DE10220332A1 - Integrierte Schaltungsanordnung mit einem aktiven Filter und Verfahren zum Trimmen eines aktiven Filters - Google Patents
Integrierte Schaltungsanordnung mit einem aktiven Filter und Verfahren zum Trimmen eines aktiven FiltersInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltungsanordnung mit einem aktiven Filter, umfassend Transkonduktanzstufen, die jeweils mittels eines zuzuführenden Biasstroms einstellbar sind, und mit einer Trimmeinrichtung zum Trimmen des Filters, welche die Biasströme der Transkonduktanzstufen einstellt. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß die Trimmeinrichtung den Biasstrom einer ersten der Transkonduktanzstufen zur Erzielung einer gewünschten Eigenschaft dieser Transkonduktanzstufe einstellt und den Biasstrom wenigstens einer weiteren der Transkonduktanzstufen derart einstellt, daß die Transkonduktanz dieser weiteren Transkonduktanzstufe um einen bestimmten Wert von der Transkonduktanz der ersten Transkonduktanzstufe abweicht, wobei der hierfür von der Trimmeinrichtung der weiteren Transkonduktanzstufe zuzuführende Biasstrom (0,8 È ltun1 + ltun2) an einem besonderen Regelkreis definiert wird, der eine Anordnung von Repliken (gm1, gm2) wenigstens der ersten Transkonduktanzstufe und der weiteren Transkonduktanzstufe aufweist. DOLLAR A Dadurch kann die Auswirkung von Ausgangswiderständen von Transkonduktanzstufen des zu trimmenden Filters auf die Übertragungsfunktion dieses Filters weitgehend kompensiert werden.
Description
- Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltungsanordnung mit einem aktiven Filter sowie ein Verfahren zum Trimmen ("Tuning") eines aktiven Filters.
- Bekannt sind integrierte Schaltungsanordnungen mit einem aktiven Filter umfassend Transkonduktanzstufen, die jeweils mittels eines zuzuführenden Biasstroms einstellbar sind.
- Eine wichtige Klasse von aktiven Filtern bilden die sogenannten gm/C-Filter, bei welchen neben Transkonduktanzstufen auch Kondensatoren angeordnet sind. gm/C-Filter werden unter anderem für eine Breitbandfilterung ("anti aliasing filter"), bei Equalizern in der digitalen Übertragungstechnik oder in "Continuous Time Sigma Delta"-Konvertern eingesetzt. Ohne Rückkoppelung werden sie allgemein in Anwendungen mit hohen Bandbreiten und mittleren Linearitätsanforderungen eingesetzt.
- Die in Fig. 1 dargestellte Schaltung zeigt eine an sich bekannte und in der Literatur als "Biquad" bezeichnete Struktur, realisiert in gm/C-Technik mit der folgenden Übertragungsfunktion A(s):
mit: s = komplexe Frequenz
ω0 = Polfrequenz
Q = Polgüte - C1, C2 und gm1, gm2, gm3, gm4 bezeichnen hierbei die Kapazitäten der in Fig. 1 dargestellten Kondensatoren bzw. die Transkonduktanzen der in Fig. 1 dargestellten Transkonduktanzstufen.
- Biquadratische Filter sind in der Praxis wichtige fundamentale Bausteine zur Bildung von aktiven Filtern, da sich durch geeignete Kombination von biquadratischen Strukturen jede beliebige Filtercharakteristik realisieren läßt und die Lage von Nullstellen und Polen in der komplexen s-Ebene von biquadratischen Strukturen relativ wenig von Variationen der elektrischen Eigenschaften der verwendeten Komponenten beeinflußt wird. Eine genaue Kontrolle der Lage von Nullstellen und Polen in der komplexen s-Ebene ist Voraussetzung dafür, daß das entworfene Filter die vorgegebenen Spezifikationen erfüllt. In dieser Hinsicht besonders bedeutsam sind Variationen der Komponenteneigenschaften aufgrund von Prozeßschwankungen bei der Herstellung der integrierten Schaltung sowie aufgrund von Temperaturschwankungen während des Betriebs der integrierten Schaltung.
