DE10207341A1

DE10207341A1 - Verfahren zum Erzeugen akustischer Dünnfilmvolumenresonatoren (FBARs) mit unterschiedlichen Frequenzen auf einem einzelnen Substrat und Vorrichtung, die das Verfahren beinhaltet

Info

Publication number: DE10207341A1
Application number: DE10207341A
Authority: DE
Inventors: Paul D Bradley; Richard C Ruby; Iii John D Larson
Original assignee: Agilent Technologies Inc
Current assignee: Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Priority date: 2001-03-05
Filing date: 2002-02-21
Publication date: 2002-09-26
Anticipated expiration: 2022-02-22
Also published as: US6617249B2; DE10207341B4; JP4008264B2; US20020123177A1; JP2002335141A

Abstract

Ein Verfahren zum Erzeugen eines Resonators und insbesondere eines akustischen Volumendünnfilmresonators (FBAR) und ein Resonator, der das Verfahren beinhaltet, sind offenbart. Ein FBAR wird auf einem Substrat hergestellt, indem eine obere Massenbelastungselektrodenschicht eingeführt wird. Für ein Substrat, das mehrere Resonatoren aufweist, wird die obere Massenbelastungselektrodenschicht für nur einen ausgewählten Resonator eingeführt, um Resonatoren, die unterschiedliche Resonanzfrequenzen aufweisen, auf dem gleichen Substrat zu liefern.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf akustische Reso natoren und insbesondere auf Resonatoren, die als Filter für elektronische Schaltungen verwendet werden können.

Der Bedarf, die Kosten und die Größe von elektronischer Ausrüstung zu senken, hat zu einem fortdauernden Bedarf nach immer kleineren Filterelementen geführt. Unterhal tungselektronik, wie z. B. Mobiltelefone und Miniaturradi os, bringen starke Einschränkungen sowohl bezüglich der Größe als auch der Kosten der Komponenten, die in denselben enthalten sind, mit sich. Viele derartige Vorrichtungen verwenden Filter, die auf genaue Frequenzen abgestimmt wer den müssen. So besteht eine fortdauernde Bemühung, billige kompakte Filtereinheiten zu schaffen.

Eine Klasse von Filtern, die das Potential aufweisen, die sen Bedarfen zu entsprechen, ist aus akustischen Dünnfilm volumenresonatoren (FBARs) aufgebaut. Diese Vorrichtungen verwenden longitudinale akustische Volumenwellen in einem piezoelektrischen (PZ-)Dünnfilmmaterial. Bei einer einfa chen Konfiguration ist eine Schicht aus einem PZ-Material zwischen zwei Metallelektroden angeordnet. Die Struktur ist vorzugsweise durch eine Stützstruktur in der Luft aufge hängt. Wenn ein elektrisches Feld zwischen den Metallelek troden angelegt wird, wandelt das PZ-Material einen Teil der elektrischen Energie in mechanische Energie in der Form mechanischer Wellen um. Die mechanischen Wellen breiten sich in der gleichen Richtung aus wie das elektrische Feld und werden von der Elektrode/Luft-Grenzfläche abreflek tiert.

Bei einer Resonanzfrequenz zeigt sich die Vorrichtung als ein elektronischer Resonator. Wenn zwei oder mehr Resonato ren (mit unterschiedlichen Resonanzfrequenzen) elektrisch miteinander verbunden sind, wirkt das Ganze als ein Filter. Die Resonanzfrequenz ist die Frequenz, für die die halbe Wellenlänge der mechanischen Wellen, die sich in der Vor richtung ausbreiten, für eine gegebene Phasengeschwindig keit der mechanischen Welle in dem Material gleich der Ge samtdicke der Vorrichtung ist. Da die Geschwindigkeit der mechanischen Welle vier Größenordnungen kleiner ist als die Lichtgeschwindigkeit, kann der resultierende Resonator recht kompakt sein. Resonatoren für Anwendungen in dem GHz- Bereich können mit physischen Abmessungen in dem Bereich einer Breitenabmessung von weniger als 100 µm und einer Dicke von wenigen Mikrometern aufgebaut sein.

Beim Entwerfen und Bauen von Miniaturfiltern zur Mikrowel lenfrequenzverwendung ist es oft notcaendig, Resonatoren (z. B. FBARs) zu liefern, die leicht unterschiedliche Resonanz frequenzen aufweisen, die üblicherweise ein paar Prozent auseinanderliegen. Üblicherweise reichen zwei verschiedene Frequenzen aus. Allgemeinere Filterentwürfe können unter Umständen jedoch drei oder mehr Resonatoren erforderlich machen, die jeweils verschiedene Resonanzfrequenzen aufwei sen. Ein fortdauerndes Problem dieser Filter besteht darin, die Resonanzfrequenzen der Resonatoren genau zu versetzen und es gleichzeitig zu ermöglichen, daß die Resonatoren auf einem einzelnen Wafer oder Substrat hergestellt werden.

Es ist bekannt, daß die Frequenz des Resonators umgekehrt bzw. invers von der Dicke des Resonators abhängt. Um mehre re Resonatoren, die versetzte Frequenzen aufweisen, auf ei nem einzelnen Substrat zu erzeugen, ist eine mögliche Tech nik der Massenbelastung der oberen Metallelektrode in dem U.S.-Patent Nr. 5,894,647, erteilt an Lakin am 20. April 1999, offenbart. Es bleibt jedoch ein Bedarf nach alterna tiven Techniken zum Schaffen einzelner Resonatoren, die un terschiedliche Resonanzfrequenzen aufweisen, auf dem glei chen Substrat.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbes sertes Verfahren zum Erzeugen eines Resonators auf einem Substrat oder ein verbessertes Verfahren zum Erzeugen eines Vorrichtungsresonators auf einem Substrat zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Erzeugen eines Resonators auf einem Substrat gemäß Anspruch 1 oder ein Verfahren zum Erzeugen eines Vorrichtungsresonators auf ei nem Substrat gemäß Anspruch 10 gelöst.

