DE10209617C1 - Laserbeschriftungsverfahren - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung schafft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum schnellen Bearbeiten von dielektrischen Substraten 6 mittels Laserstrahlen. Dafür wird ein gepulster Laserstrahl 4 mit einer Puls-Wiederholfrequenz größer als ungefähr 50 kHz und mit Pulslängen kürzer als ungefähr 200 ns verwendet. Bei geeigneter Wahl der den bearbeitenden Laserstrahl charakterisierenden Parameter kann sowohl ein hoher Durchsatz an gebohrten Löchern 5 als auch eine hohe Lochqualität gewährleistet werden. Bei der Verwendung eines gütegeschalteten CO¶2¶-Lasers wird eine Wellenlänge von ungefähr 9,2 mum und eine Pulsenergie von ungefähr 0,7 mJ verwendet. Damit können beispielsweise in ein 0,4 mm dickes LCP-Substrat 500 Löcher pro Sekunde gebohrt werden. Der hohe Durchsatz und die gleichzeitig hohe Lochqualität sind eine Folge der gewählten Wellenlänge, der kurzen Pulslängen, der hohen Repetitionsrate und der ebenfalls im Vergleich zu herkömmlichen Laserbearbeitungsvorrichtungen im Bereich der Elektronikfertigung hohen Pulsenergie.
Description
Die Erfindung betrifft ein Laserbearbeitungsverfahren zum
schnellen Bohren von Löchern in dielektrische Substrate.
Die Materialbearbeitung mittels Laserstrahlen hat durch die
rasante Entwicklung der Lasertechnologie in den letzten Jah
ren zunehmend an Bedeutung gewonnen. Insbesondere auf dem Ge
biet der Elektronikfertigung ist durch die zunehmende Minia
turisierung der Bauelemente eine Laserbearbeitung von Leiter
platten bzw. Substraten zu einem unverzichtbaren Werkzeug ge
worden, um die aufgrund der Miniaturisierung der Bauelemente
erforderliche Mikrostrukturierung von Bauelementen und/oder
Substraten zu ermöglichen. So können beispielsweise Löcher in
Substrate gebohrt werden, welche einen Durchmesser aufweisen,
der im Vergleich zu den Lochdurchmessern von mit herkömmli
chen Bohrern gebohrten Löchern wesentlich kleiner ist. Unter
der Voraussetzung, dass die Laserleistung des auf das Sub
strat treffenden Laserstrahls genau bekannt ist, können außer
Durchgangslöchern auch sogenannte Sacklöcher gebohrt werden,
die insbesondere für mehrschichtige Leiterplatten wichtig
sind, da durch eine nachfolgende Metallisierung eines Sacklo
ches verschiedene metallische Schichten der mehrschichtigen
Leiterplatte elektrisch leitend miteinander verbunden werden
können und somit die Integrationsdichte auf einem Substrat
deutlich erhöht werden kann.
Aus der US 5,593,606 ist eine Laserbearbeitungsvorrichtung
bekannt, mittels der Löcher mit einem Durchmesser zwischen 50
und 200 µm in mehrschichtige Substrate gebohrt werden können.
Als Laserlichtquelle wird ein kontinuierlich gepumpter, güte
geschalteter Nd:YAG-Laser verwendet, welcher nach einer Fre
quenzkonvertierung Lichtpulse im ultravioletten Spektralbe
reich erzeugt. Die einzelnen Lichtpulse haben eine mittlere
Pulsleistung von ungefähr 250 mW und eine Pulslänge in der
Größenordnung von 100 ns. Damit ergibt sich eine verhältnis
mäßig geringe Energie der einzelnen Lichtpulse von ungefähr
25 nJ, so dass zum Bohren eines einzigen Lochs eine Vielzahl
von Laserpulsen verwendet werden muss. Da ferner die Puls-
Repetitionsfrequenz auf wenige kHz begrenzt ist, ist der
Durchsatz, d. h. die Anzahl an Löchern, die pro Zeiteinheit
gebohrt werden können, entsprechend gering, so dass mit die
ser Laserbearbeitungsvorrichtung abhängig von dem Material
und der Dicke der zu durchbohrenden Schichten pro Zeiteinheit
nur eine relativ geringe Anzahl von Löchern gebohrt werden
kann.