- Aufbau und Betriebsweise von Transkonduktanzstufen, wie den Stufen gm1 bis gm4 in Fig. 1 sind dem Fachmann wohlbekannt. Kurz zusammengefaßt ist eine Transkonduktanzstufe, auch bezeichnet als "operational transconductance amplifier" (OTA), Transkonduktanzelement oder Transkonduktor, eine Einrichtung zur Erzeugung eines Stromsignals aus einem eingegebenen Spannungssignal. Dies ist in Fig. 1a anhand der Transkonduktanzstufe gm1 veranschaulicht. Bezeichnet man die am Eingang der Stufe anliegende Spannung mit Uin und den am Ausgang der Stufe fließenden Strom mit Iout, so gilt:
Iout = gm1.Uin,
wobei gm1 den sogenannten Transkonduktanzgewinn oder die Transkonduktanz der Einrichtung bezeichnet. Üblicherweise wird die Transkonduktanz einer Transkonduktanzstufe mittels eines der Stufe zugeführten Biasstroms (Itun in Fig. 1a) eingestellt, wobei der konkrete Zusammenhang zwischen Biasstrom und resultierender Transkonduktanz von dem konkreten Aufbau der Transkonduktanzstufe abhängt. Wesentlich ist im Rahmen dieser Erfindung, daß bei gegebenem Aufbau der Transkonduktanzstufe deren Transkonduktanz sich verändert, wenn der Biasstrom verändert wird, also gm = gm (Itun). - Um die Biasströme von Transkonduktanzstufen eines aktiven Filters einzustellen, besitzen bekannte integrierte Schaltungsanordnungen ferner eine Trimmeinrichtung zum Trimmen des Filters, welche die Biasströme der einzelnen Transkonduktanzstufen und damit die einzelnen Transkonduktanzen einstellt. Bei dieser Einstellung können die oben erwähnten Variationen der Transkonduktanz aufgrund von Herstellungsprozeßschwankungen und Temperaturschwankungen kompensiert werden. Trimmeinrichtungen und Strategien zum automatischen chipintegrierten Einstellen eines Filters sind an sich bekannt. Eine solche Strategie besteht beispielsweise darin, die aktuellen Filter-Leistungseigenschaften zu messen, dann diese Leistungseigenschaften mit einem Standard (Referenz) zu vergleichen, dann eine Abweichung zwischen den aktuellen Leistungseigenschaften und der Referenz zu bestimmen und schließlich ein Korrektursignal zu berechnen und dem Filter zuzuführen. Durch iterative Durchführung dieses Verfahrens können Abweichungen (Fehler) reduziert werden. Um den Filterbetrieb nicht zu beeinträchtigen, können die aktuellen Filter-Leistungseigenschaften anstatt am Filter selbst auch indirekt an einer Replik des Filters oder Teilen des Filters gemessen werden. Hierfür ist nur zu gewährleisten, daß das Verhalten des replizierten Filters bzw. der replizierten Filterteile dem Verhalten des Filters bzw. der Filterteile entspricht. Diese Bedingung ist für Repliken erfüllt, die in der Nähe des Filters auf demselben Chip angeordnet sind.
- An replizierten Filtern bzw. Filterteilen können somit vorteilhaft Biasströme für Transkonduktanzstufen definiert werden, die dann direkt, oder indirekt mittels an sich bekannter Stromspiegel, den Transkonduktanzstufen des Filters zugeführt werden, um das Filter einzustellen.
- In Fig. 1 ist die Trimmeinrichtung zur Einstellung der Transkonduktanzstufen nicht dargestellt.
- Berücksichtigt man bei dem Filter gem. Fig. 1 den in der Praxis für jede Transkonduktanz gm vorhandenen Ausgangswiderstand in Form eines Ausgangsleitwertes gds (vgl. Fig. 2), dann werden sowohl Polfrequenz als auch Polgüte verändert. Die Filtercharakteristik bzw. Übertragungsfunktion A(s) entspricht nicht mehr der ohne Berücksichtigung des Ausgangswiderstandes, was im allgemeinen nachteilig ist.
- Bekannte Abhilfemaßnahmen sind die Erhöhung des Ausgangswiderstandes der Transkonduktanzen ("gain boosting") oder die Realisierung von negativen Ausgangswiderständen gleich den Ausgangswiderständen.
- Die Erhöhung des Ausgangswiderstandes durch gain boosting bedeutet den Einsatz von Operationsverstärkern oder Transistoren in Rückkoppelung. Bei hohen Frequenzen sind diese Schleifen nur mehr begrenzt wirksam. Weiter kann der Ausgangswiderstand nur vergrößert, seine Wirkung auf die Filtercharakteristik jedoch nicht eliminiert werden.
- Der Einsatz von negativen Widerständen kann den Ausgangswiderstand theoretisch vollständig kompensieren. Die Realisierung von hierfür notwendigen sehr kleinen regelbaren Transkonduktanzen ist jedoch schwierig. Außerdem wird ein zusätzliches Tuning benötigt, um über Temperatur- und Prozessschwankungen den negativen Widerstand gleich dem Ausgangswiderstand zu regeln. Der durch eine Transkonduktanz realisierte negative Widerstand belastet zudem die Schaltungsknoten mit unerwünschter Kapazität.
- Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine integrierte Schaltungsanordnung der oben bezeichneten Art sowie ein Verfahren zum Trimmen eines aktiven Filters einer solchen Schaltungsanordnung bereitzustellen, bei denen die Wirkung von in der Praxis auftretenden Ausgangsleitwerten von Transkonduktanzen auf die Filtercharakteristik in hohem Maße kompensiert werden kann.
- Diese Aufgabe wird gelöst mit einer integrierten Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bzw. einem Verfahren nach Anspruch 7. Die abhängigen Ansprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung.
- Mit der Erfindung ist es möglich, die Transkonduktanzen des Filters auf eine Weise zu verändern, so daß der Einfluß der Ausgangswiderstände der Transkonduktanzen auf die angestrebte Übertragungsfunktion (z. B. die oben angegebene Übertragungsfunktion des Filters gemäß Fig. 1) mehr oder weniger aufgehoben wird. Insbesondere ermöglicht die Erfindung eine Kompensation der Auswirkung des Ausgangswiderstandes der Transkonduktanzen auf die Übertragungsfunktion eines gm/C-Filters durch geeignetes Verändern bestimmter Transkonduktanzen im Filter gegenüber Transkonduktanzen, die ohne Berücksichtigung des Ausgangswiderstands beim Entwurf des Filters ermittelt wurden. Hierfür wird die Transkonduktanzstufe wenigstens einer gm/C-Einheit einem Haupttrimmen bzw. Haupttuning unterworfen, bei dem die Zeitkonstante gm/C auf einen gewünschten Wert eingestellt wird, wohingegen mittels eines zusätzlichen Trimmens bzw. Tunens die Transkonduktanzstufe wenigstens einer weiteren gm/C-Einheit derart eingestellt wird, daß die Transkonduktanz dieser weiteren Transkonduktanzstufe um einen Wert von der Transkonduktanz der im Haupttuning eingestellten Transkonduktanzstufe abweicht, welcher einer Summe von mehreren der Ausgangsleitwerte entspricht.
- Die Ausgangswiderstände sind für die einzelnen Transkonduktanzstufen jedenfalls dann identisch, wenn die Auslegung des Filters derart vorgesehen ist, daß die einzelnen Transkonduktanzstufen in Aufbau und Transkonduktanzwert identisch sind. Aber auch bei verschieden ausgelegten Transkonduktanzen ergibt sich, im wesentlichen nur abhängig von der verwendeten Herstellungstechnologie, ein praktisch einheitlicher Ausgangsleitwert für die Transkonduktanzstufen. Wenn die einzelnen Ausgangswiderstände im wesentlichen gleich sind, so bezeichnet der Begriff "Summe von mehreren Ausgangsleitwerten" ein Vielfaches dieses einheitlichen Ausgangsleitwerts.
- Der für dieses zusätzliche Trimmen den weiteren Transkonduktanzstufen zuzuführende Biasstrom wird an einem Regelkreis umfassend eine Anordnung von Repliken definiert und kann dann direkt oder indirekt über einen Stromspiegel der betreffenden Transkonduktanzstufe des Filters zugeführt werden.
- Die mit der Erfindung erzielte Kompensation der Auswirkung des Ausganswiderstands von Transkonduktanzen auf die Übertragungsfunktion eines Filters wird unten am Beispiel des gm/C-Filters gemäß den Fig. 1 und 2 noch detailliert erläutert.
- In einer bevorzugten Ausführungsform ist das aktive Filter ein gm/C-Filter, insbesondere ein biquadratisches gm/C-Filter.
- Ferner ist es bevorzugt, die Schaltungsanordnung in CMOS-Technologie zu bilden.
- Die Trimmeinrichtung läßt sich für den Fall eines einheitlichen Ausgangsleitwerts (von mehreren und insbesondere allen der Transkonduktanzstufen) in einfacher Weise konzipieren, wenn die Trimmeinrichtung den Biasstrom der weiteren der Transkonduktanzstufen derart einstellt, daß die Transkonduktanz dieser weiteren Transkonduktanzstufe um ein ganzzahliges Vielfaches dieses einheitlichen Ausgangsleitwerts von der Transkonduktanz der ersten Transkonduktanzstufe abweicht. Auch ergibt sich ein einfacher Aufbau der Trimmeinrichtung, wenn der Regelkreis eine Serienanordnung von Repliken der ersten Transkonduktanzstufe und der weiteren Transkonduktanzstufe aufweist, wobei der Eingang der ersten Transkonduktanzstufe den Eingang der Anordnung bildet, wobei der Ausgang der ersten Transkonduktanzstufe mit dem Eingang der weiteren Transkonduktanzstufe sowie dem Ausgang der weiteren Transkonduktanzstufe verbunden ist, und wobei der Ausgang der weiteren Transkonduktanzstufe den Ausgang der Anordnung bildet.