Dem Bedarf wird durch die vorliegende Erfindung entspro chen. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Erzeugen eines Resonators auf einem Substrat offenbart. Eine untere Elektrode, eine piezoelektrische (PZ-)Schicht, eine obere Elektrodenschicht und eine obere Belastungselektrodenschicht werden hergestellt. Dann wird die obere Belastungselektrodenschicht derart einer Überät zung unterzogen, daß die obere Belastungsschicht und die obere Elektrodenschicht geätzt werden, um eine obere Elek trode zu bilden.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Erzeugen eines Vorrichtungsresonators auf einem Substrat offenbart. Als erstes werden eine erste un tere Elektrode und eine zweite untere Elektrode herge stellt, wobei eine piezoelektrische (PZ-)Schicht über so wohl der ersten als auch der zweiten unteren Elektrode her gestellt wird, und wobei die PZ-Schicht einen ersten Teil über der ersten unteren Elektrode und einen zweiten Teil über der zweiten unteren Elektrode aufweist. Dann wird eine obere Elektrodenschicht hergestellt, wobei die obere Elek trodenschicht einen ersten Abschnitt über dem ersten Teil und einen zweiten Abschnitt über dem zweiten Teil aufweist. Als nächstes wird eine obere Belastungselektrodenschicht über dem ersten Abschnitt hergestellt. Schließlich wird die obere Belastungselektrodenschicht derart einer Überätzung unterzogen, daß die obere Belastungsschicht und die obere Elektrodenschicht geätzt werden, um eine erste obere Elek trode zu bilden.

Weitere Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung, die lediglich beispielhaft die Prinzipien der Erfindung dar stellt, in Kombination mit den beigefügten Zeichnungen er sichtlich. Es zeigen:

Fig. 1 eine vereinfachte Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung, die Resonatoren umfaßt, gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung;

Fig. 2 eine vereinfachte Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung, die Resonatoren umfaßt, gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 3A und 3B vereinfachte Querschnittsseitenansichten ei ner Vorrichtung, die Resonatoren umfaßt, gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung;

Fig. 4 eine vereinfachte Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung, die Resonatoren umfaßt, gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung;

Fig. 5 eine vereinfachte Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung, die Resonatoren umfaßt, gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung; und

Fig. 6A und 6B vereinfachte Querschnittsseitenansichten einer Vorrichtung, die Resonatoren umfaßt, gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung.

Wie in den Zeichnungen zu Darstellungszwecken gezeigt ist, ist die vorliegende Erfindung in Techniken zum Erzeugen von Resonatoren auf einem einzelnen Substrat ausgeführt, wobei dieselben jedoch unterschiedliche Resonanzfrequenzen auf weisen.

Herstellung von Dünnfilmresonatoren durch Massenbelastung einer piezoelektrischen Schicht

Bei einem Ausführungsbeispiel ist eine Vorrichtung offen bart, die einen ersten Resonator und einen zweiten Resona tor auf einem Substrat aufweist. Der erste Resonator weist zwei Elektroden und eine erste piezoelektrische (PZ-) Schicht, die zwischen den beiden Elektroden angeordnet ist, auf. Der zweite Resonator weist zwei Elektroden und eine zweite PZ-Schicht, die zwischen den beiden Elektroden ange ordnet ist, auf. Die erste PZ-Schicht umfaßt eine PZ- Kernschicht und eine zusätzliche PZ-Schicht, wohingegen die zweite PZ-Schicht nur die PZ-Kernschicht umfaßt. So ist die erste PZ-Schicht dicker als die zweite PZ-Schicht, womit der erste Resonator eine Resonanzfrequenz aufweist, die niedriger ist als die des zweiten Resonators.

Bezug nehmend auf Fig. 1 ist eine Vorrichtung 10 gemäß ei nem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darge stellt. Die Vorrichtung 10 weist einen ersten Resonator 20 und einen zweiten Resonator 30 auf, die auf einem Substrat 12 hergestellt sind. Bei einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 12 ein Siliziumsubstrat. Die Resonatoren 20 und 30 sind akustische Resonatoren, die mechanische Wellen verwen den. Aus diesem Grund ist jeder der dargestellten Resonato ren 20 und 30 über einem Hohlraum 21 bzw. 31 hergestellt. Das U.S.-Patent Nr. 6,060,818, erteilt an Ruby u. a. am 9. Mai 2000, stellt z. B. dieses Verfahren dar und umfaßt andere Details, die hier bei der vorliegenden Erfindung an wendbar sind.

In diesem Unterabschnitt des detaillierten Teils der Be schreibung des vorliegenden Dokuments und in anderen fol genden Unterabschnitten werden die Bezeichnungen "erster" und "zweiter" verwendet, um zweckmäßig zwischen unter schiedlichen Vorkommen ähnlicher Vorrichtungen oder Teile von Vorrichtungen zu unterscheiden, wobei dieselben im Zu sammenhang des bestimmten Unterabschnitts, in dem diese Be zeichnungen verwendet werden, anwendbar sind. Materialien, Verfahren und allgemeine und relative Abmessungen und Posi tionen verschiedener Teile von Vorrichtungen, die in den Unterabschnitten erläutert werden, können jedoch auf das gesamte Dokument angewendet werden, auch wenn dieselben in einem Unterabschnitt besprochen werden.

Der erste Resonator 20 ist über einem Hohlraum 21 ("ersten Hohlraum") hergestellt, überspannt denselben und umfaßt ei ne untere Elektrode 22 ("erste untere Elektrode"), eine obere Elektrode 26 ("erste obere Elektrode") und ein PZ- Material, das zwischen der ersten unteren Elektrode 22 und der ersten oberen Elektrode 26 angeordnet ist. Das PZ- Material umfaßt einen Teil 24 ("ersten Teil") einer PZ- Schicht 14 ("PZ-Kernschicht") und eine zusätzliche PZ- Schicht 25 über dem ersten Teil 24. Der erste Teil 24 ist ein Teil der PZ-Schicht 14 im allgemeinen über der ersten unteren Elektrode 22. Das Bezugszeichen 24 zeigt den allge meinen Bereich des ersten Teils 24 der PZ-Schicht 14 an.

Die PZ-Schicht 14, die zusätzliche PZ-Schicht oder beide können unter Verwendung von Aluminiumnitrid (AlN) oder je dem geeigneten piezoelektrischen Material hergestellt sein. Die Elektroden, wie z. B. die erste untere Elektrode 22, können Molybdän sein. Wieder kann jeder geeignete Leiter verwendet werden, um die Elektroden herzustellen.