Ferner ist bekannt, dass zur Materialbearbeitung und insbe
sondere auch zum Bohren von Löchern in Substrate gepulste
CO2-Laser mit einer Wellenlänge von 9,2-10,6 µm oder gepulste
Festkörperlaser, wie zum Beispiel Nd:YAG-Laser oder Nd:YVO4-
Laser mit einer Grundwellenlänge von 1064 nm verwendet werden
können. Die Verwendung derartiger im infraroten Spektralbe
reich emittierenden herkömmlichen CO2-Laserlichtquellen hat
den Nachteil, dass die erzeugten Laserpulse mit einer Puls
länge in der Größenordnung von µs relativ lang sind. Damit
ist das zu bearbeitende Substrat einer hoher thermischen Be
lastung ausgesetzt, so dass die Geometrie der gebohrten Lö
cher durch einen Bohrgrat oder durch Niederschläge am Rand
des Loches erheblich von der optimalen (zylindrischen bzw.
kegelförmigen) Form abweicht und somit die Qualität der ge
bohrten Löcher reduziert ist. Die Niederschläge entstehen
beispielsweise durch verfestigten Dampf, welcher zuvor durch
Sublimation aus dem Substratmaterial infolge der Erhitzung
durch den Laserstrahl erzeugt wurde. Der Niederschlag kann
aber auch aus kleinen Körnern des festen Substratmaterials
bestehen, welche aufgrund einer starken inhomogenen Erhitzung
der Substrates an den Rand des Loches geschleudert werden.
Aus der DE 100 20 559 ist ein Verfahren zur Bearbeitung eines
Materials mit ultrakurzen Laserpulsen im sichtbaren oder im
nah-infraroten Spektralbereich bekannt. Dabei werden mittels
einer Laserlichtquelle Laserpulse mit einer Pulsdauer von we
niger als 300 ps und mit einer Repetitionsrate zwischen
100 kHz und 1 GHz erzeugt. Von den insgesamt erzeugten Laser
pulsen wird die Intensität einzelner Laserpulse in einem op
tischen Verstärker verstärkt. Die verstärkten Laserpulse,
welche eine Pulsdauer von weniger als 300 ps und eine Repeti
tionsrate zwischen 1 Hz und 1 MHz aufweisen, werden für eine
Materialbearbeitung verwendet. Die nicht verstärkten Pulse,
welche ebenfalls auf das zu bearbeitende Material gerichtet
werden, werden für eine Untersuchung des zu bearbeitenden Ma
terials verwendet. Als Untersuchungsmethode eignet sich bei
spielweise die sog. optische Kohärenztomographie.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Bohren von Löchern in dielektrische Substrate zu schaffen,
wobei innerhalb einer kurzen Zeitdauer eine Vielzahl von qua
litativ hochwertigen Löchern gebohrt werden kann.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkma
len des unabhängigen Anspruchs 1.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass bei geeig
neten Parametern, d. h. die Wellenlänge, die Pulslängen, die
Repetitionsrate und die Pulsenergie des bearbeiteten Laser
strahls sowohl der Durchsatz, d. h. die Anzahl der gebohrten
Löcher pro Zeiteinheit erhöht als auch die resultierende
Lochqualität verbessert werden kann. Erfindungsgemäß wird zur
Erzeugung des gepulsten Laserstrahls ein gütegeschalteter
CO2-Laser verwendet. Die Güteschaltung des CO2-Lasers kann
mittels eines sogenannten akustooptischen Schalters reali
siert werden. Dafür eignet sich beispielsweise ein CdTe-
Kristall, welcher mit einer Frequenz im MHz Bereich zu mecha
nischen Schwingungen angeregt wird.
Die Fokussierung des bearbeitenden Laserstrahls gemäß An
spruch 4 auf einen Durchmesser von 50 bis 200 µm kann insbe
sondere dann realisiert werden, wenn der von der Laserlicht
quelle emittierte Laserstrahl vor der eigentlichen Fokussier
optik mittels einer Strahlaufweitung verbreitert wird. Es
wird darauf hingewiesen, dass die Verwendung einer Strahlauf
weitung eine geringere Tiefenschärfe des zu bearbeitenden La
serstrahls zur Folge hat, so dass der Abstand zwischen der
Fokussieroptik und der zu bearbeitenden Objektoberfläche mit
einer möglichst hohen Genauigkeit eingehalten werden muss.
