DE10216017A1

DE10216017A1 - Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE10216017A1
Application number: DE10216017A
Authority: DE
Inventors: Katsumichi Ueyanagi; Mutsuo Nishikawa; Katsuyuki Uematsu
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2001-04-13
Filing date: 2002-04-11
Publication date: 2002-10-24
Also published as: KR100767540B1; KR20020079512A; US20020175379A1; US7119657B2

Abstract

Der Widerstandswert R¶con¶ eines Polysiliciumkontakts wird auf höchstens 2% der Summe aus dem Gesamtwiderstandswert R¶con¶ der Kontaktanordnungen und dem Widerstandswert R¶poly¶ eines Polysiliciumwiderstands reduziert. Damit wird ein Halbleiterbauelement realisiert, das nicht durch eine Variation des Widerstands der Kontaktanordnungen signifikant beeinträchtigt wird. Dieses Bauelement unterdrückt Variationen der Kontaktanordnungen in Umgebungen mit einer Temperatur, die höher als die Raumtemperatur ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das einen Polysiliciumwiderstand enthält, der als Widerstandselement in verschiedenen Halbleiter-ICs für Automobile, Messungen oder Kalibrierungen verwendet wird, die in Umgebungen hoher Temperatur eingesetzt werden.

In Halbleiter-ICs sind als Faktoren, die das Auftreten von Elektromigration beeinflussen, die einen Leiter deformiert oder eine Fehlfunktion der Schaltung hervorruft, unter anderem die Stromdichte, die Temperatur und die Kristallstruktur bekannt (Takashi TOMIZAWA und Yasuo MATSUYAMA "Principle Of CMOSVLSI Design - From The Viewpoint Of Systems," Maruzen Co., Ltd., S. 122). Die nachteiligen Einflüsse der Temperatur sind noch nicht ausreichend untersucht worden, so daß spezielle Beschränkungen hinsichtlich der Temperatur und ähnlichem nicht bekannt sind.

Bei Halbleiter-ICs, die für Automobile oder Messungen in Fabriken oder in anderen Umgebungen mit hoher Temperatur (d. h. Temperaturen, die höher als Raumtemperatur sind) verwendet werden, müssen die Einflüsse aufgrund von Temperaturspannungen auf die Halbleiter-ICs ausreichend berücksichtigt werden. Insbesondere bei einem Sensor oder einer ähnlichen Vorrichtung, die ein erzeugtes analoges kleines Signal um das 50- bis 1000fache in Abhängigkeit von der erfaßten physikalischen Größe verstärkt, wird, wenn der Widerstandswert eines Leiters, durch den sich das kleine Signal fortpflanzt, variiert, dieser Effekt direkt verstärkt. Daher reagiert eine derartige Vorrichtung empfindlich auf Änderungen des Widerstands eines Abschnitts mit einer feinen Querschnittsstruktur wie beispielsweise einer Anordnung für den Kontakt mit Polysilicium, die einen Polysiliciumwiderstand mit einem Metall-Leiter elektrisch verbindet.

Gemäß früheren Designs wurde vorgeschlagen, daß eine Variation des Widerstandswerts des Polysiliciumwiderstands oder eine Variation des Kontaktwiderstands unterdrückt werden soll. Beispielsweise offenbart die JP 9-232521 A ein Halbleiterbauelement, bei dem der Widerstandswert des Polysiliciumwiderstands durch Überwachen dieses Werts eingestellt wird, während eine thermische Behandlung ausgeführt wird, um Dotierstoffe durch einen BSG-Film auf dem Polysili ciumwiderstand zu diffundieren, und sie offenbart außerdem ein Herstellungsverfahren hierfür. Außerdem offenbart die JP 11-150010 A ein Verfahren zum Einstellen des Widerstandswerts durch Wählen der Position des Kontakts zwischen dem Polysiliciumwiderstand und dem Metall-Leiter. Um ein weiteres Beispiel zu zitieren, offenbart die JP 11-330365 A ein Halbleiterbauelement, bei dem die Variation des Kontaktwiderstands durch Bilden eines Nitridfilms auf dem Polysiliciumwiderstand begrenzt bzw. verhindert wird, um Schäden zu vermeiden, die durch Überätzen des Polysiliciumwi derstands verursacht werden, wenn ein Kontaktloch gebildet wird, und sie offenbart außerdem ein Herstellungsverfahren hierfür. Alle diese Vorschläge versuchen, während des Herstellungsprozesses einen Widerstandswert zu realisieren, der so nahe wie möglich bei einem Zielwert liegt, und sie sind nicht darauf gerichtet, Variationen des Widerstandswerts in Umgebungen mit hoher Temperatur im Zeitverlauf zu unterdrücken.