Der zweite Resonator 30 ist ebenfalls über einem Hohlraum 31 ("zweiten Hohlraum") hergestellt und umfaßt eine untere Elektrode 32 ("zweite untere Elektrode"), eine obere Elek trode 36 ("zweite obere Elektrode") und ein PZ-Material, das zwischen der zweiten unteren Elektrode 32 und der zwei ten oberen Elektrode 36 angeordnet ist. Das PZ-Material um faßt einen Teil 34 ("zweiten Teil") der PZ-Kernschicht 14. Der zweite Teil 34 ist ein Teil der PZ-Kernschicht 14 im allgemeinen über der zweiten unteren Elektrode 32. Das Be zugszeichen 34 zeigt den allgemeinen Bereich des zweiten Teils 34 der PZ-Kernschicht 14 an.

Die Größe des ersten und des zweiten Resonators 20 und 30 hängt von der erwünschten Resonanzfrequenz ab. Für einen Resonator z. B., der eine Resonanzfrequenz von 1900 MHz aufweist, können die Abmessungen der Resonatoren 20 und 30 etwa 150 µm mal 200 µm und die Fläche etwa 30 000 µm² sein. Bei dieser Frequenz und Größe sind die Elektroden 22 und 26 üblicherweise jeweils etwa 1500 Å dick, wobei die PZ- Kernschicht 14 etwa 21 000 Å dick ist. Um eine Resonanzfre quenz von etwa 3% weniger als 1900 MHz zu erhalten, wird die Dicke des PZ-Materials um etwa 1100 Å erhöht. Dies be deutet, daß die Dicke der zusätzlichen PZ-Schicht etwa 1% bis 8% der PZ-Kernschicht 14 sein kann. Dies ist durch den ersten Resonator 30 dargestellt. Natürlich wären diese Mes sungen für ein unterschiedliches Material und eine unter schiedliche Resonanzfrequenz unterschiedlich. Bei einem Versuch, die vorliegende Erfindung klar darzustellen, sind verschiedene Teile der Vorrichtung 10 aus Fig. 1 nicht maß stabsgetreu bezüglich der anderen Teile der Vorrichtung 10 dargestellt. Die Dicke der zusätzlichen PZ-Schicht 25 kann verglichen mit der Dicke der PZ-Kernschicht 14 einen weiten Bereich aufweisen, einschließlich ohne Einschränkungen ei nen Bereich von 2% bis 6% der PZ-Kernschicht. In der Pra xis ist die Dicke der zusätzlichen PZ-Schicht 25 wahr scheinlich eine Größenordnung kleiner als die Dicke der PZ- Kernschicht 14.

Bei dem dargestellten Beispiel wird die zusätzliche PZ- Schicht 25 nur für den ersten Resonator 20 hergestellt.

Um die Vorrichtung 10 herzustellen, werden die Hohlräume 21 und 31 geätzt und mit einem bestimmten Glasmaterial ge füllt, das später gelöst oder anderweitig entfernt wird, um die Hohlräume zu erzeugen. Als nächstes werden die unteren Elektroden 22 und 32 hergestellt. Die unteren Elektroden 22 und 32 können unter Verwendung jeder bekannten Technik, wie z. B. Photolithographie, hergestellt werden. Dann wird die PZ-Kernschicht 14 über den Elektroden 22 und 32 aufge bracht. Um die Resonatoren 20 und 30 herzustellen, die un terschiedliche Dicken des PZ-Materials aufweisen, können mehrere Schritte zur Bildung der PZ-Schichten erforderlich sein. Eine PZ-Kernschicht 14 wird z. B. auf sowohl der er sten als auch der zweiten unteren Elektrode 22 und 32 auf gebracht. Dann wird eine dünne Schicht, aus einem Opfermate rial (Maske), wie z. B. Siliziumdioxid (SiO₂), über der PZ- Kernschicht 14 aufgebracht. Die Opferschicht ist in Fig. 1 nicht gezeigt, kann jedoch etwa 200 Å dick sein. Die Opfer schicht wird strukturiert, um den ersten Teil 24 der PZ- Kernschicht 14 freizulegen, wobei der erste Teil 24 das PZ- Material für den Resonator ist, dessen Resonanzfrequenz ge senkt werden soll. Bei dem vorliegenden Beispiel ist dies der erste Resonator 20.

Als nächstes wird ein zusätzliches PZ-Material (wie z. B. das AlN) auf dem gesamten Substrat aufgebracht, was bei dem vorliegenden Beispiel die zusätzliche PZ-Schicht 25 mit ei ner Dicke von etwa 1100 Å bildet. Als nächstes wird die Vorrichtung 10 wieder mit einem Photoresist strukturiert, um die Bereiche zu schützen, an denen die zusätzliche PZ- Schicht 25 bleiben soll, wobei die Vorrichtung 10 dann ei nem Ätzmittel ausgesetzt wird, um die Opferschicht zu ent fernen. Das Ätzmittel kann eine verdünnte Fluorwasserstoff säure (HF) sein, wobei abhängig von der Konzentration der HF die Aussetzung etwa eine Minute dauern kann. Dadurch wird das hinzugefügte PZ-Material von oberhalb des zweiten Resonators 30, dessen Resonanzfrequenz unverändert bleiben soll, entfernt. Für den durch das Photoresist geschützten ersten Resonator 20 jedoch bleibt die zusätzliche PZ- Schicht 25. Für die Beispielskonfiguration liefert die zu sätzliche PZ-Schicht 25 mit einer Dicke von etwa 1100 Å verglichen mit der Resonanzfrequenz des zweiten Resonators 30 eine Senkung der Resonanzfrequenz um etwa 3%. Bei einem Ausführungsbeispiel wird die Resonanzfrequenz unter Verwen dung der vorliegenden Technik zwischen 1% und 8% gesenkt.

Schließlich werden die oberen Elektroden 26 und 36 herge stellt, wobei die Hohlräume 21 und 31 gelöst oder anderwei tig entfernt werden, um zu ermöglichen, daß die Resonatoren 20 und 30 über den Hohlräumen 21 bzw. 31 aufgehängt sind.

Herstellung von Dünnfilmresonatoren durch Massenbelastung der oberen Elektrode durch Oxidation

Bezug nehmend auf Fig. 2 ist eine Vorrichtung 40 gemäß ei nem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Vorrichtung 40 weist einen ersten Resona tor 50 und einen zweiten Resonator 60, die auf einem Sub strat 42 hergestellt sind, auf. Bei einem Ausführungsbei spiel ist das Substrat 42 ein Siliziumsubstrat.