Auf diese Weise können unerwünschte Verbreiterungen oder ko
nischen Geometrien der gebohrten Löcher vermieden werden.
Das Bohren von sogenannten Sacklöchern gemäß Anspruch 5 wird
insbesondere bei der Bearbeitung von Mehrschichtsubstraten
verwendet.
Gemäß Anspruch 6 wird abhängig von dem Substratmaterial und
der Dicke bzw. der Tiefe des zu bohrenden Loches das Loch
entweder mittels eines einzigen Laserpulses oder mittels ei
ner Abfolge von nacheinander auf das zu bearbeitende Objekt
gerichteten Laserpulse gebohrt. Bei der Verwendung einer Ab
folge von mehreren Laserpulsen ist darauf zu achten, dass zur
Vermeidung einer schlechten Lochqualität die einzelnen Laser
pulse möglichst an der gleichen Stelle des Objekts auftref
fen. Bei durchgeführten Experimenten hat sich herausgestellt,
dass dafür eine räumliche Überlappung der resultierenden Fo
kusflächen von mindestens 66% eingehalten werden sollte.
Gemäß Anspruch 7 werden für die Bearbeitung von Substraten
aus dem Substratmaterial LCP (Liquid Cristalline Polymer),
welches hervorragende elektrische Eigenschaften bis hin zu
Frequenzen von 40 GHz aufweist und welches nahezu undurch
dringbar sowohl für Feuchtigkeit, Sauerstoff als auch für an
dere Gase und Flüssigkeiten ist, bevorzugt Pulse mit einer
Länge von maximal 150 ns verwendet.
Zur Bearbeitung des mit einem Glasfasermaterial mechanisch
verstärkten dielektrischen Substrats FR4 (Flame Retard 4),
wie beispielsweise das Material C-1080 der Firma ISOLA, eig
net sich gemäß Anspruch 8 eine Puls-Wiederholfrequenz von
mindestens 50 kHz und bevorzugt eine Puls-Wiederholfrequenz
zwischen 60 kHz und 100 kHz.
Gemäß Anspruch 9 erfordert die Bearbeitung eines Epoxy Mate
rials, wie beispielsweise das als Standardsubstrat in der E
lektronikfertigung häufig verwendete Material RCC (Resin Coa
ted Copper), eine Puls-Wiederholfrequenz von mindestens
80 kHz und bevorzugt eine Puls-Wiederholfrequenz von annä
hernd 100 kHz.
Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung er
geben sich aus der folgenden beispielhaften Beschreibung ei
ner derzeit bevorzugten Ausführungsform.
In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 das Bohren von Löchern durch ein Substrat in einer
schematischen Darstellung und
Fig. 2 eine graphische Darstellung des maximal erreichbaren
Durchsatzes von gebohrten Löchern in Abhängigkeit der
Dicke des verwendeten LCP-Substrates.
Gemäß dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel der
Erfindung erfolgt das Bohren mittels einer Laserbearbeitungs
vorrichtung dadurch, dass ein von einem nicht dargestellten
CO2-Laser emittierter Laserstrahl mit einer Wellenlänge von
9,2 ± 0,2 µm mittels eines Strahlaufweiters 1 derart aufge
weitet wird, dass der Durchmesser des Laserstrahls im Ver
gleich zu dem Durchmesser des Laserstrahls am Auskoppelspie
gel des Lasers um einen Faktor 1,5 bis 2 vergrößert wird. Der
aufgeweitete Laserstrahl wird mittels einer Ablenkeinheit 2,
welche zumindest zwei nicht dargestellte bewegliche Spiegel
enthält, um 90° abgelenkt. Der abgelenkte Laserstrahl wird
dann mittels einer telezentrischen Fokussieroptik 3 derart
fokussiert, dass ein Laserstrahl 4 mit einem wirksamen Fokus
durchmesser von 100 µm bis 200 µm auf das zu bearbeitende Ob
jekt gerichtet wird, welches gemäß dem hier dargestellten
Ausführungsbeispiel ein einschichtiges Substrat 6 ist. Die
beiden Spiegel der Ablenkeinheit 2 sind derart gelagert, dass
der Laserstrahl 4 innerhalb einer kurzen Zeit auf beliebige
Stellen innerhalb eines vorgegebenen Bereiches auf der Ober
fläche des Substrates 6 gerichtet werden kann.