- Zur Durchführung des zusätzlichen Trimmens in möglichst rascher und zuverlässiger Weise läßt sich vorsehen, daß die Stromquelle zum Zuführen des geregelten weiteren Biasstroms zu der Replik der weiteren Transkonduktanzstufe zwei parallel zuführende Stromquelleneinheiten aufweist, von denen eine erste Einheit einen Biasstromanteil zuführt, der in einem festen Verhältnis zu dem ersten Biasstrom steht, wobei einer zweiten Einheit zum Zuführen eines geregelten Biasstromanteils das Vergleichssignal zugeführt wird.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen detaillierter beschrieben. Es stellen dar:
- Fig. 1 ein Schaltbild eines biquadratischen gm/C-Filters,
- Fig. 1a ein Detail aus dem Schaltbild gemäß Fig. 1, welches die Funktion einer der in Fig. 1 dargestellten Transkonduktanzstufen veranschaulicht,
- Fig. 2 ein Schaltbild des gm/C-Filters gemäß Fig. 1, wobei die Ausgangswiderstände der Transkonduktanzstufen berücksichtigt sind,
- Fig. 2a ein Schaltbild des gm/C-Filters gemäß Fig. 1, wobei die Ausgangswiderstände der Transkonduktanzstufen berücksichtigt und besonders gewählt sind,
- Fig. 3 ein Schaltbild der für eine Realisierung der Erfindung bei dem Filter gemäß Fig. 2 oder Fig. 2a wesentlichen Komponenten einer Trimmeinrichtung, und
- Fig. 3a ein Schaltbild der für eine alternative Realisierung der Erfindung bei dem Filter gemäß Fig. 2 oder Fig. 2a wesentlichen Komponenten einer Trimmeinrichtung.
- Die Fig. 1 und 1a wurden oben bereits als Ausführungsbeispiel eines aktiven Filters umfassend Transkonduktanzstufen gm1 bis gm4 erläutert. Neben diesen Transkonduktanzstufen weist das Filter Kondensatoren C1 und C2 wie in Fig. 1 dargestellt auf. Es handelt sich somit um ein biquadratisches gm/C-Filter, bei welchem eine Eingangsspannung Uin am Eingang einer ersten Transkonduktanzstufe gm1 eingegeben wird und eine Ausgangsspannung Uout am Ausgang einer der weiteren Transkonduktanzstufen (gm2, gm3, gm4), nämlich der Transkonduktanzstufe gm4 bereitgestellt wird.
- Fig. 1a veranschaulicht die Funktion der Transkonduktanzstufe gm1. Die Transkonduktanz gm1 dieser Stufe wird eingestellt durch einen Biasstrom Itun, der von einer in Fig. 1a nicht dargestellten Trimmeinrichtung bereitgestellt wird und beispielsweise zur Erzielung einer gewünschten Zeitkonstante gm1/C2 der aus der Transkonduktanzstufe gm1 und dem Kondensator C2 gebildeten gm/C-Einheit (Integrator) bei einem Haupttuning des Filters eingestellt wird.
- Fig. 2 zeigt das gm/C-Filter unter Berücksichtigung von Ausgangswiderständen in Form von Ausgangsleitwerten gds1, gds2, gds3 und gds4 an den Ausgängen der Transkonduktanzstufen gm1 bis gm4. Gegenüber der oben bereits erwähnten Übertragungsfunktion A(s) des gm/C-Filters gemäß Fig. 1 ist bei der realistischen Betrachtung des Filters gemäß Fig. 2 sowohl die Polfrequenz als auch die Polgüte verändert.
- Unter der in der Praxis meist gerechtfertigten Vereinfachung
gds1 = gds2 = gds3 = gds4 = gds (einheitlicher Ausgangsleitwert)
ergibt sich als Übertragungsfunktion A(s) des Filters von Fig. 2:
- Die unerwünscht starke Abhängigkeit dieser Übertragungsfunktion A(s) von dem Ausgangsleitwert gds kann gemäß der Erfindung verringert werden durch eine besondere Einstellung der Transkonduktanzstufen gm2 bis gm4 zur Schaffung neuer Transkonduktanzwerte wie folgt:
gm2neu = gm2 - 2.gds
gm3neu = gm3 - 2.gds
gm4neu = gm4 - 4.gds
- Für andere Filter können andere derartige "Kompensationsregeln" aufgestellt werden.
- In der Praxis meist gerechtfertigte Vereinfachungen sind ferner:
gm1 = gm2 = gm3 = gm4 = gm (einheitlicher Transkonduktanzwert)
C1 = C2 = C (einheitliche Kapazität) - Das Ergebnis für die Übertragungsfunktion A(s) ist dann:
- Diese mit der Erfindung bereitgestellte Übertragungsfunktion A(s) weist nur mehr eine kleine Abhängigkeit vom Ausgangswiderstand bzw. Ausgangsleitwert gds auf.
- Um jede beliebige Filtercharakteristik bereitstellen zu können, müssen C1 und C2 unter Umständen verschieden ausgelegt werden (C1 ≠ C2). Das sollte dann bei den neuen gm berücksichtigt werden. Für das obige Beispiel eines Biquad können die neuen gm vorteilhaft z. B. wie folgt gewählt werden:
- Das Ergebnis für die Übertragungsfunktion A(s) ist dann:
- Bevorzugt sollten im Falle verschiedener Kapazitäten C1, C2 auch die Ausgangsleitwerte dem angepaßt verschieden voneinander vorgesehen werden. Voneinander verschiedene Ausgangsleitwerte von einerseits gds und andererseits 2.C1/C2.gds erhält man z. B. durch entsprechendes Skalieren der geometrischen Abmessungen (z. B. Kanallängen) von FET-Transistoren in den Ausgangsstufen der betreffenden Transkonduktanzstufen. Die Ausgangsleitwerte lassen sich also besonders wählen (auslegen).
- Fig. 2a veranschaulicht diese Auslegung von neuen Ausgangsleitwerten gds2.C1/C2 und gds4.C1/C2 gegenüber den Werten gds2 und gds4 gemäß der ursprünglichen Filterauslegung.
- Der Absolutwert des Augangsleitwertes unterliegt in der Praxis, bedingt durch Variationen im Herstellungsprozeß, erheblichen Schwankungen. Das durch die Skalierung gewählte relative Verhältnis von Ausgangsleitwerten zueinander ist jedoch sehr genau (typisch etwa 0,5%). Im Rahmen der Erfindung spielt der Absolutwert des Ausgangsleitwerts eine untergeordnete Rolle, da mit dem sogenannten Filter-Haupttuning eine Anpassung stattfindet. Bedeutend ist hingegen, daß die bevorzugt besonders (z. B. verschieden voneinander) zu wählenden Ausgangsleitwerte relativ zueinander in einfacher Weise durch Skalierung im Rahmen der Herstellungstechnologie eingestellt werden können.
- Fig. 3 zeigt eine einfache Implementierung (Tuning-Schaltung) für die Erzeugung der neuen Transkonduktanzen an Repliken der im Filter verwendeten Transkonduktanzstufen gm1 und gm2. Der dargestellte Teil (ein Regelkreis) der Tuning-Schaltung ist zur Einstellung der in den Fig. 2 und 2a gezeigten Filter geeignet. Dies wird nachfolgend am Beispiel der Anwendung für das Filter gemäß Fig. 2 erläutert.
- Üblicherweise gibt es bei einem gm/C-Filter ein Haupttuning, das die Zeitkonstante gm/C in Bezug auf einen sehr genauen Referenztakt (Quarz) einstellt. Diese Schaltung ist hier nicht abgebildet. Der Strom aus dieser Schaltung wird dem replizierten gm1 zu 100% (Itun) und dem replizierten gm2 zu 80% zugeführt. Die Repliken gm1 und gm2 sind wie in Fig. 3 dargestellt seriell angeordnet, wobei der Eingang der ersten Transkonduktanzstufe gm1 den Eingang des Regelkreises bildet, der mit einer bevorzugt konstanten Referenzspannung Uref beaufschlagt wird. Der Ausgang der ersten Transkonduktanzstufe gm1 ist mit dem Eingang der weiteren Transkonduktanzstufe gm2 sowie dem Ausgang der weiteren Transkonduktanzstufe gm2 verbunden. Dieser Ausgang der weiteren Transkonduktanzstufe gm2 bildet den Ausgang der Replik-Anordnung. Die dargestellte Replik gm2 wird hierbei invertiert betrieben ("-gm2"). Die hier verwendeten Transkonduktanzstufen haben üblicherweise Differenzeingangsstufen und können so angeschlossen werden, daß bei Anlegen einer positiven Spannung am Eingang entweder der Strom aus dem Ausgang herausfließt (normaler Betrieb) oder hinein fließt (invertierter Betrieb).
- Die am Ausgang bereitgestellte Ausgangsspannung Uout wird mittels eines Vergleichers mit der Referenzspannung Uref verglichen. Das als Ergebnis dieses Vergleichs bereitgestellte Vergleichssignal wird als ein Regelsignal einer zusätzlichen einstellbaren Stromquelle für die Transkonduktanzstufe gm2 zugeführt, um den von dieser Stromquelle (zusätzlich zu 80% Itun) zugeführten Biasstromanteil einzustellen. Der Regelkreis verändert den Strom von gm2 solange bis die Ausgangsspannung gleich Uref ist.
- Wenn im eingeschwungenen Zustand des in Fig. 3 abgebildeten Regelkreises Uout = Uref gilt, so läßt sich leicht zeigen, daß in diesem Zustand die Transkonduktanz der weiteren Transkonduktanzstufe gm2 um die Summe der Ausgangsleitwerte gds1 und gds2 von der Transkonduktanz der ersten Transkonduktanzstufe gm1 abweicht:
gm2 = gm1 - (gds1 + gds2)
- Falls die praktisch oftmals zu erfüllende Bedingung gds1 = gds2 gilt, so beträgt diese Abweichung also das Zweifache eines einheitlichen Ausgangsleitwerts:
gm2 = gm1 - 2.gds
- Der in Fig. 3 dargestellte Teil der Trimmeinrichtung für das aktive Filter liefert also an der Replik der weiteren Transkonduktanzstufe gm2 genau denjenigen Biasstrom (= 0.8.Itun1 + Itun2), der gemäß der oben angegebenen Kompensation direkt oder indirekt als Biasstrom für die Transkonduktanzstufe gm2 des Filters gemäß Fig. 2 zu verwenden ist.
- Eine analoge Betrachtung für das weitergebildete Filter (besonders gewählte Kapazitäten und Ausgangsleitwerte) gemäß Fig. 2a ergibt ebenfalls, daß an der Replik genau der für das Filter benötigte Einstell-Biasstrom geliefert wird.
- Um z. B. eine Abweichung vom Vierfachen eines Ausgangsleitwerts zu erhalten, können abweichend von Fig. 3 z. B. zwei zusätzliche Transkonduktanzstufen-Repliken verwendet werden.
- Alternativ können Transkonduktanzstufen-Repliken mit unterschiedlichen Ausgangsleitwerten verwendet werden, z. B. einerseits mit 1.gds und andererseits mit 2.gds. Die gds schwanken zwar absolut über Prozeß, aber relativ zueinander sind sie auf typisch etwa 1% genau. Anders formuliert: Durch entsprechende Verhältnisse in den geometrischen Abmessungen der Transistoren kann das gds der Ausgangsstufe der Transkonduktanzstufe z. B. genau um den Faktor 2 in einer anderen Ausgangsstufe eingestellt werden, auch wenn diese absolut gesehen stark schwanken.
- Fig. 3a zeigt z. B. eine solche Schaltungsalternative zum Einstellen der Transkonduktanz gm2 = gm1 - 4.gds. Den halbierten Ausgangswiderstand der Transkonduktanzstufen gm1 und gm2 erreicht man hierbei entweder durch Verändern (Skalieren) der Ausgangsstufe von gm1 und gm2 in geeigneter Weise (Verringerung der Transistorlängen), oder durch Anschluß einer zweiten Transkonduktanzstuge gm2 an den Ausgangsknoten.
- In den Fig. 3 und 3a nicht dargestellt ist die aufgrund der großen Abhängigkeit der Tuninggenauigkeit von Offsetspannungen unbedingt erforderliche, an sich bekannte Offsetkompensation (z. B. mittels Chopperverstärker).
- Abhängig von der konkreten Gestaltung des aktiven Filters und einer daraus sich ergebenden Kompensation kann der Fachmann ohne weiteres der Schaltung gemäß Fig. 3 oder Fig. 3a ähnliche Schaltungen auffinden, mit denen die zur Kompensation gewünschten Abweichungen bzw. die neuen Transkonduktanzwerte eingestellt werden können.
- Zusammenfassend betrifft die Erfindung eine integrierte Schaltungsanordnung mit einem aktiven Filter umfassend Transkonduktanzstufen, die jeweils mittels eines zuzuführenden Biasstroms einstellbar sind, und mit einer Trimmeinrichtung zum Trimmen des Filters, welche die Biasströme der Transkonduktanzstufen einstellt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß die Trimmeinrichtung den Biasstrom einer ersten der Transkonduktanzstufen zur Erzielung einer gewünschten Eigenschaft dieser Transkonduktanzstufe einstellt und den Biasstrom wenigstens einer weiteren der Transkonduktanzstufen derart einstellt, daß die Transkonduktanz dieser weiteren Transkonduktanzstufe um einen bestimmten Wert von der Transkonduktanz der ersten Transkonduktanzstufe abweicht, wobei der hierfür von der Trimmeinrichtung der weiteren Transkonduktanzstufe zuzuführende Biasstrom an einem besonderen Regelkreis definiert wird, der eine Anordnung von Repliken wenigstens der ersten Transkonduktanzstufe und der weiteren Transkonduktanzstufe aufweist.
- Dadurch kann die Auswirkung von Ausgangswiderständen von Transkonduktanzstufen des zu trimmenden Filters auf die Übertragungsfunktion dieses Filters weitgehend kompensiert werden.
Claims (7)
1. Integrierte Schaltungsanordnung mit einem aktiven Filter umfassend
Transkonduktanzstufen (gm1, gm2, gm3, gm4), die jeweils mittels eines zuzuführenden
Biasstroms (Itun) einstellbar sind, und mit einer Trimmeinrichtung zum Trimmen
des Filters, welche die Biasströme der Transkonduktanzstufen einstellt,
dadurch gekennzeichnet, daß die Trimmeinrichtung den Biasstrom (Itun1) einer
ersten (gm1) der Transkonduktanzstufen zur Erzielung einer gewünschten
Eigenschaft dieser Transkonduktanzstufe einstellt und den Biasstrom (0,8*Itun1 +
Itun2) wenigstens einer weiteren (gm2) der Transkonduktanzstufen derart einstellt,
daß die Transkonduktanz (gm2) dieser weiteren Transkonduktanzstufe um einen
Wert (2.gds) von der Transkonduktanz (gm1) der ersten Transkonduktanzstufe
abweicht, welcher einer Summe von Ausgangsleitwerten (gds + gds) entspricht,
welche jeweils einen Ausgang der Transkonduktanzstufen (gm1, gm2, gm3, gm4)
belasten, wobei der hierfür von der Trimmeinrichtung der weiteren
Transkonduktanzstufe (gm2) zuzuführende Biasstrom (0,8.Itun1 + Itun2) an einem
Regelkreis definiert wird, wobei der Regelkreis aufweist:
so daß der am Regelkreis eingestellte weitere Biasstrom (0,8.Itun1 + Itun2) den
von der Trimmschaltung der weiteren Transkonduktanzstufe (gm2) zuzuführenden
Strom definiert.
- eine Anordnung von Repliken wenigstens der ersten Transkonduktanzstufe
(gm1) und der weiteren Transkonduktanzstufe (gm2),
- Stromquellen zum Zuführen des ersten Biasstroms (Itun1) zu der Replik der
ersten Transkonduktanzstufe und eines geregelten weiteren Biasstroms
(0,8.Itun1 + Itun2) zu der Replik der weiteren Transkonduktanzstufe,
- eine Spannungsquelle zum Beaufschlagen eines Eingangs der Anordnung mit
einer Eingangsspannung (Uref), und
- einen Vergleicher zum Vergleichen einer Ausgangsspannung (Uout) der
Anordnung mit der Eingangsspannung (Uref) und zum Bereitstellen eines
Vergleichssignals, welches als ein Regelsignal der Stromquelle der Replik der
weiteren Transkonduktanzstufe (gm2) zugeführt wird, um den weiteren
Biasstrom (0,8.Itun1 + Itun2) derart einzustellen, daß die Ausgangsspannung
(Uout) gleich der Eingangsspannung (Uref) wird,
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei das aktive Filter ein gm/C-Filter ist,
insbesondere ein biquadratisches gm/C-Filter.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, gebildet in CMOS-Technologie.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Ausgangsleitwerte
mehrerer der Transkonduktanzstufen einander gleich sind und die
Trimmeinrichtung den Biasstrom der weiteren der Transkonduktanzstufen derart einstellt,
daß die Transkonduktanz dieser weiteren Transkonduktanzstufe um ein
ganzzahliges Vielfaches dieses einheitlichen Ausgangsleitwerts von der
Transkonduktanz der ersten Transkonduktanzstufe abweicht.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Regelkreis
eine Serienanordnung von Repliken der ersten Transkonduktanzstufe und der
weiteren Transkonduktanzstufe aufweist, wobei der Eingang der ersten
Transkonduktanzstufe den Eingang der Anordnung bildet, wobei der Ausgang der ersten
Transkonduktanzstufe mit dem Eingang der weiteren Transkonduktanzstufe sowie
dem Ausgang der weiteren Transkonduktanzstufe verbunden ist, und wobei der
Ausgang der weiteren Transkonduktanzstufe den Ausgang der Anordnung bildet.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Stromquelle
zum Zuführen des geregelten weiteren Biasstroms zu der Replik der weiteren
Transkonduktanzstufe zwei parallel zuführende Stromquelleneinheiten aufweist,
von denen eine erste Einheit einen Biasstromanteil zuführt, der in einem festen
Verhältnis zu dem ersten Biasstrom steht und der zweiten Einheit zum Zuführen
eines geregelten Biasstromanteils das Vergleichssignal zugeführt wird.