Die Resonatoren 50 und 60 sind akustische Resonatoren, die mechanische Wellen verwenden. Aus diesem Grund wird jeder der dargestellten Resonatoren 50 und 60 über einem Hohlraum 51 bzw. 61 hergestellt. Der erste Resonator 50 der Vorrich tung 40 wird über einem ersten Hohlraum 51 hergestellt und umfaßt eine untere Elektrode 52 ("erste untere Elektrode"), eine PZ-Schicht 54 ("erste PZ-Schicht") und eine obere Elektrode 56 ("erste obere Elektrode"). Die erste PZ- Schicht 54 kann ein Teil ("erster Teil") einer größeren PZ- Kernschicht 44 sein. Die Elektroden 52 und 56 sind aus Mo lybdän hergestellt, wobei die PZ-Schicht 54 aus Aluminium nitrid ("AlN") hergestellt ist. Jedes geeignete Material kann jedoch für die Elektroden und die PZ-Schicht verwendet werden.

Der zweite Resonator 60 der Vorrichtung 40 wird über einem zweiten Hohlraum 61 hergestellt und umfaßt eine untere Elektrode 62 ("zweite untere Elektrode"), eine PZ-Schicht 64 ("zweite PZ-Schicht") und eine obere Elektrode 66 ("zweite obere Elektrode"). Die zweite PZ-Schicht 64 kann ein Teil ("zweiter Teil") der PZ-Kernschicht 44 sein.

Bei einem Ausführungsbeispiel weist die erste obere Elek trode 56 zwei Teile auf, nämlich einen Leiterteil 57 und einen oxidierten Leiterteil 58. Die Leiterschicht 57 weist Molybdän auf, wobei der oxidierte Leiterteil 58 Molybdän oxid ist. Die erste obere Elektrode 56 kann unter Verwen dung jedes Leiters hergestellt werden, der nach und nach bzw. fortschreitend oxidiert, wenn er Luft und Wärme ausge setzt wird. Vorzugsweise weist die erste obere Elektrode 56 eine Eigenschaft unbegrenzter Oxidation auf. Dies bedeutet, daß sie keine Schutzoxidbeschichtung auf der Oberfläche bildet, was die Oxidationsmenge, die ein Film halten könn te, einschränken würde. Zur Erklärung von Oxidationseigen schaften siehe z. B. Encyclopedia of the Chemical Elements, bearbeitet von C. A. Hampel, Reinhold Book Corporation, New York, 1968, S. 419. Für Oxidationscharakteristika verschie dener Leiter, die als die erste obere Elektrode 65 verwen det werden können, siehe The Oxide Handbook, G. V. Samsonov, Herausgeber, IFI/Plenum Publishers, New York, 1973.

Die erste obere Elektrode 56 beginnt als eine herkömmliche obere Elektrode, wie z. B. als eine zweite obere Elektrode 66 des zweiten Leiters 60, wobei die zweite obere Elektrode 66 nur eine Leiterschicht umfaßt. Nach dem Herstellen bzw. Erzeugen der ersten oberen Elektrode 56 wird die Vorrich tung 40 Wärme und Luft ausgesetzt, um die obere Oberfläche der ersten oberen Elektrode 56 zu oxidieren, was zu der Leiteroxidschicht 58 führt. Der zweite obere Leiter 66 und andere Teile der Vorrichtung 40 werden während des Oxidati onsverfahrens unter Verwendung einer Maske geschützt. Die Maske ist Siliziumdioxid oder ein anderes Hartmaskierungs material. Nach einer ausreichenden Oxidation der ersten oberen Schicht 68 wird die Maske entfernt.

Unter der Annahme, daß der erste Resonator 50 z. B. die oben beschriebenen Abmessungen aufweist, kann der erste Re sonator 50 in Luft etwa 1 Stunde lang bei etwa 300°C er wärmt werden, um die Resonanzfrequenz des ersten Resonators 50 um etwa 5 MHz oder mehr zu senken. Durch eine fortdau ernde Anwendung von Wärme kann die Resonanzfrequenz des er sten Resonators 50 verglichen mit der Resonanzfrequenz des ersten Resonators 50 vor der Oxidation der ersten oberen Elektrode 56 oder verglichen mit dem zweiten Resonator 60 um 1% bis 3% gesenkt werden.

Um den ersten Resonator 50 herzustellen, werden die erste untere Elektrode 52, die PZ-Kernschicht 44, die die erste PZ-Schicht 54 umfaßt, und die erste obere Elektrode 56 un ter Verwendung bekannter Verfahren hergestellt. Dann wird die obere Elektrode 56 oxidiert. Die Oxidation kann durch Erwärmen des ersten Resonators 50 in Luft durchgeführt wer den. Durch eine fortdauernde Anwendung von Wärme und ein fortdauerndes Überwachen der Resonatoren kann der Grad, um den die Resonanzfrequenz des ersten Resonators 50 gesenkt wird, gesteuert werden. Die Resonanzfrequenz des ersten Re sonators 50 kann z. B. in dem Bereich von etwa 1% bis 6% gesenkt werden.

Herstellung von Dünnfilmresonatoren durch Massenreduzierung der oberen Elektrode

Bezug nehmend auf die Fig. 3A und 38 sind Vorrichtungen 70 und 70a dargestellt, um ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zu erläutern. Die Vorrichtung 70a aus Fig. 3B stellt die Vorrichtung 70 aus Fig. 3A nach einem weiteren Verarbeiten dar. Folglich ähneln Teile der Vorrichtung 70a aus Fig. 3B denjenigen, die als Vorrichtung 70 in Fig. 3A dargestellt sind. Zur Annehmlichkeit sind Teile der Vorrichtung 70a, die entsprechenden Teilen in der Vorrichtung 70 ähneln, mit den gleichen Bezugszeichen be zeichnet, wobei analoge, jedoch veränderte Teile mit den gleichen Bezugszeichen unter Hinzufügung des Buchstabens "a" bezeichnet sind, und wobei unterschiedliche Teile durch unterschiedliche Bezugszeichen bezeichnet sind.

