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Die Erfindung betrifft insbesondere
ein Höchstfrequenzmodul,
beispielsweise ein Mikrowellen- bzw. Millimeterwellenmodul, sowie
Häusungstechnik
solcher Bauteile.
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Der Frequenzbereich zwischen 1 GHz
und 30 GHz wird Mikrowellenbereich (MW-Bereich) genannt. Der Frequenzbereich
ab 30 GHz aufwärts
wird Millimeterwellenbereich (mmW-Bereich) genannt. Die Höchstfrequenzmodule
unterscheiden sich gegenüber
den Hochfrequenzmodulen insbesondere dadurch, daß für Höchstfrequenzschaltungen ab
5 GHz in der Regel „Wellenleiter", z. B. Mikrostreifenleitungen
und Koplanarleitungen verwendet werden.
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Höchstfrequenzmodule
sind integrierte elektronische Bauelemente, die verschiedene Funktionalitäten für im Frequenzbereich
von 1 bis 100 GHz einzusetzende Anwendungen erfüllen. Solche Bauelemente können allgemein
bei Datenübertragungs-Systemen, z. B. beim
Fernseh-Satelliten-Empfang, bei drahtlosen lokalen Datennetzwerken – LAN (Local
Area Network), WLAN (Wireless LAN), Bluetooth, optischen Modulen
wie Multiplexer, Modulatoren und Sender-/Empfängereinheiten – sowie
bei Radar, beispielsweise Automobilradar bei 24 GHZ und 77 GHz,
und bei Front-End-Modulen für Breitbandkommunikation,
z. B. LMDS (Local Multimedia Distribution System) und Richtfunkanlagen
für Basisstationen
eingesetzt werden.
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Im Millimeterwellenbereich anzuwendende Module
werden heutzutage meist auf der Basis von Dünnschichtsubstraten hergestellt.
Das Dünnschichtsubstrat
kann gleichzeitig ein oder mehrere Chip-Bauelemente tragen. Die
Chip-Bauelemente werden auf dem Trägersubstrat mittels Drahtbonden oder
Flip-Chip-Technik
befestigt und damit elektrisch verbunden.
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Weiterhin sind Mikrowellen- bzw.
Millimetermodule bekannt, die ein keramisches Substrat enthalten,
auf dem Mikrowellen- bzw.
Millimeterwellen-Chips ungehäust
aufgebracht sind. Das Substrat wird zusammen mit den Chip-Bauelementen
in ein metallsches oder keramisches Gehäuse gebracht und mittel Höchstfrequenz-Durchführungen
mit externen Schaltungen elektrisch verbunden. Diese Technik erfordert
sehr aufwendige Gehäusekonstruktionen.
Solche Module sind schwer und haben einen hohen Platzbedarf.
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Eine existierende Alternative ist
der Aufbau der mmW-Schaltung
mit Hilfe der bekannten SMD-Technik (SMD = Surface Mounted Device). Während bei
der Modul-Technik erst die aufgebaute Schaltung (mit Bauelementen)
gehäust
wird, werden in der SMD-Technik schon gehäuste Bauelemente verwendet.
Dadurch entfällt
weitestgehend das Erfordernis für
eine Häusung.
Die Anwendung dieser Technik ist wegen steigender Verluste und Schwankungen
der Übertragungscharakteristika
aufgrund vergleichsweise großer
Fertigungstoleranzen der Schaltung zu höheren Frequenzen hin begrenzt.
Außerdem
hat sie ebenfalls einen hohen Platzbedarf.
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Eine weitere Alternative besteht
in sogenannten substratintegrierten Gehäusen. Bei diesen übernimmt
das Substrat Aufgaben des Gehäuses. Das
Gehäuse
besteht dann aus dem Substrat, Seitenwänden (auf dem Substrat) und
einer Abdeckung auf den Seitenwänden.
Dabei gibt es sowohl Formen, bei denen die Seitenwände zunächst mit
dem Substrat verbunden werden und nach dem Aufbau der Schaltung
(Aufbringen der Bauelemente) z. B. ein Metallblech aufgeschweißt wird,
als auch Formen, bei denen auf das fertig aufgebaute Substrat ein
Deckel (Abdeckung mit Seitenwänden)
aufgebracht wird. Diese Technik hat den Nachteil, daß die äußeren Abmessungen
des Moduls durch die Geometrie des vorgefertigten Gehäuses vorgegeben
sind.