7. Verfahren zum Trimmen eines aktiven Filters einer integrierten
Schaltungsanordnung mittels einer Trimmeinrichtung der integrierten Schaltungsanordnung, wobei
das Filter Transkonduktanzstufen umfaßt, die jeweils mittels eines von der
Trimmeinrichtung zuzuführenden Biasstroms einstellbar sind und deren Ausgänge jeweils
durch einen Ausgangsleitwert belastet sind, wobei die Trimmeinrichtung die
Biasströme der Transkonduktanzstufen einstellt, umfassend die Schritte:
a) Einstellen des Biasstroms einer ersten der Transkonduktanzstufen zur
Erzielung einer gewünschten Eigenschaft dieser Transkonduktanzstufe,
b) Einstellen des Biasstroms wenigstens einer weiteren der
Transkonduktanzstufen derart, daß die Transkonduktanz dieser weiteren
Transkonduktanzstufe um ein Vielfaches des Ausgansleitwerts von der Transkonduktanz der
ersten Transkonduktanzstufe abweicht,
c) Definition des für den Schritt b) von der Trimmeinrichtung der weiteren
Transkonduktanzstufe zuzuführenden Biasstroms an einem Regelkreis, wobei
der Regelkreis aufweist:
- eine Anordnung von Repliken wenigstens der ersten Transkonduktanzstufe
und der weiteren Transkonduktanzstufe,
- Stromquellen zum Zuführen des ersten Biasstroms zu der Replik der ersten
Transkonduktanzstufe und eines geregelten weiteren Biasstroms zu der
Replik der weiteren Transkonduktanzstufe,
- eine Spannungsquelle zum Beaufschlagen eines Eingangs der Anordnung mit
einer Eingangsspannung, und
- einen Vergleicher zum Vergleichen einer Ausgangsspannung der Anordnung
mit der Eingangsspannung und zum Bereitstellen eines Vergleichssignals,
welches als ein Regelsignal der Stromquelle der Replik der weiteren
Transkonduktanzstufe zugeführt wird, um den weiteren Biasstrom derart
einzustellen, daß die Ausgangsspannung gleich der Eingangsspannung wird,
- Verwenden des in dem Schritt c) definierten weiteren Biasstroms als von der
Trimmeinrichtung der weiteren Transkonduktanzstufe zuzuführenden
Biasstrom.
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| US7324028B2 (en) * | 2005-09-23 | 2008-01-29 | Realtek Semiconductor Corp. | Self-calibrating continuous-time delta-sigma modulator |
| US7277032B2 (en) * | 2005-10-21 | 2007-10-02 | Realtek Semiconductor Corp. | Low-pass filter based delta-sigma modulator |
| TWI285994B (en) * | 2005-10-28 | 2007-08-21 | Via Tech Inc | Tuning circuit for transconductors and related method |
| CN100468968C (zh) * | 2005-11-03 | 2009-03-11 | 威盛电子股份有限公司 | 转导调谐电路与相关方法 |
| EP1806842B1 (de) * | 2005-12-30 | 2009-09-02 | Stmicroelectronics SA | Schaltkreis eines Transkonduktanzfilters, insbesondere für ein Mobiltelefon |
| US7446687B2 (en) * | 2006-10-27 | 2008-11-04 | Realtek Semiconductor Corp. | Method and apparatus to reduce internal circuit errors in a multi-bit delta-sigma modulator |
| US20080191778A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Mediatek Inc. | Gm/c tuning circuit and filter using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5617052A (en) * | 1995-05-16 | 1997-04-01 | Nec Corporation | Transconductance-variable analog multiplier using triple-tail cells |
| DE69427471T2 (de) * | 1994-07-29 | 2002-04-25 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Transkonduktanzstufe mit gesteuerter Verstärkung |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP0957578B1 (de) * | 1998-05-15 | 2004-07-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Transkonduktanzsteuerschaltung insbesondere für zeitkontinuierliche Schaltungen |
| US6194947B1 (en) * | 1998-07-24 | 2001-02-27 | Global Communication Technology Inc. | VCO-mixer structure |
| US6172569B1 (en) * | 1999-03-16 | 2001-01-09 | Analog Devices, Inc. | Transconductance filter control system |
| CN1254011C (zh) * | 2000-07-12 | 2006-04-26 | 松下电器产业株式会社 | 滤波器自动调整电路 |
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-
2003
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69427471T2 (de) * | 1994-07-29 | 2002-04-25 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Transkonduktanzstufe mit gesteuerter Verstärkung |
| US5617052A (en) * | 1995-05-16 | 1997-04-01 | Nec Corporation | Transconductance-variable analog multiplier using triple-tail cells |
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