Um Resonatoren auf einem Substrat gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung herzustel len, wird eine untere Elektrodenschicht 72 auf einem Sub strat 71 hergestellt. Ähnlich wie die Vorrichtung 10 aus Fig. 1 oder die Vorrichtung 40 aus Fig. 2 kann die Vorrich tung 70 einen Hohlraum 81 ("ersten Hohlraum") umfassen, über dem ein Resonator 80 ("erster Resonator") hergestellt wird. Natürlich kann der erste Hohlraum 81 vor der Herstel lung der unteren Elektrodenschicht 72 geätzt und gefüllt werden. Ein Abschnitt ("erster Abschnitt", der allgemein durch das Bezugszeichen 82 bezeichnet ist) der unteren Elektrodenschicht 72 über dem ersten Hohlraum 81 kann als untere Elektrode 82 ("erste untere Elektrode") für einen Resonator ("ersten Resonator") 80 fungieren. Ein weiterer Abschnitt ("zweiter Abschnitt", der allgemein durch das Be zugszeichen 92 bezeichnet ist) der unteren Elektroden schicht 72 über einem zweiten Hohlraum 91 kann als untere Elektrode 92 ("zweite untere Elektrode") für einen anderen Resonator ("zweiten Resonator") 90 fungieren. Hier können die erste untere Elektrode 82 und die zweite untere Elek trode 92 wie dargestellt verbunden sein. Alternativ können die unteren Elektroden 82 und 92 separat sein, ähnlich wie die unteren Elektroden 22 und 32 aus Fig. 1. Für Erklä rungszwecke der vorliegenden Technik ist diese Entwurfsaus wahl nicht wesentlich.

Oberhalb der unteren Elektrodenschicht 72 wird eine PZ- Schicht 74 über der unteren Elektrodenschicht 72 herge stellt. Wieder ist die PZ-Schicht 74 bei einem Ausführungs beispiel Aluminiumnitrid (AlN), kann jedoch jedes geeignete piezoelektrische Material sein. Als nächstes wird eine obe re Elektrodenschicht 76 über der PZ-Schicht 74 hergestellt, wobei die obere Elektrodenschicht 76 eine vorbestimmte Dic ke ("erste Dicke") aufweist. Für den Beispielresonator mit 1900 MHz, der oben erläutert wurde, kann die obere Elek trodenschicht 76 z. B. eine Dicke von 1000 Å aufweisen. Dann wird ein ausgewählter Bereich (allgemein durch die Klammer 79 angezeigt) der oberen Elektrodenschicht 76 teil weise geätzt. Dies bedeutet, daß etwas Material (z. B. Mo lybdän) der oberen Elektrodenschicht 76 entfernt wird, um zu dem ausgewählten Bereich 79 zu führen, der eine dünnere Schicht der oberen Elektrode 76 aufweist. Zur Kürze wird die Dicke des ausgewählten Bereichs 79 hierin als die "zweite Dicke" bezeichnet. Fig. 3A zeigt die Vorrichtung 70 nach dem Teilätzschritt der vorliegenden Erfindung.

Schließlich wird die obere Elektrodenschicht 76 einschließ lich des ausgewählten Bereichs 79 strukturiert, um eine er ste obere Elektrode 79a und eine zweite obere Elektrode 77a zu bilden. Die erste obere Elektrode 79a und die erste un tere Elektrode 82 umschließen einen Teil 84 ("ersten Teil") der PZ-Schicht 74, die den ersten Resonator 80 bildet. Die zweite obere Elektrode 77a und die zweite untere Elektrode 92 umschließen einen weiteren Teil 94 ("ersten Teil") der PZ-Schicht 74, die den zweiten Resonator 90 bildet. Diese Operationen führen zu einer Vorrichtung 70a, die einen er sten Resonator 80 mit einer höheren Resonanzfrequenz als der des zweiten Resonators 90 aufweist.

Um die obere Elektrodenschicht 76 teilweise zu ätzen, wird der ausgewählte Bereich 79 der oberen Elektrodenschicht 76 maskiert. Dann werden die Vorrichtung 70 einschließlich des ausgewählten Bereichs 79 und die maskierten Bereiche einem Ätzmittel ausgesetzt. Das Ätzmittel kann eine verdünnte Fluorwasserstoffsäure (HF) sein, wobei abhängig von der Konzentration der HF die Aussetzung etwa eine Minute dauern kann. Alternativ kann die obere Elektrodenschicht 76 unter Verwendung von Ionenfräsen, einem Photoresist, Zerstäu bungs- bzw. Sputterätzen oder anderen Techniken geätzt wer den. Zu Zwecken dieser Erfindung ist die tatsächliche Tech nik, die für das Ätzen der oberen Elektrodenschicht 76 ver wendet wird, nicht durch die hierin genannten Verfahren eingeschränkt. Schließlich wird die Maske entfernt. Ein ty pisches Material, das für Masken verwendet wird, ist Sili ziumdioxid (SiO₂). Die Maskierungs- und Ätzverfahren sind in der Technik bekannt.

Für einen Resonator, z. B. für den ersten Resonator 80, der eine Größe von etwa 150 µm mal 200 µm sowie eine Resonanz frequenz von etwa 1900 MHz aufweist, kann die obere Elek trodenschicht 76 anfänglich etwa 1500 Å dick sein. Das Teilätzverfahren kann mehrere hundert Å entfernen, z. B. etwa 200 Å, um die Resonanzfrequenz des ersten Resonators 80 um etwa 3% zu erhöhen. Bei einem Ausführungsbeispiel wird zwischen 1% und 30% der Dicke der oberen Elektroden schicht 76 an dem ausgewählten Bereich 79 entfernt, was die Resonanzfrequenz des ersten Resonators 80 abhängig von dem Grad der Abnahme der Dicke um etwa 1% bis 6% erhöht.

Herstellung von Dünnfilmresonatoren durch Massenbelastung der unteren Elektrode

Bezug nehmend auf Fig. 4 zeigt eine Vorrichtung 100 ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Vorrichtung 100 gemäß einem weiteren Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung ist dargestellt. Die Vor richtung 100 weist einen ersten Resonator 110 und einen zweiten Resonator 120, die auf einem Substrat 102 herge stellt sind, auf. Bei einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 102 ein Siliziumsubstrat.

Die Resonatoren 110 und 120 sind akustische Resonatoren, die mechanische Wellen verwenden. Aus diesem Grund wird je der der dargestellten Resonatoren 110 und 120 über einem Hohlraum 111 bzw. 121 hergestellt. Der erste Resonator 110 der Vorrichtung 100 ist über einem ersten Hohlraum 111 her gestellt und umfaßt eine untere Elektrode ("erste untere Elektrode"), die eine Kombination einer unteren Belastungs elektrode 113 und einer ersten unteren Kernelektrode 112 ist, ein PZ-Material 114 ("erstes PZ-Material") und eine obere Elektrode 116 ("erste obere Elektrode"). Das erste PZ-Material 114 ist ein Teil ("erster Teil") einer PZ- Schicht 104. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Elektroden 112, 113 und 116 aus Molybdän hergestellt, wobei die PZ-Schicht 104 unter Verwendung von Aluminiumni trid ("AlN") hergestellt ist. Jedes andere geeignete Lei termaterial kann jedoch für die Elektroden verwendet wer den. Ähnlich kann ein anderes geeignetes piezoelektrisches Material für die PZ-Schicht 104 verwendet werden. Bei einem möglichen Ausführungsbeispiel sind die erste untere Kern elektrode 112 und die untere Belastungselektrode 113 aus dem gleichen Material hergestellt.

Der zweite Resonator 120 der Vorrichtung 100 ist über einem zweiten Hohlraum 121 hergestellt und umfaßt eine untere Elektrode 122 ("zweite untere Elektrode" oder "zweite unte re Kernelektrode"), ein PZ-Material 124 ("zweites PZ- Material") und eine obere Elektrode 126 ("zweite obere Elektrode"). Das zweite PZ-Material 124 kann ein Teil ("zweiter Teil") der PZ-Schicht 104 sein.

Hier sind die zweite untere Elektrode 122 und die erste un tere Kernelektrode 112 bezüglich der Dicke und Größe ähn lich. Folglich ist die erste untere Elektrode (im folgenden als "112 + 113" bezeichnet, was eine Kombination der ersten unteren Kernelektrode 112 und der unteren Belastungselek trode 113 darstellt) dicker als die zweite untere Elektrode 122. Bei einem Ausführungsbeispiel können die erste untere Kernelektrode 112 und die zweite untere Elektrode 122 z. B. etwa 1500 Å dick sein, wobei die untere Belastungselektro de 113 zwischen 100 Å und 1000 Å zu der ersten unteren Kernelektrode 112 hinzufügen kann. Dies führt dazu, daß der erste Resonator 110 eine niedrigere Resonanzfrequenz auf weist als der zweite Resonator 120. Bei einem Ausführungs beispiel ist die Resonanzfrequenz des ersten Resonators 110 in einem Bereich von 1% bis 6% niedriger als die des zweiten Resonators 120.

Um den ersten Resonator 110 herzustellen, wird zuerst die untere Belastungselektrode 113 hergestellt. Dann wird die erste untere Kernelektrode 112 über der unteren Belastungs elektrode 113 hergestellt. Als nächstes wird die PZ-Schicht 104 hergestellt. Schließlich wird die erste obere Elektrode 116 über der PZ-Schicht 104 hergestellt. Wie dargestellt kann die untere Belastungselektrode 113 den ersten Hohlraum 111 überspannen.

Um die Vorrichtung 100 herzustellen, wird zuerst die untere Belastungselektrode 113 hergestellt. Dann werden die erste untere Kernelektrode 112 und die zweite untere Kernelektro de 122 hergestellt, wobei die erste untere Kernelektrode 112 über der unteren Belastungselektrode 113 hergestellt wird. Als nächstes wird die PZ-Schicht 104 hergestellt, wo bei die PZ-Schicht einen ersten Teil 114 über der ersten unteren Kernelektrode 112 und einen zweiten Teil 124 über der zweiten unteren Kernelektrode 122 aufweist. Schließlich werden die erste obere Elektrode 116 und zweite obere Elek trode 126 über dem ersten Teil 114 bzw. dem zweiten Teil 124 hergestellt.

Herstellung von Dünnfilmresonatoren durch Massenbelastung der oberen Elektrode und Überätzung

Bezug nehmend auf die Fig. 5A und 5B werden Vorrichtungen 130 und 130a verwendet, um ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darzustellen. Die Vorrichtung 130a aus Fig. 5B stellt die Vorrichtung 130 aus Fig. 5A nach einem weiteren Verarbeiten dar. Folglich ähneln Teile der Vorrichtung 130a aus Fig. 5B denjenigen, die als Vor richtung 130 in Fig. 5A dargestellt sind. Zur Bequemlich keit sind Teile der Vorrichtung 130a, die entsprechenden Teilen in der Vorrichtung 130 ähneln, mit den gleichen Be zugszeichen bezeichnet, wobei analoge, jedoch veränderte Teile mit dem gleichen Bezugszeichen unter Hinzufügung des Buchstabens "a" bezeichnet sind, und wobei unterschiedliche Teile mit unterschiedlichen Bezugszeichen bezeichnet sind.

Um Resonatoren 140 und 150 auf einem Substrat 132 gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung herzustellen, werden eine erste untere Elektrode 142 und eine zweite untere Elektrode 152 hergestellt, wobei die Elektroden einen ersten Hohlraum 141 bzw. einen zweiten Hohlraum 151 überspannen.

Dann wird eine piezoelektrische (PZ-)Schicht 134 über so wohl der ersten als auch der zweiten unteren Elektrode 142 und 152 gebildet, wobei die PZ-Schicht 134 einen ersten Teil 144 über der ersten unteren Elektrode 142 und einen zweiten Teil 154 über der zweiten unteren Elektrode 152 aufweist. Als nächstes wird eine obere Elektrodenschicht 136 hergestellt, wobei die obere Elektrodenschicht 136 ei nen ersten Abschnitt 146 über dem ersten Teil 144 und einen zweiten Abschnitt 156 über dem zweiten Teil 154 aufweist. Als nächstes wird eine obere Belastungsschicht 138 über dem ersten Abschnitt 146 hergestellt, wobei dieselbe vorzugs weise den gesamten ersten Abschnitt 146 umfaßt. Die obere Belastungsschicht 138 kann ein leitendes Material, ein iso lierendes Material oder beides aufweisen und ohne Ein schränkung Molybdän, Aluminiumnitrid oder Siliziumdioxid umfassen. Dann wird die obere Belastungsschicht 138 einer Überätzung unterzogen, um eine erste obere Elektrode (eine Kombination der geätzten oberen Belastungsschicht 148 und des ersten Abschnitts 146 oder 148 + 146) zu bilden. Dies bedeutet, daß die obere Belastungsschicht 138 und die obere Elektrodenschicht 136 gleichzeitig geätzt werden, um die erste obere Elektrode 148 + 146 zu bilden. Natürlich kann ei ne Maskenschicht, wie z. B. eine SiO₂-Schicht, verwendet werden, um die Elektroden 148 + 146 und 156 aus dem Ätzmittel zu strukturieren.