Das Substrat 6 ist aus dem Material LCP hergestellt. Dieses
Material wird beispielsweise unter der Bezeichnung Vectra
H840 von der Firma Ticona oder unter der Bezeichnung Zenite
7738 von der Firma Dupont de Nemours angeboten. Es wird al
lerdings darauf hingewiesen, dass für das Substrat auch ande
re dielektrische Materialien, wie beispielsweise FR4 oder das
Epoxy Material RCC, verwendet werden können.
Der von der nicht dargestellten gütegeschalteten CO2-
Laserlichtquelle erzeugte Laserstrahl 4 emittiert mit einer
Repititionsfrequenz von mindestens 50 kHz Laserlichtpulse mit
einer Pulsdauer von weniger als 150 ns und mit einer Puls
energie von mindestens 0,7 mJ. Der Durchmesser des auf das zu
bearbeitende Substrat 6 auftreffenden Laserstrahls 4 beträgt
100 µm bis 200 µm. Auf diese Weise werden Löcher 5 mit einem
Durchmesser von 120 µm bis 250 µm gebohrt, wobei die resul
tierende Lochqualität im Vergleich zu Löchern, die mit her
kömmlichen Laserbearbeitungsvorrichtungen gebohrt wurden, er
heblich verbessert ist.
Es wird darauf hingewiesen, dass zur Erreichung eines hohen
Durchsatzes an gebohrten Löchern die Abbildungseinheit 2 der
art ausgebildet sein muss, dass der auf das zu bearbeitende
Substrat 6 gelenkte Laserstrahl 4 zügig von einer möglichst
genau definierten Position auf der Substratoberfläche zu ei
ner anderen, ebenfalls möglichst genau definierten Position
der Substratoberfläche gelenkt werden kann. Bei Verwendung
einer derart schnellen Ablenkeinheit 2 kann somit aufgrund
der relativ großen Pulsenergien, aufgrund der kurzen Pulslän
gen und der verwendeten Wellenlänge des Laserstrahls 4 sowohl
ein hoher Durchsatz an gebohrten Löchern erreicht als auch
die thermische Belastung des Substratmaterials minimiert und
somit ein Bohrgrat oder Ablagerungen rund um das gebohrte
Loch vermieden werden.
Fig. 2 zeigt das Ergebnis einer experimentellen Untersu
chung, bei der die maximale Anzahl an Löchern, welche mit ei
ner hohen Lochqualität gebohrt werden können, in Abhängigkeit
von der Dicke des Substrates grafisch dargestellt wird. Dabei
ist auf der Abszisse die Dicke d in der Einheit mm aufgetra
gen. Die Ordinate gibt den Durchsatz N/t der gebohrten Löcher
pro Sekunde an. Das verwendete Substrat ist wiederum aus dem
Material LCP hergestellt. Je dünner das zu durchbohrende LCP-
Substrat ist, desto höher ist der Durchsatz an gebohrten Lö
chern. Bei einer Dicke von 0,5 mm können 300 Löcher pro Se
kunde gebohrt werden. Bei einer Dicke von 0,4 mm erhöht sich
die Anzahl der Löcher, die mit einer gleichbleibenden Quali
tät gebohrt werden können, auf 500 pro Sekunde. Bei einer Di
cke von 0,15 mm erhöht sich der Durchsatz an gebohrten Lö
chern weiter bis auf 1250 Löcher pro Sekunde.
Es wird darauf hingewiesen, dass LCP-Substrate mit einer Di
cke von 0,4 mm häufig als sogenannte Spritzgusssubstrate in
der Elektronikfertigung eingesetzt werden, so dass der Durch
satz an gebohrten Löchern von 500 pro Sekunde gegenüber dem
Durchsatz, welcher mit herkömmlichen Laserbearbeitungsmaschi
nen erreicht werden kann, erheblich erhöht ist.
