DE10213381A1 - Magnetic sensor for determination of the rotation angle of a rotating component, comprises a semiconductor substrate with a magnetic field sensor deposited on one side and an analysis integrated circuit formed on the other side - Google Patents
Magnetic sensor for determination of the rotation angle of a rotating component, comprises a semiconductor substrate with a magnetic field sensor deposited on one side and an analysis integrated circuit formed on the other sideInfo
- Publication number
- DE10213381A1 DE10213381A1 DE2002113381 DE10213381A DE10213381A1 DE 10213381 A1 DE10213381 A1 DE 10213381A1 DE 2002113381 DE2002113381 DE 2002113381 DE 10213381 A DE10213381 A DE 10213381A DE 10213381 A1 DE10213381 A1 DE 10213381A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- sensor
- integrated circuit
- sensor layer
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Magnetsensoranordnung, insbesondere zur Erfassung des Drehwinkels eines rotierenden Teils, nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs. The invention relates to a magnetic sensor arrangement, in particular for detecting the angle of rotation of a rotating one Partly, according to the preamble of the main claim.
Solche Magnetsensoren werden in unterschiedlichen Ausführungsformen in Fahrzeugen bereits angewandt. Zum Beispiel als Drehzahlfühler an den Rädern für ein Antiblockierbremssystem (ABS), als Drehzahl- und Phasengeber für die Motorsteuerung oder als Lenkwinkelsensoren für sog. Fahrdynamikregelsysteme und für elektrische Lenkhilfen. Such magnetic sensors are used in different Embodiments in vehicles already applied. For example as a speed sensor on the wheels for a Anti-lock braking system (ABS), as a speed and phase sensor for the Motor control or as steering angle sensors for so-called Vehicle dynamics control systems and for electric steering aids.
Es ist beispielsweise aus der DE 44 41 504 A1 eine Anordnung zur berührungslosen Drehwinkelerfassung bekannt, bei der eine drehbare Welle an ihrem Ende einen Dauermagneten als mitdrehendes Teil trägt. Die magnetischen Feldlinien des Magneten verlaufen hierbei durch ein Gehäuseteil, das eine ortsfeste Sensoranordnung, bestehend aus zwei gegeneinander um 90° versetzten Hallsensoren, trägt. Die Richtungskomponenten der Feldlinien verursachen bei der bekannten Anordnung spezifische Ausgangssignale der beiden Hallsensoren, wodurch sowohl die absolute Drehlage als auch eine Änderung der Drehlage um eine beliebige Winkeländerung mit einer elektronischen Schaltung ausgewertet werden kann. It is, for example, from DE 44 41 504 A1 Arrangement for non-contact rotation angle detection known, at which has a rotatable shaft at its end a permanent magnet as a rotating part. The magnetic field lines of the magnet run through a housing part that a fixed sensor arrangement consisting of two Hall sensors offset from one another by 90 °. The Directional components of the field lines cause the known arrangement specific output signals of the two Hall sensors, which means both the absolute rotational position also change the rotational position by any Angle change evaluated with an electronic circuit can be.
In vielen Anwendungsfällen werden dabei die Anforderung nach größeren Arbeitsabständen und entsprechend größeren magnetischen Luftspalten sowie, um den erforderlichen Winkel- und Magnetfeldbereich abzudeckenden, nach größeren Messbereichen immer mehr erhöht. Dies macht in der Regel empfindlichere aber nach wie vor robuste Sensoren erforderlich. In many applications, the requirement after larger working distances and correspondingly larger ones magnetic air gaps as well as to the required Angle and magnetic field range to be covered larger measuring ranges increasingly increased. This makes in the Generally more sensitive but still robust sensors required.
Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention
Bei einer Weiterbildung einer Magnetsensoranordnung mit einer magnetfeldempfindlichen Sensorschicht und einer Auswerteelektronik zur Verarbeitung des an der Sensorschicht abnehmbaren elektrischen Signals ist gemäß der Erfindung in vorteilhafter Weise die Sensorschicht auf einer Seite eines Halbleitersubstrates und die Auswerteelektronik als integrierter Schaltkreis auf der anderen Seite des Halbleitersubstrates herausgebildet. Die Sensorschicht ist dabei vorzugsweise als mindestens ein GMR- Sensor ausgebildet und das Halbleitersubstrat ist ein Silizium-Wafer. In a further development of a magnetic sensor arrangement with a magnetic field sensitive sensor layer and one Evaluation electronics for processing the on the Detachable electrical signal is according to the sensor layer Invention advantageously on the sensor layer one side of a semiconductor substrate and the Evaluation electronics as an integrated circuit on the other Formed side of the semiconductor substrate. The The sensor layer is preferably in the form of at least one GMR Sensor formed and the semiconductor substrate is a Silicon wafer.
Die an sich bekannte Anwendung der GMR-Sensoren als magnetfeldempfindliches Bauelement (GMR = Giant Magneto Resistance) macht es prinzipiell möglich, empfindliche und relativ robuste Sensoren z. B. bei der Drehwinkelerfassung in Kraftfahrzeugen aufzubauen. Die Sensoren können dabei als diskrete Bauelemente oder mit der Auswertelektronik monolithisch integriert aufgebaut werden. Die Integration bietet erhebliche Vorteile, sie erlaubt kompaktere Abmaße sowie eine einfachere Aufbau- und Verbindungstechnik und damit auch Kostenvorteile. Zudem ist die elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) durch die bei der Integration verkürzten elektrischen Verbindungen zwischen dem Sensorelement und der Auswertelektronik verbessert, so dass störende Fehlsignale durch Einstrahlung reduziert werden können. The known application of the GMR sensors as component sensitive to magnetic fields (GMR = Giant Magneto Resistance) makes it possible in principle, sensitive and relatively robust sensors e.g. B. in the rotation angle detection to build in motor vehicles. The sensors can as discrete components or with the evaluation electronics be built monolithically integrated. The integration offers considerable advantages, it allows more compact dimensions as well as a simpler construction and connection technology and thus also cost advantages. In addition, the electromagnetic compatibility (EMC) due to the integration shortened electrical connections between the Sensor element and the evaluation electronics improved so that disturbing false signals can be reduced by irradiation can.
Für diese GMR-Sensoren gibt es zwei Möglichkeiten der Integration mit der Auswerteelektronik, nämlich die laterale oder die vertikale Integration. Bei der lateralen Integration werden auf dem integrierten Schaltkreis (IC) der Auswerteelektronik Flächen ausgespart, auf denen die aktive Sensorschicht für die GMR-Sensoren abgeschieden werden kann. Die Sensorschicht wird dann entweder durch eine direkt darunter liegende oder eine nachträglich darüber aufgebrachte Metallisierung kontaktiert. Bei der vertikalen Integration wird dagegen in üblicher Weise die Sensorschicht auf dem integrierten Schaltkreis der IC- Elektronik abgeschieden; die Elektronik und die Sensorschicht sind dabei nur durch eine oder mehrere Isolations- und Pufferschichten getrennt. There are two options for these GMR sensors Integration with the evaluation electronics, namely the lateral or vertical integration. In the lateral Integration will be on the integrated circuit (IC) the evaluation electronics cut out areas on which the active sensor layer for the GMR sensors deposited can be. The sensor layer is then either through one directly below or one afterwards Metallization applied over it contacted. In the vertical integration, on the other hand, is used in the usual way Sensor layer on the integrated circuit of the IC Electronics deposited; the electronics and the Sensor layer are only one or more Isolation and buffer layers separated.