Eine zweite obere Elektrode 156 kann während des gleichen Schritts hergestellt werden wie des Schritts zum Herstellen der ersten oberen Elektrode 148 + 146. Da keine Belastungs elektrode über dem zweiten Abschnitt 156 der oberen Elek trodenschicht 136 existiert, wird die obere Elektroden schicht 136 geätzt, um alle anderen Teile der oberen Elek trodenschicht 136 zu entfernen, während der zweite Ab schnitt 156 bleibt, um die zweite obere Elektrode 156 zu werden, und wobei die erste obere Elektrode 148 + 146 bleibt.

Um einen einzelnen Resonator herzustellen, z. B. den ersten Resonator 140, wird zuerst die untere Elektrode 142 herge stellt. Dann werden die PZ-Schicht 134, die obere Elektro denschicht 136 und die obere Belastungsschicht 138 der Rei he nach hergestellt. Die obere Belastungsschicht 138 umfaßt vorzugsweise den ersten Abschnitt 146 der oberen Bela stungsschicht 136, wobei der erste Abschnitt 146 ein Teil der oberen Elektrode 148 + 146 wird. Schließlich werden die obere Belastungselektrodenschicht 138 und die obere Elek trodenschicht 136 geätzt, um die obere Elektrode 148 + 146 des ersten Resonators 140 zu bilden. Diese Schichten 138 und 136 können in zwei Schritten geätzt werden. Bei einem Ausführungsbeispiel jedoch werden dieselben in einem Schritt geätzt oder einer Überätzung unterzogen. Zum Über ätzen wird die obere Belastungsschicht 138 zuerst markiert. Dann werden die obere Belastungsschicht 138 und die obere Elektrodenschicht 136 gleichzeitig geätzt, um nichtmaskier te Teile dieser Schichten zu entfernen. Zum Maskieren kann Siliziumdioxid (SiO₂) verwendet werden.

Für einen Resonator, z. B. den ersten Resonator 140, der eine Größe von etwa 150 µm mal 200 µm und eine Resonanzfre quenz von etwa 1900 MHz aufweist, können die untere Elek trode 142 und die obere Elektrodenschicht 136 jeweils etwa 1500 Å dick sein, wobei die PZ-Schicht 134 etwa 21 000 Å dick sein kann und die obere Belastungsschicht 138 in einem Bereich von 100 Å bis 1000 Å dick sein kann oder etwa 1% bis 6% der Dicke der oberen Elektrodenschicht 134. Bei ei nem Ausführungsbeispiel kann unter Verwendung dieser Tech nik die Resonanzfrequenz des ersten Resonators um 1% bis 6% gesenkt werden.

Herstellung von Dünnfilmresonatoren durch Massenreduzierung der piezoelektrischen Schicht

Bezug nehmend auf die Fig. 6A und 6B sind Vorrichtungen 160 und 160a dargestellt, um ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darzustellen. Die Vorrichtung 160a aus Fig. 6B stellt die Vorrichtung 160 aus Fig. 6A nach einem weiteren Verarbeiten dar. Folglich ähneln Teile der Vorrichtung 160a aus Fig. 6B denjenigen, die als die Vorrichtung 160 aus Fig. 6A dargestellt sind. Zur Bequem lichkeit sind Teile der Vorrichtung 160a, die entsprechen den Teilen in der Vorrichtung 160 ähneln, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wobei analoge, aber veränderte Teile mit den gleichen Bezugszeichen unter Hinzufügung des Buchstabens "a" bezeichnet sind, und wobei unterschiedliche Teile mit unterschiedlichen Bezugszeichen bezeichnet sind.

Um Resonatoren auf einem Substrat gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung herzustel len, wird eine untere Elektrodenschicht 162 auf einem Sub strat 161 hergestellt. Ähnlich wie die Vorrichtung 10 aus Fig. 1 oder die Vorrichtung 40 aus Fig. 2 kann die Vorrich tung 160 einen Hohlraum 171 ("ersten Hohlraum") umfassen, über dem ein Resonator 170 ("erster Resonator") hergestellt wird. Natürlich kann der erste Hohlraum 171 vor der Her stellung der unteren Elektrodenschicht 162 geätzt und ge füllt werden.

Ein Abschnitt ("erster Abschnitt", der allgemein durch das Bezugszeichen 172 angezeigt ist) der unteren Elektroden schicht 162 über dem ersten Hohlraum 171 kann als untere Elektrode 172 ("erste untere Elektrode") für einen Resona tor ("ersten Resonator") 170 fungieren. Ein weiterer Ab schnitt ("zweiter Abschnitt", der allgemein durch das Be zugszeichen 182 angezeigt ist) der unteren Elektroden schicht 162 über einem zweiten Hohlraum 181 kann als untere Elektrode 182 ("zweite untere Elektrode") für einen weite ren Resonator ("zweiten Resonator") 180 fungieren. Hier können die erste untere Elektrode 172 und die zweite untere Elektrode 182 wie dargestellt verbunden sein. Alternativ können die unteren Elektroden 172 und 182 ähnlich wie die unteren Elektroden 22 und 32 aus Fig. 1 separat sein. Für Erläuterungszwecke der vorliegenden Technik ist diese Ent wurfswahl nicht wesentlich.

Oberhalb der unteren Elektrodenschicht 162 wird eine PZ- Schicht 164 über der unteren Elektrodenschicht 162 herge stellt. Wieder ist bei einem Ausführungsbeispiel die PZ- Schicht 164 Aluminiumnitrid (AlN), kann jedoch jedes geeig nete piezoelektrische Material sein. Als nächstes wird ein ausgewählter Teil (allgemein durch die Klammer 169 ange zeigt) der PZ-Kernschicht 164 teilweise geätzt. Der Ätz schritt kann zwischen 1% und 30% der Dicke der PZ-Schicht entfernen, was die Resonanzfrequenz des resultierenden Re sonators 170 aufgrund der Reduzierung der Dicke der PZ- Schicht um 1% bis 6% erhöht. Fig. 6A zeigt die Vorrich tung 160 nach dem Teilätzschritt der vorliegenden Erfin dung.

Schließlich wird die obere Elektrodenschicht 176 über dem teilweise geätzten Teil 174 der PZ-Schicht 164 hergestellt, wodurch ein erster Resonator 170 gebildet wird.