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Es ist bekannt, daß bei Herstellung
der Hochfrequenzmodule, beispielsweise Mobilfunkmodule, verglichen
mit Höchstfre quenzmodulen
relativ kostengünstige
Prozesse und Materialien verwendet werden:
- a)
Chip&Wire Technologie,
wobei der Chip mit der zum Substrat ausgerichteten Rückseite
auf dem Substrat montiert und mit Drahtbonden kontaktiert wird.
Zur mechanischen Stabilität
wird der Chip zusätzlich
mit einer Vergußmasse
(z. B. Globtop) vergossen.
- b) Flip-Chip Technik, wobei der montierte Chip mit einer Vergußmasse (Underfiller/Globtop)
mechanisch stabilisiert und abgedichtet werden kann.
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Beide Konzepte sind für Höchstfrequenzanwendungen
untauglich, da z. B. die oben genannten Vergußmassen die Wellenausbreitung
im Mikrowellenbereich signifikant beeinflussen (dämpfen) .
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Bekannt ist weiterhin bei mit akustischen Oberflächenwellen
arbeitenden Bauelementen (SAW-Bauelementen) die sogenannte CSSP-Technologie
(CSSP = Chip Size SAW Package, SAW = Surface Acoustic Wave), siehe
z. B. die Druckschriften
EP
0900477A und
EP
0759231A . Bei Verkapselung der SAW-Bauelemente achtet man
darauf, daß die
akustische Fläche
nicht in Berührung
mit Vergußmitteln
kommt, da in diesem Fall die Ausbreitungsgeschwindigkeit akustischer
Wellen und damit elektrische Eigenschaften der SAW-Bauteile stark
beeinflußt
werden. Bei solchen Bauelementen kann beispielsweise mit Hilfe eines
auf dem Chip auf der Seite mit den aktiven Strukturen aufgebrachten
Schutzdeckels aus Kunststoff verhindert werden, daß die Vergußmasse die
signalführenden
akustischen Strukturen berührt.
Eine weitere Möglichkeit
besteht darin, daß die
SAW-Chips mit Hilfe einer Schutzfolie verkapselt werden, wobei diese
Schutzfolie den SAW-Chip von der Rückseite her abdeckt (
EP 1093159A ). Diese
Konzepte wurden bisher nur in der SAW-Häusungstechnik
angewendet. Der Nachteil der SAW-Bauteile besteht darin, daß sie aufgrund des
technologisch bedingten Mindestabstands der akustischen Fingerstrukturen
(Fingerperiode) und aufgrund der mit der Frequenz zunehmenden Volumen wellen-Verluste
nicht für
Höchstfrequenzbereiche über 2 GHz
hergestellt werden können.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung
ist es, ein Mikrowellen- bzw.
Millimeterwellenmodul mit aktiven Einzelkomponenten anzugeben, welches
sowohl elektrische Verbindungen zwischen verschiedenen Modul-Komponenten
als auch den Schutz der Modulkomponenten, insbesondere der Höchstfrequenz-Komponenten
des Bauteils vor äußeren Einwirkungen
wie Staub, mechanische Beschädigung und
Feuchtigkeit gewährleistet,
ohne daß die
Höchstfrequenz-Signale
dabei gedämpft
werden.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein
Bauelement mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen
der Erfindung gehen aus weiteren Ansprüchen hervor.
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Die Erfindung gibt ein Bauelement
an, enthaltend:
- – ein Substrat mit zumindest
zwei dielektrischen Lagen, mit zumindest einem integrierten (insbesondere
passiven) Schaltungselement, mit zumindest einer leitenden Struktur
auf der Oberseite und zumindest einem Außenkontakt auf der Unterseite,
- – zumindest
eine auf der Oberseite des Substrats angeordnete aktive Einzelkomponente,
- – zumindest
eine Filmabdeckung, welche die zumindest eine aktive Einzelkomponente
vollständig bedeckt
und dazu dient, die zumindest eine Einzelkomponente vor Staub, Feuchtigkeit
und mechanischen Einwirkungen zu schützen.
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Unter einem passiven Schaltungselement versteht
man insbesondere eine Induktivität,
eine Kapazität,
eine Leitung, z. B. eine Verbindungsleitung, oder ein Leitungsabschnitt.
Diese können
auf eine an sich bekannte Weise als Leiterbahnen zwischen, in und
auf den dielektrischen Lagen eines Substrats mit Vielschicht-Aufbau
angeordnet sein und damit integrierte Schaltungselemente bilden.