In den beiden zuvor genannten Fällen spielt die Rauigkeit und Topographie des Untergrundes, auf dem die Sensorschicht abgeschieden wird, eine entscheidende Rolle. Die nur wenige Nanometer dicken GMR-Schichten reagieren in ihren Eigenschaften empfindlich auf die Rauigkeit ihres Substrates. Für die Integration ist daher bei den an sich bekannten Verfahren ein zusätzlicher Prozessaufwand durch eine Vorbehandlung der Oberfläche und ein Einbringen der Ausgleichs- und Pufferschichten notwendig, der bei der erfindungsgemäßen Anordnung vermieden ist. In the two cases mentioned above, the roughness plays and topography of the subsurface on which the Sensor layer is deposited, play a crucial role. The only a few nanometers thick GMR layers react in their properties sensitive to the roughness of their Substrate. For the integration is therefore in itself known methods an additional process effort pretreatment of the surface and introduction of the Compensating and buffer layers necessary in the arrangement according to the invention is avoided.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist der integrierte Schaltkreis auf der anderen Seite des Halbleitersubstrates an einer Leiterplatte gehalten und dort mittels eines Leitklebers oder eines Lotes mit Leiterbahnen oder Kontakten kontaktiert. In an advantageous embodiment of the invention the integrated circuit on the other side of the Semiconductor substrates held on a circuit board and there with a conductive adhesive or a solder Conductor tracks or contacts contacted.
Die elektrischen Verbindungen zwischen der Sensorschicht und dem integrierten Schaltkreis und/oder den Leiterbahnen oder Kontakten auf der Leiterplatte können auf einfache Weise mittels Bonddrähten hergestellt werden. Weiterhin können elektrische Verbindungen zwischen der Sensorschicht und dem integrierten Schaltkreis auch mittels Durchkontaktierungen im Halbleitersubstrat in vorteilhafter Weise gebildet sein. The electrical connections between the sensor layer and the integrated circuit and / or the Conductors or contacts on the circuit board can open can be produced in a simple manner by means of bond wires. Furthermore, electrical connections between the Sensor layer and the integrated circuit also by means of Vias in the semiconductor substrate in advantageously be formed.
Bei einem vorteilhaften Verfahren zur Herstellung der zuvor beschriebenen Magnetsensoranordnung werden die Sensorschicht und der integrierte Schaltkreis mittels separater hableitertechnischer Abscheideprozesse in Dünnschichttechnik auf den unterschiedlichen Seiten des Halbleitersubstrates hergestellt. Hierbei wird vorzugsweise der mindestens eine GMR-Sensor der Sensorschicht mittels Kathodenzerstäubung nach der Ausbildung der Elektronik auf dem Halbleitersubstrat hergestellt. In an advantageous method for producing the Magnetic sensor arrangement described above are the Sensor layer and the integrated circuit by means of separate semiconductor deposition processes in Thin film technology on the different sides of the Semiconductor substrates manufactured. This is preferred the at least one GMR sensor of the sensor layer Cathode sputtering after training electronics made on the semiconductor substrate.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist dabei in vorteilhafter Weise vermieden, dass eine Beeinträchtigung der Elektronik durch den nachträglichen Abscheideprozess der Sensorschicht erfolgen kann. Wenn der Abscheideprozess für die Herstellung der GMR-Schichten durch Kathodenzerstäubung (Sputtern) erfolgt, könnte sich ohne eine Anordnung auf verschiedenen Substratseiten die IC-Elektronik inhomogen aufladen. Durch eine solche nachträgliche Entladung sowie den Ionenbeschuss und die hier auftretende UV-Strahlung beim Sputterprozess bilden sich Defekte in der Elektronik aus, wobei ein Ausheilen, sog. Annealing, dieser Defekte bei einem GMR-Sensor nur bedingt möglich ist, da dies bei Temperaturen geschieht, die den GMR- Schichtstapel bereits zerstören können. With the method according to the invention advantageously avoided that an impairment of the Electronics through the subsequent deposition process of the Sensor layer can take place. If the deposition process for the production of the GMR layers Sputtering could occur without one The IC electronics are arranged on different sides of the substrate charge inhomogeneously. By such a subsequent Discharge as well as the ion bombardment and the one occurring here Defects form in UV radiation during the sputtering process electronics, whereby annealing, so-called annealing, these defects are only possible to a limited extent with a GMR sensor is because this happens at temperatures that are GMR Can already destroy the stack of layers.
