussmesser 25, 32 oder 33 einen Abfall in der Spülgasdurchflussmenge, so wird eine akustische oder optische Warneinrichtung aktiviert, wodurch das Bedien-/oder Wartungspersonal eine eventuell begonnene Belichtung auf dem Wafer noch abschließen kann. Anschließend wird in der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 bei Unterschreiten der vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge in einem ersten Schritt das Shutter 31 derart aktiviert, dass es in den Strahlengang 11 der Lichtquelle eingeschoben wird. Befindet sich dabei das Shutter 31 im Strahlengang vor der Reticle-Ebene, so ist der gesamte nachfolgende Bereich vor den schädigenden UV-Strahlen geschützt. Wird die Störung in der Spülgasdurchflussmenge nicht innerhalb einer vorgegebenen Frist beseitigt, so kommt es in einem zweiten Schritt zu einer Betätigung der Abschalteinrichtung 29 für die Lichtquelle.
  • Die mit der Kontroll- und Steuereinrichtung 27 verbundene Zeitschalteinrichtung 36 kann dabei dafür sorgen, dass es bei einer nur kurzfristigen Störung der Spülgasdurchflussmenge, bei der noch nicht die Gefahr bezüglich einer Schädigung der optischen Elemente 8 besteht, noch nicht zu einer Aktivierung des Shutters 31 und/oder der Abschalteinrichtung 29 kommt.

Claims (8)

  1. Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle, insbesondere einem UV-Licht emittierenden Laser, mit einem Projektionsobjektiv, mit einer Reticle-Ebene, in der ein Reticle angeordnet ist, mit einer Wafer-Ebene, in der ein Wafer angeordnet ist, und mit einem Spülgassystem zum Spülen des Innenraumes des Projektionsobjektives und/oder der äußeren Bereiche, insbesondere der Reticle-Ebene und der Wafer-Ebene, gekennzeichnet durch wenigstens eine Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung wenigstens eines Spülgasstromes, die bei Unterschreiten einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge die Strahlung der Lichtquelle zu dem Projektionsobjektiv (7) unterbricht.
  2. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung des Spülgasstromes über eine Steuereinrichtung (27) mit der Lichtquelle verbunden ist.
  3. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 2, dadurch kennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (27) mit einer Zeitschalteinrichtung (36) versehen ist.
  4. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25) zur Überwachung des Spülgasstromes für den Innenraum des Projektionsobjektives (7) im Ausgangsbereich des Spülgasstromes angeordnet ist.
  5. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung des Spülgasstromes wenigstens einen Massendurchflussmesser aufweist.
  6. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Überwachung des Spülgasstromes wenigstens eine Druckabfallerkennungseinrichtung aufweist.
  7. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25, 32, 33) zur Überwachung des Spülgasstromes bei Unterscheitung einer vorgegebenen Spülgasdurchflussmenge über die Steuereinrichtung (27) in einem ersten Schritt ein in den Strahlengang der Lichtquelle einführbares Shutter (31) aktiviert und in einem zweiten Schritt zeitverzögert die Lichtquelle abschaltet.
  8. Projektionsobjektiv nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass vor Aktivierung des einführbaren Shutters (31) eine optische Warneinrichtung aktivierbar ist.
DE2003102665 2003-01-24 2003-01-24 Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem Withdrawn DE10302665A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003102665 DE10302665A1 (de) 2003-01-24 2003-01-24 Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem
PCT/EP2004/000330 WO2004066455A2 (de) 2003-01-24 2004-01-17 Projektionsbelichtungsanlage mit einem beleuchtungssystem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003102665 DE10302665A1 (de) 2003-01-24 2003-01-24 Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10302665A1 true DE10302665A1 (de) 2004-08-12

Family

ID=32694941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2003102665 Withdrawn DE10302665A1 (de) 2003-01-24 2003-01-24 Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE10302665A1 (de)
WO (1) WO2004066455A2 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1143491A1 (de) * 1998-11-19 2001-10-10 Nikon Corporation Optisches bauelement, belichtungssystem, laserstrahlquelle, gaszuführungsverfahren, belichtungsverfahren und bauelementherstellungsverfahren

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011643B2 (ja) * 1996-01-05 2007-11-21 キヤノン株式会社 半導体製造装置
KR20000034896A (ko) * 1998-11-27 2000-06-26 오노 시게오 노광 장치용 광학계와 노광 장치 및 그 조립 방법
WO2002054464A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-11 Nikon Corporation Method and system for exposure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1143491A1 (de) * 1998-11-19 2001-10-10 Nikon Corporation Optisches bauelement, belichtungssystem, laserstrahlquelle, gaszuführungsverfahren, belichtungsverfahren und bauelementherstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004066455A3 (de) 2005-04-21
WO2004066455A2 (de) 2004-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1258780B1 (de) Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln
DE102013212613B4 (de) Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE10046218B4 (de) Projektionsbelichtungsanlage
DE3406421A1 (de) Vorrichtung zur ueberwachung der intensitaet einer uv-quelle
DE102011075465B4 (de) Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE60130348T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung
DE102009016319A1 (de) Verfahren zur Kontaminationsvermeidung und EUV-Lithographieanlage
WO2025087622A1 (de) Transport- und testsystem für eine kamera, verfahren zum testen einer kamera
WO2024068293A1 (de) Euv-reflektometer und messverfahren
WO2019057708A1 (de) Verfahren zur charakterisierung mindestens einer optischen komponente einer projektionsbelichtungsanlage
EP1738580B1 (de) Vorrichtung zum überwachen eines raumbereichs, insbesondere zum absichern eines gefahrenbereichs einer automatisiert arbeitenden anlage
DE102010006326A1 (de) Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem reflektiven optischen Element
EP1704445A2 (de) Vorrichtung und verfahren zur optischen vermessung eines optischen systems, messstrukturträger und mikrolithographie-projekti onsbelichtungsanlage
DE10302665A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem
DE102021204170B4 (de) Messvorrichtung sowie Verfahren zur Messung einer Wirkung einer wellenlängenabhängigen Messlicht-Reflektivität sowie einer Wirkung einer Polarisation von Messlicht auf eine Messlicht-Beaufschlagung einer Lithografiemaske
DE102021201690A1 (de) Optisches System, insbesondere für die EUV-Lithographie
DE102023110173B3 (de) Messvorrichtung und Verfahren zur Inspektion von für EUV-Mikrolithografie bestimmten Fotomasken
WO2024213535A1 (de) Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
DE102024206014A1 (de) Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE10253162B4 (de) Verfahren zum Spülen einer optischen Linse
EP2582465A1 (de) Verfahren und anordnung zum abtasten des unterlaufstrahles eines hydrozyklons
DE10029444B4 (de) Optische Anordnung
DE102020210857A1 (de) Lithographie-system mit pellikel und verfahren zum betrieb desselben
DE102016206210A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage mit Sensoreinheit zur Partikeldetektion
DE102005033408A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Spülen eines Innenraumes einer optischen Einheit

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal