DE10260859A1

DE10260859A1 - Strukturkörper mit einem porösen Bereich und dessen Verwendung sowie Verfahren zur Einstellung der Wärmeleitfähigkeit eines porösen Bereiches

Info

Publication number: DE10260859A1
Application number: DE10260859A
Authority: DE
Inventors: Hans Artmann; Thorsten Pannek; Hans-Peter Trah; Franz Laermer
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2002-12-23
Filing date: 2002-12-23
Publication date: 2004-07-15
Anticipated expiration: 2022-12-24
Also published as: DE10260859B4; US7709933B2; US20040188808A1

Abstract

Es wird ein Strukturkörper (5) mit einem Bereich (11, 11') aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid vorgeschlagen, der über eine von einer Randfläche (15) des Bereiches (11, 11') ausgehenden Porosierung von zumindest weitgehend kristallinem Silizium erhalten worden ist. Dabei weist das kristalline Silizium bezogen auf die Randfläche (15) eine von einer <100>-Orientierung odr einer aus Symmetriegründen gleichwertigen Orientierung verschiedene Kristallorientierung auf. Dieser Strukturkörper (5) eignet sich zur Verwendung in einem Massenflusssensor, in einem Bauelement zur thermischen Entkopplung von Sensor- und/oder Aktorstrukturen oder in einem Gassensor. Weiter werden Verfahren zur Einstellung der Wärmeleitfähigkeit eines Bereiches (11, 11') aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid eines Strukturkörpers (5) vorgeschlagen. Insbesondere wird bei einer von einer Randfläche (15) des Bereiches (11, 11') ausgehenden Porosierung von kristallinem Silizium die kristalline Orientierung des Siliziums bezogen auf die Randfläche (15) derart gewählt, dass sich entlang einer zu der Randfläche (15) senkrechten Richtung eine Wärmeleitfähigkeit einstellt, die verschieden, insbesondere kleiner ist, als die Wärmeleitfähigkeit, die sich in dieser Richtung bei einer ansonsten analogen Porosierung von kristallinem Silizium mit einer <100>-Orientierung oder äquivalenten Orientierung bezogen auf diese Randfläche (15) einstellt.

Description

Die Erfindung betrifft einen Strukturkörper mit einem Bereich aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid und dessen Verwendung, sowie Verfahren zur Einstellung der Wärmeleitfähigkeit eines Bereiches aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid eines Strukturkörpers nach den unabhängigen Ansprüchen.
Stand der Technik
Poröses Silizium oder poröses Siliziumoxid wird in der Mikrosystemtechnik insbesondere in Form einer dicken, schlecht wärmeleitenden Schicht zur thermischen Entkopplung von Sensorstrukturen oder Aktorstrukturen in Bauelementen wie thermischen, chemischen oder fluidischen Sensoren oder Gassensoren eingesetzt. Die Güte der thermischen Entkopplung und damit die Güte des Bauelementes hängt dabei wesentlich von der Wärmeleitfähigkeit des zur Entkopplung eingesetzten Materials ab. Minimale, an oxidiertem porösem Silizium noch vertretbarer mechanischer Stabilität gemessene Wärmeleitfähigkeit liegen im Bereich von 0,3 bis 0,5 W/mK.
Zur Herstellung von porösem Silizium bzw. porösem Siliziumoxid nutzt man eine elektrochemische Reaktion zwischen Flusssäure und Silizium. Dabei wird eine Siliziumschicht oder ein Siliziumwafer gegenüber einem Flusssäureelektrolyten anodisch gepolt, so dass eine schwammartige Struktur in dem Silizium entsteht, die eine große innere Oberfläche und andere chemische und physikalische Eigenschaften wie eine geringere Wärmeleitfähigkeit als das umgebende Bulk-Silizium aufweist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung war die Bereitstellung eines Strukturkörpers mit einem Bereich aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid, der eine gegenüber dem Stand der Technik insbesondere verringerte Wärmeleitfähigkeit aufweist, und mit dem damit eine bessere thermische Entkopplung von auf diesem Bereich aufgebrachten Bauelementen von dem Strukturkörper erreichbar ist, so dass Verbesserungen in der Funktionalität von insbesondere thermischen Bauelementen erreicht werden können.
Vorteile der Erfindung
Bei dem erfindungsgemäßen Strukturkörper ist es vorteilhaft möglich, die Wärmeleitfähigkeit in Richtung einer zu einer Randfläche senkrechten Richtung durch Verwendung von kristallinem Silizium mit einer bezogen auf die Randfläche geeigneten Kristallorientierung, die von einer üblichen <100>-Orientierung verschieden ist, d.h. über die Wahl der Kristallorientierung des kristallinen Siliziums, zu verändern. Somit wird es möglich, die Wärmeleitfähigkeit in dieser zu der Randfläche senkrechten Richtung, d.h. die Tiefenwärmeleitfähigkeit, gegenüber der Wärmeleitfähigkeit in einer dazu senkrechten Richtung, d.h. einer lateralen Wärmeleitfähigkeit, auf einen gewünschten Wert einzustellen und insbesondere gegenüber dem Stand der Technik zu verringern.
Dadurch wird insgesamt eine geringere Wärmeleitfähigkeit und damit verbunden eine bessere thermische Entkopplung von beispielsweise auf dem porösen Bereich angeordneten thermischen Bauelementen erzielt.
Durch das mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahren erzwungene schräge Porenwachstum bezogen auf die Randfläche des porösen Bereiches wird vorteilhaft die effektive Länge der Siliziumkristallite in dem porösen Bereich vergrößert. Dies erlaubt ebenfalls die gezielte Einstellung einer gewünschten effektiven Wärmeleitfähigkeit in dem porösen Bereiches und bevorzugt eine Einstellung einer verringerten effektiven Wärmeleitfähigkeit des porösen Siliziums bzw. porösen Siliziumoxids.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
So ist vorteilhaft, wenn das kristalline Silizium bezogen auf die Randfläche eine <111>-Orientierung oder eine aus Symmetriegründen dazu gleichwertige Orientierung aufweist, da derartiges kristallines Silizium handelsüblich in Form von Wafern verfügbar ist. Weiter ist auch, bezogen auf die Randfläche, eine <118>-Orientierung, eine <113>-Orientierung, eine <511>-Orientierung, eine <5,5,12>-Orientierung oder eine dazu äqui valente oder aus Symmetriegründen gleichwertige Orientierung des kristallinen Siliziums vorteilhaft.
Daneben ist vorteilhaft, wenn auf dem Bereich aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid eine Deckschicht vorgesehen ist, die aus Siliziumnitrid, insbesondere siliziumreichem, nicht stöchiometrischem Siliziumnitrid, besteht. Eine derartige Deckschicht hat neben günstigen mechanischen Spannungseigenschaften den Vorteil, dass sie eine besonders gute und zuverlässige Haftung zu einem Platinschichtsystem vermitteln kann, aus dem beispielsweise auf der Deckschicht angebrachte Heizelemente und/oder Sensorelemente bestehen.
Insbesondere werden durch einen Überschuss an Siliziumatomen in dem nicht stöchiometrischen Siliziumnitrid, die unbeweglich an die Siliziumnitrid-Oberfläche gebunden sind, sogenannte "Si dangling bonds" bereit gestellt, so dass Platin durch Ausbildung silizidartiger Bindungsverhältnisse chemisch sehr stabil an ein derartiges Siliziumnitrid angebunden ist.
Im Gegensatz zu zusätzlichen Siliziumhaftschichten oder Silizidhaftschichten, die ebenfalls zur Haftverbesserung eingesetzt werden könnten, bietet der Einsatz von siliziumreichem Siliziumnitrid überdies den Vorteil, dass keine schädliche Interdiffusion zwischen Silizium und Platin mit der Folge elektrischer Drifterscheinungen auftritt. Dies beruht darauf, dass das Silizium in dem Siliziumnitrid nicht frei beweglich sondern chemisch eingebunden ist.
Insbesondere ist es auf diese Weise nun vorteilhaft möglich, auf der Deckschicht direkt sogenannte Platin-Bondlands, d.h. Kontaktflächen aus Platin, vorzusehen, und auf diesen direkt beispielweise mit Golddraht und Standard-Ultraschallbondtechniken einen Draht zu bonden. Derartige Bondverbindungen zu einem Platin-Bondland sind mechanisch und chemisch widerstandsfähiger als eine Bondverbindung zu einem entsprechenden Aluminium-Bondland, d.h. einer Aluminiumkontaktfläche, da sie vor allem nicht unter Korrosionseffekten, die durch den Zutritt von Feuchte hervorgerufen werden, leiden.
Zeichnung
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt 1 einen Strukturkörper mit einem porösen Bereich aus Silizium im Schnitt, 2 in Weiterführung von 1 einen Strukturkörper mit einem Bereich aus porösem Siliziumoxid, 3 in Weiterführung von 2 einen Strukturkörper mit einer zusätzlichen Deckschicht und 4 in Weiterführung von 3 einen Strukturkörper mit zusätzlichen Sensorelementen bzw. Platin-Leiterbahnen auf der Deckschicht.
Ausführungsbeispiele
Die Erfindung beruht in erster Linie auf der Erkenntnis, dass in porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid, das durch Porosieren eines Siliziumwafers oder einer Siliziumschicht mit einer <100>-Orientierung erhalten worden ist, eine Anisotropie in der Wärmeleitfähigkeit auftritt, d.h. die Wärmeleitfähigkeit parallel zu dem Normalenvektor einer Randfläche des Bereiches ("Tiefenwärmeleitfähigkeit"), von der die Porosierung in den Flusssäureelektrolyten durch anodisches Polen des Siliziumwafers ausgegangen ist, unterscheidet sich deutlich von der Wärmeleitfähigkeit in einer dazu senkrechten Richtung ("laterale Wärmeleitfähigkeit"). Diese Unterschiede können durchaus einen Faktor 2 und teilweise auch mehr erreichen. Die Nomenklatur <abc> bzw. <100> für die Orientierung entspricht im Übrigen der teilweise in der Kristallographie auch gebräuchlichen Bezeichnung [abc] bzw. [100].
Konkret führt dies dazu, dass in dem porösen Bereich des Strukturkörpers "Vorzugswärmepfade" vorliegen, die zur Einstellung der Funktionalität des Strukturkörpers ausgenützt werden können bzw. die bei ungeschickter Einstellung die Funktionalität des Strukturkörpers beispielsweise hinsichtlich der thermischen Isolation von auf dem porösen Bereich aufgebrachten Bauelementen erheblich verschlechtern können.
Daneben wurde beobachtet, dass die Richtung des Porenwachstums in dem porösen Silizium oder porösen Siliziumoxid bei der Porosierung dieses Bereiches neben dem Verlauf der Äquipotentiallinien während des Anodisierens auch von der Kristallorientierung des eingesetzten kristallinen Siliziums abhängig ist.
Als Standardmaterial wird in der Siliziumtechnologie ein <100>-orientierter Siliziumwafer eingesetzt, so dass, ähnlich wie bei einem anisotropen Ätzen in alkalischen Ätzlösungen, das Silizium beim Porosieren vorzugsweise an (100)-Ebenen abgetragen wird, während (111)-Ebenen langsamere Ätzraten aufweisen. Daher ist die Ätztiefe in <111>-Richtung, d.h. in einer Richtung senkrecht zu einer (111)-Ebene, geringer, als die Ätztiefe in <100>-Richtung bei gleicher Ätzzeit. Meist liegt das Verhältnis der Ätzraten im erläuterten Beispiel bei ca. 0,7.
Diese ausgeprägte Anisotropie im Porenwachstum spiegelt sich auch in den Materialeigenschaften des Bereiches aus porösem Silizium bzw. nach dessen Oxidation aus porösem Siliziumoxid wieder, und erklärt die oben genannten "Vorzugswärmepfade". Insbesondere wurden im Rahmen von Versuchen Wärmeleitfähigkeiten in einer Richtung senkrecht zu einer Randfläche des porösen Bereiches, d.h. Tiefenwärmeleitfähigkeiten, gemessen, die Wärmeleitfähigkeiten in einer Richtung parallel zu dieser Randfläche, d.h. laterale Wärmeleitfähigkeiten, um den Faktor 2,5 übersteigen.
Diese Erkenntnisse über eine anisotrope Wärmeleitfähigkeit, die durch die Kristallorientierung des eingesetzten kristallinen Siliziums bzw. eine Vorzugsrichtung beim Porenwachstum beim Porosieren verursacht wird, bilden die Grundlage für die erfindungsgemäßen Verfahren zur Einstellung der Wärmeleitfähigkeit des Bereiches aus porösem Silizium bzw. aus porösem Siliziumoxid des Strukturkörpers.
Wesentlicher Ausgangspunkt der Erfindung ist zunächst die Verwendung eines nicht <100>-orientierten Siliziumsubstrates oder -wafers bzw. einer entsprechenden Siliziumschicht, um ein bevorzugtes Porenwachstum beim Porosieren in einer Richtung senkrecht zu der Oberfläche des kristallinen Siliziumsubstrates zu vermeiden. Vielmehr wird nun durch ein über die Kristallorientierung des Siliziums induziertes, bevorzugt schräges Porenwachstum die effektive Länge der Kristallite in Richtung senkrecht zu der Oberfläche des kristallinen Siliziumsubstrates vergrößert, und damit die effektive Wärmeleitfähigkeit des porösen Siliziums bzw. porösen Siliziumoxids in Richtung senkrecht zu der Oberfläche des kristallinen Siliziumsubstrates ("Tiefenwärmeleitfähigkeit") verringert.
So wachsen bei Verwendung eines anders als <100>-orientierten kristallinen Siliziumsubstrates, wobei darunter auch aus Symmetriegründen gleichwertige Orientierungen zu verstehen sind, die bei einem üblichen elektrochemischen Porosieren mit Hilfe eines Flusssäure-Elektrolyten sich bildenden Poren weiterhin bevorzugt senkrecht zu der (100)-Ebene in dem Siliziumsubstrat. Diese Ebene liegt nun aber nicht mehr in einem Winkel von 90° zu der Randfläche des zu bildenden porösen Bereiches, sondern beispielsweise im Fall einer (111)-Oberfläche des Siliziumsubstrates in einem Winkel von 55° zu dieser Randfläche.
Da, wie erläutert, die Vorzugsrichtung des Porenwachstums und damit auch die Vorzugsrichtung des Siliziumskeletts in dem porösen Bereich eindeutig mit der Wärmeleitfähigkeit korrelierbar ist, sind die Richtung eines maximalen Porenwachstums und die Richtung einer maximalen Wärmeleitfähigkeit gleich orientiert, nämlich in <100>-Richtung.
Daraus ergibt sich die Möglichkeit, über die Kristallorientierung des eingesetzten kristallinen Siliziums bezogen auf die Randfläche, von der die Porosierung ausgeht, die Tiefenwärmeleitfähigkeit des Bereiches aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid insbesondere relativ zur lateralen Wärmeleitfähigkeit gezielt zu verändern.
Bevorzugt wird kristallines Silizium mit einer <111>-Kristallorientierung eingesetzt, da dies im Handel verfügbar ist. Das derart erzeugte, in seinen thermischen Eigenschaften optimierte poröse Silizium oder poröse Siliziumoxid bzw. der Strukturkörper mit einem entsprechenden porösen Bereich kann dann zum Aufbau von thermischen Bauelementen wie beispielsweise besonders empfindlichen Massenflusssensoren oder auch in Bauelementen zur thermischen Entkopplung von Sensor- und/oder Aktorstrukturen oder Gassensoren eingesetzt werden.
Die 1 erläutert einen Strukturkörper 5 mit einer kristallinen Siliziumschicht 10 oder einem Siliziumwafer, auf dem sich oberflächlich eine strukturierte Maskierschicht 12 befindet, die eine frei zugängliche Oberfläche der Siliziumschicht 10 definiert, die als Randfläche 15 bezeichnet ist. Weiter zeigt 1, wie, ausgehend von der Randfläche 15, mit Hilfe eines elektrochemischen Anodisierens in einem Flusssäureelektrolyten, wobei der Strukturkörper 5 anodisch gepolt war, ein poröser Bereich 11 mit porösem Silizium erzeugt worden ist.
Die Siliziumschicht 10 weist im erläuterten Beispiel eine <111>-Kristallorientierung bezogen auf die Randfläche 15 auf. Die Dicke der Siliziumschicht 10 beträgt bevorzugt 1 μm bis 1000 μm, beispielsweise 100 μm bis 500 μm.
Die 2 zeigt in Weiterführung von 1, wie in dem porösen Bereich 11 das dort vorhandene poröse Silizium durch einen Oxidationsprozess bei Temperaturen von 300°C bis 500°C in poröses Siliziumoxid überführt wurde, wodurch ein oxidierter poröser Bereich 11' entstanden ist, der in seiner Struktur stabilisiert ist, und der eine gegenüber dem porösen Bereich 11 weiter reduzierte Wärmeleitfähigkeit aufweist. Diese ist im Übrigen auch vom Grad der Porosität und der Kristallitgröße abhängig.
Die 3 zeigt dann, ausgehend von 2, wie der Bereich mit dein oxidierten porösen Silizium 11' mit einer Deckschicht 13, beispielsweise einem über einen CVD-Prozess ("Chemical Vapour Deposition") abgeschiedenes Siliziumnitrid (Si_xN_y), verschlossen wird. Bevorzugt wird siliziumreiches, nicht stöchiometrisches Siliziumnitrid abgeschieden.
Gemäß 4 werden danach auf der Deckschicht 13 zusätzlich Sensorelemente 14 und/oder nicht dargestellte Aktorelemente und/oder nicht dargestellte Leiterbahnelemente aufgebracht.
Beispielsweise sind die Sensorelemente 14 Platinwiderstandsleiterbahnen, die mit der Oberfläche der Deckschicht 13 durch Ausbildung silizidartiger Bindungsverhältnisse chemisch sehr stabil und damit sehr gut haftend verbunden sind.
Alternativ oder zusätzlich können auch sogenannte Platin-Bondlands bzw. Platinkontaktflächen auf die Deckschicht 13 aufgebracht sein, so dass auf diese direkt drahtgebondet werden kann, was bevorzugt mit Hilfe von Golddraht und Standard-Ultraschallbondtechniken erfolgt.

Claims

Strukturkörper mit einem Bereich aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid, der über eine von einer Randfläche (15) des Bereiches (11, 11') ausgehenden Porosierung von zumindest weitgehend kristallinem Silizium mit einer bezogen auf die Randfläche (15) von einer <100>-Orientierung oder einer aus Symmetriegründen gleichwertigen Orientierung verschiedenen Kristallorientierung erhalten worden ist.
Strukturkörper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich (11, 11'), abgesehen von einer gegebenenfalls vorhandenen Deckschicht (13), insbesondere mit darauf aufgebrachen Bauelementen, zumindest bereichsweise die Oberfläche des Strukturkörpers (5) bildet.
Strukturkörper nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich (11, 11') Poren aufweist, die zumindest teilweise, insbesondere weitgehend, entlang einer Vorzugsrichtung orientiert sind, wobei die Vorzugsrichtung zumindest näherungsweise parallel zu der Kristallorientierung des kristallinen Siliziums verläuft.
Strukturkörper nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das kristalline Silizium bezogen auf die Randfläche (15) eine <111>-Orientierung, eine <118>-Orientierung, eine <113>-Orientierung, eine <511>-Orientierung, eine <5,5,12>-Orientierung oder eine zu einer dieser Orientierungen aus Symietriegründen gleichwertige Orientierung aufweist.
Strukturkörper nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmeleitfähigkeit des Bereiches (11, 11') aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid entlang einer zu der Randfläche (16) senkrechten Richtung kleiner ist als die Wärmeleitfähigkeit eines analogen Bereiches aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid, der ü ber eine von der Randfläche (15) ausgehende analoge Porosierung von kristallinem Silizium mit einer bezogen auf die Randfläche (15) <100>-Orientierung oder einer aus Symmetriegründen gleichwertigen Orientierung erhalten worden ist.
Strukturkörper nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich (11, 11'), insbesondere auf der Randfläche (15), zumindest bereichsweise mit einer Deckschicht (13) versehen oder ist, und dass auf der Deckschicht (13) bereichsweise Sensorelemente (14) und/oder Aktorelemente und/oder Leiterbahnelemente angeordnet sind.
Strukturkörper nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (13) aus Siliziumnitrid (Si_xN_Y), insbesondere siliziumreichem, nichtstöchiometischem Siliziumnitrid, besteht.
Strukturkörper nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Deckschicht (13) eine Schicht, ein Schichtsystem oder ein Bauelement mit oder aus Platin angeordnet ist.
Verfahren zur Einstellung der Wärmeleitfähigkeit eines Bereiches aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid eines Strukturkörpers, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer von einer Randfläche (15) eines Bereiches (11, 11') ausgehenden Porosierung von zumindest weitgehend kristallinem Silizium eine kristalline Orientierung des Siliziums bezogen auf die Randfläche (15) derart gewählt wird, dass sich entlang einer zu der Randfläche (15) senkrechten Richtung eine Wärmeleitfähigkeit des porösen Siliziums oder porösen Siliziumoxids einstellt, die verschieden ist, insbesondere kleiner ist, als die Wärmeleitfähigkeit, die sich in dieser Richtung bei einer ansonsten analogen Porosierung von zumindest weitgehend kristallinem Silizium mit einer <100>-Orientierung oder einer aus Symmetriegründen gleichwertigen Orientierung bezogen auf diese Randfläche (15) einstellt.
Verfahren zur Einstellung der Wärmeleitfähigkeit eines Bereiches aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid eines Strukturkörpers, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer von einer Randfläche (15) des Bereiches (11, 11') ausgehenden Porosierung von zumindest weitgehend kristallinem Silizium Poren erzeugt werden, die zumindest teilweise, insbesondere zumindest weitgehend, eine Vorzugs richtung aufweisen, die nicht parallel zu einer Richtung senkrecht zu der Randfläche (16) orientiert ist.
Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass über die kristalline Orientierung des Siliziums und/oder die Einstellung der Vorzugsrichtung der Poren die Wärmeleitfähigkeit des porösen Siliziums oder porösen Siliziumoxids entlang der zu der Randfläche (16) senkrechten Richtung auf einen vorgegebenen Wert eingestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass über die kristalline Orientierung des Siliziums und/oder die Vorzugsrichtung der Poren das Verhältnis der Wärmeleitfähigkeit des porösen Siliziums oder porösen Siliziumoxids in der zu der Randfläche (16) senkrechten Richtung zu der Wärmleitfähigkeit des porösen Siliziums oder porösen Siliziumoxids in einer zu der Randfläche (16) parallelen Richtung zumindest näherungsweise auf einen vorgegebenen Wert eingestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Wert 1 ist, oder dass gezielt ein Wert ungleich 1, d.h. eine Anisotropie in der Wärmeleitfähigkeit in dem Bereich (11, 11'), eingestellt wird.
Verwendung des Strukturkörpers nach einem der vorangehenden Ansprüche in einem Massenflusssensor, in einem Bauelement zur thermischen Entkopplung von Sensor- und/oder Aktorstrukturen, oder einem Gassensor.