Vertikale Verbindungen zwischen den Leiterbahnen in verschiedenen
Lagen (Durchkontaktierun gen) zählen
auch zu integrierten Schaltungselementen, da sie einerseits zur
vertikalen Signalführung
dienen und andererseits insbesondere bei Höchstfrequenzen sowohl eine (parasitäre) Induktivität als auch
eine (parasitäre)
Kapazität
darstellen. Einzelne integrierte Schaltungselemente bilden zusammen
integrierte Schaltungen, insbesondere passive Schaltungen wie die
eines Filters oder eines Mischers. Intergrierte Schaltungselemente
können
außerdem
zumindest einen Teil zumindest einer aktiven Schaltung realisieren,
welcher mit aktiven Einzelkomponenten auf der Oberfläche des
Substrats elektrisch verbunden ist.
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Bei Höchstfrequenzen, insbesondere
im mmW-Bereich, sind Kapazitäten
und Induktivitäten oft
als durch Leitungsabschnitte realisierte verteilte Elemente vorhanden.
Die Kapazitäten
können
als Radial Stubs ausgeführt
sein.
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Unter einer aktiven Einzelkomponente
versteht man ein diskretes nichtlineares oder aktives Schaltungselement
wie eine Diode oder einen Transistor, oder ein zumindest eine aktive
Komponente umfaßendes
Chip-Bauelement ohne ein Gehäuse oder
mit einem solchen.
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Die als Chip-Bauelement ausgebildete
aktive Einzelkomponente kann ein Mikrowellen-Chip, ein Millimeterwellen-Chip
oder ein IC-Bauelement (IC = Integrated Circuit) darstellen. Das
IC-Bauelement kann
wiederum ein MMIC-Bauelement (MMIC = Monolithic Microwave Integrated
Circuit) sein.
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Die aktiven Einzelkomponenten können beispielsweise
auf der Si-, SiGe-, GaAs- oder InP-Basis aufgebaut sein.
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Die aktive Einzelkomponente weist
Außenkontakte
zur elektrischen Verbindung mit den im Substrat integrierten Schaltungselementen
auf.
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Die Oberseite des Substrats trägt zumindest eine
leitende Struktur, welche insbesondere einen Kontakt zur Herstellung
elektrischer Verbindung zwischen den integrierten Schaltungselementen
im Substrat und der zumindest einen aktiven Einzelkomponente auf
der Substrat-Oberseite, eine Verbindungsleitung zwischen aktiven
Einzelkomponenten oder einen Teil einer größtenteils im Substrat integrierten Schaltung
darstellt.
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Die Unterseite des Substrats weist
Außenkontakte
zur elektrischen Verbindung beispielsweise mit der Leiterplatte
eines Endgeräts
auf.
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Die zumindest eine aktive Einzelkomponente,
insbesondere ein MMIC-Bauelement, das beispielsweise eine Frequenzteiler-,
Frequenzvervielfacher-, Verstärker-,
Oszillator- oder Mischerschaltung umfaßt, wird in dem für die Erfindung
relevanten Höchstfrequenzbereich
vorzugsweise mittels Flip-Chip-Technik
mit dem Substrat und den integrierten Schaltungselementen mechanisch
bzw. elektrisch verbunden, so daß deren die aktive Höchstfrequenz-Komponente
tragende Seite (die strukturierte Seite) der Substrat-Oberseite
zugewendet ist.
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Neben der zumindest einen aktiven
Einzelkomponente können
ein oder mehrere diskrete Bauelemente (z. B. eine Spule, ein Kondensator
oder ein Widerstand) sowie ein oder mehrere Trägersubstrate mit passiven HF-Strukturen
wie Filter oder Mischer, insbesondere in Dünnschichttechnik strukturierte Trägersubstrate,
auf der Oberseite des Substrats angeordnet sein.
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Die Filmabdeckung stellt einen Film
dar, dessen Form an diejenige der zu schützenden (oder abzudeckenden)
Komponenten angepaßt
ist (oder wird). Die Filmabdeckung liegt so über der Rückseite der aktiven Einzelkomponente
und schließt
allseitig mit der Oberfläche
des Substrats ab, daß die
aktive Einzelkomponente vollständig
abgedeckt und dadurch vor äußeren mechanischen
Einwirkungen, Staub und Feuchtigkeit geschützt ist. Auf diese Weise können auch
mehrere aktive Höchstfre quenz-Einzelkomponenten
sowie zumindest eine Höchstfrequenz-Einzelkomponente
zusammen mit zumindest einer anderen digitalen oder niederfrequenten
Einzelkomponente einzeln oder gemeinsam verkapselt werden. Vorzugsweise
bedeckt die Filmabdeckung alle auf der Substrat-Oberseite befindlichen
Einzelkomponenten.