Um die PZ-Schicht 164 teilweise zu ätzen, wird der ausge wählte Abschnitt 169 der PZ-Schicht 164 maskiert. Dann wer den die Vorrichtung 160 einschließlich des ausgewählten Be reichs 169 und die maskierten Bereiche einem Ätzmittel aus gesetzt. Das Ätzmittel kann eine verdünnte Fluorwasser stoffsäure (HF) sein, wobei abhängig von der Konzentration der HF die Aussetzung etwa eine Minute dauern kann. Alter nativ kann die PZ-Schicht 164 unter Verwendung von Ionen fräsen, einem Photoresist, Zerstäubungs- bzw. Sputterätzen oder anderen Techniken geätzt werden. Zu Zwecken dieser Er findung ist die tatsächliche Technik, die für das Ätzen der PZ-Schicht 164 verwendet wird, nicht durch die hierin ge nannten Verfahren eingeschränkt. Schließlich wird die Maske entfernt. Ein typisches Material, das für Masken verwendet wird, ist Siliziumdioxid (SiO₂). Die Maskierungs- und Ätz verfahren sind in der Technik bekannt.

Für einen Resonator, z. B. den ersten Resonator 170, der eine Größe von etwa 150 µm mal 200 µm und eine Resonanzfre quenz von etwa 1900 MHz aufweist, kann die PZ-Schicht 164 etwa 21 000 Å dick sein. Der ausgewählte teilweise geätzte Teil kann um 1% bis 30% dünner sein, wodurch die Reso nanzfrequenz des ersten Resonators 170 um 1% bis 30% er höht wird.

Die Vorrichtungen 160 und 160a können auch einen zweiten Resonator 180, der über einem zweiten Hohlraum 181 herge stellt ist und eine untere Elektrode 182, eine PZ-Schicht 184 (einen "zweiten Teil") und eine obere Elektrode 186 aufweist, umfassen. Zu Darstellungszwecken ist der zweite Teil 184 der PZ-Schicht 164 nicht teilweise geätzt.

SCHLUSSFOLGERUNG

Aus der vorangegangenen Beschreibung ist ersichtlich, daß die vorliegende Erfindung neuartig ist und gegenüber dem Stand der Technik Vorteile bietet. Die vorliegende Erfin dung offenbart Techniken zum Herstellen von FBARs, die un terschiedliche Resonanzfrequenzen aufweisen, auf einem ein zelnen Substrat. Obwohl ein spezifisches Ausführungsbei spiel der Erfindung oben beschrieben und dargestellt ist, soll die Erfindung nicht auf die spezifischen Formen oder Anordnungen von Teilen, die so beschrieben und dargestellt wurden, beschränkt sein. Verschiedene Konfigurationen, Grö ßen oder Materialien können z. B. verwendet werden, um die vorliegende Erfindung zu praktizieren. Die Erfindung ist durch die folgenden Ansprüche eingeschränkt.

Claims

1. Verfahren zum Erzeugen eines Resonators (140) auf ei nem Substrat (132), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Erzeugen einer unteren Elektrode (142);
Erzeugen einer piezoelektrischen (PZ-)Schicht (134);
Erzeugen einer oberen Elektrodenschicht (136);
Erzeugen einer oberen Belastungsschicht (138); und
Durchführen einer Überätzung der oberen Belastungs schicht (138) derart, daß die obere Belastungsschicht und die obere Elektrodenschicht (136) geätzt werden, um eine obere Elektrode (146 + 148) zu bilden.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem der Schritt des Durchführens einer Überätzung folgende Schritte auf weist:
Maskieren eines Abschnitts der oberen Belastungs schicht (138); und
Durchführen einer Überätzung der oberen Belastungs schicht (138), um nichtmaskierte Teile der oberen Be lastungsschicht und Teile der oberen Elektrodenschicht (136) unter den nichtmaskierten Teilen der oberen Be lastungsschicht zu entfernen.

3. Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem die Maske Silizi umdioxid (SiO₂) ist.

4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die obere Belastungsschicht (138) etwa 100 Å bis 1000 Å dick ist.

5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die obere Belastungsschicht (138) ein leitendes Mate rial aufweist.

6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die obere Belastungsschicht (138) ein isolierendes Ma terial aufweist.

7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die obere Belastungsschicht (138) und die obere Elek trode (136) das gleiche Material aufweisen.

8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die PZ-Schicht (134) Aluminiumnitrid (AlN) aufweist.

9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der Resonator (140) einen Hohlraum überspannt.

10. Verfahren zum Erzeugen eines Vorrichtungsresonators auf einem Substrat (132), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Erzeugen einer ersten unteren Elektrode (142) und ei ner zweiten unteren Elektrode (152);
Erzeugen einer piezoelektrischen (PZ-)Schicht (134) über sowohl der ersten als auch der zweiten unteren Elektrode, wobei die PZ-Schicht einen ersten Teil über der ersten unteren Elektrode (142) und einen zweiten Teil über der zweiten unteren Elektrode (152) auf weist;
Erzeugen einer oberen Elektrodenschicht (136), die ei nen ersten Abschnitt über dem ersten Teil und einen zweiten Abschnitt über dem zweiten Teil aufweist;
Erzeugen einer oberen Belastungsschicht (138) über dem ersten Abschnitt; und
Durchführen einer Überätzung der oberen Belastungs schicht (138) derart, daß die obere Belastungsschicht und die obere Elektrodenschicht geätzt werden, um eine obere Elektrode zu bilden.

11. Verfahren gemäß Anspruch 10, das ferner ein Maskieren der oberen Elektrodenschicht (136) aufweist, um eine Überätzung der oberen Elektrodenschicht (138) durchzu führen.

12. Verfahren gemäß Anspruch 11, bei dem die Maske Silizi umdioxid (SiO₂) ist.

13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem die obere Belastungsschicht (138) 100 Å bis 1000 Å dick ist.

14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem die obere Belastungsschicht (138) ein leitendes Mate rial aufweist.

15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem die obere Belastungselektrode (138) ein isolierendes Material aufweist.

16. Verfahren gemäß Anspruch 10 bis 13, bei dem die obere Belastungsschicht (138) und die obere Elektroden schicht (136) das gleiche Material aufweisen.

17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 16, bei dem die PZ-Schicht (134) Aluminiumnitrid (AlN) aufweist.

18. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 17, bei dem der Resonator einen Hohlraum überspannt.

19. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 18, bei dem die obere Belastungsschicht (136) verglichen mit der oberen Elektrodenschicht in einem Bereich von 1% bis 6% ist.

20. Verfahren gemäß Anspruch 19, bei dem die Resonanzfre quenz des Resonators aufgrund der oberen Belastungs schicht um 1% bis 6% gesenkt wird.