Zusammenfassend ist festzustellen, dass mit der Erfindung die beiden Hauptprobleme bei der IC-Integration, nämlich die große Substratrauigkeit und die durch einen Sputtervorgang induzierten Defekte in der IC-Elektronik dadurch vermieden werden, dass die aktive Sensorschicht (GMR- Sensor) auf der gegenüberliegenden Seite bzw. der Rückseite des Halbleitersubstrat, vorzugsweise ein sog. Silizium Wafer, abgeschieden wird. Die Platzersparnis ist hierbei, wie bei der bei oben erwähnten vertikalen Integration, allerdings nach wie vor gewährleistet. In summary it can be said that with the invention the two main problems with IC integration, namely the large substrate roughness and the one Sputtering induced defects in the IC electronics be avoided that the active sensor layer (GMR Sensor) on the opposite side or Back of the semiconductor substrate, preferably a so-called. Silicon wafer, is deposited. The space saving is here, as with the vertical mentioned above Integration, however, still guaranteed.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand der Zeichnung erläutert. Es zeigen: An embodiment of the invention is based on the Drawing explained. Show it:
Fig. 1 eine Prinzipansicht einer Magnetfeldsensoranordnung mit einer GMR-Sensorschicht auf einer Seite eines Silizium-Wafers als Substrat und einer IC- Auswerteelektronik auf der anderen Seite des Silizium-Wafers, Fig. 1 is a schematic view of a magnetic field sensor assembly having a GMR sensor layer on one side of a silicon wafer as a substrate and an IC transmitter on the other side of the silicon wafer,
Fig. 2 eine Prinzipansicht des Abscheideprozesses der Sensorschicht auf dem Silizium-Wafer und Fig. 2 is a schematic view of the deposition process of the sensor layer on the silicon wafer and
Fig. 3 ein auf einer Leiterplatte mit Bonddrähten kontaktierten Magnetfeldsensor nach der Fig. 1. Fig. 3 is a contacted on a printed circuit board with bonding wires magnetic field sensor according to FIG. 1.
In Fig. 1 ist eine Prinzipansicht eines Magnetfeldsensors 1 gezeigt, der auf einer dem Messobjekt zugewandten Seite mit einer GMR-Sensorschicht 2 versehen ist, wobei GMR eine Bezeichnung für "Giant Magneto Resistance" ist, die Anwendung der Erfindung jedoch im Allgemeinen auch bei anderen Dünnschichttechnologien wie AMR entsprechend "Anisotropic Magneto Resistance" möglich ist. In Fig. 1 is a schematic view of a magnetic field sensor 1 is shown, which on a side facing the measurement object side with a GMR sensor layer 2 is provided, wherein GMR is a designation for "Giant Magneto Resistance," the application of the invention but generally in other Thin-film technologies such as AMR according to "Anisotropic Magneto Resistance" is possible.
Die GMR-Sensorschicht 2 ist auf einer Seite eines Silizium-Wafers 3 als Substrat aufgebracht. Beim Substrat- Material handelt es sich hier um einen an sich bekannten Silizium-Wafer, wobei die Erfindung sich aber prinzipiell auch mit anderen Halbleitersubstratmaterialien, wie z. B. sog. III-V-Halbleiter, SiC, Al2O3 oder dergleichen realisieren lässt. The GMR sensor layer 2 is applied to one side of a silicon wafer 3 as a substrate. The substrate material here is a silicon wafer known per se, but the invention is in principle also possible with other semiconductor substrate materials, such as, for. B. so-called III-V semiconductor, SiC, Al2O3 or the like can be realized.