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Ein erfindungsgemäß verkapseltes Bauelement zeichnet
sich gegenüber
dem Stand der Technik durch geringe durch Häusungstechnik bedingte elektrische
Verluste im Höchstfrequenz-Bereich, insbesondere
Millimeterwellenbereich, aus. Gegenüber den üblichen substratintegrierten
Gehäusen
hat die Verkapselung mit Hilfe eines verformbaren Films den Vorteil,
daß die äußeren Abmessungen
des erfindungsgemäßen Höchstfrequenzmoduls
hauptsächlich
durch die Abmessungen der auf der Substrat-Oberseite angeordneten
Einzelkomponenten sowie durch die Dicke der Filmabdeckung bestimmt sind.
Die vorteilhafte Verkapselung gewährleistet darüber hinaus
eine hohe Qualität
der Höchstfrequenz-Bauteile
im Hinblick auf ihre Zuverlässigkeit und Übertragungscharakteristika.
In vorteilhaften Ausführungsformen
werden in den erfindungsgemäßen Bauelementen
elektrische Verbindungen der Einzelkomponenten nicht nur untereinander,
sondern auch zu externen HF-, Niederfrequenz- und Stromversorgungs-Schaltungen bereitgestellt.
Außerdem besteht
die Möglichkeit,
einen hohen Integrationsgrad durch die vertikale Anordnung integrierter Schaltungen
im Mehrlagensubstrat des Bauelements unter geringem Platzverbrauch
zu erzielen.
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Im folgenden wird die Erfindung anhand
von Ausführungsbeispielen
und der dazugehörigen
schematischen und daher nicht maßstabsgetreuen Figuren näher erläutert.
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1 zeigt
ein erfindungsgemäßes Bauelement
im schematischen Querschnitt
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2 und 3 zeigen vorteilhafte Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Bauelements im
schematischen Querschnitt
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In 1 sind
allgemeine Merkmale der Erfindung anhand einer schematischen Querschnittsdarstellung
eines erfindungsgemäßen Bauelements
erläutert.
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In 1 ist
der schematische Querschnitt eines erfindungsgemäßen Bauelements BE mit zwei aktiven
Einzelkomponenten CB und einem mehrlagigen Substrat SU gezeigt.
Die aktiven Einzelkomponenten CB sind hier Chip-Bauelemente, die
zumindest ein aktives Schaltungselement (insbesondere eine Diode
oder einen Transistor) umfassen. Die aktive Einzelkomponente CB
ist mittels Bumps BU mit im mehrlagigen Substrat SU verborgenen
integrierten Schaltungselementen IE elektrisch verbunden (Flip-Chip-Technik).
Das Substrat SU weist Leiterstrukturen zur Herstellung des genannten
elektrischen Kontaktes auf der Oberseite sowie Außenkontake
AK auf der Unterseite zur Herstellung einer elektrischen Verbindung
mit der Leiterplatte eines Endgeräts auf. Die Außenkontakte
AK können
als Land-Grid-Arrays
(LGA) ausgeführt
oder zusätzlich mit
Lot-Kugeln AK1 (μBGA,
oder Ball-Grid-Arrays) versehen sein. Möglich sind außerdem nadelförmige Außenkontakte
(Leads) und nichtgalvanische Übergänge zwischen
dem Bauelement und der extern anzuschließenden Leiterplatte, wie z.
B. Hohlleiterübergänge oder
Schlitzkopplungen. Die vertikale Signaldurchführung im Substrat SU erfolgt
mittels Durchkontaktierungen DK.
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In dem in 1 dargestellten vorteilhaften Ausführungsbeispiel
der Erfindung sind beide aktiven Einzelkomponenten CB mit einem
Film SF abgedeckt (Filmabdeckung). Das Abdecken der Einzelkomponenten
mit dem Film wird als Laminieren bezeichnet. Beim Laminieren wird
der Film bleibend verformt. Die Filmabdeckung besteht vorzugsweise aus
einem Polymer, welches eine besonders niedrige Wasser-Absorption
aufweist, z. B. fluorbasierte Polymere wie Polytetrafluorethylen
(PTFE) oder Polyolefine wie (vernetztes) Polypropylen oder Polyethylen. Die
Filmabdeckung kann außerdem
aus einem Metall bestehen und faser- oder partikelgefüllt sein.