Claims (9)
1. Laserbearbeitungsverfahren zum schnellen Bohren von Lö
chern in dielektrische Substrate, bei dem
als Laserlichtquelle ein gütegeschalteter CO2-Laser verwen det wird, welcher einen gepulsten Laserstrahl (4)
mit einer Puls-Wiederholfrequenz größer als 50 kHz,
mit Pulslängen kürzer als 200 ns und
mit einer Energie pro Laserpuls von mindestens 10-4 Joule erzeugt, und
der Laserstrahl (4) mittels einer Ablenkeinheit (2) auf das zu bearbeitende Substrat (6) gelenkt wird.
als Laserlichtquelle ein gütegeschalteter CO2-Laser verwen det wird, welcher einen gepulsten Laserstrahl (4)
mit einer Puls-Wiederholfrequenz größer als 50 kHz,
mit Pulslängen kürzer als 200 ns und
mit einer Energie pro Laserpuls von mindestens 10-4 Joule erzeugt, und
der Laserstrahl (4) mittels einer Ablenkeinheit (2) auf das zu bearbeitende Substrat (6) gelenkt wird.
2. Laserbearbeitungsverfahren gemäß Anspruch 1, bei dem ein
Laserstrahl (4) mit einer Wellenlänge im Bereich von 9,2 ±
0,2 µm verwendet wird.
3. Laserbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
2, bei dem Laserpulse mit einer Energie von 0,7 mJoule ver
wendet werden.
4. Laserbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
3, bei dem der Laserstrahl (4) auf das zu bearbeitende Sub
strat (6) mit einem Durchmesser von 50 µm-200 µm fokussiert
wird.
5. Laserbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
4, bei dem Sacklöcher in das zu bearbeitende Substrat (6) ge
bohrt werden.
6. Laserbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
5, bei dem ein Loch (5) mittels eines einzigen Laserpulses
oder mittels mehrerer Laserpulse gebohrt wird, welche nach
einander auf das zu bearbeitende Substrat (6) gerichtet wer
den.
7. Laserbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
6, bei dem ein LCP-Substrat bearbeitet wird, wobei Pulslängen
kürzer als 150 ns verwendet werden.
8. Laserbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
6, bei dem ein mit einem Glasfasermaterial mechanisch ver
stärktes dielektrisches Substrat bearbeitet wird, wobei eine
Puls-Wiederholfrequenz von mindestens 50 kHz und insbesondere
von 60 kHz bis 100 kHz verwendet wird.
9. Laserbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
6, bei dem ein Epoxy Material bearbeitet wird, wobei eine
Puls-Wiederholfrequenz von mindestens 80 kHz und insbesondere
von annähernd 100 kHz verwendet wird.
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|---|---|---|---|
| DE10209617A DE10209617C1 (de) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | Laserbeschriftungsverfahren |
| PCT/DE2003/000579 WO2003074224A1 (de) | 2002-03-05 | 2003-02-24 | Laserbearbeitungsverfahren |
| JP2003572720A JP2005518945A (ja) | 2002-03-05 | 2003-02-24 | レーザ加工方法 |
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Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6781090B2 (en) * | 2001-03-12 | 2004-08-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Quasi-CW diode-pumped, solid-state harmonic laser system and method employing same |
| US6806440B2 (en) * | 2001-03-12 | 2004-10-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Quasi-CW diode pumped, solid-state UV laser system and method employing same |
| US7985942B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-07-26 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of providing consistent quality of target material removal by lasers having different output performance characteristics |
| US7352784B2 (en) * | 2004-07-20 | 2008-04-01 | Jds Uniphase Corporation | Laser burst boosting method and apparatus |
| KR100710854B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2007-04-23 | (주)하드램 | 유리 천공장치 및 유리 천공방법 |
| ES2302418B1 (es) * | 2005-12-21 | 2009-05-08 | Universidad De Cadiz | Metodo de mecanizado laser de materiales compuestos de resina epoxi reforzada con fibras de carbono. |
| CN100441360C (zh) * | 2005-12-21 | 2008-12-10 | 北京工业大学 | 一种激光打孔方法及其打孔装置 |