Auf der anderen Seite des Silizium-Wafers 3 ist eine Auswerteelektronik als integrierter Schaltkreis. 4 aufgebracht. Die Elektronik mit dem integrierten Schaltkreis 4 ist somit auf der rauen Vorderseite des Silizium-Wafers 3 aufgebracht und die Sensorschicht 2 ist auf der glatten, weil weitgehend unbehandelten bzw. nur wenigen Prozessschritten ausgesetzten Rückseite des Silizium-Wafers 3 aufgebracht. On the other side of the silicon wafer 3 is an evaluation electronics as an integrated circuit. 4 applied. The electronics with the integrated circuit 4 is thus applied to the rough front side of the silicon wafer 3 and the sensor layer 2 is applied to the smooth rear side of the silicon wafer 3, which is largely untreated or only exposed to a few process steps.
In Fig. 2 ist schematisch angedeutet, wie während der mit Pfeilen 5 gekennzeichneten Prozessschritte mittels einer hier nicht dargestellten sog. Sputterquelle zur Abscheidung der Sensorschicht 2 die Elektronik des integrierten Schaltkreises 4 rückseitig angeordnet ist und dadurch vor Aufladungseffekten sowie Schädigungen durch Ionenbeschuss und UV-Strahlung der Sputterquelle geschützt wird. In Fig. 2 is indicated schematically how the electronics of the integrated circuit 4 is arranged at the back during the arrowed 5 process steps by means of a not illustrated known. Sputtering for the deposition of the sensor layer 2 and characterized before charging effects and damage caused by ion bombardment, and UV radiation the sputter source is protected.
Aus Fig. 3 ist zu entnehmen, wie die Magnetsensoranordnung 1 nach der Fig. 1 nachträglich mittels einer geeigneten Aufbau- und Verbindungstechnik auf einer Leiterplatte 6, z. B. einem sog. PCB/Leadframe, angeordnet werden kann. Die elektrischen Verbindungen werden hier an sog. Bond- oder Kontakt-Pads 7 mit Lot oder Leitkleber hergestellt, beispielsweise in einer Flip-Chip-Technik. From FIG. 3 it can be seen how the magnetic sensor arrangement 1 according to FIG. 1 subsequently on a printed circuit board 6 , for. B. a so-called. PCB / lead frame can be arranged. The electrical connections are made here on so-called bond or contact pads 7 with solder or conductive adhesive, for example using a flip-chip technique.
Weiterhin sind dann zusätzlich leitende Verbindungen 8 mittels Bond-Drähten oder ähnlichem zwischen den GMR- Sensoren 2 und Kontakt-Pads 7 durch sog. Bonding hergestellt. Eine andere hier nicht gezeigte Möglichkeit der Herstellung von Verbindungen zwischen der Vorder- und Rückseite des Silizium-Wafers 3 ist auch die Durchkontaktierung durch einen vorher geätzten Kanal. Furthermore, additional conductive connections 8 are then made by means of bond wires or the like between the GMR sensors 2 and contact pads 7 by so-called bonding. Another possibility, not shown here, of making connections between the front and rear of the silicon wafer 3 is also through-contacting through a previously etched channel.
Claims (8)
einer magnetfeldempfindlichen Sensorschicht (2) und einer Auswerteelektronik (4) zur Verarbeitung des an der Sensorschicht (2) abnehmbaren elektrischen Signals, dadurch gekennzeichnet, dass
die Sensorschicht (2) auf einer Seite eines Halbleitersubstrates (3) und die Auswerteelektronik als integrierter Schaltkreis (4) auf der anderen Seite des Halbleitersubstrates (3) herausgebildet ist. 1. Magnetic sensor arrangement, with
a magnetic field-sensitive sensor layer ( 2 ) and evaluation electronics ( 4 ) for processing the electrical signal that can be removed from the sensor layer ( 2 ), characterized in that
the sensor layer ( 2 ) on one side of a semiconductor substrate ( 3 ) and the evaluation electronics as an integrated circuit ( 4 ) on the other side of the semiconductor substrate ( 3 ).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2002113381 DE10213381B4 (en) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | Magnetic sensor arrangement and a method for its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2002113381 DE10213381B4 (en) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | Magnetic sensor arrangement and a method for its production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10213381A1 true DE10213381A1 (en) | 2003-10-23 |
| DE10213381B4 DE10213381B4 (en) | 2004-02-12 |
Family
ID=28458391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2002113381 Expired - Fee Related DE10213381B4 (en) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | Magnetic sensor arrangement and a method for its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10213381B4 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1610095A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-28 | HERA Rotterdam B.V. | Rotation detector for determining the absolute angular position of a shaft |
| CN109073414A (en) * | 2016-04-13 | 2018-12-21 | ams有限公司 | Position sensor and method for generating sensor output signal |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11311542A (en) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Yazaki Corp | Magnetic detector |
| DE10004982A1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | Galvanic separation semiconductor structure uses GMR coupler integrated in at least one of galvanically separated parts of overall circuit |
-
2002
- 2002-03-26 DE DE2002113381 patent/DE10213381B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11311542A (en) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Yazaki Corp | Magnetic detector |
| DE10004982A1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | Galvanic separation semiconductor structure uses GMR coupler integrated in at least one of galvanically separated parts of overall circuit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1610095A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-28 | HERA Rotterdam B.V. | Rotation detector for determining the absolute angular position of a shaft |
| CN109073414A (en) * | 2016-04-13 | 2018-12-21 | ams有限公司 | Position sensor and method for generating sensor output signal |
| US20190089234A1 (en) * | 2016-04-13 | 2019-03-21 | Ams Ag | Position sensor and method for generating a sensor output signal |
| US10971981B2 (en) * | 2016-04-13 | 2021-04-06 | Ams Ag | Position sensor and method for generating a sensor output signal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10213381B4 (en) | 2004-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102005047414B4 (en) | Magnetoresistive sensor module and method for producing the same | |
| DE102006022336B4 (en) | Magnetic field sensor and Sensoranordenung with the same | |
| DE102010000389B4 (en) | Sensor and method of making a sensor | |
| DE102004010126B4 (en) | Magnetic field sensor and method for producing the same | |
| DE102010016726B4 (en) | Semiconductor device with magnetic encapsulation material and method of manufacturing the same | |
| DE19922136B4 (en) | Magnetic field detection element and magnetic field detection device | |
| DE102005060713A1 (en) | Magnetic field sensor arrangement and method for non-contact measurement of a magnetic field | |
| DE102005022596A1 (en) | Arrangement for intrinsically safe wheel speed detection | |
| DE102008039706A1 (en) | Semiconductor device | |
| WO2006037695A1 (en) | Sensor for detecting the direction of a magnetic field | |
| DE102018220169A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A HUMIDITY SENSOR ON WAVE LEVEL AND HUMIDITY SENSOR | |
| EP3443359A1 (en) | Wheel rotational-speed sensor and fastening system for assembling a wheel rotational-speed sensor | |
| DE102008015709A1 (en) | Electrical device with cover | |
| DE102011077228A1 (en) | THROTTLE PRELOAD POL FOR IGMR SPEED DETECTION | |
| DE10213381B4 (en) | Magnetic sensor arrangement and a method for its production | |
| DE102020207355B4 (en) | SENSOR DEVICE | |
| DE102018202988A1 (en) | Sensor unit for position measurement | |
| EP3167253B1 (en) | Vibration decoupling of sensors | |
| DE102007001290A1 (en) | Module comprises semiconductor chip with mobile element, where substrate is made of glass or semiconductor material and covers main surface of semiconductor chip, and another substrate is made of glass or semiconductor material | |
| DE102019110570A1 (en) | MAGNETIC FIELD SENSOR PACKAGE WITH INTEGRATED PASSIVE COMPONENT | |
| DE10359217A1 (en) | Electrical via of HL-chips | |
| EP1022568B1 (en) | Device for determining rotational speed | |
| DE102015100991B4 (en) | Sensor arrangement, circuit arrangement and method for producing a sensor arrangement | |
| DE19854713A1 (en) | Magnetic field detector for rotation of magnetic body | |
| DE102006057970B4 (en) | Semiconductor component with a magnetic field sensor and method of manufacture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20131001 |