Die Filmabdeckung kann darüber
hinaus wie in der Figur dargestellt metallisch oder keramisch beschichtet sein
oder werden.
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Zur Abschirmung von der Umgebung
ist die Filmabdeckung zusätzlich
mit einer Metallschicht ME überzogen.
Diese Schicht kann beispielsweise durch Galvanisieren, chemische
Metallabscheidung, Bedampfen oder durch eine Kombination der erwähnten Verfahren
aufgetragen sein. Zur mechanichen Stabilisierung sind die auf der
Substrat-Oberseite befindlichen Einzelkomponeten in diesem Ausführungsbeispiel
mit einer Vergußmasse
GT überdeckt.
Wahlweise ist es möglich,
die Vergußmasse
wegzulassen. Unter Vergußmasse
werden hier alle Stoffe verstanden, die im flüssigen Zustand auf den Film
aufgebracht werden und durch Aushärten (chemisches Reagieren)
oder Erstarren (Erkalten) fest werden. Darunter fallen sowohl gefüllte und
ungefüllte
Polymere, wie Abdeckmassen, Glob-Top-Massen, Thermoplaste oder Kunststoffkleber,
als auch Metalle oder keramische Stoffe, wie keramische Kleber. Glob-Top
ist ein Vergußmittel,
das durch seine hohe Viskosität
nur gering verfließt
und deshalb die zu schützende
Einzelkomponente tropfenförmig
umschließt.
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In der in 1 gezeigten Ausführungsform der Erfindung ist
der metallbeschichtete Film nach dem Laminieren mit einem Vergußmittel überzogen. Es
ist in einer anderen Ausführungsform
möglich,
die Metallschicht nicht auf die Filmabdeckung, sondern auf die Vergußmasse aufzubringen.
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In einer vorteilhaften Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Bauelements
mit Keramik-Substrat wird der Film an den an dem Substrat anliegenden
Rändern – beispielsweise
durch Lasern – teilweise
entfernt und erst danach mit Metall beschichtet, damit die abzudeckenden
Einzelkomponenten vollständig
von Me tall bzw. Keramik umschlossen und dadurch hermetisch versiegelt
sind.
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Unter Substrat werden hier alle Arten
von planaren Schaltungsträgern
verstanden. Darunter fallen keramische Substrate (Dünnschichtkeramik, Dickschichtkeramik,
LTCC = low temperature cofired ceramics, HTCC = high temperature
cofired ceramics, LTCC und HTCC sind keramische Mehrlagenschaltungen),
polymere Substrate (herkömmliche Leiterplatten,
wie FR4, sog. Softsubstrate, deren Polymer-Basis z.B. aus PTFE =
Teflon oder Polyolyfinen besteht und die typischer Weise glasfaserverstärkt oder
keramikpulvergefüllt
sind), Silizium sowie metallische Substrate, bei denen metallische
Leiterbahnen und eine metallische Basisplatte durch Polymere oder
keramische Materialien voneinander isoliert sind. Unter Substrat
werden hier auch sog. Molded-Interconnection-Devices (MID) verstanden,
die aus thermoplastischen Polymeren bestehen, auf denen Leiterbahnen
strukturiert sind.
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Die Bumps BU dienen zur Herstellung
einer elektrischen Verbindung zwischen den im Substrat SU verborgenen
integrierten Schaltungselementen IE und der zumindest einen aktiven
Einzelkomponente CB und ggf. den weiteren auf der Substrat-Oberseite angeordneten
Einzelkomponenten. Die Bumps bestehen üblicherweise aus Lot, beispielsweise
SnPb, SnAu, SnAg, SnCu, SnPbAg, SnAgCu in unterschiedlichen Konzentrationen
oder aus Gold. Besteht der Bump aus Lot, wird das Bauelement durch
Löten mit
dem Substrat verbunden; besteht er aus Gold, so können die
Einzelkomponenten CB und Substrat SU durch Thermocompression-Bonding,
Ultrasonic-Bonding oder Thermosonic-Bonding (Sinter- bzw. Ultraschallschweiß-Verfahren)
verbunden werden. Die Höhe
der Flip-Chip-Bumps muß bei
den Höchstfrequenz-Anwendungen so niedrig
gehalten werden, daß nur
eine geringe Menge der aus der Höchstfrequenz-Einzelkomponente
heraustretenden elektromagnetischen Strahlung von dem laminierten
Film absorbiert werden kann. Eine Möglichkeit, die niedrige Höhe der Flip-Chip-Bumps
zu erreichen, bietet insbesondere das Thermocompression-Bonding.