| US8237080B2 (en) * | 2008-03-27 | 2012-08-07 | Electro Scientific Industries, Inc | Method and apparatus for laser drilling holes with Gaussian pulses |
| CN101829850A (zh) * | 2010-04-01 | 2010-09-15 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 盲孔加工方法 |
| EP2658674B1 (de) | 2010-12-30 | 2017-03-01 | 3M Innovative Properties Company | Vorrichtung zum laserumwandeln mit einem trägerelement mit golddeckschicht; verfahren zum laserumwandeln eines bleches unter verwendung einer solchen vorrichtung |
| WO2012092478A1 (en) | 2010-12-30 | 2012-07-05 | 3M Innovative Properties Company | Laser cutting method and articles produced therewith |
| CN103252587A (zh) * | 2013-04-27 | 2013-08-21 | 北京工业大学 | 玻璃表面盲孔加工方法 |
| CN103240531B (zh) * | 2013-05-10 | 2015-02-11 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种分段激光打孔方法 |
| CN105081564B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-29 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种强化玻璃内形孔的加工方法 |
| CN105263266A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-01-20 | 江苏博敏电子有限公司 | 一种镭射盲钻加工方法 |
| CN108422108A (zh) * | 2018-02-28 | 2018-08-21 | 重庆市健隆家具有限公司 | 一种型材钻孔工艺 |
| CN109648192A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-19 | 成都莱普科技有限公司 | 激光钻孔机能量控制方法 |
| CN113369719B (zh) * | 2021-05-14 | 2023-01-31 | 惠州中京电子科技有限公司 | 用于led载板的激光打孔方法 |
| CN113732527A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-03 | 常州英诺激光科技有限公司 | 一种用于切割lcp材料的紫外皮秒激光切割方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593606A (en) * | 1994-07-18 | 1997-01-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets |
| DE10020559A1 (de) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Hannover Laser Zentrum | Laser-Bearbeitung von Materialien |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4027137A (en) * | 1975-09-17 | 1977-05-31 | International Business Machines Corporation | Laser drilling nozzle |
| US4044222A (en) * | 1976-01-16 | 1977-08-23 | Western Electric Company, Inc. | Method of forming tapered apertures in thin films with an energy beam |
| JP3066659B2 (ja) * | 1991-05-31 | 2000-07-17 | 日立ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工機の加工ポイント補正方法及びその装置 |
| CN1029513C (zh) * | 1992-11-27 | 1995-08-16 | 中国科学院力学研究所 | 高重频调制多脉冲yag激光刻花系统及加工方法 |
| GB2286787A (en) * | 1994-02-26 | 1995-08-30 | Oxford Lasers Ltd | Selective machining by dual wavelength laser |
| US5493096A (en) * | 1994-05-10 | 1996-02-20 | Grumman Aerospace Corporation | Thin substrate micro-via interconnect |
| US6150630A (en) * | 1996-01-11 | 2000-11-21 | The Regents Of The University Of California | Laser machining of explosives |
| US7462801B1 (en) * | 1996-11-20 | 2008-12-09 | Ibiden Co., Ltd. | Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board |
| JP3691221B2 (ja) * | 1997-09-24 | 2005-09-07 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工方法 |
| GB9811328D0 (en) * | 1998-05-27 | 1998-07-22 | Exitech Ltd | The use of mid-infrared lasers for drilling microvia holes in printed circuit (wiring) boards and other electrical circuit interconnection packages |
| JP3346374B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2002-11-18 | 住友電気工業株式会社 | レーザ穴開け加工装置 |
| US6784399B2 (en) * | 2001-05-09 | 2004-08-31 | Electro Scientific Industries, Inc. | Micromachining with high-energy, intra-cavity Q-switched CO2 laser pulses |
| DE10145184B4 (de) * | 2001-09-13 | 2005-03-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Laserbohren, insbesondere unter Verwendung einer Lochmaske |
-
2002
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-
2003
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593606A (en) * | 1994-07-18 | 1997-01-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets |
| DE10020559A1 (de) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Hannover Laser Zentrum | Laser-Bearbeitung von Materialien |
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