Die Erfinder des vorliegenden Bauelements untersuchten die Einflüsse der Temperatur auf einen Polysiliciumwiderstand. Der Polysiliciumwiderstand wurde über Kontaktanordnungen mit dem Metall- Leiter elektrisch verbunden, und diese Komponenten wurden unter Verwendung einer für Halbleiter- ICs allgemein gebräuchlichen Prozedur hergestellt. Als Folge wurde ermittelt, daß, wenn ein aus einem herkömmlichen Polysiliciumwiderstand und herkömmlichen Kontaktanordnungen gebildetes Halbleiterbauelement in Umgebungen mit hoher Temperatur gehalten wird, der Widerstandswert des Polysiliciumwiderstands stärker variiert als der Diffusionswiderstandswert, wie in Fig. 9 gezeigt ist.

Dies beruht auf der Tatsache, daß der Widerstandswert der Kontaktanordnungen in Umgebungen mit hoher Temperatur stark variiert, beispielsweise dann, wenn die Temperatur der Umgebung höher als Raumtemperatur ist. Fig. 9 ist ein Graph, der Variationen des Widerstandswerts des Polysili ciumwiderstands und des Widerstandswerts des Diffusionswiderstandswerts in dem aus dem herkömmlichen Polysiliciumwiderstand gebildeten Halbleiterbauelement zeigt, wenn das Bauelement bei 220°C gehalten wurde. Die maximale Temperatur, bei der Halbleiter-ICs für Automobile oder ähnliches betrieben werden, beträgt etwa 150°C, aber es wurden Beschleunigungstests ausgeführt, bei denen die Temperatur auf einen höheren Wert eingestellt war.

Wenn ein solches, aus einem herkömmlichen Polysiliciumwiderstand gebildetes Halbleiterbauele ment in einer Verstärkungsschaltung verwendet wird, die in Umgebungen hoher Temperatur eingesetzt wird, variiert in dieser Umgebung hoher Temperatur die Verstärkungsrate im Zeitverlauf, was es schwierig macht, die Zuverlässigkeit über eine längere Zeitspanne sicherzustellen.

Die vorliegende Erfindung soll diese Probleme lösen, und die Erfinder wollten ein Halbleiterbauele ment schaffen, das einen Polysiliciumwiderstand aufweist, dessen Widerstandswert sich selbst in Umgebungen mit hoher Temperatur nicht wesentlich ändert.

Diese Aufgabe wird mit einem Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Der Wert R_poly entspricht dem Widerstandswert zwischen einer an einem Ende des Polysilicium widerstands angeordneten Kontaktanordnung und einer an dessen anderem Ende angeordneten Kontaktanordnung. Der Wert R_con umfaßt den Widerstandswert eines Metallfilms in einem Kontakt loch, der den Metall-Leiter und den Polysiliciumwiderstand elektrisch miteinander verbindet, sowie den Widerstandswert von Abschnitten des Metallfilms und des Polysiliciumwiderstands, die sich im Kontakt zueinander befinden, entspricht jedoch hauptsächlich dem Widerstandswert der Kontaktan ordnungen, da dieser Widerstandswert dominiert.

Dieses Halbleiterbauelement wird vorzugsweise als Widerstandselement in einer auf dem gleichen IC integrierten analogen Schaltung verwendet, insbesondere bei einer Verstärkungsschaltung, die ein aus einem Sensorelement ausgegebenes elektrisches Signal verstärkt. Diese Verstärkungs schaltung kann in Hochtemperaturumgebungen verwendet und beispielsweise in ICs für Automobile, Messungen oder Kalibrierungen eingesetzt werden.

Erfindungsgemäß ist der Widerstandswert R_con der Kontaktanordnungen auf 2% oder weniger der Summe aus dem Widerstandswert R_con der Kontaktanordnungen und dem Widerstandswert R_poly des Polysiliciumwiderstands reduziert. Daher kann ein Halbleiterbauelement geschaffen werden, das nicht durch Variationen des Widerstands der Kontaktanordnungen signifikant beeinträchtigt wird.