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Die aktiven Einzelkomponenten können in einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung SMD-Komponenten sein.
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Es besteht die Möglichkeit, außer aktiven Einzelkomponenten
auch passive Einzelkomponenten, insbesondere diskrete Spulen, Kondensatoren, Widerstände oder
einzelne Chips mit passiven Schaltungen (beispielsweise Filter,
Mischer, Anpaßschaltung)
auf der Substrat-Oberseite anzubringen. Es besteht die Möglichkeit,
mit zusätzlichen
diskreten passiven Kompensationsstrukturen die Verstimmung des Bauelements
durch das Gehäuse
auszugleichen.
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Die passiven Einzelkomponenten sowie
die integrierten Schaltungskomponenten können zumindest einen Teil folgender
Schaltungen bilden: eines Hochfrequenz-Schalters, einer Anpaßschaltung,
einer Antenne, eines Antennenschalters, eines Diodenschalters, eines
Hochpaßfilters,
eines Tiefpaßfilters,
eines Bandpaßfilters,
eines Bandsperrfilters, eines Leistungsverstärkers, eines Diplexers, eines
Duplexers, eines Kopplers, eines Richtkopplers, eines Speicherelements,
eines Baluns oder eines Mischers.
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Die Funktion der integrierten Schaltungselemente,
u. a. der Durchkontaktierungen und Verbindungsleitungen, kann außerdem ausschließlich auf die
elektrische Signaldurchführung
beschränkt
sein.
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Die passiven Einzelkomponenten können beispielsweise
in Flip-Chip-Technik,
in Die&Wire-Bond-Technik
(siehe z. B. 2) oder
in SMD-Technik mit dem Substrat elektrisch und mechanisch verbunden
werden.
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Damit die Bonddrähte BD in der Die&Wire-Bond-Technik
nicht mit der Filmabdeckung in Berührung kommen, kann die Einzel komponente
eine starre Schutzkappe SK besitzen, siehe 2. Bei dieser Verbindungstechnik ist
die Einzelkomponente mit einer Klebermasse oder Lot KL auf dem Substrat SU
befestigt. Die Bonddrähte
können
statt aus Gold- oder Aluminiumdrähten
mit einem runden Querschnitt auch aus Metallbändern (Bändchenbonden) bestehen.
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In 3 ist
eine weitere vorteilhafte Ausführungsform
der Erfindung dargestellt. In diesem Fall wird der Film während des
Laminierens an der Stelle, an welcher der Film die zu schützende Einzelkomponente überdeckt,
vom Druck – beispielsweise
durch Auflegen einer Schutzkappe oder durch verformte Kavitäten in dem
Film über
der genannten Einzelkomponente – entlastet.
Dabei zieht sich der Film nicht eng über die Einzelkomponente, sondern
liegt locker darüber,
so daß empfindliche
oder verformbare Teile der Einzelkomponente nicht geschützt werden
müssen.
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Falls die aktive Einzelkomponente
keine zu schützenden
signalführenden
Strukturen auf der Oberfläche
aufweist (beispielsweise sind alle Schaltungselemente und Schaltungen
in einem Mehrlagensubstrat verborgen), so ist es möglich, diese
Einzelkomponente zuerst mit der Vergußmasse zu überziehen und erst nach dem
Aushärten
der Vergußmasse
eine Filmabdeckung auf zubringen.
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Die Signalleitungen im erfindungsgemäßen Bauelement
können
entweder ganz im Substrat verborgen sein, oder zumindest ein Teil
der Signalleitungen kann auf der Oberseite des Substrats angeordnet
sein.
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Die Erfindung wurde der Übersichtlichkeit halber
nur anhand weniger Ausführungsbeispiele dargestellt,
ist aber nicht auf diese beschränkt.
Weitere Variationsmöglichkeiten
ergeben sich aus weiteren von den dargestellten Ausführungen
unterschiedlichen relativen Anordnungen von Einzelkomponenten, Filmabdeckung,
Vergußmasse
und Metallschicht. Weitere Mög lichkeiten
ergeben sich außerdem
im Hinblick auf die Verbindungstechnik zwischen der Einzelkomponente
und Substrat sowie zwischen dem Substrat und einer externen Leiterplatte.