Weitere Vorteile, Merkmale und Besonderheiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung vorteilhafter Ausführungsformen der Erfindung auf die schematischen Zeichnungen. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Draufsicht der Konfiguration eines Halbleiterbauelements, das in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird und einen ersten Polysili ciumwiderstand enthält;

Fig. 2 eine schematische Draufsicht der Konfiguration eines Halbleiterbauelements, das in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird und einen zweiten Polysili ciumwiderstand enthält;

Fig. 3 eine schematische Draufsicht der Konfiguration eines Halbleiterbauelements, das in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird und einen dritten Polysili ciumwiderstand enthält;

Fig. 4 einen Vertikalschnitt längs Linie A-A in den Fig. 1 bis 3;

Fig. 5 eine schematische Draufsicht der Konfiguration eines Halbleiterbauelements, das in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird und einen vierten Polysili ciumwiderstand enthält;

Fig. 6 einen Vertikalschnitt längs Linie B-B in Fig. 5;

Fig. 7 einen Graphen, der die Ergebnisse von bei hoher Temperatur ausgeführten Beschleuni gungstests der Halbleiterelemente zeigt, die den ersten, zweiten, dritten bzw. vierten Polysiliciumwiderstand aufwiesen;

Fig. 8 ein Schaltbild, das wesentliche Teile eines Beispiels einer analogen Schaltung zeigt, bei der das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit dem Polysiliciumwiderstand einge setzt wurde; und

Fig. 9 einen Graphen, der die Ergebnisse von Tests zeigt, die von den Erfindern ausgeführt wurden, um Variationen des Widerstandswerts eines herkömmlichen Polysiliciumwider stands mit einer Variation des Widerstandswerts des Diffusionswiderstands zu verglei chen, wenn das Halbleiterbauelement bei 220°C gehalten wurde.

Nachstehend werden die Tests beschrieben, die von den Erfindern ausgeführt werden, um zu der Erfindung zu gelangen. Für die Tests wurden Halbleiterbauelemente hergestellt, die einen ersten, einen zweiten, einen dritten oder einen vierten Polysiliciumwiderstand aufweisen. Die Fig. 1 bis 3 stellen Draufsichten dar, welche schematisch die Konfigurationen der Halbleiterbauelemente mit dem ersten, dem zweiten bzw. dem dritten Polysiliciumwiderstand zeigen. Diese drei Halbleiterbau elemente weisen mit Ausnahme der Breite und des Widerstandswerts des Polysiliciumwiderstands die gleiche Konfiguration auf. Demzufolge weisen diese Halbleiterbauelemente im Vertikalschnitt längs Linie A-A in den Fig. 1 bis 3 die gleiche Struktur auf, wie sie in Fig. 4 gezeigt ist. Die Fig. 5 ist eine Draufsicht, die schematisch die Konfiguration des Halbleiterbauelements mit dem vierten Polysiliciumwiderstand zeigt, und Fig. 6 ist ein Vertikalschnitt längs Linie B-B von Fig. 5. In den Fig. 1 bis 6 sind die Größen und Längen der Komponenten nicht exakt dargestellt.

Wie in Fig. 1 und 4 gezeigt, ist bei dem Halbleiterbauelement mit dem ersten Polysiliciumwiderstand der rechteckige Polysiliciumwiderstand 3 auf einem Halbleitersubstrat 1 unter Zwischenlage eines Isolierfilms 2 aus BPSG, PSG oder ähnlichen Stoffen gebildet. Im Bereich der Enden des Polysili ciumwiderstands 3 ist dieser jeweils über einen Kontaktabschnitt 4, der einen Zwischenschichtiso lierfilm 6 wie beispielsweise einen Oxidfilm durchsetzt, mit einem Metall-Leiter 5 aus Aluminium oder ähnlichem elektrisch verbunden. Die Kontaktanordnung in Form eines einzelnen Kontaktabschnitts 4 ist aus einem Metallfilm gebildet, der auf der Innenfläche des Kontaktlochs niedergeschlagen wird, wenn der Metall-Leiter 5 gebildet wird. In diesem Fall weist der Polysiliciumwiderstand 3 eine Breite von 2 µm auf (vgl. Fig. 1). Der Abstand zwischen den Kontaktabschnitten 4, 4, d. h. die Länge des Abschnitts, der zum Widerstandswert R_poly des Polysiliciumwiderstands 3 beiträgt, ist 100 µm (vgl. Fig. 4). In diesem Fall weist der Polysiliciumwiderstandswert R_poly einen Wert von 1,55 kΩ auf, wenn der Polysiliciumwiderstand einen Flächenwiderstand von 31 Ω/ aufweist.

Die Größe des Kontaktabschnitts 4 oder die Größe der Öffnung des Kontaktlochs wird nach Maßgabe einer Designregel eingestellt und beträgt in diesem Fall 2 µm × 2 µm. Der Kontaktwider stand beträgt 54 Ω pro Kontaktabschnitt. Demzufolge beträgt der Wert R_con/(R_poly + R_con) etwa 7%. Da die Größe (2 µm × 2 µm) des Kontaktabschnitts 4 nach Maßgabe der Designregel eingestellt wird, gilt sie auch für die Halbleiterbauelemente mit dem zweiten, dritten oder vierten Polysilicium widerstand, wie nachstehend beschrieben.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Halbleiterbauelement mit dem zweiten Polysiliciumwiderstand weist ein Polysiliciumwiderstand 7 eine Breite von 4 µm auf (vgl. Fig. 2), und in diesem Fall weist der Widerstandswert R_poly einen Wert von 790 Ω auf. Daher ist bei diesem Beispiel der Wert R_con/(R_poly + R_con) etwa 12%. Bei dem in Fig. 3 gezeigten Halbleiterbauelement mit dem dritten Polysilicium widerstand weist ein Polysiliciumwiderstand 8 eine Breite von 7,6 µm auf (vgl. Fig. 3), und der Widerstandswert R_poly weist einen Wert von 400 Ω auf. Daher ist bei diesem Beispiel der Wert R_con/(R_poly + R_con) etwa 21%. Auch in diesen beiden Fällen ist die Größe der Öffnung des Kontakt lochs 2 µm × 2 µm, und auch der Kontaktwiderstand beträgt 54 Ω pro Kontaktabschnitt.

Bei dem in den Fig. 5 und 6 gezeigten Halbleiterbauelement mit dem vierten Polysiliciumwider stand weist ein Polysiliciumwiderstand 9 eine Breite von 9,2 µm auf, und der minimale Abstand zwischen den Kontaktanordnungen 104, 104 auf dem Polysiliciumwiderstand zum Widerstand 9 beträgt 400 µm. In diesem Fall weist der Widerstandswert R_poly einen Wert von 1,35 Ω auf. Daher beträgt der Wert R_con/(R_poly + R_con) 1,96%. Da die Form des Kontaktlochs nach Maßgabe der Designregel eingestellt wird und der Kontaktwiderstand 54 Ω pro Kontaktabschnitt bzw. Kontaktloch beträgt, kann jede Kontaktanordnung aus einer Mehrzahl von Kontaktlöchern bzw. Kontaktabschnit ten gebildet werden, um den gewünschten Wert R_con des Kontaktwiderstandswerts zu erzielen. Bei dem in Fig. 5 gezeigten Beispiel sind auf jeder Seite des Bauelements vier Kontaktlöcher bzw. Kontaktabschnitte gebildet.

Die Bodenfläche jedes Kontaktlochs jeder Kontaktanordnung 104, die sich im Kontakt mit dem Polysiliciumwiderstand 9 befindet, ist mit einem Metallfilm bedeckt, der durch Niederschlagen des gleichen Metalls (beispielsweise Aluminium) wie dasjenige des Metall-Leiters 5 auf der Innenfläche des Kontaktlochs bei der Bildung des Metall-Leiters 5 gebildet wird. Die Innenfläche jeder Öffnung jeder Kontaktanordnung 104 wird unter Verwendung des gleichen Materials wie dasjenige eines Zwischenschichtisolierfilms oder eines Passivierungsfilms (nicht gezeigt) abgeflacht bzw. geebnet, wenn dieser Film gebildet wird.

Um die Kontaktanordnungen 104 mit dem Polysiliciumwiderstand 9 zu verbinden, werden diejenigen Flächen des Polysiliciumwiderstands 9, wo eine Verbindung mit den jeweiligen Kontaktanordnungen 104 erfolgt, jeweils etwas breiter gebildet als die entsprechenden Kontaktanordnungen 104.

Um den Widerstandswert R_poly des Polysiliciumwiderstands 9 auf den gewünschten Wert einzustel len und die Bedingung R_con/(R_poly + R_con) ≦ 2% zu erfüllen, kann der Wert des Kontaktwiderstands R_con spezifiziert werden. Wenn die Designregel die Form des Kontaktlochs spezifiziert, kann der Wert nach Maßgabe der Anzahl an Kontaktlöchern angepaßt bzw. eingestellt werden.

Es wurden jeweils Gruppen mehrerer Halbleiterbauelemente geschaffen, wobei die Gruppen unterschiedliche Polysiliciumwiderstände einschließlich des ersten bis vierten Polysiliciumwider stands aufwiesen, die wie oben beschrieben aufgebaut waren. Diese Halbleiterbauelemente wurden bei einer hohen Temperatur von 220°C gehalten und einem Beschleunigungstest unterzogen. Der Widerstandswert wurde nach Verstreichen von 4, 10 und 14 Stunden gemessen. Die Ergebnisse sind in Fig. 7 gezeigt. In dieser Figur wurde eine Gruppe von Meßpunkten, bei denen der Wert R_con((R_poly + R_con) etwa 7% beträgt, aus den in Fig. 1 gezeigten Halbleiterbauelementen mit dem ersten Polysiliciumwiderstand gewonnen. Eine Gruppe von Meßpunkten, bei denen der Wert R_con/(R_poly + R_con) etwa 12% beträgt, wurde aus den in Fig. 2 gezeigten Halbleiterbauelementen mit dem zweiten Polysiliciumwiderstand gewonnen. Eine Gruppe von Meßpunkten, bei denen der Wert R_con/(R_poly + R_con) etwa 21% beträgt, wurde aus den in Fig. 3 gezeigten Halbleiterbauelementen mit dem dritten Polysiliciumwiderstand gewonnen. Eine Gruppe von Meßpunkten, bei denen der Wert R_con/(R_poly + R_con) etwa 2% beträgt, wurde aus den in Fig. 5 gezeigten Halbleiterbauelementen mit dem vierten Polysiliciumwiderstand gewonnen.

Fig. 7 zeigt, daß für alle Werte R_con/(R_poly + R_con) die Variation des Widerstandswerts konsistent mit der Zeit, während der das Halbleiterbauelement auf Temperatur gehalten wird, und mit dem Wert R_con/(R_poly + R_con) zunimmt. Wenn die Variation des Widerstandswerts bei hoher Temperatur (die beispielsweise höher als Raumtemperatur ist) auf 0,1% oder weniger reduziert werden soll, muß der Wert R_con/(R_poly + R_con) auf etwa 0,02 oder weniger eingestellt werden, wie in Fig. 7 gezeigt.

Der Wert R_con/(R_poly + R_con) ist nicht auf 0,02 oder weniger beschränkt, sondern er kann nach Maßgabe der gewünschten Variationen des Widerstandswerts unter Bezug auf Fig. 7 in geeigneter Weise festgelegt werden. Wenn in anderen Worten ein zulässiger Wert für die Variation des Widerstandswerts größer als 0,1% ist, kann der Wert R_con/(R_poly + R_con) größer als 2% sein. Wenn im Gegensatz dazu der zulässige Wert für die Variation des Widerstandswerts kleiner als 0,1% ist, ist der Wert R_con/(R_poly + R_con) kleiner als 2%. In diesem Zusammenhang sei ausgeführt, daß bei einem Halbleiterbauelement, das sich aus einem herkömmlichen Polysiliciumwiderstand und herkömmlichen Kontaktanordnungen zusammensetzt, wie in Fig. 9 gezeigt, der Wert R_con/(R_poly + R_con) 30% beträgt.

Es wird nun eine Erläuterung hinsichtlich einer beispielhaften analogen Schaltung angegeben, bei der das Halbleiterbauelement gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt wurde. Fig. 8 ist ein Schaltbild, das wesentliche Teile dieser analogen Schaltung zeigt. Diese analoge Schaltung bildet einen Teil einer Sensorvorrichtung, die ein Sensorelement umfaßt, das Druck, Temperatur, Beschleunigung, Schall oder Licht erfaßt und dann ein der erfaßten Größe entsprechendes Signal ausgibt. In Fig. 8 bezeichnet die Bezugszahl 11 eine das Sensorelement bildende Meßschaltung, Bezugszahl 12 bezeichnet einen Verstärker, der das Ausgangssignal aus der Meßschaltung 11 verstärkt, und Bezugszahl 13 bezeichnet ein Widerstandselement, das aus dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement gebildet ist, d. h. ein Widerstandselement, das aus Polysilicium gebildet ist und so ausgelegt ist, daß sein Wert R_con/(R_poly + R_con) 2% oder weniger beträgt. Das Widerstandsele ment 13 wird auf dem gleichen Halbleitersubstrat zusammen mit der Meßschaltung 11 und dem Verstärker 12 hergestellt.

Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform wird der Wert R_con/(R_poly + R_con) auf 2% oder weniger reduziert, wodurch ein Halbleiterbauelement geschaffen wird, das nicht durch eine Variation des Widerstands der Kontaktabschnitte signifikant beeinträchtigt wird. Somit wird ein Halbleiterbau element geschaffen, das einen Polysiliciumwiderstand mit einem Widerstandswert enthält, der sich selbst dann nicht wesentlich ändert, wenn das Halbleiterbauelement in Umgebungen hoher Temperatur (d. h. Temperaturen, die höher sind als Raumtemperatur) verwendet wird. Die Verwen dung dieses Halbleiterbauelements ermöglicht die Schaffung eines Halbleiter-ICs, der hohen Temperaturen widerstehen kann und über eine lange Zeitspanne zuverlässig bleibt. Dies ist insbesondere bei einer Verwendung als Widerstandselement für verschiedene Halbleiter-ICs für Automobile, Messungen in Fabriken oder Kalibrierungen effektiv, die in Umgebungen hoher Temperatur verwendet werden.

Aus der obigen Beschreibung geht hervor, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt ist. Das heißt, die Größen und die Widerstandswerte der in den Fig. 1 bis 6 gezeigten Polysiliciumwiderstände 3, 7, 8 bzw. 9 dienen nur der Erläuterung und können nach Maßgabe des tatsächlichen Designs abweichen, solange die Bedingung R_con/(R_poly + R_con) ≦ 0,02 erfüllt ist.

Erfindungsgemäß wird der Widerstandswert R_con der Kontaktabschnitte auf höchstens 2% der Summe aus dem Widerstandswert R_con der Kontaktanordnungen und des Widerstandswerts R_poly des Polysiliciumwiderstands reduziert. Dadurch wird ein Halbleiterbauleiterelement realisiert, das nicht durch Variationen des Widerstands der Kontaktanordnungen signifikant beeinträchtigt wird. Daher wird ein Halbleiterbauelement realisiert, das einen Polysiliciumwiderstand umfaßt, dessen Widerstandswert selbst dann nicht wesentlich variiert, wenn das Halbleiterbauelement in Hochtem peraturumgebungen verwendet wird. Des weiteren können durch Verwendung dieses Halbleiterbau elements Halbleiter-ICs realisiert werden, die hohe Temperaturen aushalten können und über eine lange Zeitspanne zuverlässig bleiben können.

Claims

1. Halbleiterbauelement, umfassend:
einen Polysiliciumwiderstand (3; 7; 8; 9), der zwei Enden aufweist und unter Zwischenlage eines Isolierfilms (2) auf einem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist, und
zwei Metall-Leiter (5), von denen jeder über eine jeweilige Kontaktanordnung (4; 104) an dem Polysiliciumwiderstand im Bereich von dessen jeweiligem Ende elektrisch angeschlossen ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die folgende Beziehung für den Widerstandswert R_poly des Polysiliciumwiderstands und den Gesamtwiderstandswert R_con der zwei Kontaktanordnungen gilt:
R_con/(R_poly + R_con) ≦ 0,02.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Kontaktan ordnung (4; 104) einen oder mehrere Kontaktabschnitte umfaßt.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine integrierte analoge Schaltung auf dem gleichen Halbleitersubstrat (1) gebildet ist und der Polysiliciumwiderstand (3; 7; 8; 9) als Widerstandselement der analogen Schaltung dient.

4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die analoge Schaltung eine Verstärkungsschaltung, die mit einem Sensorelement verbunden ist, welches ein elektrisches Signal entsprechend einer erfaßten physikalischen Größe erzeugt, zum Verstärken des aus dem Sensorelement ausgegebenen elektrischen Signals ist.

5. Verwendung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 4 als IC eines Automobils, der hohen Temperaturen ausgesetzt sein kann.

6. Verwendung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 4 als IC einer Meßeinrichtung, der hohen Temperaturen ausgesetzt sein kann.

7. Verwendung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 4 als IC einer Kalibrierein richtung, der hohen Temperaturen ausgesetzt sein kann.